Fuji Electric Co., Ltd.

Japon

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Type PI
        Brevet 4 993
        Marque 42
Juridiction
        États-Unis 3 253
        International 1 757
        Canada 21
        Europe 4
Propriétaire / Filiale
[Owner] Fuji Electric Co., Ltd. 4 728
Fuji Electric FA Components & Systems Co., Ltd. 253
Fuji Electric Systems Co., Ltd. 89
Chichibu Fuji Co., Ltd. 8
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 45
2024 mars (MACJ) 36
2024 février 28
2024 janvier 36
2023 décembre 28
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Classe IPC
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée 891
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ 817
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices 776
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs 613
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus 488
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Classe NICE
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 41
07 - Machines et machines-outils 21
11 - Appareils de contrôle de l'environnement 20
12 - Véhicules; appareils de locomotion par terre, par air ou par eau; parties de véhicules 11
06 - Métaux communs et minerais; objets en métal 4
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Statut
En Instance 615
Enregistré / En vigueur 4 420
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1.

CLOCK GENERATING APPARATUS AND DRIVING APPARATUS

      
Numéro d'application 18452587
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-21
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

Provided is a clock generating apparatus including a voltage control oscillator that outputs a clock corresponding to a control voltage which is input, a control voltage generator that generates the control voltage corresponding to a difference between a frequency of the clock and a target frequency, a starting voltage generator that generates a starting voltage which is supplied to the voltage control oscillator during a start period of the voltage control oscillator, and a starting circuit that sets the control voltage to the starting voltage during the start period after a start-up of the voltage control oscillator.

Classes IPC  ?

  • H03K 3/011 - Modifications du générateur pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. tension, température
  • H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température

2.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18358442
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-25
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hashizume, Yuichi

Abrégé

A silicon carbide semiconductor device includes an active region, a first-conductivity-type region, and a termination region. The active region has first second-conductivity-type regions and first silicide films in trenches, second second-conductivity-type regions and a second silicide film between the trenches that are adjacent to one another, and a first electrode while the termination region has a third second-conductivity-type region. The active region includes ohmic regions, non-operating regions and Schottky regions, each of which has a stripe shape. Each ohmic region is a region where the first electrode is in contact with either the first silicide film or the second silicide film. Each non-operating region is a region where the first electrode is in contact with either the first or second second-conductivity-type regions. Each Schottky region is a region where the first electrode forms a Schottky barrier junction with the first-conductivity-type region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

3.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18356233
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-21
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Yuya
  • Tanaka, Shunsuke

Abrégé

Provided is a manufacturing method of a semiconductor device, comprising: performing a zincate treatment on a first metal layer provided above a semiconductor substrate with a zincate solution; forming a nickel-plated layer above the first metal layer; and forming a gold-plated layer above the nickel-plated layer, wherein in the performing the zincate treatment, a flow rate of the zincate solution supplied to a bath for performing the zincate treatment is 16 L/min or more and 20 L/min or less.

Classes IPC  ?

  • C23C 18/54 - Dépôt par contact, c. à d. dépôt électrochimique sans courant
  • H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique

4.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18356238
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-21
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ebukuro, Yuta
  • Yamano, Akio

Abrégé

Provided is a semiconductor device that includes one or more transistor portions and one or more diode portions provided at different positions in a top view, a semiconductor substrate provided with the one or more transistor portions and the one or more diode portions, an upper surface electrode arranged above the semiconductor substrate, and one or more first mark portions arranged upper than the upper surface electrode, each of the one or more first mark portions being arranged so as to overlap both one of the one or more transistor portions and one of the one or more diode portions in the top view, in which each of the one or more first mark portions has a concave shape or a convex shape in the top view or in a depth direction of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

5.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18356220
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-21
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsunaga, Shinichiro

Abrégé

Provided is a semiconductor device which includes: a semiconductor substrate containing silicon carbide; a plurality of first gate trench portions arranged side by side in a first direction; a first mesa portion sandwiched between two of the first gate trench portions; and a mesa facing region not sandwiched between two of the first gate trench portions in the first direction and arranged to face the first mesa portion in a second direction different from the first direction, and in which a contact hole is not provided in an interlayer dielectric film above the first mesa portion, and a source region is provided to extend from the first mesa portion to the mesa facing region and is connected to an upper-surface electrode via the contact hole.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/535 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

6.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18357169
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsunaga, Shinichiro

Abrégé

A semiconductor device is provided that includes a semiconductor substrate containing silicon carbide, and a control circuit unit including one or more control elements and in which the one or more control elements each include a control source region provided in the upper surface of the semiconductor substrate, a control drain region provided in the upper surface of the semiconductor substrate and being of a same conductivity type as the control source region, a control base region provided in contact with the control source region and being of a different conductivity type from the control source region, and a control gate trench section provided from the upper surface of the semiconductor substrate to an internal portion of the semiconductor substrate and being in contact with the control base region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

7.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 18455417
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-24
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Matsumoto, Hiroaki
  • Asai, Jun

Abrégé

A switching control circuit for a power supply circuit that includes a transformer including primary and secondary coils, and first and second transistors controlling a current flowing through the primary coil. The power supply circuit generates an output voltage at a target level. The switching control circuit controls switching of the first and second transistors. The switching control circuit includes: a drive signal output circuit configured to output drive signals according to a normal mode, when the output voltage is lower than a first level, and output the drive signals according to a burst mode, when the output voltage is higher than the first level; and a driver circuit configured to switch the first and second transistors in response to the drive signals. The drive signal output circuit reduces a first time period in the burst mode, in response to the output voltage rising above the first level.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

8.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18456599
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-28
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawano, Ryouichi
  • Kubouchi, Motoyoshi

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor substrate of a first conductivity-type: an insulated gate electrode structure buried in a first trench provided in the semiconductor substrate; a base region of a second conductivity-type provided in the semiconductor substrate so as to be in contact with the first trench; a first main electrode region of the first conductivity-type provided at an upper part of the base region so as to be in contact with the first trench: a polysilicon film of the second conductivity-type having a higher impurity concentration than the base region and buried in a second trench provided in the semiconductor substrate so as to be in contact with the base region; and a second main electrode region provided on a bottom surface side of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

9.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18521509
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-28
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kinoshita, Akimasa

Abrégé

N+-type source regions, low-concentration regions, and p++-type contact regions are each selectively provided in surface regions of a semiconductor substrate, at a front surface thereof, and are in contact with a source electrode. The n+-type source regions and the low-concentration regions are in contact with a gate insulating film at sidewalls of a trench and are adjacent to channel portions of a p-type base region, in a depth direction. The p++-type contact regions are disposed apart from the trench. In surface regions of an epitaxial layer constituting the p-type base region, portions left free of the n+-type source regions and the p++-type contact regions configure the low-concentration regions of an n−-type or a p−-type. The low-concentration regions are disposed periodically along the trench, between the trench and the p++-type contact regions. By the described structure, short-circuit withstand capability may be increased without increasing the number of processes.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023023416
Numéro de publication 2024/057654
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-06-23
Date de publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sawa Yuki
  • Kubouchi Motoyoshi
  • Ohi Kota

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device with a vertical, the vertical element having drift region of a first conductivity type provided on a semiconductor substrate, a first injection portion provided below the drift region, and a second injection portion provided below the drift region and having a lower carrier injection efficiency than that of the first injection portion. The first injection portion is larger in area than the second injection portion on a back surface of the semiconductor substrate, and the vertical element has the first injection portion and the second injection portion provided alternately in a predetermined direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

11.

SEMICONDUCTOR MODULE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2023028240
Numéro de publication 2024/057752
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-02
Date de publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Itoh Taichi
  • Kodaira Yoshihiro

Abrégé

The present invention reduces uneven filling of encapsulant in a semiconductor module using a case with an integrated lid. A semiconductor module (2) includes: a case (210) covering a circuit board (4) mounted on a base (200), the case including sides (211) surrounding the perimeter of the circuit board and a lid (212) located above the circuit board; a plurality of conductor plates (6A-6D), each being electrically connected to a conductor pattern on the circuit board and extending out of the case through a slit (220) provided in the case; and encapsulants (701, 702) encapsulating the circuit board, wherein the case has partitions (214, 215) which are placed in the area enclosed by the lid, the sides, and the circuit board and which are placed between the plurality of conductor plates to insulate the plurality of conductor plates from one another, and the partitions have notched sections (216, 217) at positions that do not overlap with the plurality of conductor plates, thereby making the height of the portion that does not overlap with the plurality of conductor plates lower than the height of the portion that does overlap.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,

12.

pH ESTIMATION DEVICE AND pH ESTIMATION METHOD FOR SILICA-OVERSATURATED FLUID

      
Numéro d'application JP2023031952
Numéro de publication 2024/057966
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-31
Date de publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Taichiro
  • Ui, Shinya
  • Wada, Azusa
  • Jiang, Tianlong
  • Ui, Fumi

Abrégé

In the present invention, the pH of a fluid is estimated without using a pH gauge. Provided is a pH estimation system 10 for a silica-oversaturated fluid, said system comprising: a first flow path L1 which is branched from a pipe 20, through which a silica-containing fluid flows, and extracts a portion of the fluid; a first measurement part 1 which is connected to the first flow path via an open/close valve B2; a retention section L2 which is connected to the first flow path; a second flow path L3 which is connected to the retention section and returns the fluid to the pipe; a second measurement part 2 which is connected to the second flow path via an open/close valve B3; and a calculation device 3 which is electrically connected to the first measurement part and the second measurement part. The first measurement part and the second measurement part comprise a fluid temperature measurement device and a silica concentration measurement device; and the calculation device stores a silica concentration reduction rate, a silica saturation concentration, and a temperature-pH relational expression and calculates the pH of the fluid on the basis of measurement results obtained at the first measurement part and the second measurement part and the relational expression.

Classes IPC  ?

