Fuji Electric Co., Ltd.

Japon

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Propriétaire / Filiale
[Owner] Fuji Electric Co., Ltd. 2 736
Fuji Electric FA Components & Systems Co., Ltd. 4
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 30
2021 septembre (MACJ) 21
2021 août 17
2021 juillet 18
2021 juin 21
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Classe IPC
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs 536
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices 507
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée 446
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ 441
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus 384
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Statut
En Instance 410
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1.

SEMICONDUCTOR MODULE AND WIRE BONDING METHOD

      
Numéro d'application 17188221
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-01
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamada, Takafumi
  • Yamauchi, Kohei
  • Asai, Tatsuhiko
  • Gohara, Hiromichi

Abrégé

A semiconductor module includes at least two semiconductor elements connected in parallel; a control circuit board placed between the at least two semiconductor elements; a control terminal for external connection; a first wiring member that connects the control terminal and the control circuit board; and a second wiring member that connects a control electrode of one of the at least two semiconductor elements and the control circuit board, wherein the second wiring member is wire-bonded from the control electrode towards the control circuit board, and has a first end on the control electrode and a second end on the control circuit board, the first end having a cut end face facing upward normal to a surface of the control electrode and the second end having a cut end face facing sideways parallel to a surface of the control circuit board.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

2.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17186274
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohuchi, Yuki
  • Ueno, Katsunori

Abrégé

A nitride semiconductor device includes a GaN-based semiconductor layer; and an insulating film provided on a first surface of the GaN-based semiconductor layer, the insulating film containing O atoms, and other constituent atoms other than O. An interface between the GaN-based semiconductor layer and the insulating film has a terminating species which terminates a dangling bond of a Ga atom, the terminating species has an outermost electron shell in which one electron is deficient from an allowed number of outermost electrons, and is an atom or molecule having stronger bond to the Ga atom than a H atom, an amount of Ga—O bonds is greater than an amount of bonds between the Ga atoms and the other constituent atoms.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes

3.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application 17332218
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-27
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakamori, Akira

Abrégé

A power conversion device including a semiconductor switching element having a control electrode terminal and two main electrode terminals and configured to control a current flowing between the two main electrodes by a drive signal applied to the control electrode terminal; and a drive circuit configured to generate the drive signal in synchronization with an input signal and to turn on/off the semiconductor switching element by the drive signal. The drive circuit is configured to detect the current flowing between the two main electrode terminals of the semiconductor switching element at a timing at which the semiconductor switching element is turned off, and to adjust a drive capacity.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
  • H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande

4.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17158388
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-26
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tanaka, Masanori

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor device, including: preparing a power semiconductor chip, a lead frame having a die pad part and a terminal part integrally connected to the die pad part, and an insulating sheet in a semi-cured state; disposing the power semiconductor chip on a front surface of the die pad part and performing wiring; encapsulating the lead frame and the power semiconductor chip with an encapsulation raw material in a semi-cured state, to thereby form a semi-cured unit, the terminal part projecting from the semi-cured unit, and a rear surface of the die pad part being exposed from a rear surface of the semi-cured unit; pressure-bonding a front surface of the insulating sheet to the rear surface of the semi-cured unit to cover the rear surface of the die pad part; and curing the semi-cured unit and the insulating sheet by heating.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

5.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17332590
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-27
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Terashima, Kenshi

Abrégé

A semiconductor device includes a first semiconductor chip including an output electrode portion on a front surface thereof, the output electrode portion including a plurality of electrode regions, each of which is provided at a respective position of the output electrode portion, and a plurality of wires, each electrode region being connected to a different one or more wires among the plurality of wires, through which a respective amount of output current is output. A total number of the different one or more wires connected to each electrode region is set depending on the respective position of the electrode region of the output electrode portion, so that the electrode region has a respective current amount per wire that is equal to or less than a respective predetermined value.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

6.

WIRING STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17187620
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sato, Tadahiko

Abrégé

A lead frame structure for connecting a semiconductor chip to a connection target includes a conductive member electrically connecting the semiconductor chip and the connection target. The conductive member includes a first bonding part having a main surface, disposed on one side of the conductive member and being bonded to the semiconductor chip, a second bonding part having a main surface, being disposed on another side of the conductive member that is spaced from the one side in one direction and being bonded to the connection target, and a joining part having a wall section intersecting the main surface of the first bonding part and the main surface of the second bonding part, the wall section joining a portion of the first bonding part to a portion of the second bonding part.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

7.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17185953
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-25
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Murata, Yuma
  • Kanai, Naoyuki
  • Nakagome, Akito
  • Ikeda, Yoshinari

Abrégé

A semiconductor module includes a first semiconductor element and a second semiconductor element each having an upper-surface electrode and a lower-surface electrode, and being connected in parallel to configure an upper arm, a first conductive layer having a U-shape in planar view, having two end portions, and having an upper surface on which the first semiconductor element and the second semiconductor element are disposed in a mirror image arrangement, a positive electrode terminal having a body part and at least two positive electrode ends branched from the body part, and a negative electrode terminal having a negative electrode end disposed between the positive electrode ends. The positive electrode ends are respectively connected to one of the two end portions of the first conductive layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

8.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17187668
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Murata, Yuma
  • Kanai, Naoyuki
  • Nakagome, Akito
  • Ikeda, Yoshinari

Abrégé

A semiconductor module includes first to fourth semiconductor elements, each having an upper-surface electrode and a lower-surface electrode, first to fourth conductive layers, each extending in a first direction and being independently disposed side by side in a second direction orthogonal to the first direction, and an output terminal connected to the second and third conductive layers. The lower-surface electrodes of each of the first to fourth semiconductor elements are respectively conductively connected to the first to fourth conductive layers. The third conductive layer and the fourth conductive layer are disposed between the first conductive layer and the second conductive layer and are connected to the output terminal to have an equal potential.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

9.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17159718
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-27
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kinoshita, Akimasa

Abrégé

A semiconductor device, including a semiconductor substrate of a first conductivity type, a first semiconductor layer of the first conductivity type, provided on the semiconductor substrate and having an impurity concentration lower than that of the semiconductor substrate, a second semiconductor layer of a second conductivity type, selectively provided on the first semiconductor layer, a plurality of first semiconductor regions of the first conductivity type, selectively provided in the second semiconductor layer at a surface thereof, a plurality of gate insulating films in contact with the second semiconductor layer, a plurality of gate electrodes respectively provided on the gate insulating films, a plurality of first electrodes provided on the second semiconductor layer and the first semiconductor regions, and a second electrode provided on a back surface of the semiconductor substrate. The semiconductor substrate contains boron, a concentration of the boron therein being in a range from 5×1015/cm3 to 5×1016/cm3.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

10.

INTEGRATED CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 17329802
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-25
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sugawara, Takato

Abrégé

A power supply circuit that generates an output voltage from an AC voltage inputted thereto. The power supply circuit includes a rectifier circuit rectifying the AC voltage, an inductor receiving a rectified voltage from the rectifier circuit, a transistor controlling an inductor current flowing through the inductor, and an integrated circuit switching the transistor based on the inductor current and the output voltage. The integrated circuit includes a sample-and-hold circuit that samples-and-holds a voltage corresponding to the rectified voltage in a predetermined timing, an output circuit that outputs a limit voltage based on the voltage held by the sample-and-hold circuit, indicating a limit value for limiting the inductor current, and a signal output circuit that receives the limit voltage and a voltage corresponding to the inductor current, to thereby output a signal to turn off the transistor upon determining that a current value of the inductor current exceeds the limit value.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs

11.

TRIMMING CIRCUIT AND TRIMMING METHOD

      
Numéro d'application 17235956
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-21
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Iwamizu, Morio

Abrégé

A trimming circuit configured to output a voltage according to the presence or absence of disconnection of a fuse resistor is provided, including a fuse resistor formed by a polysilicon layer arranged on a semiconductor substrate via an insulating film, a pad for trimming connected to one end of the fuse resistor, an output terminal electrically connected to a connection point between the fuse resistor and the pad, and configured to output a voltage according to the presence or absence of disconnection of the fuse resistor, and a diode formed on the semiconductor substrate, having one end connected to the other end of the fuse resistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

12.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17161931
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-29
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device includes a first MOS structure portion that includes, as its elements, a semiconductor substrate of a first conductivity type, a first semiconductor layer of the first conductivity type, a first second-semiconductor-layer of a second conductivity type, first semiconductor regions of the first conductivity type, and first gate insulating films, and a second MOS structure portion that includes, as its elements, the substrate, the first semiconductor layer, a second second-semiconductor-layer, second first-semiconductor-regions of the first conductivity type, and second gate insulating films. First and second portions include all of the elements of the first and second MOS structure portions other than the first and second first-semiconductor-regions and the first and second gate insulating films, respectively. A structure of one of the elements of the first portion is not identical to a structure of a corresponding element of the second portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

13.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17185931
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-25
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Murata, Yuma
  • Kato, Ryoichi
  • Kanai, Naoyuki
  • Nakagome, Akito
  • Ikeda, Yoshinari

Abrégé

A semiconductor module includes a case with a side wall in a first direction in which gate and source terminals are embodied and exposed therefrom, first and second semiconductor elements each having gate and source electrodes, gate and source relay layers positioned at a center between the first and second semiconductor elements in the first direction at a side of the semiconductor elements farther from the side wall, first gate and source wires respectively connecting the gate and source terminals to the gate and source relay layers, second gate and source wires, and third gate and source wires, respectively connecting the gate and source electrodes of the first semiconductor element, and the gate and source electrode of the second semiconductor element, to the gate and source relay layers. The first to third source wires are respectively located closer to the first to third gate wires than any other gate wires.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

14.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17187646
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Murata, Yuma
  • Kanai, Naoyuki
  • Nakagome, Akito
  • Ikeda, Yoshinari

