Methods and compositions for the detection of surface-mounted pathogens are described herein. Compositions include preparations comprising quantum dot-ligand conjugates, wherein the ligands target a specific pathogen to form a quantum dot-pathogen complex. Methods include the use of the preparations comprising the quantum dot-ligand conjugates. The preparations may be applied to a surface for the detection of a surface-mounted pathogen thereon via fluorescence, which may be detected by the naked eye or a simple fluorescence camera.
G01N 33/569 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet pour micro-organismes, p.ex. protozoaires, bactéries, virus
G01N 33/543 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
An emissive layer of an electroluminescent device, such as an electroluminescent display device, includes a host matrix and a two-dopant system dispersed in the host matrix. The two-dopant system has a fluorescent emitter dopant and an emissive donor-assistant dopant. The emissive donor-assistant dopant can be a fluorescence donor-assistant dopant or a phosphorescence donor-assistant dopant. The physical distance between the fluorescent emitter dopant and the emissive donor-assistant dopant can be controlled by using various capping ligands, which are bound to a surface of the fluorescent emitter dopant.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
3.
Methods for the synthesis of transition metal dichalcogenide (TMDC) nanoparticles
Methods of synthesizing transition metal dichalcogenide nanoparticles include forming a metal-amine complex, combining the metal-amine complex with a chalcogen source in at least one solvent to form a solution, heating the solution to a first temperature for a first period of time, and heating the solution to a second temperature that is higher than the first temperature for a second period of time.
C09K 11/68 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux réfractaires contenant du chrome, du molybdène ou du tungstène
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C07C 211/08 - Monoamines contenant des groupes alkyle ayant un nombre différent d'atomes de carbone
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 de la classification périodique
C09K 11/58 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du cuivre, de l'argent ou de l'or
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/57 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du manganèse ou du rhénium
C09K 11/69 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux réfractaires contenant du vanadium
C09K 11/67 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux réfractaires
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/87 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux du groupe du platine
C09K 11/60 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du fer, du cobalt ou du nickel
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
Quantum dot semiconductor nanoparticle compositions that incorporate ions such as zinc, aluminum, calcium, or magnesium into the quantum dot core have been found to be more stable to Ostwald ripening. A core-shell quantum dot may have a core of a semiconductor material that includes indium, magnesium, and phosphorus ions. Ions such as zinc, calcium, and/or aluminum may be included in addition to, or in place of, magnesium. The core may further include other ions, such as selenium, and/or sulfur. The core may be coated with one (or more) shells of semiconductor material. Example shell semiconductor materials include semiconductors containing zinc, sulfur, selenium, iron and/or oxygen ions.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
C09C 3/06 - Traitement par des composés inorganiques
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
B01J 13/02 - Fabrication de microcapsules ou de microbilles
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
A light emitting layer including a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material. Each of said light emitting particles includes a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. A method of fabricating a light emitting layer comprising a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material, each of said light emitting particles comprising a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. The method comprises providing a dispersion containing said light emitting particles, depositing said dispersion to form a film, and processing said film to produce said light emitting layer.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
g) and certain inner phase/outer phase combinations. The resins may comprise an inner phase and outer phase (but may appear to be a single phase due to their homogeneous appearance when viewed using an optical microscope). The method provides a highly scalable and cost-effective procedure for preparing films that are resistant to light, elevated temperatures, moisture, and oxygen.
H05B 33/20 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau dans lequel le matériau électroluminescent est enrobé
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a molecular cluster compound to the material of the nanoparticles. The molecular cluster compound comprises a first ion and a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion can be effected in the presence of a second molecular cluster compound comprising a third ion and a fourth ion to be incorporated into the growing nanoparticles, under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles via consumption of a first molecular cluster compound.