13.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18518566
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-23
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mitsuzuka, Kaname
  • Karamoto, Yuki

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a gate trench portion and a first trench portion adjacent to the gate trench portion, the semiconductor device comprising: a drift region of a first conductivity type; a base region of a second conductivity type; an emitter region of the first conductivity type that is provided above the base region and has a higher doping concentration than that of the drift region; and a contact region of the second conductivity type that is provided above the base region and has a higher doping concentration than that of the base region. In a mesa portion between the gate trench portion and the first trench portion, the contact region may have a first contact portion and a second contact portion that are provided to extend from the first trench portion to below a lower end of the emitter region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

14.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18236984
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-23
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kakebe, Isao

Abrégé

An object of the present disclosure is to provide a semiconductor module capable of reducing variation in drive characteristics of each of plural semiconductor switching elements. A semiconductor module includes IGBTs configured to supply power to a load and gate driver circuits in which drive targets are set in a one-to-one relationship to the IGBTs and in which according to a positional relationship to, for example, the IGBT as the drive target, a driving capability of the gate driver circuit to drive the IGBT is set.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique

15.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18453713
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-22
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Adachi, Shinichiro

Abrégé

A semiconductor device includes an insulated circuit board having a semiconductor chip thereon, a W-phase output terminal electrically connected to the chip, a cooling device including a cooling top plate having a top surface on which the insulated circuit board is disposed, and a case including a frame portion on the cooling top plate and having an open storage area in which the insulated circuit board is stored, and a current detection unit for detecting an output current flowing through the output terminal. The output terminal extends from the unit storage portion to an outside the case and passes through the current detection unit. The current detection unit is embedded within the frame portion such that a shortest external dimension thereof is parallel to a first direction that is perpendicular to the top surface in the cooling area of the cooling top plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
  • H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
  • H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
  • H01L 23/46 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD

      
Numéro d'application 18513624
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-19
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Agata, Yasunori
  • Tamura, Takahiro
  • Ajiki, Toru

Abrégé

A semiconductor device comprising a semiconductor substrate having upper and lower surfaces and a hydrogen containing region containing hydrogen and helium is provided. The carrier concentration distribution of the hydrogen containing region has: a first local maximum point; a second local maximum point closest to the first local maximum point among local maximum points positioned between the first local maximum point and the upper surface; a first intermediate point of the local minimum between the first and second local maximum points; and a second intermediate point closest to the second local maximum point among local minimum points or flat points where the carrier concentration remains constant positioned between the second local maximum point and the upper surface. A highest point of a helium concentration peak is positioned between the first and second local maximum points. The carrier concentration is lower at the first intermediate point than the second intermediate point.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes

17.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS

      
Numéro d'application 18176192
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-28
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Zhu, Fengqiang
  • Suzuki, Shinjiro
  • Takeuchi, Masaru

Abrégé

An electrophotographic photoconductor including a sequentially-provided conductive substrate, an undercoat layer, and a photosensitive layer. Photosensitive layer is a negatively-charged stacked type including a charge generation layer and a charge transport layer. Undercoat layer contains a resin binder and a first filler, the first filler including a zinc oxide particle surface-treated with an N-acylated amino acid or an N-acylated amino acid salt, and the charge generation layer containing an adduct compound of titanyl phthalocyanine and butanediol.

Classes IPC  ?

  • G03G 5/14 - Couches intermédiaires ou de recouvrement inertes pour les couches recevant la charge
  • G03G 5/047 - Couches photoconductrices caractérisées en ce qu'elles ont plusieurs couches ou caractérisées par leur structure composite caractérisées par les couches de génération ou de transport de charges
  • G03G 5/06 - Couches photoconductrices; Couches de génération de charges ou couches de transport de charges; Additifs à cet effet; Liants à cet effet caractérisées par le fait que leur matériau photoconducteur est organique

18.

INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18453865
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-22
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Iwamoto, Motomitsu

Abrégé

An integrated circuit includes: an amplifier circuit outputting a first voltage and a second voltage respectively in a first case and a second case, in which two input voltages of opposite polarities are applied to a pair of input terminals of a bridge circuit, the first and second voltages being based on a reference voltage and first and second amplified voltages, obtained by amplifying, by a predetermined gain, first and second output voltages outputted from a pair of output terminals of the bridge circuit; and a reference voltage output circuit setting the reference voltage to a first level and a second level respectively in the first and second cases. The first and second levels respectively correspond to a sum of, and a difference between, a predetermined voltage and another amplified voltage obtained by amplifying, by the predetermined gain, an offset voltage generated at the output terminals of the bridge circuit.

Classes IPC  ?

  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
  • H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation

19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18359241
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-26
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Moriya, Tomohiro

Abrégé

On a surface of a portion of a front electrode exposed in an opening of a passivation film, a Ni-deposited film having high solder wettability is provided apart from the sidewalls of the opening of the passivation film. Metal wiring is soldered to the Ni-deposited film. The solder layer is formed only on the Ni-deposited film and thus, the solder layer and the passivation film do not contact each other. The front electrode contains Al and an entire area of the surface of the front electrode excluding the portion where the Ni-deposited film is formed is covered by a surface oxide film that is constituted by an aluminum oxide film formed by intentionally oxidizing the surface of the front electrode. The surface oxide film intervenes between the front electrode, the passivation film, and a sealant, whereby the adhesive strength of the passivation film and the sealant is increased.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
  • H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

20.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application 18518568
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-23
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Iguchi, Kenichi

Abrégé

Provided is a semiconductor apparatus having a MOS gate structure, comprising: a semiconductor substrate; a first interlayer dielectric film provided above an upper surface of the semiconductor substrate and including a first opening; and a second interlayer dielectric film stacked on the first interlayer dielectric film and including a second opening overlapping the first opening in a top view, wherein a width of the first opening in a first direction is different from a width of the second opening in the first direction, at a boundary height between the first interlayer dielectric film and the second interlayer dielectric film.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

21.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18511954
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-16
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishida, Yuhei
  • Shiohara, Mayumi

Abrégé

Provided is a semiconductor module, including: a first switching device provided in one of an upper arm or a lower arm; a second switching device provided in another of the upper arm or the lower arm; a first diode device provided in parallel with the first switching device; a second diode device provided in parallel with the second switching device; a laminated substrate of which a main surface has two sides extending in a predetermined first direction and a predetermined second direction; and a gate external terminal and an auxiliary source external terminal provided farther toward a negative side of the first direction than the upper arm and the lower arm, and arranged in the second direction.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

22.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18513672
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-20
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yoshikawa, Koh

Abrégé

An edge termination structure portion has one or more guard rings of a second conductivity type that are provided between a well region and an end side of a semiconductor substrate, and are exposed to an upper surface of the semiconductor substrate, a first conductivity type region that is provided between a first guard ring that is closest to the well region, among the one or more guard rings, and the well region, and a first field plate that is provided above the upper surface of the semiconductor substrate, and is connected to the first guard ring, and the first field plate overlaps 90% or more of the first conductivity type region between the first guard ring and the well region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/40 - Electrodes

23.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18513685
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-20
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Mitsuzuka, Kaname

Abrégé

A semiconductor device includes: a gate trench portion provided in a semiconductor substrate; a first trench portion provided in the semiconductor substrate and adjacent to the gate trench portion; an emitter region of a first conductivity type provided to be in contact with the gate trench portion in a mesa portion between the gate trench portion and the first trench portion; a contact region of a second conductivity type provided to be in contact with the first trench portion in the mesa portion; a metal layer provided above the semiconductor substrate; and a resistance portion of the first conductivity type provided to be in contact with the metal layer and the emitter region and having a lower doping concentration than that of the emitter region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

24.

SHIELDED CONDUCTOR AND OPENING/CLOSING DEVICE

      
Numéro d'application JP2023030244
Numéro de publication 2024/053394
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-23
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Okamoto Kenji
  • Masui Hidetaka

Abrégé

The objective of the present invention is to provide a shielded conductor with an improved insulation property and an opening/closing device using the same. An aspect of the present invention is a shielded conductor (5) serving for electric field relaxation, characterized in that the surface of the shielded conductor is covered with a resin (10) containing a nano-filler. In addition, an opening/closing device (1) according to an aspect of the present invention is characterized by comprising: a hermetic container (2); an insulating spacer (3) fixed inside the hermetic container; high-pressure conductors (4) disposed on both sides of the center of the insulating spacer; and the shielded conductors (5) attached to the high-pressure conductors on both sides and having a diameter greater than that of the high-pressure conductor, the surface of the shielded conductors being covered with the resin (10) containing the nano-filler.

Classes IPC  ?

  • H02G 5/06 - Installations fermées, p.ex. en coffrets métalliques
  • H02B 13/035 - Appareillages de commutation à isolation gazeuse
  • H02B 13/045 - Appareillages de commutation à isolation gazeuse - Détails de l'enveloppe, p.ex. étanchéité au gaz

25.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18308044
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-27
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tsuji, Takashi
  • Onozawa, Yuichi
  • Fujishima, Naoto
  • Huang, Linhua
  • Sin, Johnny Kin On

Abrégé

A gate insulating film has a multilayer structure including a SiO2 film, a LaAlO3 film, and an Al2O3 film that are sequentially stacked, relative permittivity of the gate insulating film being optimized by the LaAlO3 film. In forming the LaAlO3 film constituting the gate insulating film, a La2O3 film and an Al2O3 film are alternately deposited repeatedly using an ALD method. The La2O3 film is deposited first, whereby during a POA performed thereafter, a sub-oxide of the surface of the SiO2 film is removed by a cleaning effect of lanthanum atoms in the La2O3 film. A temperature of the POA is suitably set in a range from 700 degrees C. to less than 900 degrees C.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges

26.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application 18356230
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-21
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kitano, Michiya
  • Hashimoto, Tatsuya