Abrégé

A semiconductor module includes an insulating substrate having a main wiring layer, positive and negative electrode terminals adjacently arranged in a first direction, a plurality of semiconductor elements forming a first column and another plurality of semiconductor elements forming a second column, each semiconductor element having gate and source electrode on an upper surface thereof, and being disposed on the main wiring layer such that corresponding ones of the gate electrodes in the first and second columns face each other in a second direction orthogonal to the first direction, a control wiring substrate between the first and second columns and having gate and source wiring layers, a gate wiring member connecting ones of the gate electrodes in the first and second columns through the gate wiring layer, and a source wiring member connecting ones of the source electrodes in the first and second columns through the source wiring layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
  • H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés

15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17331013
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-26
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hokazono, Hiroaki
  • Kato, Ryoichi

Abrégé

A semiconductor device includes: a first semiconductor chip having a metal layer on a top surface; a first wiring member arranged to face the metal layer; a sintered-metal layer arranged between the metal layer and the first wiring member, having a first region and a plurality of second regions provided inside the first region, the second regions having lower tensile strength than the first region; and a metallic member arranged inside the sintered-metal layer, wherein the second regions of the sintered-metal layer have lower tensile strength than the metal layer of the first semiconductor chip.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

16.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17140757
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-04
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Nakano, Hayato

Abrégé

A semiconductor module includes a substrate on which first, second, and third circuit boards that are electrically isolated from each other are formed; a semiconductor element arranged on the first circuit board; a connecting member that bridges an upper surface electrode of the semiconductor element and the second circuit board so as to electrically connect the upper surface electrode to the second circuit board; a wire that electrically connects the third circuit board to a first electrode that is located outside of where the first, second and third circuit boards are located in a plan view; and a sealing resin that covers and seals the substrate, the semiconductor element, the connecting member, and the wire, wherein the wire is wired from the third circuit board to the first electrode so as to cross the semiconductor element at a vertical position lower than an upper surface of the connecting member.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

17.

CONTROL CIRCUIT AND POWER SOURCE CIRCUIT

      
Numéro d'application 17159053
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-26
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yaguchi, Yukihiro

Abrégé

A control circuit for controlling an output transistor for outputting power includes: a ramp terminal connected to a ramp resistance; a ramp waveform generation unit for generating a ramp waveform including a slope corresponding to a resistance value of the ramp resistance; an output control unit for controlling at least one of an ON time or an OFF time of the output transistor based on a comparison result between the ramp waveform and a comparison voltage; and a state detection unit for detecting a state of the ramp resistance connected to the ramp terminal, wherein the output control unit turns the output transistor to an OFF state regardless of the comparison result, when the state of the ramp resistance becomes a predetermined state.

Classes IPC  ?

  • G01R 27/08 - Mesure de la résistance par mesure à la fois de la tension et de l'intensité
  • G05F 3/26 - Miroirs de courant
  • H03K 4/48 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins à forme triangulaire en dents de scie utilisant comme éléments actifs des dispositifs à semi-conducteurs
  • G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

18.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17161908
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-29
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kodama, Naoko

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor device, including preparing a semiconductor wafer having first and second main surfaces opposite to each other, forming a photoresist film on the first main surface of the semiconductor wafer, forming a plurality of openings at predetermined positions in the photoresist film, cleaning the semiconductor wafer with water after the openings are formed, drying the semiconductor wafer by rotating the semiconductor wafer around a center axis that is orthogonal to the first main surface of the semiconductor wafer, to thereby generate a centrifugal force to cause the water that is left in the openings of the photoresist film to fly off the semiconductor wafer, and ion-implanting a predetermined impurity by a predetermined acceleration energy from the first main surface of the semiconductor wafer, using the photoresist film as a mask, after the drying. The drying process includes setting a rotational speed of the semiconductor wafer to be at most an upper limit value.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

19.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE

      
Numéro d'application 17162334
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-29
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Shinjiro
  • Zhu, Fengqiang
  • Takeuchi, Masaru
  • Hasegawa, Tomoki

Abrégé

Provided are an electrophotographic photoconductor being resistant to abrasion even in long-term use, having highly sensitive electric characteristics, being capable of maintaining a high retention rate, and being capable of providing a stable image without filming, a method of manufacturing the same, and an electrophotographic device. The photoconductor includes an electroconductive substrate (1), a charge generation layer (3), and a charge transport layer (4); the charge transport layer contains a hole transport material, a resin binder, an electron transport material, and an inorganic oxide; the charge generation layer contains a charge generation material; the masses of the hole transport material, the resin binder, the electron transport material, and the inorganic oxide in the charge transport layer respectively denoted by a to d satisfy 1.5≤b/a≤5.7, 0.005≤c/a≤0.35, 0.05≤d/a≤0.70, a≥c+d, and c/d≥0.01; the hole transport material contains a compound expressed by formula (A-1); and the charge generation material contains titanyl phthalocyanine having an exothermic peak at 251±5° C., a half-value width of the exothermic peak equal to or less than 15° C., and a heating value equal to or greater than 1.0 mJ/mg when a temperature rise condition is 20° C./min in differential scanning calorimetry, and having an X-ray diffraction peak at 27.2±0.3°. Provided are an electrophotographic photoconductor being resistant to abrasion even in long-term use, having highly sensitive electric characteristics, being capable of maintaining a high retention rate, and being capable of providing a stable image without filming, a method of manufacturing the same, and an electrophotographic device. The photoconductor includes an electroconductive substrate (1), a charge generation layer (3), and a charge transport layer (4); the charge transport layer contains a hole transport material, a resin binder, an electron transport material, and an inorganic oxide; the charge generation layer contains a charge generation material; the masses of the hole transport material, the resin binder, the electron transport material, and the inorganic oxide in the charge transport layer respectively denoted by a to d satisfy 1.5≤b/a≤5.7, 0.005≤c/a≤0.35, 0.05≤d/a≤0.70, a≥c+d, and c/d≥0.01; the hole transport material contains a compound expressed by formula (A-1); and the charge generation material contains titanyl phthalocyanine having an exothermic peak at 251±5° C., a half-value width of the exothermic peak equal to or less than 15° C., and a heating value equal to or greater than 1.0 mJ/mg when a temperature rise condition is 20° C./min in differential scanning calorimetry, and having an X-ray diffraction peak at 27.2±0.3°.

Classes IPC  ?

  • G03G 5/047 - Couches photoconductrices caractérisées en ce qu'elles ont plusieurs couches ou caractérisées par leur structure composite caractérisées par les couches de génération ou de transport de charges
  • G03G 5/06 - Couches photoconductrices; Couches de génération de charges ou couches de transport de charges; Additifs à cet effet; Liants à cet effet caractérisées par le fait que leur matériau photoconducteur est organique
  • G03G 5/05 - Matériaux de liaison organiques; Méthodes d'enduction d'un substrat avec une couche photoconductrice; Additifs inertes utilisables dans des couches photoconductrices

20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

      
Numéro d'application 17320115
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-13
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yoshida, Soichi

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a transistor section, a diode section, and a boundary section provided between the transistor section and the diode section in the semiconductor substrate. The transistor section has gate trench portions which are provided from an upper surface of the semiconductor substrate to a position deeper than that of an emitter region, and to each of which a gate potential is applied. An upper-surface-side lifetime reduction region is provided on the upper surface side of the semiconductor substrate in the diode section and a partial region of the boundary section, and is not provided in a region that is overlapped with the gate trench portion in the transistor section in a surface parallel to the upper surface of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes

21.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17137643
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-30
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device having, in a plan view thereof, an active region and a termination region that surrounds a periphery of the active region. The device includes a semiconductor substrate containing a wide bandgap semiconductor, a first-conductivity-type region provided in the semiconductor substrate, spanning from the active region to the termination region, a plurality of second-conductivity-type regions provided between the first-conductivity-type region and the first main surface of the semiconductor substrate in the active region, a first electrode provided on a first main surface of the semiconductor substrate and electrically connected to the second-conductivity-type regions, a second electrode provided on the second main surface of the semiconductor substrate and electrically connected to the first-conductivity-type region, and a lifetime killer region provided in the first-conductivity-type region and spanning from the active region to the termination region. In the active region, pn junctions between the first-conductivity-type region and the second-conductivity-type regions form a vertical semiconductor device element.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

22.

COOLING APPARATUS, SEMICONDUCTOR MODULE, AND VEHICLE

      
Numéro d'application 17317776
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-11
Date de la première publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Arai, Nobuhide

Abrégé

A semiconductor module is provided, where a coolant circulation portion of a cooling apparatus has a first coolant flow channel and a second coolant flow channel arranged so as to sandwich therebetween a fin region in which a cooling fin is provided, and each having two ends in a longitudinal direction, a casing portion of the cooling apparatus includes a first opening provided on an end side corresponding to a first end of the first coolant flow channel and a second opening provided on an end side corresponding to a second end of the second coolant flow channel, the second end and the first end are arranged on the same side of the casing portion, and the first coolant flow channel and the second coolant flow channel are each at least partly provided below the cooling fin.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont

23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17235954
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-21
Date de la première publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takishita, Hiroshi
  • Yoshimura, Takashi
  • Meguro, Misaki
  • Nemoto, Michio

Abrégé

Provided is a semiconductor device, comprising: a semiconductor substrate provided with an N-type region, wherein the N-type region is a region including a center position in a depth direction of the semiconductor substrate; and the N-type region includes an acceptor with a concentration that is a lower concentration than a carrier concentration, and is 0.001 times or more of a carrier concentration at the center position. A semiconductor device can be manufactured by a manufacturing method, comprising: a preparation step configured to prepare a P-type semiconductor substrate; and a first inverting step configured to form an N-type region including a center position in a depth direction of the semiconductor substrate, by implanting an N-type impurity into the P-type semiconductor substrate and performing heat treatment.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions

24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17317785
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-11
Date de la première publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubouchi, Motoyoshi
  • Yoshida, Soichi