Abrégé

A manufacturing method of a semiconductor apparatus, including: preparing a wafer on which an adhesion layer is provided in an outer peripheral region of a front surface; applying a protective tape on the front surface of the wafer, wherein the protective tape is applied on the adhesion layer; cutting a front surface of the protective tape; and grinding a back surface of the wafer while holding the wafer by a grinding apparatus through the protective tape, is provided. In addition, a semiconductor apparatus, including: a wafer; a semiconductor device provided in a central region of a front surface of the wafer; and an adhesion layer of a polyimide film provided in an outer peripheral region surrounding the central region on the front surface of the wafer, is provided.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18357158
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Lu, Hong-Fei

Abrégé

Provided is a semiconductor device including: a plurality of trench portions which are provided to positions below a base region from an upper surface of a semiconductor substrate and are arranged next to one another in a first direction on the upper surface of the semiconductor substrate; a first lower end region of a second conductivity type, which is arranged at a first depth position and is provided in contact with a lower end of two or more of the trench portions; and a second lower end region which is arranged at the first depth position and is arranged at a position not overlapping with the first lower end region, in which the second lower end region includes at least one of a region of a first conductivity type or a region of a second conductivity type which has a lower doping concentration than the first lower end region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/861 - Diodes

28.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18357675
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ito, Yuichi
  • Matsunami, Kazuhiro

Abrégé

A semiconductor device includes an integrated circuit having a first resistor configuring a voltage divider circuit, a sensing resistor configured to measure a sheet resistance having a same attribute as that of the first resistor, a temperature detection circuit configured to detect a value of a first temperature, a storage circuit configured to store a table including first information for each of a plurality of values of the first temperatures, the first information corresponding to a sheet resistance of the first resistor obtained based on a result of measurement of the sensing resistor, and indicating a relationship between a second temperature and a divided voltage of the voltage divider circuit at the second temperature, and an arithmetic circuit configured to obtain the second temperature, based on the first information at the value of the first temperature detected by the temperature detection circuit and the divided voltage.

Classes IPC  ?

  • G01K 7/24 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments résistifs l'élément étant une résistance non linéaire, p.ex. une thermistance dans un circuit spécialement adapté, p.ex. un circuit en pont
  • G01K 7/42 - Circuits pour la compensation de l’inertie thermique; Circuits pour prévoir la valeur stationnaire de la température
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement

29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18504494
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-08
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakano, Hayato

Abrégé

A semiconductor device including a semiconductor chip, an insulating circuit board having a circuit pattern formed on an insulating plate, a case including a frame part having an opening that is substantially rectangular in a plan view of the semiconductor device, inner wall surfaces of the frame part at the opening forming a storage part to store the insulating circuit board, and a printed circuit board which has a flat plate shape and which protrudes from one of the inner wall surfaces of the frame part toward the storage part. The semiconductor device further includes a sealing material filled in the storage part, to thereby seal the semiconductor chip and the printed circuit board. A front surface of the sealing material forms a sealing surface, and in a thickness direction of the semiconductor chip, the sealing surface is higher around the printed circuit board than around the semiconductor chip.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 23/057 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions étant parallèles à la base
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

30.

LASER WELDING METHOD

      
Numéro d'application 18356245
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-21
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kogure, Yuta

Abrégé

Provide is a laser welding method of a lamination member including a second base material provided on a first base material, the laser welding method including forming a first scanning route by scanning a laser from a first point of the lamination member to a second point different from the first point, the first point being predetermined, and forming a second scanning route, at least a portion of which is shared with the first scanning route, by scanning the laser from a third point of the lamination member to a fourth point different from the third point, the third point being predetermined, and melting the first base material and the second base material in a common region between the first scanning route and the second scanning route, in which a welding depth of the first base material is 0.2 mm or more and 0.7 mm or less.

Classes IPC  ?

  • B23K 26/244 - Soudage de joints du type à recouvrement
  • B23K 26/323 - Assemblage tenant compte des propriétés du matériau concerné faisant intervenir des parties faites de matériaux métalliques dissemblables

31.

BONDING TOOL, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18359020
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-26
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hokazono, Hiroaki

Abrégé

A bonding tool for bonding two conductive plates in contact with each other by pressing the bonding tool against the two conductive plates while vibrating a bonding end portion thereof in a direction parallel to the conductive plates. The bonding end portion of the bonding tool includes a bonding base having an end surface, the end surface having a protrusion area that has two sides facing and parallel to each other in a first direction that is parallel to the end surface, a plurality of protrusions provided in the protrusion area of the end surface, and a suppression portion provided on the end surface along the two sides of the protrusion area. The bonding end portion is configured to vibrate in the first direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

32.

SOLDER MATERIAL

      
Numéro d'application 18506384
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-10
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe, Hirohiko
  • Saito, Shunsuke
  • Kodaira, Yoshihiro

Abrégé

A solder material having a good thermal-cycle fatigue property and wettability. The solder material contains not less than 6.0% by mass and not more than 8.0% by mass Sb, not less than 3.0% by mass and not more than 5.0% by mass Ag, and the balance of Sn and incidental impurities. Also, a semiconductor device may include a joining layer between a semiconductor element and a substrate electrode or a lead frame, the joining layer being obtained by melting this solder material.

Classes IPC  ?

  • B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p.ex. par la forme
  • B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
  • B23K 1/20 - Traitement préalable des pièces ou des surfaces destinées à être brasées, p.ex. en vue d'un revêtement galvanique
  • B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
  • C22C 13/02 - Alliages à base d'étain avec l'antimoine ou le bismuth comme second constituant majeur
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

33.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18507123
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-13
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubouchi, Motoyoshi
  • Yoshida, Soichi

Abrégé

In a semiconductor device, it is preferable to suppress a variation in characteristics of a temperature sensor. The semiconductor device is provided that includes a semiconductor substrate having a first conductivity type drift region, a transistor section provided in the semiconductor substrate, a diode section provided in the semiconductor substrate, a second conductivity type well region exposed at an upper surface of the semiconductor substrate, a temperature sensing unit that is adjacent to the diode section in top view and is provided above the well region, and an upper lifetime control region that is provided in the diode section, at the upper surface side of the semiconductor substrate, and in a region not overlapping with the temperature sensing unit in top view.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

34.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18507125
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-13
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mitsuzuka, Kaname
  • Onozawa, Yuichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device including a semiconductor substrate; a transistor portion provided in the semiconductor substrate; a current sensing portion for detecting current flowing through the transistor portion; an emitter electrode set to an emitter potential of the transistor portion; a sense electrode electrically connected to the current sensing portion; and a Zener diode electrically connected between the emitter electrode and the sense electrode. Provided is a semiconductor device fabricating method including providing a transistor portion in a semiconductor substrate; providing a current sensing portion for detecting current flowing through the transistor portion; providing an emitter electrode set to an emitter potential of the transistor portion; providing a sense electrode electrically connected to the current sensing portion; and providing a Zener diode electrically connected between the emitter electrode and the sense electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/866 - Diodes Zener

35.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023025247
Numéro de publication 2024/048077
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-07-07
Date de publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ebukuro Yuta
  • Yamano Akio

Abrégé

The present invention disperses heating caused by an energizing current in a semiconductor device comprising a plurality of semiconductor elements positioned side by side in a row. This semiconductor device (1) comprises: a plurality of semiconductor elements (11) positioned side by side in a row; a first terminal (21) and second terminals (22); a first conductor (31) electrically connected to the first terminal (21) and the plurality of semiconductor elements (11); and a second conductor (32) electrically connected to the plurality of semiconductor elements (11) and the second terminals (22). The first terminal (21) is positioned on one side in the alignment direction of the plurality of semiconductor elements (11) with respect to the plurality of semiconductor elements (11), the first conductor (31), and the second conductor (32), and the second terminals (22) are positioned on the other side. The second conductor (32) has two divided pieces (32a) in which both sides, in the width direction that crosses the alignment direction and the thickness direction of the second conductor (32), extend in the alignment direction with respect to the plurality of semiconductor elements (11), and are each electrically connected to the plurality of semiconductor elements (11).

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,

36.

ELECTROMAGNETIC CONTACTOR AND COUPLING STRUCTURE FOR HEAD-ON UNIT

      
Numéro d'application JP2023006284
Numéro de publication 2024/047906
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-02-21
Date de publication 2024-03-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC FA COMPONENTS & SYSTEMS CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kikuchi Shouta
  • Takaya Kouetsu
  • Itou Mitsuya

Abrégé

Provided is a structure for coupling an electromagnetic contactor (1) that has an opening portion (9) on an arc extinguishing cover (4) and an engaging portion (23) provided on a contact support (19) of a contact mechanism (10) so as to protrude or retract into or from the opening portion by on/off driving of an electromagnetic unit (12) and a head-on unit (25) that is engaged with the engaging portion by sliding and inserting a hook portion (32) into the opening portion. This structure comprises rotation preventing portions (5a), (5b), (34a), and (34b) that prevent the head-on unit from rotating when the head-on unit is slid and coupled to the electromagnetic contactor.

Classes IPC  ?

  • H01H 50/04 - Montage complet de relais ou d'éléments de relais sur un support ou à l'intérieur d'une enveloppe
  • H01H 50/20 - Eléments mobiles de circuits magnétiques, p.ex. armature mobiles coaxialement à la bobine
  • H01H 50/54 - Dispositions de contact

37.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18342873
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-28
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Taniguchi, Katsumi

Abrégé

A semiconductor device includes: a resin insulated substrate including a first rein insulating layer, a conductor base provided on one of main surfaces of the first resin insulating layer, and a conductor foil provided on another main surface of the first resin insulating layer; a power semiconductor element bonded to the conductor foil; a case surrounding an outer circumference of the resin insulated substrate; a sealing resin provided inside the case to seal the power semiconductor element; and a second resin insulating layer provided between the first resin insulating layer and the sealing resin and having a lower water-absorption rate than the sealing resin.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

38.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18343232
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-28
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Osaki, Koji
  • Hinata, Yuichiro

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor chip having a main electrode on a front surface thereof, a wiring board having a front surface to which a rear surface of the semiconductor chip is bonded, a sealing member sealing the wiring board and the semiconductor chip, and an adhesive layer including at least two adhesive films that are laminated to each other. The adhesive layer is provided on surfaces of the wiring board and the semiconductor chip so that the sealing member seals the wiring board and the semiconductor chip via the adhesive layer. As a result, the sealing member is able to reliably seal the semiconductor chip and wiring board via the adhesive layer, thereby preventing an occurrence and extension of separation.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

39.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18357164
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suganuma, Nao
  • Sakurai, Yosuke
  • Noguchi, Seiji
  • Hamasaki, Ryutaro
  • Yamada, Takuya

Abrégé

Provided is a semiconductor device including a transistor portion, in which the transistor portion has a drift region of a first conductivity type provided in a semiconductor substrate, a base region of a second conductivity type provided above the drift region, an accumulation region of the first conductivity type provided above the drift region, a plurality of trench portions provided to extend from a front surface of the semiconductor substrate to the drift region, and a trench bottom portion of the second conductivity type provided in bottom portions of the plurality of trench portions, and the accumulation region has a doping concentration with a half width of 0.3 μm or more.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

40.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER FACTOR CORRECTION CIRCUIT

      
Numéro d'application 18357371
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamada, Ryuji

Abrégé

A switching control circuit for a power factor correction circuit configured to generate an output voltage from an alternating current (AC) voltage, the power factor correction circuit including an inductor configured to receive a rectified voltage corresponding to the AC voltage, and a transistor configured to control an inductor current flowing through the inductor. The switching control circuit is configured to control switching of the transistor. The switching control circuit includes: a driving signal output circuit configured to, when a peak value of the inductor current in a half cycle of the AC voltage is smaller than and greater than a first predetermined value, output a driving signal to operate the power factor correction circuit in a critical mode and in a continuous mode, respectively; and a driver circuit configured to drive the transistor, in response to the driving signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

41.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 18357545
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yaguchi, Yukihiro

Abrégé

A switching control circuit for a power supply circuit that includes an inductor to which a voltage in accordance with an alternating current (AC) voltage is applied, and a transistor controlling an inductor current flowing through the inductor, the power supply circuit generating an output voltage from the AC voltage, the switching control circuit being configured to control switching of the transistor, the switching control circuit comprising: an ON signal output circuit that outputs an ON signal to turn on the transistor in response to the inductor current reaches a predetermined current, when a feedback voltage in accordance with the output voltage indicates that the output voltage is lower than a first level, and outputs the ON signal every first cycle when the feedback voltage indicates that the output voltage is higher than the first level; an OFF signal output circuit that outputs an OFF signal to turn off the transistor based on the feedback voltage; and a driver circuit that drives the transistor based on the ON signal and the OFF signal, wherein the first cycle is longer than a second cycle, which is a cycle of the ON signal when the output voltage is lower than the first level.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs

42.

SEMICONDUCTOR MODULE, POWER CONVERTER, AND POWER CONVERTER MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18359098
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-26
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Iso, Akira

Abrégé

A semiconductor module includes an insulated circuit substrate including a semiconductor chip, an insulated circuit substrate including a wiring board provided on a front surface thereof, the wiring board having the semiconductor chip bonded thereto, a heat dissipation base having a front surface and a rear surface opposite to each other. The front surface has a substrate region to which the insulated circuit substrate is bonded. The rear surface has a heat dissipation region positioned overlapping the substrate region in a plan view of the semiconductor module and a loop-shaped region surrounding the heat dissipation region. The semiconductor module further includes a solid heat dissipation member made of a phase change material and provided on the rear surface of the heat dissipation base in the heat dissipation region, and an elastic member provided on the rear surface of the heat dissipation base in the loop-shaped region.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

43.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18503210
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-07
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Imagawa, Tetsutaro

Abrégé

A semiconductor device includes pads arrayed between a region where a transistor portion or a diode portion is disposed and a first end side on an upper surface of a semiconductor substrate, and a gate runner portion that transfers a gate voltage to the transistor portion. The gate runner portion has a first gate runner disposed passing between the first end side of the semiconductor substrate and at least one of the pads in the top view, and a second gate runner disposed passing between at least one of the pads and the transistor portion in the top view. The transistor portion is also disposed in the inter-pad regions, the gate trench portion disposed in the inter-pad regions is connected to the first gate runner, and the gate trench portion arranged so as to face the second gate runner is connected to the second gate runner.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

44.

THERMAL OVERLOAD RELAY

      
Numéro d'application JP2023007915
Numéro de publication 2024/042746
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-02
Date de publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC FA COMPONENTS & SYSTEMS CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ri Shuren
  • Onogi Yuma
  • Miura Hayato

Abrégé

In the present invention, a trip operation of a reversal mechanism (24) is performed by a differential lever (23) being pivoted by being pushed against a push shifter (22a) from the outside in the radial direction with a position at which the differential lever engages with a pull shifter (22b) as the pivot center, and a compensation bimetal contact surface (74) that is provided to the differential lever displacing a compensation bimetal (31). In addition, there is provided a compensation bimetal displacement amplifying means that amplifies the displacement of the compensation bimetal by, in an overloaded state in which an overcurrent flows, stopping of the displacement of the pull shifter and a subsequent displacement of the push shifter, whereby the differential lever is pivoted.

Classes IPC  ?

45.

ELECTROMAGNETIC CONTACTOR

      
Numéro d'application JP2023008111
Numéro de publication 2024/042748
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-03
Date de publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC FA COMPONENTS & SYSTEMS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takaya, Kouetsu
  • Kikuchi, Shouta
  • Sekiya, Masashi

Abrégé

This electromagnetic contactor comprises: a fixed electromagnet (15); an operating coil (17); a movable electromagnet (16); a contact support section (50) that is fixed to the movable electromagnet, is drawn, together with the movable electromagnet, by the fixed electromagnet to a first side in a first direction when power is supplied to the operating coil, that moves, together with the movable electromagnet, to a second side in the first direction that is opposite the first side, away from the fixed electromagnet when the power to the operating coil is interrupted, and that has a window section (51h) that penetrates in a second direction that intersects the first direction; a movable contact (51c) that is installed in the window section; a contact spring (51s) that is compressed in the first direction, an end of the contact spring on the first side being fixed to an end of the window section on the first side, and an end of the contact spring on the second side pressing on the movable contact; and a spring fitting (51r) between the movable contact and the contact spring. The contact support section has recessed sections (51g, 51i) in the window section that are recessed in a third direction that intersects the first direction and the second direction.

Classes IPC  ?

46.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18214044
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-26
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kuneshita, Naoki
  • Momose, Masayuki
  • Hamasaki, Ryutaro

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor device includes: forming a first trench from an upper surface side of a semiconductor substrate; burying the first trench with an insulated gate electrode structure; forming a base region at an upper part of the semiconductor substrate so as to be in contact with the first trench; forming a first main electrode region at an upper part of the base region so as to be in contact with the first trench; forming a second trench by removing a part of the first main electrode region; implanting first impurity ions entirely into a side wall surface of the second trench from a diagonally upper side; implanting second impurity ions into a bottom surface of the second trench to form a contact region at a bottom of the second trench; and forming a second main electrode region on a bottom surface side of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

47.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18358606
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-25
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kobayashi, Keisuke
  • Endou, Makoto
  • Inoue, Shiomi

Abrégé

A semiconductor device includes: an insulated gate electrode structure provided in a semiconductor substrate; a base region; a first main electrode region; a contact plug buried in a trench penetrating the first main electrode region to reach the base region with a barrier metal film interposed; an interlayer insulating film provided with a contact hole integrally connected to the trench; a contact region provided in contact with a bottom of the trench; and a second main electrode region, wherein an opening width at a lower end of the contact hole conforms to a width at an opening of the trench, an upper part of a side wall continued from the opening of the trench has a curved surface convex to an outside, and a lower part of the side wall continuously connected to the bottom of the trench has a curved surface convex to the outside.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

48.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023025669
Numéro de publication 2024/042899
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-07-12
Date de publication 2024-02-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Adachi, Shinichiro

Abrégé

The present invention limits reduction of the cooling capacity. A cooling housing (40) includes, when viewed in a plan view: outside surfaces (40a, 40c) located on the long side; outside surfaces (40b, 40d) located on the short side; and an inlet (40h) that is formed in the outside surface (40b) near the outside surface (40c) and that is in communication with a flow path area (41) and through which a medium flows in longitudinally toward the flow path area (41). An inflow area (42) is formed in a flow path bottom surface (41e) near the inlet (40h). The inflow area (42) is concave and depressed lower than the flow path bottom surface (41e), and leads to the inlet (40h). The inflow area (42) includes a diffusion surface (42d) opposed to the inlet (40h).

Classes IPC  ?