Abrégé

In a semiconductor device, it is preferable to suppress a variation in characteristics of a temperature sensor. The semiconductor device is provided that includes a semiconductor substrate having a first conductivity type drift region, a transistor section provided in the semiconductor substrate, a diode section provided in the semiconductor substrate, a second conductivity type well region exposed at an upper surface of the semiconductor substrate, a temperature sensing unit that is adjacent to the diode section in top view and is provided above the well region, and an upper lifetime control region that is provided in the diode section, at the upper surface side of the semiconductor substrate, and in a region not overlapping with the temperature sensing unit in top view.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17133692
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-24
Date de la première publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mitsuzuka, Kaname
  • Onozawa, Yuichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device including a semiconductor substrate; a transistor portion provided in the semiconductor substrate; a current sensing portion for detecting current flowing through the transistor portion; an emitter electrode set to an emitter potential of the transistor portion; a sense electrode electrically connected to the current sensing portion; and a Zener diode electrically connected between the emitter electrode and the sense electrode. Provided is a semiconductor device fabricating method including providing a transistor portion in a semiconductor substrate; providing a current sensing portion for detecting current flowing through the transistor portion; providing an emitter electrode set to an emitter potential of the transistor portion; providing a sense electrode electrically connected to the current sensing portion; and providing a Zener diode electrically connected between the emitter electrode and the sense electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/866 - Diodes Zener
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

26.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17134742
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Uezato, Yoshinori

Abrégé

A semiconductor module, including a ceramic board, a circuit pattern metal plate formed on a principal surface of the ceramic board, an external connection terminal bonded, via a solder, to the circuit pattern metal plate, and a low linear expansion coefficient metal plate located between the circuit pattern metal plate and the external connection terminal. The circuit pattern metal plate has a first edge portion and a second edge portion, which are opposite to each other and are respectively at a first side and a second side of the circuit pattern metal plate. The low linear expansion coefficient metal plate has a linear expansion coefficient lower than a linear expansion coefficient of the circuit pattern metal plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/049 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant perpendiculaires à la base
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

27.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17307648
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-04
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fujimoto, Takumi

Abrégé

A silicon carbide semiconductor device includes a semiconductor substrate, a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a first semiconductor region, and a gate electrode. Protons are implanted in a first region spanning a predetermined distance from a surface of the semiconductor substrate facing toward the first semiconductor layer, in a second region spanning a predetermined distance from a surface of the first semiconductor layer on the second side of the first semiconductor layer facing toward the semiconductor substrate, in a third region spanning a predetermined distance from a surface of the first semiconductor layer on the first side of the first semiconductor layer facing toward the second semiconductor layer, and in a fourth region spanning a predetermined distance from a surface of the second semiconductor layer on the second side of the second semiconductor layer facing toward the first semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges

28.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17156787
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-25
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Taniguchi, Katsumi

Abrégé

A semiconductor device having a base circuit board, a case surrounding the base circuit board to demarcate, in a plan view, an opening area in which the base circuit board is disposed, and a sealing member that seals the base circuit board disposed in the case. The base circuit board includes a metal base substrate, a resin layer formed on the metal base substrate, and a circuit pattern formed on the resin layer. The case has an inner wall surface that faces an outer peripheral side surface of the base circuit board, and that includes a first inner wall portion which is in surface contact with an outer peripheral side surface of the metal base substrate, and a second inner wall portion that is separate from the outer peripheral side surface of the base circuit board, to thereby have a first gap therebetween filled with the sealing member.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

29.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17134857
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Uezato, Yoshinori

Abrégé

A semiconductor module includes a ceramic board, a circuit pattern metal plate on a principal surface of the ceramic board, and an external connection terminal including a bonding portion and a conductive portion. The metal plate includes a bonding area at a first surface thereof, and a stress relaxation portion disposed within the bonding area. The bonding portion has a bonding surface, and an edge that is located at a position overlapping an area in which the stress relaxation portion is disposed in a plan view. A solder is disposed between the bonding surface and the bonding area, to bond the external connection terminal to the circuit pattern metal plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/15 - Substrats en céramique ou en verre
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

30.

SEMICONDUCTOR DEVICE TEST METHOD

      
Numéro d'application 17140778
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-04
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Yoshida, Mitsuru

Abrégé

A method for testing a semiconductor chip that has a pn junction constituting a parasitic diode therein includes: causing probe terminals to be in contact with front surface electrodes of the semiconductor chip; obtaining a temperature of the semiconductor chip by measuring electrical characteristics of the parasitic diode through at least one of the front surface electrodes and a back surface electrode and by referring to prescribed temperature characteristics of the parasitic diode; if the obtained temperature is not within a prescribed tolerance from the predetermined target temperature, heating up the semiconductor chip by applying voltage between one or more of the front surface electrodes and the back surface electrode; and once the obtained temperature increases and reaches the predetermined target temperature within the prescribed tolerance, testing electrical characteristics of the semiconductor chip through the front surface electrodes and the back surface electrode.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux

31.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17134972
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-08-12
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kai, Kenshi
  • Maruyama, Rikihiro

Abrégé

A semiconductor device including an insulated circuit board. The insulated circuit board includes an insulating board having an outer edge and a plurality of corners, and a plurality of circuit patterns formed on a front surface of the insulating board. The plurality of circuit patterns have a plurality of outer-edge corners facing the outer edge of the insulating board, among which outer-edge corners corresponding to the corners of the insulating board are smaller in curvature than outer-edge corners that do not correspond to the corners of the insulating board.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/05 - Substrat en métal isolé
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

32.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 17130647
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-22
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sugawara, Takato

Abrégé

A power supply circuit having a first capacitor, a transformer including a primary coil having a voltage of the first capacitor applied thereto, a secondary coil and an auxiliary coil, a second capacitor having a voltage from the auxiliary coil applied thereto, a transistor controlling an inductor current flowing through the primary coil, a control circuit outputting a first control signal when supply of the input voltage is unstopped, or is stopped yet a voltage of the second capacitor reaches a first level, and outputting a second control signal thereafter when the voltage of the second capacitor further reaches a second level, a first drive circuit outputting a first drive signal for switching control of the transistor in response to the first control signal, and a second drive circuit outputting a second drive signal for controlling on-resistance of the transistor to discharge the first capacitor, in response to the second control signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu

33.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17134646
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fujii, Masanari

Abrégé

A power semiconductor module includes a half-bridge circuit having a first power semiconductor element and a second power semiconductor element that are connected in series with each other. The power semiconductor module also includes first to third external terminals, a first wiring member that connects a high-potential-side main electrode of the first power semiconductor element to the first external terminal, a second wiring member that connects a low-potential-side main electrode of the second power semiconductor element to the second external terminal, a third wiring member that connects an output of the half-bridge circuit to a third external terminal, and at least one of a first corrosion sensor disposed in an installation environment of the first wiring member, a second corrosion sensor disposed in an installation environment of the second wiring member, or a third corrosion sensor disposed in an installation environment of the third wiring member.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • G01N 17/04 - Sondes de corrosion

34.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17236658
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-21
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakagawa, Sho

Abrégé

A semiconductor device, including a power supply terminal, an output terminal, a ground terminal, an N-channel main MOSFET connected between the power supply terminal and the output terminal, a drive circuit which operates to drive the main MOSFET, using a potential difference, between the power supply terminal and an internal ground, as a power supply thereof, an internal ground generation circuit which is provided between the power supply terminal and the ground terminal and which generates the internal ground, an N-channel first MOSFET provided between an output terminal of the internal ground generation circuit and the ground terminal, and a low voltage detection circuit which is provided between the power supply terminal and the ground terminal, and which turns on the first MOSFET upon detecting that a voltage between the power supply terminal and the ground terminal drops below a prescribed voltage.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

35.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

      
Numéro d'application 17238908
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-23
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Toyoda, Yoshiaki

Abrégé

A semiconductor integrated circuit includes: a semiconductor base body of a first conductivity-type; a bottom surface electrode to which a first potential is applied, the bottom surface electrode being provided on a bottom surface of the semiconductor base body; a first well of a second conductivity-type to which a second potential lower than the first potential is applied, the first well being provided on a top surface side of the semiconductor base body; a second well of the first conductivity-type provided in the first well; and an edge structure provided in the first well and configured to supply a third potential higher than the second potential to the second well.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

36.

PRODUCTION ALLOCATION DETERMINING APPARATUS AND PRODUCTION ALLOCATION DETERMINING METHOD

      
Numéro d'application 17236294
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-21
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kiryu, Satoshi
  • Tange, Yoshio

Abrégé

A production allocation determining apparatus is configured to calculate a total supply function model representing a relationship between a total supply quantity and a marginal cost; calculate, based on current supply quantities, change rate constraints, and on capacity upper and lower limits, supply quantity upper and lower limits of the respective producers at a time s; calculate an optimum price based on the total supply function model, a predicted value of a demanded quantity at the time s, and on the supply quantity upper and lower limits; and calculate, based on the supply quantity upper and lower limits, the supply function models, and on the optimum price, optimum supply quantities. Calculation of the supply quantity upper and lower limits, calculation of the optimum price, and calculation of the optimum supply quantities are repeatedly executed from the time s=T to the time s=1.

Classes IPC  ?

  • G06Q 50/06 - Fourniture d'électricité, de gaz ou d'eau
  • G06Q 10/06 - Ressources, gestion de tâches, gestion d'hommes ou de projets, p.ex. organisation, planification, ordonnancement ou affectation de ressources en temps, hommes ou machines; Planification dans l'entreprise; Modèles organisationnels

37.