  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides

49.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023023686
Numéro de publication 2024/038681
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-06-26
Date de publication 2024-02-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Okumura, Keiji

Abrégé

According to the present invention, a front surface side of a semiconductor substrate (30) is provided with a source trench structure that comprises a gate trench (7), in which a gate electrode (9) is buried, and a source trench (11), in which a source electrode (13) is buried. A p-type base region (3) extends along the inner wall of the source trench (11) between the source trench (11) and an n- type drift region (2); and the bottom surface of the source trench (11) is surrounded by the p-type base region (3). An n-type current diffusion region (16) is provided so as to face the lower surface of a p-type base deep portion (4) of the p-type base region (3) in the depth direction (Z), the p-type base deep portion (4) extending along the bottom surface of the source trench (11). The n-type current diffusion region (16) has a function of lowering the breakdown voltage by making avalanche breakdown likely to occur in the vicinity of the bottom surface of the source trench (11) when an SiC-MOSFET is in an off state. Consequently, the present invention is capable of reducing the on-resistance.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués

50.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18340233
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-23
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tsuji, Takashi

Abrégé

A p++-type outer peripheral contact region is provided in an edge termination region and surrounds a periphery of an active region in a rectangular shape having rounded corners, in a plan view. The p++-type outer peripheral contact region faces a gate runner on a front surface of a semiconductor substrate via an insulating layer. In the active region, a p++-type region is provided facing a gate pad on the front surface of the semiconductor substrate via the insulating layer. The p++-type outer peripheral contact region and the p++-type region are provided apart from p++-type contact regions that form source contacts with a source electrode. The p++-type contact regions and contact holes in which the source contacts are formed are disposed in a uniform layout spanning an entire area of the active region so that an end side and a center side of the active region have the same layout.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

51.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18342372
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-27
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kinoshita, Akimasa

Abrégé

A silicon carbide semiconductor device has a silicon carbide semiconductor substrate of a first conductivity type; a first semiconductor layer of the first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type; first semiconductor regions of the first conductivity type; trenches; gate insulating films; gate electrodes; first high-concentration regions of the second conductivity type provided at positions facing the trenches in a depth direction; second high-concentration regions of the second conductivity type, selectively provided between the trenches and in contact with the first semiconductor regions, each having an upper surface exposed at the surface of the second semiconductor layer and a lower surface partially in contact with upper surfaces of the first high-concentration regions; a first electrode; and a second electrode. The second high-concentration regions are disposed periodically in a longitudinal direction of the trenches.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

52.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18501489
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-03
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kobayashi, Yusuke
  • Oonishi, Yasuhiko
  • Iwaya, Masanobu

Abrégé

A semiconductor device has an active region through which current flows and an edge termination structure region arranged outside the active region. The semiconductor device includes a low-concentration semiconductor layer of a first conductivity type, and formed in the edge termination structure region, on a front surface of a semiconductor substrate. The semiconductor device includes a second semiconductor layer of a second conductivity type, in contact with one of a semiconductor layer of the second conductivity type in the active region and a semiconductor layer of the second conductivity type in contact with a source electrode. The second semiconductor layer has an impurity concentration that is lower than that of the semiconductor layer, and the second semiconductor layer is not in contact with a surface of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

53.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18342911
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-28
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Saito, Takashi

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor module includes: placing, on a lower hot plate, an insulating wiring substrate having an electrically-conductive pattern formed on an insulating substrate; placing sintered materials on the electrically-conductive pattern; placing semiconductor chips on the sintered materials; placing a cushioning material over the semiconductor chips; placing an upper hot plate on the cushioning material; and sintering the sintered materials by pressurizing and heating the sintered materials via the cushioning material and the electronic components by the upper hot plate in a state where a space is provided between the upper hot plate and a part of the insulating substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

54.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18344314
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-29
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nishizawa, Tatsuo

Abrégé

A method for manufacturing a semiconductor module includes arranging an insulating wiring board on a lower die, arranging sintered materials at a plurality of points on the insulating wiring board, arranging each semiconductor chip on the sintered materials, arranging each buffer material individually on the semiconductor chips, arranging, above the lower die, an upper die including protrusions at points corresponding to arrangement positions of the semiconductor chips so that the protrusions correspond to the semiconductor chips, and sintering by pressurizing and heating the sintered materials by the protrusions through the buffer materials and the semiconductor chips.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

55.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18356255
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-21
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Karamoto, Yuki
  • Mitsuzuka, Kaname

Abrégé

Provided is a semiconductor device including a buffer region of a first conductivity type, which is provided between a lower surface of a semiconductor substrate and a drift region, has three or more doping concentration peaks in a depth direction of the semiconductor substrate, and has a higher concentration than the drift region, in which the three or more doping concentration peaks include a deepest peak farthest from the lower surface of the semiconductor substrate and a second peak second closest to the lower surface of the semiconductor substrate, and a peak width of the second peak is 2 times or more of a peak width of the deepest peak in the depth direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

56.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 18357330
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hiasa, Nobuyuki

Abrégé

A switching control circuit for a power supply circuit generating an output voltage from an AC voltage. The power supply circuit includes an inductor receiving a first rectified voltage corresponding to the AC voltage, and a transistor controlling an inductor current flowing through the inductor. The switching control circuit controls switching of the transistor, and comprises: an identification circuit identifying whether an effective value of the AC voltage is a first or second level; a first comparator circuit comparing the inductor current with a first current value and a second current value, respectively when the effective value is the first level and the second level; and a driver circuit driving the transistor based on the inductor current and the output voltage. The driver circuit turns off the transistor in response to the inductor current exceeding the first current value or the second current value as a result of comparison.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

57.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18491832
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-23
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshimura, Takashi
  • Shimosawa, Makoto
  • Kubouchi, Motoyoshi
  • Uchida, Misaki

Abrégé

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including forming a lifetime control region from the side of a front surface of a semiconductor substrate, ion-implanting Ti into a bottom surface of a contact hole provided so as to penetrate through an interlayer dielectric film arranged on the front surface of the semiconductor substrate, and forming a Ti silicide layer at the bottom surface of the contact hole with anneal.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

58.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18493272
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-24
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ichikawa, Yoshihito
  • Kinoshita, Akimasa

Abrégé

A manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device includes: epitaxially growing a drift layer of a first conductivity-type on a silicon carbide substrate of the first conductivity-type; forming a base region of a second conductivity-type on the drift layer; forming a main region of the first conductivity-type on the drift layer so as to be in contact with the base region; forming a gate insulating film so as to be in contact with the base region and the main region; forming a gate electrode so as to be in contact with the base region and the main region with the gate insulating film interposed; and forming a lifetime killer region at a depth covering a bottom surface of the drift layer by irradiating the top surface side of the drift layer with a lifetime killer after epitaxially growing the drift layer and before forming the gate insulating film.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

59.

COOLER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023024795
Numéro de publication 2024/034291
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-07-04
Date de publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sano, Daiki

Abrégé

The present invention suppresses the occurrence of a deviated flow distribution in a cooler and the increase in pressure loss. A cooler (10) comprises, inside a container (14): a first flow path (14e) disposed parallel with a first side wall (14a) and communicating with an introduction port (11); a second flow path (14f) disposed parallel with a second side wall (14b) and communicating with a discharge port (12); a third flow path (14g) communicating with the first flow path (14e) and the second flow path (14f); a first flow rate adjustment unit (15) disposed between the first flow path (14e) and the third flow path (14g); and a second flow rate adjustment unit (16) disposed between the second flow path (14f) and the third flow path (14g). The first flow rate adjustment unit (15) includes a first region (15a) having a first opening ratio and a second region (15b) having a second opening ratio smaller than the first opening ratio. The second flow rate adjustment unit (16) includes a third region (16a) having a third opening ratio and a fourth region (16b) having a fourth opening ratio greater than the third opening ratio.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
  • F28F 3/00 - Eléments en forme de plaques ou de laminés; Ensembles d'éléments en forme de plaques ou de laminés
  • F28F 9/22 - Dispositions pour diriger les sources de potentiel calorifique dans des compartiments successifs, p.ex. aménagement des plaques de guidage
  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage

60.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18216144
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-29
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nishizawa, Tatsuo

Abrégé

A method for manufacturing a semiconductor module can prevent performance and reliability degradation of a semiconductor module. The method for manufacturing a semiconductor module includes: arranging an insulating wiring board on a low die; arranging a sintering material at plural locations on the insulating wiring board and arranging a semiconductor chip on each of the plural sintering materials; arranging a structure above protruding portions of the sintering materials protruding from a periphery of each of the plural semiconductor chips; and sintering by pressurizing and heating the plural sintering materials by an upper die through the structure at the protruding portions and through the semiconductor chips at contacting portions in contact with lower surfaces of the semiconductor chips.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

61.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18340323
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-23
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tsuji, Takashi

Abrégé

An AlSi electrode containing an aluminum alloy that contains silicon is sputtered on a surface of a semiconductor substrate that contains silicon carbide. Si nodules having a dendrite structure precipitate in AlSi electrode. At least some of the Si nodules have a dendrite structure, and the rest of the Si nodules have a prismatic structure. A height of the Si nodules having either dendrite structures or prismatic structures in the AlSi electrode in a thickness direction of the AlSi electrode is not more than 2 μm. A height of the Si nodules having the dendrite structures in the AlSi electrode, preferably, may be 1 μm or less. A solid solubility of silicon in the AlSi electrode is in a range of 0.3 wt % to 1.59 wt %. A sputtering temperature of the AlSi electrode is in a range of 430 degrees C. to 577 degrees C.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur

62.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023023685
Numéro de publication 2024/034277
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-06-26
Date de publication 2024-02-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Okumura, Keiji

Abrégé

A unit cell (16) is a section between the centers of adjacent source trenches (11), includes two or more gate trenches (7) and one source trench (11), and has four or more channels formed therein. The two or more gate trenches (7) and the one source trench (11) are arranged repeating in an alternating manner in a direction parallel to the obverse surface of a semiconductor substrate (30). The total number of gate trenches (7) is greater than the total number of source trenches (11). The total area of the gate trenches (7) is greater than the total area of the source trenches (11). The width (w1) of the gate trenches (7) is equal to or less than the width (w2) of the source trenches (11). The depth (d2) of the source trenches (11) is equal to or greater than the depth (d1) of the gate trenches (7). A p-type base depth portion (4) of the bottom surfaces of the source trenches (11) relaxes an electric field in the vicinity of the bottom surfaces of the gate trenches (7). As a result, it is possible to reduce on-resistance.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués

63.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18340278
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-23
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hoshi, Yasuyuki
  • Hayashi, Shingo

Abrégé

A silicon carbide semiconductor device has a first semiconductor region of a first conductivity type, provided in a semiconductor substrate, spanning an active region and a termination region. A second semiconductor region of a second conductivity type is provided between a first main surface and the first semiconductor region, in the active region. A device structure having a first pn junction is provided between the first and second semiconductor regions. An outer peripheral portion of the active region is provided between the first main surface and the first semiconductor region in the active region, and constitutes a second-conductivity-type outer peripheral region that surrounds a periphery of the device structure and forms a second pn junction with the first semiconductor region. A first protective film is provided on the first main surface. The first protective film blocks light generated by a forward current passing through the first and second pn junctions.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

64.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18356164
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-20
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ikura, Yoshihiro

Abrégé

Provided is a semiconductor device including a plurality of mesa portions which are arranged one by one between two of trench portions adjacent to each other in a second direction in a semiconductor substrate. The plurality of mesa portions includes a floating mesa portion which is insulated from an emitter electrode, and an emitter-connected mesa portion which is arranged adjacent to the floating mesa portion in the second direction and is connected to the emitter electrode. At least one of the floating mesa portion or the emitter-connected mesa portion is provided in a portion provided at a position not overlapping the well region in a top view to connect two of the trench portions sandwiching the mesa portion, and has a separation portion which separates the well region from at least a part of the mesa portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

65.