SEMICONDUCTOR MODULE AND SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 17139065
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-31
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Ikeda, Yoshinari
  • Nishizawa, Tatsuo
  • Mochizuki, Eiji

Abrégé

A semiconductor module includes a laminated substrate having an insulating plate, a circuit pattern arranged on an upper surface of the insulating plate and a heat dissipating plate arranged on a lower surface of the insulating plate. The semiconductor module also includes a semiconductor device having a collector electrode arranged on its upper surface, having an emitter electrode and a gate electrode arranged on its lower surface, and bumps respectively bonding the emitter electrode and the gate electrode to an upper surface of the circuit pattern. Each of the bumps is made of a metal sintered material such that the bump is formed to be constricted in its middle portion in a thickness direction orthogonal to a surface of the insulating plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 21/50 - Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

38.

SEMICONDUCTOR MODULE AND SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 17141990
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-05
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Ikeda, Yoshinari
  • Nishizawa, Tatsuo
  • Hori, Motohito
  • Mochizuki, Eiji

Abrégé

A semiconductor module includes a laminated substrate having an insulating plate, a circuit pattern on an upper surface of the insulating plate and a heat dissipating plate on a lower surface of the insulating plate. The module further includes a semiconductor device having upper and lower surfaces, and including a collector electrode on the device upper surface, an emitter electrode and a gate electrode on the device lower surface, and the emitter electrode and the gate electrode each being bonded to an upper surface of the circuit pattern via a bump, and a block electrode bonded to the collector electrode. The block electrode includes a flat plate portion covering over the semiconductor device, and a pair of projecting portions projecting toward the circuit pattern from both ends of the flat plate portion in a thickness direction orthogonal to a surface of the insulating plate, and being bonded to the circuit pattern.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

39.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17137568
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-30
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kawada, Yasuyuki

Abrégé

Before formation of gate insulating films, an oblique ion implantation of oxygen into opposing sidewalls of trenches, from a top of an oxide film mask is performed, forming oxygen ion-implanted layers in surface regions of the sidewalls. A peak position of oxygen concentration distribution of the oxygen ion-implanted layers is inside the oxide film mask. After removal of the oxide film mask, HTO films constituting the gate insulating films are formed. During deposition of the HTO films, excess carbon occurring at the start of the deposition of the HTO films and in the gate insulating films reacts with oxygen in the oxygen ion-implanted layers, thereby becoming an oxocarbon and being desorbed. The oxygen ion-implanted layers have a thickness in a direction orthogonal to the sidewalls at most half of the thickness of the gate insulating films, and an oxygen concentration higher than any other portion of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
  • H01L 21/3115 - Dopage des couches isolantes

40.

ELECTRONIC APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17141922
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-05
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takizawa, Naoki

Abrégé

An electronic device includes a first part, and a circuit plate including a circuit substrate, a plating film made of a plating material and being disposed on a front surface of the substrate. The plating film includes a first part region on which the first part is disposed via a first solder, and a liquid-repellent region extending along a periphery side of the first part region in a surface layer of the plating film, and having a liquid repellency greater than a liquid repellency of the plating film. The liquid-repellent region includes a resist region. The plating film includes a remaining portion between the liquid-repellent region and the front surface of the circuit substrate in a thickness direction of the plating film orthogonal to the front surface. The remaining portion is made of the plating material and is free of the oxidized plating material.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 21/50 - Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

41.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD

      
Numéro d'application 17210498
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-24
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yoshida, Soichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate; and an emitter electrode provided above an upper surface of the semiconductor substrate; wherein the semiconductor substrate has: a first conductive type drift region; a second conductive type base region provided between the drift region and the upper surface of the semiconductor substrate; a second conductive type contact region with a higher doping concentration than the base region, which is provided between the base region and the upper surface of the semiconductor substrate; a trench contact of a conductive material provided to connect to the emitter electrode and penetrate the contact region; and a second conductive type high-concentration plug region with a higher doping concentration than the contact region, which is provided in contact with a bottom portion of the trench contact.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes

42.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND SWITCHING CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 17211507
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-24
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Endo, Yuta
  • Shiroyama, Hironobu
  • Hiasa, Nobuyuki
  • Yamane, Hiroki

Abrégé

A switching control circuit for controlling a power supply circuit that includes an inductor to which an input voltage is applied and through which an inductor current flows, and a transistor configured to control the inductor current. The switching control circuit includes first and second error voltage output circuits that output first and second error voltages, based respectively on a feedback voltage corresponding to the output voltage and a reference voltage, and on an error signal corresponding to a difference between the level of the output voltage and a second level, when the power supply circuit is of a non-isolated type and an isolated type, respectively. The switching control circuit further includes a drive circuit that switches the transistor based on the inductor current, and on the first and second error voltage when the power supply circuit is of the non-isolated type and an isolated type, respectively.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

43.

CONTROL SYSTEM AND CONTROL DEVICE FOR ELECTRIC RAILROAD CAR END DOOR

      
Numéro d'application 17104447
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-25
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ozaki, Satoru

Abrégé

A control system for an electrically-operated railroad car end door includes, an actuator, a processor, and a memory storing program instructions that cause the processor to instruct the actuator to begin generating a braking force applied to the railroad car end door in response to an opening of the railroad car end door, and determine whether the railroad car end door is being manually opened by a person based on information related to a state of the railroad car end door while the braking force is being generated.

Classes IPC  ?

  • E05C 17/00 - Dispositifs pour tenir les battants dans une position d'ouverture; Dispositifs pour limiter l'ouverture des battants ou pour tenir les battants dans une position d'ouverture par une pièce mobile disposée entre le battant et le dormant; Dispositifs de freinage, butées ou tampons combinés avec ces dispositifs
  • B61D 19/02 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires pour wagons de voyageurs
  • B61D 19/00 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires

44.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BUFFER STRUCTURE FOR EXTERNAL TERMINALS

      
Numéro d'application 17105070
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-25
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyasaka, Toshiyuki
  • Hinata, Yuichiro

Abrégé

A semiconductor device, including a first board, a second board having a plurality of through holes passing therethrough, and a plurality of external terminals that are respectively press-fitted into the plurality of through holes of the second board, one end portion of each external terminal passing through the corresponding through hole and being fixed to a front surface of the first board. The second board is a printed circuit board that further includes, in a top view thereof, a plurality of support regions, each having one of the plurality of through holes formed therein, and a plurality of buffer regions respectively surrounding the plurality of support regions, each buffer region having at least one buffer hole and at least one torsion portion formed therein, the at least one torsion portion being connected to the support region surrounded by each buffer region.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
  • H05K 3/34 - Connexions soudées
  • H05K 3/28 - Application de revêtements de protection non métalliques

45.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17106974
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kojima, Takahito
  • Ohse, Naoyuki

Abrégé

In a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device that is a silicon carbide diode having a JBS structure including a mixture of a Schottky junction and a pn junction and that maintains low forward voltage through a SBD structure and enhances surge current capability, nickel silicide films are formed in an oxide film by self-alignment by causing a semiconductor substrate and a metal material film to react with one another through two sessions of heat treatment including a low-temperature heat treatment and a high-temperature heat treatment, the metal material film including sequentially a first nickel film, an aluminum film, and a second nickel film, the first nickel film being in contact with an entire area of a connecting region of a FLR and p-type regions respectively exposed in openings of the oxide film.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges

46.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17107113
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device includes an active region configured by a first MOS structure region and a second MOS structure region, a gate ring region surrounding a periphery of the active region, a first ring region surrounding a periphery of the gate ring region, a second ring region surrounding a periphery of the first ring region, and a termination region surrounding a periphery of the second ring region. The semiconductor device has first first-electrodes in the first MOS structure region, second first-electrodes in the second MOS structure region, a third first-electrode in the first ring region, and a fourth first-electrode in the second ring region. The third first-electrode has a potential equal to that of the second first-electrodes, and the fourth first-electrode has a potential equal to that of the first first-electrodes.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

47.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17148525
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-13
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kubouchi, Motoyoshi

Abrégé

There is provided a semiconductor device including: a semiconductor substrate that has an upper surface and a lower surface and that is provided with a drift region of a first conductivity type; a trench portion that is provided to reach the drift region from the upper surface of the semiconductor substrate; and a mesa portion that is interposed between trench portions, in which the mesa portion has a base region of a second conductivity type that is provided between the drift region and the upper surface, and a first region that has a concentration peak of a hydrogen chemical concentration at a first depth position in the mesa portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire

48.

ELECTRIC DUST COLLECTOR

      
Numéro d'application 17220950
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-02
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • SCHOOL JUDICIAL PERSON IKUTOKU GAKUEN (Japon)
Inventeur(s)
  • Inui, Takashi
  • Toyozumi, Hiroyuki
  • Zukeran, Akinori
  • Toguchi, Soma

Abrégé

Provided is an electric dust collector comprising a dust collection unit that traps charged particles; and a microwave generation unit that generates a microwave to be introduced into the dust collection unit and combusts the charged particles trapped in the dust collection unit by the microwave.

Classes IPC  ?

49.

TERMINAL PROTECTION CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR CHIP

      
Numéro d'application 17104995
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-25
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Maruyama, Hiroshi

Abrégé

A terminal protection circuit of a semiconductor chip, including a first pad serving as a ground terminal of the semiconductor chip, a ground line extending along an outer periphery of the semiconductor chip and being connected to the first pad, and an overcurrent sensing circuit. The overcurrent sensing circuit has a second pad, a threshold voltage generating circuit, a comparator having inverting and non-inverting input terminals respectively connected to the threshold voltage generating circuit and the second pad, the comparator comparing a current detection signal and a threshold voltage received respectively at the non-inverting and inverting input terminals, a first input protection element connected between the second pad and a first position on the chip-peripheral ground line, and a potential shift element connected between the inverting input terminal of the comparator and the first position, for shifting the threshold voltage thereat according to a potential at the first position.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
  • H01L 23/62 - Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts

50.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANAGING THE SAME

      
Numéro d'application 17107352
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Obinata, Toshiki

Abrégé

An electrophotographic photoconductor, including a substrate of a cylindrical shape, an organic photosensitive layer formed on an outer peripheral surface of the substrate, and a two-dimensional code provided on the outer peripheral surface of the substrate between the substrate and the organic photosensitive layer, at at least one axial end of the substrate. The two-dimensional code encodes identification information, and is formed outside an image formation region of the electrophotographic photoconductor. The two-dimensional code includes a first part and a second part satisfying 15≤ΔL1≤20, wherein ΔL1 is a difference between an L-value of the first part and that of the second part in a Lab color space. The outer peripheral surface of the substrate and the organic photosensitive layer satisfy ΔL2≤60, wherein ΔL2 is a difference between an L-value of the outer peripheral surface of the substrate and an L-value of the organic photosensitive layer in the Lab color space.

Classes IPC  ?

  • G03G 5/047 - Couches photoconductrices caractérisées en ce qu'elles ont plusieurs couches ou caractérisées par leur structure composite caractérisées par les couches de génération ou de transport de charges
  • G03G 5/043 - Couches photoconductrices caractérisées en ce qu'elles ont plusieurs couches ou caractérisées par leur structure composite
  • G03G 5/14 - Couches intermédiaires ou de recouvrement inertes pour les couches recevant la charge

51.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17107628
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device, comprising a first MOS structure region, a second MOS structure region, a first temperature sensing region, and a second temperature sensing region. The first temperature sensing region is provided in a region through which a main current of the semiconductor device passes when the first MOS structure region is in an ON state. The second temperature sensing region is provided in a region through which the main current of semiconductor device passes when the second MOS structure region is in the ON state.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

52.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17215950
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-29
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Tadahiko
  • Sato, Kenichiro

Abrégé

A semiconductor module, including a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) made of a SiC semiconductor material, and an insulated gate bipolar transistor (IGBT) that is made of a Si semiconductor material and is connected in parallel with the MOSFET. The MOSFET having a body diode. The IGBT is a reverse conductive-IGBT (RC-IGBT), and includes a free wheeling diode. A forward voltage of the free wheeling diode is so set that a current in the body diode of the MOSFET, which is connected in parallel with the RC-IGBT, is equal to or below a current value that causes lattice defects to grow in the MOSFET.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

53.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17107605
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Utsumi, Makoto
  • Miyazato, Masaki

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor device provided on a semiconductor substrate and an ohmic electrode provided on a back surface of the semiconductor device and containing a nickel silicide and a molybdenum carbide, or the nickel silicide and a titanium carbide. The ohmic electrode is configured by first regions where a silicide is thick and second regions where the silicide is thin; a ratio of an arithmetic area of the second regions to an arithmetic area of the ohmic electrode is in a range from 10% to 30% in a plan view.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser

54.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17108486
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-01
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Nishimura, Takeyoshi

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor element having a surface electrode layer; a first wire that is electrically connected to the first main surface of the surface electrode layer at a plurality of first connecting portions and is arranged in a first direction on the first main surface; and a second wire that is electrically connected to the first main surface of the surface electrode layer at a second connecting portion and is arranged in a second direction on the first main surface, wherein a second circle equivalent diameter, which is a diameter of a circle having a same cross-sectional area as the second wire, is larger than a first circle equivalent diameter, which is a diameter of a circle having a same cross-sectional area as the first wire.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

55.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 17209242
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-23
Date de la première publication 2021-07-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Obata, Tomoyuki

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate containing oxygen. An oxygen concentration distribution in a depth direction of the semiconductor substrate has a high oxygen concentration part where an oxygen concentration is higher on a further upper surface-side than a center in the depth direction of the semiconductor substrate than in a lower surface of the semiconductor substrate. The high oxygen concentration part may have a concentration peak in the oxygen concentration distribution. A crystal defect density distribution in the depth direction of the semiconductor substrate has an upper surface-side density peak on the upper surface-side of the semiconductor substrate, and the upper surface-side density peak may be arranged within a depth range in which the oxygen concentration is equal to or greater than 50% of a peak value of the concentration peak.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques

56.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17107552
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Ikeda, Yoshinari
  • Murata, Yuma

Abrégé

A capacitor includes a case including a capacitor element, a first connection terminal, a second connection terminal, and a second insulating sheet formed between the first connection terminal and the second connection terminal, and the first connection terminal, the second insulating sheet, and the second connection terminal extend to the outside from the case. A semiconductor module includes a multi-layer terminal portion in which a first power terminal, a first insulating sheet, and a second power terminal are sequentially stacked. The first power terminal includes a first bonding area electrically connected to the first connection terminal, and the second power terminal includes a second bonding area electrically connected to the second connection terminal. The first insulating sheet includes a terrace portion that extends in a direction from the second bonding area towards the first bonding area in a planar view.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion

57.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CIRCUIT BOARD INTERPOSED BETWEEN TWO CONDUCTOR LAYERS

      
Numéro d'application 17084413
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-29
Date de la première publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hori, Motohito
  • Ikeda, Yoshinari
  • Hirao, Akira

Abrégé

A semiconductor device having a semiconductor module that includes a first conductor layer and a second conductor layer facing each other, a group of semiconductor elements that are formed between the first and second conductor layers, and are connected to the second conductor layer respectively via a group of conductor blocks, and a circuit board having one end portion thereof located in a space between the semiconductor elements and the second conductor layer. Each semiconductor element includes first and second main electrodes respectively formed on first and second main surfaces thereof, and a control electrode that is formed on the second main surface. The first main electrode is electrically connected to the first conductor layer. The second main electrode is electrically connected to the second conductor layer via the respective conductor block. The circuit board includes a first wiring layer electrically connected to the control electrodes of the semiconductor elements.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

58.

SEMICONDUCTOR DRIVE DEVICE AND POWER CONVERSION APPARATUS

      
Numéro d'application 17103256
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-24
Date de la première publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Morimoto, Toshimitsu

Abrégé

First and second current detection resistors connected in series are used as current detection resistors for detecting a main current of a switching element. A single-fault detection circuit divides a voltage detected from the main current by first to third resistors. A first comparator compares a voltage at a Detect terminal with a voltage at a connection point of the first and second resistors, and a second comparator compares the voltage at the Detect terminal with a voltage at a connection point of the second and third resistors. When either one of the first and second current detection resistors is short-circuited, the corresponding one of the first and second comparators outputs an L-level signal. Accordingly, an AND circuit outputs a signal indicating a single fault. Since this signal reduces a threshold voltage of the individual comparator by half, the same output voltage as before the fault is maintained.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

59.

ELECTRONIC CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MODULE, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application 17085696
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-30
Date de la première publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Okumura, Keiji

Abrégé

An electronic circuit having a first terminal and a second terminal. The electronic circuit includes a plurality of diodes connected in parallel, the plurality of diodes including a first diode and a second diode that respectively have applied thereto a first forward voltage and a second forward voltage, the second forward voltage being higher than the first forward voltage. A first path and a second path are formed from the first terminal, respectively via the first diode and the second diode, to the second terminal. An inductance of the first path is larger than an inductance of the second path.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/08 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 23/64 - Dispositions relatives à l'impédance

60.

POWER MODULE AND LEVEL CONVERSION CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 17182806
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-23
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

A power module including a plurality of drive devices. Each drive device includes a high-side drive element and a low-side drive element that drive a load, a high-side control circuit that controls the high-side drive element, and a low-side control circuit that controls the low-side drive element. Each of the high-side and low-side control circuits includes an abnormality detection circuit that detects an abnormal state of the high-side or low-side drive element, a capability-switch-function-equipped drive circuit that switches a drive capability of the high-side or low-side drive element, responsive to the detection of the abnormal state by any one of the abnormality detection circuits in the plurality of drive devices, and a drive capability switch circuit that switches a drive capability of the capability-switch-function-equipped drive circuit, responsive to the detection of the abnormal state by the abnormality detection circuit.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT

61.

SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17186881
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (Japon)
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Kobayashi, Yusuke
  • Takei, Manabu
  • Kyogoku, Shinya
  • Harada, Shinsuke

Abrégé

A superjunction silicon carbide semiconductor device includes a silicon carbide semiconductor substrate of a first conductivity type, a first semiconductor layer of the first conductivity type, a parallel pn structure in which epitaxially grown first column regions of the first conductivity type and ion-implanted second column regions of a second conductivity type are disposed to repeatedly alternate with one another, a second semiconductor layer of the second conductivity type, first semiconductor regions of the first conductivity type, trenches, gate electrodes provided in the trenches via gate insulating films, another electrode, and a third semiconductor layer of the first conductivity type. The first column regions have an impurity concentration in a range from 1.1×1016/cm3 to 5.0×1016/cm3.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

62.

GATE DRIVE DEVICE AND SWITCHING DEVICE

      
Numéro d'application 17183387
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-24
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Matsubara, Kunio
  • Nagano, Tsuyoshi

Abrégé

Provided is a gate drive device, including: a gate drive unit for driving a gate of a switching element; a measurement unit for measuring a parameter that changes according to a current flowing through the switching element; and a switching unit for switching a changing speed of a gate voltage of the switching element by the gate driving unit after a first reference period from a start of turning off the switching element based on the parameter.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

63.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17183397
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-24
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida, Soichi
  • Sato, Kenichiro

Abrégé

A semiconductor device is provided, which includes: a semiconductor substrate; an emitter electrode including at least two partial electrodes arranged with an interval in a top plan view of the semiconductor substrate; and an active-side gate runner and an active-side dummy runner arranged to be sandwiched between two of the partial electrodes, wherein the semiconductor substrate includes: a gate trench portion connected to the active-side gate runner and having a longitudinal length in a first direction in the top plan view, and a dummy trench portion connected to the active-side dummy runner and having a longitudinal length in the first direction, wherein the entirety of one of the active-side gate runner and the active-side dummy runner in the first direction is covered by the other of the gate runner and the dummy runner.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

64.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 17183421
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-24
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsumoto, Shinji

Abrégé

A power supply circuit generating an output voltage at a target level and applying the output voltage to a load. The power supply circuit includes a transformer including a primary coil, a secondary coil and an auxiliary coil, a transistor coupled to the primary coil, and a switching control circuit configured to control switching of the transistor based on a voltage from the auxiliary coil. The switching control circuit includes a determination circuit configured to determine whether to shift to a burst mode operation based on whether the load is a light load, and a burst control circuit. The burst control circuit has a clock circuit configured to measure a stop period during which the switching of the transistor is stopped in the burst mode operation, and a control circuit configured to, upon detecting that the stop period is longer than a first time period, perform control to decrease the stop period.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

65.