POWER CONVERSION APPARATUS, CONNECTOR-FIXING STRUCTURE AND POWER-CONVERSION-APPARATUS PRODUCTION METHOD

      
Numéro d'application 18473709
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-25
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fukuchi, Shun

Abrégé

A power conversion apparatus includes a board including a device for power conversion mounted on the board; a connector fixed to the board and configured to electrically connect the board to an external side; a top plate formed of a metal plate and arranged to cover the board; and a bottom plate formed of a metal plate and arranged to face the top plate. The bottom plate includes a bottom-plate folded part that is arranged on an end part of the bottom plate on which the connector is arranged, and is folded to contact the connector whereby preventing movement of the connector.

Classes IPC  ?

  • B60R 16/023 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour la transmission de signaux entre des parties ou des sous-systèmes du véhicule
  • B60L 53/302 - Refroidissement des équipements de charge
  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage

66.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18485336
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-12
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshimura, Takashi
  • Onozawa, Yuichi
  • Takishita, Hiroshi
  • Meguro, Misaki
  • Kubouchi, Motoyoshi
  • Kodama, Naoko

Abrégé

A semiconductor device, including a semiconductor substrate having a transistor portion and a diode portion, a drift region of a first conductivity type provided in the semiconductor substrate, a first electrode provided on one main surface side of the semiconductor substrate, and a second electrode provided on another main surface side of the semiconductor substrate, is provided. The diode portion includes a high concentration region and a crystalline defect region. The high concentration region has a higher doping concentration than the drift region and includes hydrogen. The doping concentration of the high concentration region at a peak position in a depth direction of the semiconductor substrate is equal to or less than 1.0×1015/cm3. The crystalline defect region is provided on the one main surface side of the semiconductor substrate relative to the peak position, has a higher crystalline defect density than the drift region, and includes hydrogen.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/861 - Diodes

67.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18487724
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-16
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Onozawa, Yuichi

Abrégé

A semiconductor device is disclosed in which proton implantation is performed a plurality of times to form a plurality of n-type buffer layers in an n-type drift layer at different depths from a rear surface of a substrate. The depth of the n-type buffer layer, which is provided at the deepest position from the rear surface of the substrate, from the rear surface of the substrate is more than 15 μm. The temperature of a heat treatment which is performed in order to change a proton into a donor and to recover a crystal defect after the proton implantation is equal to or higher than 400° C. In a carrier concentration distribution of the n-type buffer layer, a width from the peak position of carrier concentration to an anode is more than a width from the peak position to a cathode.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/263 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

68.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application JP2023024844
Numéro de publication 2024/029258
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-07-04
Date de publication 2024-02-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takeuchi, Yuta
  • Takahashi, Yoshiaki

Abrégé

Provided are a semiconductor module and a method for manufacturing the semiconductor module that make it possible to prevent voids from occurring by means of a joining layer formed of solder. The semiconductor module comprises a laminated substrate (5) on which is mounted a semiconductor element (1) that has a Ni film formed on a rear surface thereof, the rear surface of the semiconductor element (1) being joined to the laminated substrate (5) by solder that has a composition that includes more than 6 mass% but no more than 8.5 mass% of Sb, 2–4.5 mass% of Ag, 1.25–2.0 mass% of Cu, and a remainder made up of Sn and inevitable impurities.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
  • B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
  • C22C 13/02 - Alliages à base d'étain avec l'antimoine ou le bismuth comme second constituant majeur
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,

69.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18216094
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-29
Date de la première publication 2024-02-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kato, Ryusuke

Abrégé

A semiconductor device includes: an isolation circuit board; a semiconductor chip provided on one main surface of the isolation circuit board; a first external terminal having a main surface and including a first snubber connecting portion rising from the main surface of the first external terminal, the first external terminal being electrically connected to the semiconductor chip; a second external terminal placed adjacent to the first external terminal, having a main surface facing the same direction as the main surface of the first external terminal, and including a second snubber connecting portion rising from the main surface of the second external terminal, the second external terminal being electrically connected to the semiconductor chip; and a capacitor having one end connected to the first snubber connecting portion and the other end connected to the second snubber connecting portion

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

70.

INTEGRATED CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 18342464
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-27
Date de la première publication 2024-02-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kobayashi, Yoshinori

Abrégé

An integrated circuit for a power supply circuit that includes a detection resistor. The integrated circuit includes: a first pad; a first terminal coupled to the detection resistor, the first terminal being electrically connected to the first pad in a first case, and being electrically separated from the first pad in a second case; a first temperature detection circuit having a temperature detection element, and being configured to detect a first temperature based on a voltage of the temperature detection element; a second temperature detection circuit configured to detect a second temperature of the integrated circuit, based on a first voltage corresponding to a resistance value of the detection resistor, received through the first pad in the first case; and a circuit configured to operate based on results of detection of the second and first temperature detection circuits, respectively in the first case and in the second case.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle

71.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18343117
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-28
Date de la première publication 2024-02-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakai, Takuma
  • Igarashi, Seiki

Abrégé

A semiconductor module includes: first and second switching devices coupled in series; a casing housing the first and second switching devices, and having first to fourth edges respectively on first to forth edge sides thereof; positive and negative terminals provided on the first edge side of the casing; an output terminal provided on the second edge side of the casing; a first control terminal and a first sense terminal for the first switching device, and a second control terminal and a second sense terminal for the second switching device, all provided on the third edge side of the casing; first and second conductive patterns respectively coupled to the positive terminal and the output terminal, and on which the first and second switching device are respectively arranged; and a third conductive pattern coupled to the negative terminal and the second switching device, on a side corresponding to the fourth edge side.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

72.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18477138
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-28
Date de la première publication 2024-02-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tawara, Takeshi
  • Harada, Shinsuke

Abrégé

A silicon carbide semiconductor device has an n-type silicon carbide semiconductor substrate, an n-type first semiconductor layer, n-type first JFET regions, a p-type second semiconductor layer, n-type first semiconductor regions, and trenches. The first semiconductor layer has an impurity concentration lower than that of the substrate. The first JFET regions are provided in a surface layer of the first semiconductor layer and have an effective donor concentration higher than that of the first semiconductor. The p-type second semiconductor layer is provided at a surface of the first semiconductor layer. The n-type first semiconductor regions are selectively provided in a surface layer of the second semiconductor layer. The trenches penetrate through the first semiconductor regions, the second semiconductor layer, and the first JFET regions. The first JFET regions are doped with an acceptor that is aluminum and a donor that is nitrogen or phosphorus.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

73.

STRUCTURE FOR ATTACHING ELECTRIC DEVICE TO RAIL

      
Numéro d'application JP2023006285
Numéro de publication 2024/024143
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-02-21
Date de publication 2024-02-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC FA COMPONENTS & SYSTEMS CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takaya Kouetsu
  • Kikuchi Shouta
  • Sekiya Masashi

Abrégé

The present invention includes: a rail (2) having an upper rail engagement portion (2b) and a lower rail engagement portion (2c) at both ends in a width direction; an electric device (1) in which an upper device engagement portion (6) and a lower device engagement portion (7) that are in the shape of a hook and face each other are provided at the top and bottom of a housing bottom surface (3a), and the upper rail engagement portion is fitted into the upper device engagement portion to be engaged therewith and the lower rail engagement portion is fitted into the lower device engagement portion to be engaged therewith; spring portions (10), (11) that are arranged in the vicinity of the upper device engagement portion of the housing bottom surface and apply a spring biasing force to the upper rail engagement portion that comes into engagement with the upper device engagement portion; and an engagement retaining means (8) for retaining the engaged state between the lower rail engagement portion and the lower device engagement portion when an impact force greater than the spring biasing force is applied to the electric device.

Classes IPC  ?

  • H05K 7/12 - Moyens élastiques ou moyens de serrage pour fixer un composant à la structure de l'ensemble
  • H01H 45/04 - Montage complet de relais ou d'éléments de relais sur un support ou à l'intérieur d'une enveloppe
  • H02B 1/052 - Montage sur des rails

74.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application 18337028
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-18
Date de la première publication 2024-02-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kitahara, Kazuhiro
  • Kodama, Naoko

Abrégé

Provided is a manufacturing method of a semiconductor apparatus including: detecting a position by detecting positional deviation of the upper surface mark and the lower surface mark, by acquiring an upper surface image obtained by observing the upper surface mark from above the upper surface of the semiconductor substrate and a lower surface image obtained by observing the lower surface mark through the semiconductor substrate from above the upper surface of the semiconductor substrate; and forming an element by forming a semiconductor element in the semiconductor substrate, where in a top view in which the upper surface mark and the lower surface mark are projected onto a plane parallel to the upper surface, one of the upper surface mark and the lower surface mark is larger than an other, and the one entirely covers the other.

Classes IPC  ?

  • G03F 9/00 - Mise en registre ou positionnement d'originaux, de masques, de trames, de feuilles photographiques, de surfaces texturées, p.ex. automatique

75.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18344842
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-29
Date de la première publication 2024-02-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Koike, Atsuya

Abrégé

A semiconductor device includes a main circuit and a control circuit. The main circuit includes a plurality of series circuits that are connected in parallel to one another. Each series circuit includes a high-side switching element and a low-side switching element that are connected in series. The control circuit includes first to third input terminals through which a serial drive signal serving as a driving signal of each high-side switching element and each low-side switching element is inputted, a first clock signal, and a second clock signal are respectively inputted, and a plurality of output terminals. The control circuit holds the serial drive signal based on the first clock signal, and based on the second clock signal outputs, to each high-side switching element and each low-side switching element, parallel signals generated from the serial drive signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

76.