DRIVE CIRCUIT

      
Numéro d'application 17185735
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-25
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

A drive circuit having a set-side level shift circuit and a reset-side level shift circuit each configured to shift a level of a set or reset signal, and output the level-shifted set or reset signal from a set-side or reset-side output node, a mask-signal generating circuit configured to output a mask signal in response to a change in a voltage at the set-side or reset-side output node, and a control circuit configured to output a drive signal to a power device. The mask signal is for a time period shorter than a time period during which the level-shifted set or reset signal is outputted. The drive signal remains at a same level while the control circuit is receiving the mask signal, and switches to a first level or a second level, for turning off or on the power device, in response to the control circuit receiving the level-shifted reset or set signal after receiving the mask signal.

Classes IPC  ?

  • H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
  • H03K 19/20 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p.ex. circuits ET, OU, NI, NON

66.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17085274
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-30
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hori, Motohito
  • Ikeda, Yoshinari
  • Hirao, Akira
  • Nakajima, Tsunehiro

Abrégé

A semiconductor device having a semiconductor module. The semiconductor module includes first and second conductor layers facing each other, a first semiconductor element provided between the first and second conductor layers, positive and negative electrode terminals respectively provided on edge portions of the first and second conductor layers at a first side of the semiconductor module in a top view of the semiconductor module, control wiring that is electrically connected to the first control electrode, and that extends out of the first and second conductor layers at a second side of the semiconductor module that is opposite to the first side in the top view, and a control terminal that is electrically connected to the control wiring, that is positioned outside the first and second conductor layers in the top view, and that has an end portion that is aligned with the positive and negative electrode terminals.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

67.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17081607
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-27
Date de la première publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device including a semiconductor substrate, a first semiconductor layer provided on a main surface of the semiconductor substrate, a second semiconductor layer selectively provided on a surface of the first semiconductor layer, a plurality of first and second semiconductor regions selectively provided in the second semiconductor layer at a surface thereof, and a plurality of trenches provided in a striped pattern that extends in a first direction. The first semiconductor regions include a plurality of connecting parts and a plurality of non-connecting parts that are alternately arranged in the first direction, each connecting part being continuous in a second direction orthogonal to the first direction, and each non-connecting part being separated into two halves in the second direction by one of the second semiconductor regions, each half including a plurality of regions having different resistance values, disposed in a descending order or an ascending order of the resistance values along the first direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

68.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17172090
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-10
Date de la première publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Naito, Tatsuya

Abrégé

A semiconductor device that allows easy hole extraction is provided. The semiconductor device includes: a semiconductor substrate having drift and base regions; a transistor portion formed in the semiconductor substrate; and a diode portion formed adjacent to the transistor portion and in the semiconductor substrate. In the transistor portion and the diode portion: a plurality of trench portions each arrayed along a predetermined array direction; and a plurality of mesa portions formed between respective trench portions are formed, among the plurality of mesa portions, at least one boundary mesa portion at a boundary between the transistor portion and the diode portion includes a contact region at an upper surface of the semiconductor substrate and having a concentration higher than that of the base region, and an area of the contact region at the boundary mesa portion is greater than an area of the contact region at another mesa portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur

69.

DRIVING APPARATUS AND SWITCHING APPARATUS

      
Numéro d'application 17180826
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-21
Date de la première publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Matsubara, Kunio
  • Kaneda, Hirotoshi

Abrégé

A driving apparatus including: gate driving circuit to drive gates of a first semiconductor element and a second semiconductor element connected in series between a positive side power supply line and a negative side power supply line; a first timing generating circuit to generate a first timing signal when voltage applied to the second semiconductor element becomes reference voltage during a turn-off period of the first semiconductor element; and a first driving condition change circuit, wherein the gate driving circuit relaxes change in a charge amount of the gate of the first semiconductor element, according to the first timing signal.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/28 - Modifications pour introduire un retard avant commutation
  • H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites

70.

INTEGRATED CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 17183099
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-23
Date de la première publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamane, Hiroki

Abrégé

An integrated circuit for a power supply circuit that includes a transformer and a transistor controlling an inductor current flowing through a primary winding of the transformer. The integrated circuit includes a terminal configured to receive a voltage corresponding to the voltage of a secondary winding of the transformer when the transistor is in an off-state, a first detection circuit configured to detect that the inductor current is smaller than a first current value, and a determination circuit configured to determine whether an AC voltage applied to the primary winding of the transformer is a first or second AC voltage, both based on the received voltage in the off-state of the transistor. The integrated circuit is configured to drive the transistor in response to a detection result of the first detection circuit, a determination result of the determination circuit, and an output voltage of the power supply circuit generated from the AC voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/21 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande
  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs

71.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 17078568
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-23
Date de la première publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takizawa, Naoki

Abrégé

A semiconductor device, including a metal base plate having a front surface on which a disposition area is set apart from a central portion of the metal base plate, and a board placed over the disposition area with a solder therebetween. The solder has two edge portions of which one is closer than the other to the central portion of the metal base plate, said one being thicker than said the other.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes

72.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 17084435
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-29
Date de la première publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kogawa, Hiroki

Abrégé

A semiconductor device, including an insulated circuit board that has a radiation plate, a resin board adhered to a front surface of the radiation plate, and a circuit pattern adhered to a front surface of the resin board. The resin board contains a resin. The semiconductor device further includes a wiring member, and at least one semiconductor chip, bonded to the front surface of the circuit pattern or electrically connected to the wiring member. The circuit pattern has at least one pair of side portions opposite to each other that are supported by the resin board.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
  • H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
  • H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché

73.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17108591
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-01
Date de la première publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohse, Naoyuki
  • Kojima, Takahito
  • Hashizume, Yuichi
  • Uchida, Takafumi

Abrégé

A semiconductor device having, in a plan view, a termination region surrounding an active region. The semiconductor device includes a semiconductor substrate containing silicon carbide, a first-conductivity-type region provided in the semiconductor substrate at its first main surface, a plurality of first second-conductivity-type regions selectively formed in the semiconductor substrate at its first main surface, a plurality of silicide films respectively in ohmic contact with the first second-conductivity-type regions, a first electrode that is in contact with the silicide films to form ohmic regions, with the first second-conductivity-type regions to form non-operating regions, and with the first-conductivity-type region to form Schottky regions, a second electrode provided at a second main surface of the semiconductor substrate, and a second second-conductivity-type region provided in the termination region. The ohmic regions, the non-operating regions and the Schottky regions are formed in the active region in a striped pattern. The second second-conductivity-type region connects the ohmic regions and the non-operating regions.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

74.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE

      
Numéro d'application 17078237
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-23
Date de la première publication 2021-06-03
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kawada, Yasuyuki

Abrégé

A method of manufacturing a silicon carbide substrate having a parallel pn layer. The method includes preparing a starting substrate containing silicon carbide, forming a first partial parallel pn layer on the starting substrate by a trench embedding epitaxial process, stacking a second partial parallel pn layer by a multi-stage epitaxial process on the first partial parallel pn layer, and stacking a third partial parallel pn layer on the second partial parallel pn layer by another trench embedding epitaxial process. Each of the first, second and third partial parallel pn layers is formed to include a plurality of first-conductivity-type regions and a plurality of second-conductivity-type regions alternately disposed in parallel to a main surface of the silicon carbide substrate. The first-conductivity-type regions of the first and third partial parallel pn layers face each other in a depth direction of the silicon carbide substrate, and the second-conductivity-type regions partial parallel pn layers face each other in the depth direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

75.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 16951853
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-18
Date de la première publication 2021-06-03
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsunaga, Shinichiro

Abrégé

A silicon carbide semiconductor device includes first semiconductor areas and second semiconductor areas. The first semiconductor areas have a first semiconductor layer of a second conductivity type, a second semiconductor layer of a first conductivity type, first semiconductor regions of the second conductivity type, second semiconductor regions of the first conductivity type, gate electrodes, and first electrodes. The second semiconductor areas have the first semiconductor layer, the second semiconductor layer, third semiconductor regions of the second conductivity type, the gate electrodes, and the first electrodes. The first semiconductor regions include low- impurity-concentration regions and high-impurity-concentration regions. The third semiconductor regions have a potential equal to that of the first electrodes. The first semiconductor regions are connected to the third semiconductor regions by MOS structures. In the first semiconductor regions, the high-impurity-concentration regions are provided at positions different from positions facing the first electrodes.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

76.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17039525
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-30
Date de la première publication 2021-06-03
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fujimoto, Takumi

Abrégé

A semiconductor device having a semiconductor substrate that includes first to third epitaxial layers provided sequentially on a starting substrate, the third epitaxial layer forming a pn junction with the second epitaxial layer, and including a plurality of first semiconductor regions formed on a second semiconductor region. The semiconductor device further includes a plurality of trenches penetrating the first and second semiconductor regions to reach the second epitaxial layer, a plurality of gate electrodes provided in the trenches respectively via a gate insulating film, a metal film in ohmic contact with the first semiconductor regions, a first electrode electrically connected to the first semiconductor regions via the metal film, and a second electrode provided at a back surface of the starting substrate. Each of the starting substrate and the first to third epitaxial layers contains silicon carbide. The silicon carbide semiconductor device has a vacancy trap in an entire area of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/203 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation

77.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 17078281
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-23
Date de la première publication 2021-06-03
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsumoto, Shinji

Abrégé

A switching control circuit for controlling switching of a transistor in a power supply circuit, such that the power supply circuit generates an output voltage at a target level. The switching control circuit includes an overload detection circuit detecting that a load of the power supply circuit is in an overload condition, when a voltage according to the output voltage reaches a predetermined level, an overcurrent detection circuit detecting that a load current is an overcurrent, when a current according to the load current reaches a predetermined value, an adjustment circuit decreasing the predetermined value, when a first time period has elapsed since the load becomes in the overload condition, a drive circuit driving the transistor such that the output voltage reaches the target level, and a control circuit causing the drive circuit to stop driving the transistor, after the load becomes in the overload condition or the load current becomes the overcurrent.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

78.