LATCH-TYPE ELECTROMAGNETIC CONTACTOR

      
Numéro d'application JP2023006391
Numéro de publication 2024/024144
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-02-22
Date de publication 2024-02-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC FA COMPONENTS & SYSTEMS CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Uchiyama Taku
  • Kochi Akio

Abrégé

This latch-type electromagnetic contactor (11) comprises a movable core (33), a fixed core (32), and a core support (42). The movable core (33) can be displaced in the depth direction. The fixed core (32) faces the movable core (33) on the deep side in the depth direction and has a through-hole (41) formed to pass therethrough in the width direction thereof. The core support (42) has a plate-like shape and is inserted into the through-hole (41) to be supported on both end sides thereof. Protruding parts (81) that protrude in the depth direction are formed on the core support (42) in regions inserted into the through-hole (41).

Classes IPC  ?

77.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18343244
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-28
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nogawa, Hiroyuki

Abrégé

A semiconductor module includes at least, a conductive pattern on the insulating substrate; a first semiconductor element on the conductive pattern, a second semiconductor element on the conductive pattern, a first power collecting portion connected to a first output electrode of the first semiconductor element with a first line; and a second power collecting portion connected to a second output electrode of the second semiconductor element with a second line. Each of the first and second semiconductor elements includes both a switching element and a diode. The conductive pattern is provided between the first power collecting portion and the second power collecting portion. A current path length from a first output electrode of the first semiconductor element to the first power collecting portion and a current path length from a second output electrode of the second semiconductor element to the second power collecting portion are equal to each other.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

78.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18472259
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-22
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shoji, Atsushi
  • Yoshida, Soichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device including: a semiconductor substrate; an active portion provided on the semiconductor substrate; a first well region and a second well region arranged sandwiching the active portion in a top view, provided on the semiconductor substrate; an emitter electrode arranged above the active portion; and a pad arranged above the first well region, away from the emitter electrode, wherein the emitter electrode is provided above the second well region. The provided semiconductor device further includes a peripheral well region arranged enclosing the active portion in a top view, wherein the first well region and the second well region may protrude to the center side of the active portion rather than the peripheral well region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/861 - Diodes

79.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18337032
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-18
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tsuji, Hidenori
  • Ueno, Katsunori
  • Takashima, Shinya
  • Yoshimura, Takashi

Abrégé

A manufacturing method of a semiconductor apparatus including: setting, depending on a distribution of the carrier concentrations that the buffer region should have, a dose amount of hydrogen ions to be implanted into a plurality of depth positions corresponding to the plurality of concentration peaks; and implanting, depending on the dose amount that is set in the setting, the hydrogen ions into the semiconductor substrate is provided. In the setting, among the plurality of concentration peaks, the dose amount of the hydrogen ions for a deepest peak farthest from the lower surface of the semiconductor substrate is set depending on a carbon concentration of the semiconductor substrate, and the dose amount for at least one of the concentration peaks other than the deepest peak is set regardless of the carbon concentration of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés

80.

METHOD FOR PREDICTING GENERATED AMOUNT OF SILICA SCALE

      
Numéro d'application 18476086
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-27
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Jiang, Tianlong
  • Hirose, Takayuki
  • Wada, Azusa
  • Ui, Shinya

Abrégé

The generated amount of silica scale under complicated conditions is accurately predicted. A method for predicting a generated amount of silica scale includes: a step of acquiring a temperature at a prediction portion at which the adherence of silica scale needs to be predicted, Ts (K), and/or time until fluid containing silicic acid reaches the prediction portion, ts (min), and a step of calculating the amount of silica adhered at the prediction portion based on the predictive equation of the saturation concentration of silica depending on the temperature and/or the predictive curve of the concentration of silica dissolved depending on the time, wherein the predictive equation of the saturation concentration of silica and the predictive curve of the concentration of silica dissolved are obtained based on k1, k2, kB, and ka in a three-step precipitation equilibrium reaction model represented by the following The generated amount of silica scale under complicated conditions is accurately predicted. A method for predicting a generated amount of silica scale includes: a step of acquiring a temperature at a prediction portion at which the adherence of silica scale needs to be predicted, Ts (K), and/or time until fluid containing silicic acid reaches the prediction portion, ts (min), and a step of calculating the amount of silica adhered at the prediction portion based on the predictive equation of the saturation concentration of silica depending on the temperature and/or the predictive curve of the concentration of silica dissolved depending on the time, wherein the predictive equation of the saturation concentration of silica and the predictive curve of the concentration of silica dissolved are obtained based on k1, k2, kB, and ka in a three-step precipitation equilibrium reaction model represented by the following

Classes IPC  ?

  • G01N 17/00 - Recherche de la résistance des matériaux aux intempéries, à la corrosion ou à la lumière
  • G16C 60/00 - Science informatique des matériaux, c. à d. TIC spécialement adaptées à la recherche des propriétés physiques ou chimiques de matériaux ou de phénomènes associés à leur conception, synthèse, traitement, caractérisation ou utilisation
  • F24T 50/00 - Systèmes géothermiques

81.

SEMICONDUCTOR MODULE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18477228
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-28
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hayashi, Naoki

Abrégé

A semiconductor module includes: a laminated substrate configured by laminating an insulating plate, a heat dissipation plate disposed on a lower surface of the insulating plate, and a circuit plate disposed on an upper surface of the insulating plate; a semiconductor element disposed on an upper surface of the circuit plate; a case that surrounds the laminated substrate and a space housing the semiconductor element; a sealing resin filling the space of the case to seal the semiconductor element; and a partition wall that extends in an up-down direction to divide the space filled with the sealing resin into a plurality of subspaces. The partition wall has a lower end and an upper end opposite to each other in the up-down direction. At least a portion of the lower end of the partition wall is connected to the upper surface of the circuit plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

82.

SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application 18175149
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-27
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Osawa, Akihiro

Abrégé

A semiconductor apparatus includes a semiconductor module, a substrate having a control unit that controls an operation of the semiconductor module, a busbar that allows a current to flow through the semiconductor module, and a shield arranged between at least respective opposing surfaces of the control unit and the busbar that oppose to each other.

Classes IPC  ?

  • H05K 9/00 - Blindage d'appareils ou de composants contre les champs électriques ou magnétiques
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

83.

INTEGRATED CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 18321336
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-22
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kobayashi, Yoshinori

Abrégé

An integrated circuit for a power supply circuit. The integrated circuit includes: a first terminal to which a first resistor, a second resistors, and a switch, of the power supply circuit are coupled; a current output circuit outputting a current to the first terminal; a switch control circuit causing the switch to be in a first state or a second state, in which a voltage according to the first resistor or the second resister are respectively applied to the first terminal; a storage circuit; a processing circuit storing an operating condition of the integrated circuit in the storage circuit, based on a first voltage at the first terminal when the switch is in the first state; and a temperature detection circuit detecting a temperature, based on a second voltage at the first terminal when the switch is in the second state.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

84.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18324145
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-25
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamaguchi, Sota

Abrégé

A semiconductor device includes a first semiconductor unit that includes a first substrate including a first wiring board to which a first semiconductor chip is bonded, a second semiconductor unit that includes a second substrate including a second wiring board to which a second semiconductor chip is bonded, a cooling unit including a first cooling surface and a second cooling surface that are opposite to each other and respectively have the first semiconductor unit facing the first substrate thereon and the second semiconductor unit facing the second substrate thereon, and an output terminal provided at a first side of the cooling unit and being connected to both the first wiring board and the second wiring board.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

85.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18325695
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-30
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tsuji, Takashi

Abrégé

P++-type contact regions are disposed apart from one another, and in a p−-type base region, at least hole current regions directly beneath the contact regions have an impurity concentration of not more than 5×1016/cm3. A p+-type region for mitigating electric field and disposed between adjacent gate trenches is separated into first portions in contact with the hole current regions and second portions in contact with only a portion of the base region other than the hole current regions. During conduction of body diodes, forward current flows into an n−-type drain region through the contact regions, the hole current regions, and the first portions. Thus, in the drain region, holes from the base region are injected only into hole injection regions that are directly beneath the first portions, but are not injected into regions that respectively surround peripheries of the hole injection regions.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

86.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18326319
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-31
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kumada, Keishirou

Abrégé

A semiconductor device includes a main semiconductor region and a current detecting region. The main semiconductor region and the current detecting region have a semiconductor substrate of a first conductivity type, a first semiconductor layer of a first conductivity type, first semiconductor regions of a second conductivity type, second semiconductor regions of the first conductivity type, trenches, first high-concentration regions of the second conductivity type, and second high-concentration regions of the second conductivity type. An active region through which a current flows when the current detecting region is in an on-state has a first cell region that operates as a transistor and second cell regions that are provided, respectively, in four corners of the first cell region and operate only as diodes and not as a transistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

87.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18475675
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-27
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Moriya, Tomohiro

Abrégé

In an intermediate region between an active region and an edge termination region, on a front surface of a semiconductor substrate, a gate polysilicon wiring layer is provided via an insulating layer in which a gate insulating film and a field oxide film are stacked sequentially. An inner peripheral end of the field oxide film is positioned directly beneath the gate polysilicon wiring layer, which extends inward from the field oxide film and terminates on the gate insulating film. At the surface of the insulating layer directly beneath the gate polysilicon wiring layer, on the inner peripheral end of the field oxide film, a drop is formed by a difference in thickness due to whether the field oxide film is present. A distance from the drop to a contact hole of the active region is 21 μm or less.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

88.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18476284
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-27
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Obata, Tomoyuki
  • Yoshida, Soichi
  • Imagawa, Tetsutaro
  • Momota, Seiji