CONTROL DEVICE, CONSIDERATION CALCULATION DEVICE, POWER SYSTEM, AND COMPUTER-READABLE MEDIUM HAVING RECORDED THEREON A PROGRAM

      
Numéro d'application 17084671
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-30
Date de la première publication 2021-05-27
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagakura, Takayuki
  • Yin, Songhao

Abrégé

In order to output sufficient reactive power for voltage stabilization of a utility grid, and calculate an appropriate consideration according to an amount of the output reactive power, is provided a control device for controlling a distributed power source connected to the utility grid, comprising: a range setting unit where an allowable range of reactive and active powers output at normal times is set; an output control unit for controlling the reactive and active powers supplied from the distributed power source to the utility grid within the allowable range set in the range setting unit; and a reception unit for receiving, from a command device in the utility grid, an excess output command indicating that the reactive power exceeding the allowable range should be output, wherein the output control unit is for outputting the reactive power out of the allowable range when the reception unit receives the excess output command.

Classes IPC  ?

  • H02J 3/18 - Dispositions pour réglage, élimination ou compensation de puissance réactive dans les réseaux
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l'alimentation en parallèle d'un seul réseau, par deux ou plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
  • G05B 19/042 - Commande à programme autre que la commande numérique, c.à d. dans des automatismes à séquence ou dans des automates à logique utilisant des processeurs numériques

79.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17168124
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-04
Date de la première publication 2021-05-27
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Wakimoto, Hiroki
  • Takishita, Hiroshi
  • Yoshimura, Takashi
  • Tamura, Takahiro
  • Onozawa, Yuichi

Abrégé

A p-type semiconductor region is formed in a front surface side of an n-type semiconductor substrate. An n-type field stop (FS) region including protons as a donor is formed in a rear surface side of the semiconductor substrate. A concentration distribution of the donors in the FS region include first, second, third and fourth peaks in order from a front surface to the rear surface. Each of the peaks has a peak maximum point, and peak end points formed at both sides of the peak maximum point. The peak maximum points of the first and second peaks are higher than the peak maximum point of the third peak. The peak maximum point of the third peak is lower than the peak maximum point of the fourth peak.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

80.

POWER CONVERSION DEVICE, CONTROL METHOD, AND COMPUTER-READABLE MEDIUM

      
Numéro d'application 17079550
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-26
Date de la première publication 2021-05-27
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamada, Ryuji

Abrégé

Provided is a power conversion device comprising a transformer; a first bridge circuit connected to a primary-side of the transformer and capable of switching a polarity of a connection between a pair of DC bus bars on the primary-side and the transformer; a second bridge circuit connected to a secondary-side of the transformer and capable of switching a polarity of a connection between a pair of DC bus bars on the secondary-side and the transformer; and a control device capable of performing control of switching the first bridge circuit and the second bridge circuit with a phase difference, wherein the control device has a frequency adjustment unit for adjusting a frequency of switching of the first bridge circuit and the second bridge circuit, according to an output from the first bridge circuit or the second bridge circuit and a target value.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

81.

CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17028509
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-22
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tezuka, Shinichi

Abrégé

A control circuit controlling to drive a switching device includes a first detection circuit that detects whether a power supply voltage received by a drive circuit that drives the switching device drops below a first level, a second detection circuit that receives a current flowing through the switching device and detects whether the current exceeds a first value, and an abnormality detection circuit that causes the drive circuit to turn off the switching device, based on whether a condition that the power supply voltage is lower than the first level and the current flowing through the switching device is larger than the first value is satisfied.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/0412 - Modifications pour accélérer la commutation sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
  • H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
  • H03K 17/042 - Modifications pour accélérer la commutation par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande

82.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17033130
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-25
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

A semiconductor device having a first switching device and a second switching device respectively on a power supply side and a ground side of the semiconductor device, for driving a load of the semiconductor device, and a switching control circuit that controls switching of the first and second switching devices. The switching control circuit includes a signal output circuit that outputs a set signal and a reset signal for turning on and off the first switching device, respectively, in response to an input signal of the semiconductor device, a level shift circuit that shifts a level of each of the set and reset signals, a drive circuit that drives the first switching device in response to an output from the level shift circuit, and a power supply circuit including a plurality of transistors that are Darlington-coupled, and are configured to generate a power supply voltage of the signal output circuit.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

83.

LOGIC CIRCUIT AND CIRCUIT CHIP

      
Numéro d'application 17033907
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-27
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Iwamoto, Motomitsu

Abrégé

Provided is a logic circuit comprising: a switch portion that includes one or more switching devices configured to be turned on and off in accordance with an input signal and is configured to generate an output signal with a logical value according to an operating state of the switching devices; and a clamp portion configured to clamp a voltage of the output signal, of a case where the logical value of the output signal is logic H. The switch portion may be arranged between an output line and a reference potential line, and the clamp portion may be arranged in parallel with the switch portion, between the output line and the reference potential line. The logic circuit may include a current suppression portion configured to suppress a current flowing through the clamp portion, when the logical value of the output signal is logic H.

Classes IPC  ?

  • H03K 19/0944 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors à effet de champ utilisant des transistors MOSFET

84.

DRIVE CIRCUIT OF VOLTAGE-CONTROLLED POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT

      
Numéro d'application 17038471
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-30
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fujii, Masanari

Abrégé

A drive circuit of a voltage-controlled power semiconductor element, including first to fourth switching elements, first and second delay circuits, an overcurrent detection circuit, a slow shutdown detection circuit and a flip-flop. The first switching element turns on upon receiving an off signal. The second switching element is turned on by the first delayed signal generated by the first delay circuit. The third switching element turns on upon receiving a second delayed signal generated by the second delay circuit through the flip-flop. The fourth switching element is turned on by the slow shutdown detection signal generated by the slow shutdown detection circuit. The first to fourth switching elements extract electric charges from the gate terminal of the voltage-controlled power semiconductor element, with first to fourth extracting capabilities, respectively. The first and fourth extracting capabilities are larger than the third extracting capability and smaller than the second extracting capability.

Classes IPC  ?

  • H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
  • H03K 3/037 - Circuits bistables
  • H02H 1/00 - CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ - Détails de circuits de protection de sécurité

85.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17064521
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-06
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hinata, Yuichiro
  • Tsuruoka, Ryotaro

Abrégé

A power semiconductor module includes an insulating circuit substrate; a printed circuit board disposed over the insulating circuit substrate; and a plurality of terminals each having a rod-shaped portion and including a first protrusion and a second protrusion each protruding laterally form a side face of the rod-shaped portion; wherein at least one of the plurality of terminals is inserted to one of the through-holes of the printed circuit board and is locked to the one of the through-holes via the first protrusion, and wherein at least another one of the plurality of terminals is inserted to another one of the through-holes of the printed circuit board and is locked to said another one of the through-holes via the second protrusion, and an end of the at least another one of the plurality of terminals is electrically connected to a conductive plate on the insulating circuit substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/057 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions étant parallèles à la base
  • H01R 13/40 - Fixation des pièces de contact dans ou sur un socle ou un boîtier; Isolement des pièces de contact
  • H01R 12/58 - Connexions fixes pour circuits imprimés rigides ou structures similaires caractérisées par les bornes bornes pour insertion dans des trous
  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
  • H05K 5/00 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques

86.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17093998
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-10
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nishida, Yuhei

Abrégé

A semiconductor device includes: a first insulating circuit substrate; a first semiconductor chip mounted on a top surface of the first insulating circuit substrate; a printed circuit board arranged over the first insulating circuit substrate; a first external terminal inserted to the printed circuit board and having one end bonded to the top surface of the first insulating circuit substrate; and a first pin inserted to the printed circuit board and having one end bonded to a top surface of the first semiconductor chip, wherein the first insulating circuit substrate and the printed circuit board having warps complimentary to each other.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes

87.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17159093
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-26
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shoji, Atsushi
  • Yoshida, Soichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device including: a semiconductor substrate; an active portion provided on the semiconductor substrate; a first well region and a second well region arranged sandwiching the active portion in a top view, provided on the semiconductor substrate; an emitter electrode arranged above the active portion; and a pad arranged above the first well region, away from the emitter electrode, wherein the emitter electrode is provided above the second well region. The provided semiconductor device further includes a peripheral well region arranged enclosing the active portion in a top view, wherein the first well region and the second well region may protrude to the center side of the active portion rather than the peripheral well region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/861 - Diodes

88.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17159102
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-26
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Obata, Tomoyuki
  • Yoshida, Soichi

Abrégé

A semiconductor device is provided, including: a semiconductor substrate; an active portion provided on the semiconductor substrate; a first well region and a second well region provided on the semiconductor substrate and arranged sandwiching the active portion in a top view; a peripheral well region provided on the semiconductor substrate and arranged enclosing the active portion in a top view; an intermediate well region provided on the semiconductor substrate and arranged between the first well region and the second well region in a top view; a first pad arranged above the first well region and a second pad arranged above the second well region; and a temperature sense diode arranged above the intermediate well region.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

89.