Abrégé

Provided is a semiconductor device having transistor and diode sections. The semiconductor device comprises: a gate metal layer provided above the upper surface of a semiconductor substrate; an emitter electrode provided above the upper surface of the semiconductor substrate; a first conductivity-type emitter region provided on the semiconductor substrate upper surface side in the transistor section; a gate trench section, which is provided on the semiconductor substrate upper surface side in the transistor section, is electrically connected to the gate metal layer, and is in contact with the emitter region; an emitter trench section, which is provided on the semiconductor substrate upper surface side in the diode section, and is electrically connected to the emitter electrode; and a dummy trench section, which is provided on the semiconductor substrate upper surface side, is electrically connected to the gate metal layer, and is not in contact with the emitter region.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

89.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18477635
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-29
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakamura, Yoko
  • Iwaya, Akihiko
  • Saito, Mai
  • Watakabe, Tsubasa

Abrégé

A semiconductor module includes a stacked substrate includes an insulating plate and first and second circuit boards arranged on the insulating plate, a semiconductor element arranged on the first circuit board, and a metal wiring board having a first bonding portion bonded to an upper surface of the semiconductor element via a first bonding material. The first bonding portion includes a first plate-shaped portion that has at a lower surface thereof, a boss protruding toward the semiconductor element, and at an upper surface thereof, a first recess at a position corresponding to a position immediately above the boss and multiple second recesses. At the upper surface of the first plate-shaped portion, each of the second recesses has an opening area smaller than an opening area of the first recess.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

90.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023025208
Numéro de publication 2024/014402
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-07-06
Date de publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubouchi Motoyoshi
  • Shimosawa Makoto
  • Yoshimura Takashi

Abrégé

Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, the method comprising: a step for forming an interlayer insulating film having a contact hole above a semiconductor substrate; a step for forming an initial metal film containing a predetermined first metal on the upper surface of the semiconductor substrate and on the side wall of the interlayer insulating film; a step for forming a first alloy layer containing the first metal on the upper surface of the semiconductor substrate; a step for forming a first barrier metal part containing the first metal on the side wall of the interlayer insulating film; a step for etching at least one of the initial metal film and the first barrier metal part; a step for forming an oxide layer on the upper surface of the first alloy layer; a step for etching the oxide layer; a step for forming a second barrier metal part, which is conductive, above the first alloy layer; and a step for forming a plug layer above the second barrier metal part.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

91.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18325034
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-29
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hashizume, Yuichi

Abrégé

A silicon carbide semiconductor device has an active region, a first-conductivity-type region, and an edge termination region. The active region has first second-conductivity-type regions, a silicide film, and a first electrode; the edge termination region has a second second-conductivity-type region. The active region is configured by an ohmic region in which the silicide film is in contact with the first second-conductivity-type region, non-operating regions in which the first electrode is in contact with the first second-conductivity-type regions, and a Schottky region in which the first electrode is in contact with the first-conductivity-type region. The ohmic region, the non-operating regions, and the Schottky regions are provided in a striped pattern. A bottom surface of the silicide film in the ohmic region is positioned deeper than is an interface between the first electrode and the first second-conductivity-type regions in each of the plurality of non-operating regions.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

92.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023020488
Numéro de publication 2024/014165
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-06-01
Date de publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyakoshi, Masaoki
  • Maruyama, Rikihiro

Abrégé

The present invention inhibits misalignment of a center position of a hole that is detected by a binarization process based on an image of a flange portion of a sleeve. A sleeve (30A) comprises: a cylindrical portion (32) that is mounted to an electrically conductive layer of an insulated circuit board of a semiconductor device, and has a hole (31); and a flange portion (33) that is provided at an open end thereof. The flange portion (33) has a plurality of protrusions (34) that extend from a first outer edge portion (36a) of an inner surface (36) of the hole (31) to an outer circumference (33a) as seen in a plan view from the open end side of the flange portion (32), and a plurality of recesses (35) that are provided between the protrusions and extend from a second outer edge portion (36b) of the inner surface (36) to the outer circumference (33a). Each protrusion (34) has a top surface (34a) that is continuous with the inner surface (36) at the first outer edge portion (36a), and each recess (35) has a bottom surface (35a) that is continuous with the inner surface (36) at the second outer edge portion (36b).

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01R 9/16 - Fixation des pièces de connexion sur le socle ou sur le coffret; Isolement des pièces de connexion par rapport au socle ou au coffret

93.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023021824
Numéro de publication 2024/014211
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-06-13
Date de publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Itoh, Taichi
  • Kodaira, Yoshihiro

Abrégé

The present invention suppresses unnecessary stress on the members that constitute a device. A semiconductor device (10) comprises a base plate (2), a semiconductor element (1), protection members (pr1a, pr1b, pr2a, pr2b), and a cooling body (3). The base plate (2) includes a silicon carbide molded body (2a) and metal filling bodies (2b1, 2b2), and through holes are provided in the metal filling bodies (2b1, 2b2). The semiconductor element (1) is mounted on an upper surface of the silicon carbide molded body (2a) with an insulating substrate (12) therebetween. The protection members (pr1a, pr1b, pr2a, pr2b) are formed on the surface of the metal filling bodies (2b1, 2b2) and have a lower hardness than the silicon carbide molded body (2a). The cooling body (3) is adhered to a bottom surface side of the base plate (2) and is fastened to the base plate (2) by screws (sc1, sc2) that have been passed through the through holes.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur

94.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023025207
Numéro de publication 2024/014401
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-07-06
Date de publication 2024-01-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubouchi Motoyoshi
  • Shimosawa Makoto
  • Yoshimura Takashi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; an interlayer insulation film that has a contact hole and is provided above the semiconductor substrate; a first alloy layer that is provided below the contact hole and on the upper surface of the semiconductor substrate; an oxide layer that is provided in the contact hole and on the upper surface of the first alloy layer; a conductive barrier metal layer that is provided in the contact hole and above the oxide layer; and a plug layer that is provided in the contact hole and above the barrier metal layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

95.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18322603
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-24
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kamimura, Kazuki
  • Matsui, Toshiyuki
  • Naito, Tatsuya

Abrégé

There is provided a semiconductor device that includes a diode portion, the semiconductor device including: a drift region of a first conductivity type provided in a semiconductor substrate; an anode region of a second conductivity type provided to be closer to a front surface side of the semiconductor substrate than the drift region; and a trench contact portion provided at a front surface of the semiconductor substrate in the diode portion, in which in a depth direction of the semiconductor substrate, a doping concentration of the anode region at a same depth as that of a bottom portion of the trench contact portion is 1E16 cm−3 or more and 1E17 cm−3 or less.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

96.

INSULATED-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18370626
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-20
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Okumura, Keiji

Abrégé

An insulated-gate semiconductor device, which has trenches arranged in a chip structure, the trenches defining both sidewalls in a first and second sidewall surface facing each other, includes: a first unit cell including a main-electrode region in contact with a first sidewall surface of a first trench, a base region in contact with a bottom surface of the main-electrode region and the first sidewall surface, a drift layer in contact with a bottom surface of the base region and the first sidewall surface, and a gate protection-region in contact with the second sidewall surface and a bottom surface of the first trench; and a second unit cell including an operation suppression region in contact with a first sidewall surface and a second sidewall surface of a second trench, wherein the second unit cell includes the second trench located at one end of an array of the trenches.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/745 - Dispositifs désamorçables par la gâchette désamorcés par effet de champ

97.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18470844
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-20
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Hozumi, Yasuaki

Abrégé

A semiconductor module includes: a semiconductor device; a bonding layer that is arranged on the semiconductor device, and contains nickel or copper, an entire back surface of the bonding layer being electrically connected to and in direct contact with an electrode in the semiconductor device; an anti-oxidation layer disposed on the bonding layer; and a protective layer disposed directly on a top surface of a peripheral portion of the bonding layer on which the anti-oxidation layer is absent, covering an outer peripheral edge of the bonding layer, wherein the protective layer is made of an electrically insulating resin.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

98.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18474562
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-26
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kumazawa, Yuki

Abrégé

An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of suppressing loss in a switching element at high temperature without increasing radiation noise of the switching element. A semiconductor device includes an IGBT including a gate to which a gate signal is input, a temperature detection element that detects temperature of the IGBT, and a capacitance adjustment unit that is arranged between the gate of the IGBT and a reference potential terminal and that adjusts a capacitance between the gate and an emitter of the IGBT according to a detection temperature detected by the temperature detection element.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

99.

POLARIZED DC ELECTROMAGNET DEVICE AND ELECTROMAGNETIC CONTACTOR

      
Numéro d'application JP2023008357
Numéro de publication 2024/009559
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-06
Date de publication 2024-01-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC FA COMPONENTS & SYSTEMS CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sekiya Masashi
  • Takaya Kouetsu
  • Wagai Daishi

Abrégé

In a spool (22), a coil (32) is wound around a cylindrical portion (31) extending in a depth direction and flanges (33) are formed on both sides of the cylindrical portion (31) in the depth direction. An inner yoke (27) is formed in a flat-plate shape extending in parallel to the depth direction and edge portions (61) on both sides in the depth direction are fitted to the flanges (33). In the flanges (33), claw portions (41) and claw portions (51) for holding the fitted inner yoke (27) are formed.

Classes IPC  ?

  • H01F 7/16 - Armatures à mouvement rectiligne
  • H01H 50/44 - Bobines ou enroulements d'excitation

100.

PRESSURE DETECTION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18323392
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-24
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ito, Yuichi
  • Nishikawa, Mutsuo

Abrégé

Provided is a pressure detection device including: a semiconductor substrate having an upper surface; a bulk region of a first conductivity type provided in the semiconductor substrate; a piezo-resistive region of the first conductivity type provided between the bulk region and the upper surface of the semiconductor substrate; a first well region of a second conductivity type provided between the piezo-resistive region and the bulk region; and a first low-concentration region of the second conductivity type provided between the first well region and the bulk region and having a lower concentration than the first well region.

Classes IPC  ?

  • G01L 9/00 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent
  • H10N 30/04 - Traitements afin de modifier une propriété piézo-électrique ou électrostrictive, p.ex. les caractéristiques de polarisation, de vibration ou par réglage du mode
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