GATE DRIVE APPARATUS AND SWITCHING APPARATUS

      
Numéro d'application 17159109
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-26
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagano, Tsuyoshi
  • Matsubara, Kunio

Abrégé

A gate drive apparatus including a gate drive unit configured to drive a gate of a switching device, a peak detection unit configured to detect that a voltage across main terminals applied between the main terminals of the switching device during a turn-off period of the switching device is at a peak, and a driving condition changing unit configured to increase a change speed of a gate voltage of the switching device caused by the gate drive unit, in response to a detection that the voltage across main terminals is at a peak.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

90.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17159116
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-26
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakurai, Yosuke
  • Noguchi, Seiji
  • Ajiki, Toru

Abrégé

Provided is a semiconductor device, comprising: a semiconductor substrate; a transistor portion including an emitter region on the top of the semiconductor substrate; a diode portion including a cathode region on the bottom of the semiconductor substrate and a second conductivity type overlap region in a region other than the cathode region and arranged alongside to the transistor portion a preset arrangement direction on the top of the semiconductor substrate; and an interlayer dielectric film provided between the semiconductor substrate and an emitter electrode and including a contact hole for connecting the emitter electrode and the diode portion. The overlap region is provided to have a first length between the end of the emitter region and the end of the cathode region and a second length, which is shorter than the first length, between the end of the contact hole and the end of the cathode region.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

91.

BEVERAGE SUPPLY APPARATUS

      
Numéro d'application 17159757
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-27
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ito, Shuichi
  • Kajiki, Kousuke
  • Mochida, Yukihide

Abrégé

A beverage supply apparatus includes: a grinder configured to grind an ingredient; a hot-water supply unit configured to supply hot water; an extractor, to which the ingredient ground by the grinder, the hot water supplied by the hot-water supply unit, and pressurized air to stir the ingredient and the hot water are supplied; and a control unit configured to perform control to supply the pressurized air to the extractor to stir the ingredient and the hot water and, after the stirring, further supply pressurized air for extraction to the extractor to extract and supply beverage to a container. Further, the control unit controls the hot-water supply unit to add the hot water to the extractor during extraction of the beverage when a supply amount of the beverage to the container is equal to or larger than a volume of the extractor.

Classes IPC  ?

  • A47J 31/32 - Appareils à préparer le café dans lesquels l'eau chaude passe sous pression à travers le filtre avec de l'eau chaude sous pression d'air
  • A47J 31/42 - Appareils à préparer des boissons avec des moyens incorporés pour moudre ou torréfier le café
  • A47J 31/44 - Eléments ou parties constitutives des appareils à préparer des boissons

92.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT

      
Numéro d'application 17028568
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-22
Date de la première publication 2021-05-20
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

A switching control circuit that controls switching of a switching device of a bridge circuit for driving a load. The switching control circuit includes a control circuit that outputs, on a signal line, a control signal at first and second logic levels for turning on and off the switching device based on a set signal and a reset signal, respectively, a setting circuit that is connected to the signal line, and that sets the logic level of the signal line to the second logic level for a period after the reset signal is inputted to the control circuit and before the set signal is inputted to the control circuit, a holding circuit that is connected to the signal line, and that holds the logic level of the signal line, and a drive circuit that is connected to the holding circuit, and that drives the switching device based on the output of the holding circuit.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ

93.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 17034611
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-28
Date de la première publication 2021-05-13
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakano, Hayato

Abrégé

A semiconductor module includes: a first metal plate including a first mount part joined with a bottom-surface electrode of a first switching element, a second mount part joined with a positive-electrode terminal, and a first narrow part between the first and second mount parts and being narrower than a part jointing the first switching element to the first mount part and the positive-electrode terminal; a second metal plate being joined with a bottom-surface electrode of a second switching element, and connected to a top-surface electrode of the first switching element; a third metal plate including a sixth mount part joined with a negative-electrode terminal, a seventh mount part connected to a top-surface electrode of the second switching element, and being narrower than the negative-electrode terminal, and a second narrow part between the sixth and seventh mount parts; and a snubber circuit connecting the first and second narrow parts.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H02M 1/34 - Circuits d'amortissement
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement

94.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17061441
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-01
Date de la première publication 2021-05-13
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Jonishi, Akihiro

Abrégé

A semiconductor device includes an n type first semiconductor region in which a first parasitic diode is formed with a p type semiconductor substrate; an n type second semiconductor region in which a second parasitic diode is formed with the p type semiconductor substrate; a control circuit in the second semiconductor region outputting a gate control signal, a gate drive circuit in the second semiconductor region; a level shift circuit that converts the gate control signal to a converted gate control signal and outputs the converted gate control signal to the gate drive circuit; a diode connected to a path of a noise current caused by a negative voltage noise passing through the second parasitic diode, the diode being connected to the path in a direction opposite to a direction in which the noise current would flow; and a capacitor connected to an anode of said diode.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H03K 3/356 - Circuits bistables
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ

95.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17153957
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-21
Date de la première publication 2021-05-13
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kakefu, Mitsuhiro
  • Ichikawa, Hiroaki

Abrégé

A semiconductor device, having a first semiconductor chip including a first side portion at a front surface thereof and a first control electrode formed in the first side portion, a second semiconductor chip including a second side portion at a front surface thereof and a second control electrode formed in the second side portion, a first circuit pattern, on which the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are disposed, a second circuit pattern, and a first control wire electrically connecting the first control electrode, the second control electrode, and the second circuit pattern. The first side portion and the second side portion are aligned. The first control electrode and the second control electrode are aligned. The second circuit pattern are aligned with the first control electrode and the second control electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

96.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17155687
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-22
Date de la première publication 2021-05-13
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ichikawa, Hiroaki

Abrégé

A semiconductor device having an arm block. The arm block includes a first circuit pattern that, in a plan view of the semiconductor device, has a recess formed thereon that extends inward from a side thereof, the recess forming a disposition area of the semiconductor device, a second circuit pattern having at least a part disposed in the disposition area, and a plurality of semiconductor chips formed on the first circuit pattern. Each semiconductor chip has a positive electrode on a back surface thereof, and a control electrode and a negative electrode on a front surface thereof, the negative electrode being electrically connected to the second circuit pattern by a wiring member.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

97.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17152213
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-19
Date de la première publication 2021-05-13
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshimura, Takashi
  • Miyazaki, Masayuki
  • Takishita, Hiroshi
  • Kuribayashi, Hidenao

Abrégé

Hydrogen atoms and crystal defects are introduced into an n− semiconductor substrate by proton implantation. The crystal defects are generated in the n− semiconductor substrate by electron beam irradiation before or after the proton implantation. Then, a heat treatment for generating donors is performed. The amount of crystal defects is appropriately controlled during the heat treatment for generating donors to increase a donor generation rate. In addition, when the heat treatment for generating donors ends, the crystal defects formed by the electron beam irradiation and the proton implantation are recovered and controlled to an appropriate amount of crystal defects. Therefore, for example, it is possible to improve a breakdown voltage and reduce a leakage current.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 21/263 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

98.

POWER CONVERTER

      
Numéro d'application 17155581
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-22
Date de la première publication 2021-05-13
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ikegami, Akira

Abrégé

A power converter includes a housing that accommodates at least one capacitor inside the housing, a first power conversion module including at least one first positive electrode and at least one first negative electrode, a second power conversion module including at least one second positive electrode and at least one second negative electrode, a first positive electrode busbar that connects a first electrode of the capacitor to the first positive electrode, a first negative electrode busbar that connects a second electrode of the capacitor to the second negative electrode, a second positive electrode busbar that is fixed to the first positive electrode together with the first positive electrode busbar and that is fixed to the second positive electrode, and a second negative electrode busbar that is fixed to the first negative electrode and that is fixed to the second negative electrode together with the first negative electrode busbar.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H02M 5/458 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases avec transformation intermédiaire en courant continu par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge ou des dispositifs à semi-conducteurs pour transformer le courant continu intermédiaire en courant alternatif utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H05K 5/02 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques - Détails

99.

GATE DRIVER AND POWER CONVERTER

      
Numéro d'application 17029523
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-23
Date de la première publication 2021-05-13
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsubara, Kunio

Abrégé

A gate driver includes: a drive circuit configured to drive, in accordance with an input signal that commands to turn on/off a switching element connected between high and low power supply potential parts, a gate of the switching element; a time storage circuit configured to store a time length from when the input signal is switched to an on command to when a recovery surge voltage generated by a diode that is opposite to the switching element is detected; a switching determination circuit configured to determine, in accordance with a detected value of a power supply voltage, whether to switch a gate driving condition; and a driving condition change circuit configured to change, in accordance with a determination result of the switching determination circuit, the gate driving condition at a time of current turn-on by the time length stored at a time of previous turn-on.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ

100.

SOLDER JOINT

      
Numéro d'application 17134881
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-05-13
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe, Hirohiko
  • Saito, Shunsuke
  • Yokoyama, Takeshi

Abrégé

The present invention provides a highly reliable solder joint, the solder joint including a solder joint layer having a melted solder material containing Sn as a main component and further containing Ag and/or Sb and/or Cu; and a joined body including a Ni—P—Cu plating layer on a surface in contact with the solder joint layer, wherein the Ni—P—Cu plating layer contains Ni as a main component and contains 0.5% by mass or greater and 8% by mass or less of Cu and 3% by mass or greater and 10% by mass or less of P, the Ni—P—Cu plating layer has a microcrystalline layer at an interface with the solder joint layer, and the microcrystalline layer includes a phase containing microcrystals of a NiCuP ternary alloy, a phase containing microcrystals of (Ni,Cu)3P, and a phase containing microcrystals of Ni3P.

Classes IPC  ?

  • B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
  • B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
  • C23C 18/32 - Revêtement avec l'un des métaux fer, cobalt ou nickel; Revêtement avec des mélanges de phosphore ou de bore et de l'un de ces métaux
  • C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
  • B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
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