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C30B 7/10 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
4 nanoparticles, wherein X is Zn, Cd, Hg, Ni, Co, Mn or Fe and Y is S or Se, (CXTY) are disclosed herein. The nanoparticles can be used to make layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells. The CXTY materials are prepared by a colloidal synthesis in the presence of labile organo-chalcogens. The organo-chalcogens serves as both a chalcogen source for the nanoparticles and as a capping ligand for the nanoparticles.
H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
H01L 31/055 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière où la lumière est absorbée et réémise avec une longueur d’onde différente par l’élément optique directement associé ou intégré à la cellule PV, p.ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de convers
H01L 31/0328 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
H01B 1/12 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques substances organiques
H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
9.
Molded nanoparticle phosphor for light emitting applications
A molded nanoparticle phosphor for light emitting applications is fabricated by converting a suspension of nanoparticles in a matrix material precursor into a molded nanoparticle phosphor. The matrix material can be any material in which the nanoparticles are dispersible and which is moldable. The molded nanoparticle phosphor can be formed from the matrix material precursor/nanoparticle suspension using any molding technique, such as polymerization molding, contact molding, extrusion molding, injection molding, for example. Once molded, the molded nanoparticle phosphor can be coated with a gas barrier material, for example, a polymer, metal oxide, metal nitride or a glass. The barrier-coated molded nanoparticle phosphor can be utilized in a light-emitting device, such as an LED. For example, the phosphor can be incorporated into the packaging of a standard solid state LED and used to down-convert a portion of the emission of the solid state LED emitter.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09D 165/00 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principale; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p.ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
A61K 47/68 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un anticorps, une immunoglobuline ou son fragment, p.ex. un fragment Fc
A61K 47/54 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé organique
A61K 47/69 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament le conjugué étant caractérisé par sa forme physique ou sa forme galénique, p.ex. émulsion, particule, complexe d’inclusion, stent ou kit
A61K 47/60 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé organique macromoléculaire, p.ex. une molécule oligomérique, polymérique ou dendrimérique obtenu par des réactions autres que celles faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, p.ex. polyurées ou polyuréthanes le composé organique macromoléculaire étant un oligomère, un polymère ou un dendrimère de polyoxyalkylène, p.ex. PEG, PPG, PEO ou polyglycérol
A61K 47/52 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé inorganique, p.ex. un ion inorganique complexé avec l’ingrédient actif
A61K 31/4745 - Quinoléines; Isoquinoléines condensées en ortho ou en péri avec des systèmes hétérocycliques condensées avec des systèmes cycliques ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p.ex. phénanthrolines
C07K 16/32 - Immunoglobulines, p.ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux contre du matériel provenant d'animaux ou d'humains contre des produits de traduction des oncogènes
11.
Shelling of halide perovskite nanoparticles for the prevention of anion exchange
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/18 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse au sein de la région électroluminescente
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C01D 3/00 - Halogénures de sodium, de potassium ou des métaux alcalins en général
C07C 211/63 - Composés d'ammonium quaternaire ayant des atomes d'azote quaternisés liés à des atomes de carbone acycliques
C07F 3/00 - Composés contenant des éléments des groupes 2 ou 12 de la classification périodique
Quantum dot semiconductor nanoparticle compositions that incorporate ions such as zinc, aluminum, calcium, or magnesium into the quantum dot core have been found to be more stable to Ostwald ripening. A core-shell quantum dot may have a core of a semiconductor material that includes indium, magnesium, and phosphorus ions. Ions such as zinc, calcium, and/or aluminum may be included in addition to, or in place of, magnesium. The core may further include other ions, such as selenium, and/or sulfur. The core may be coated with one (or more) shells of semiconductor material. Example shell semiconductor materials include semiconductors containing zinc, sulfur, selenium, iron and/or oxygen ions.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
C09C 3/06 - Traitement par des composés inorganiques
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
B01J 13/02 - Fabrication de microcapsules ou de microbilles
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09B 67/02 - Préparations tinctoriales caractérisées par un aspect physique particulier, p.ex. tablettes, feuilles
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
Multi-phase polymer films of quantum dots (QDs) and their use in light emitting devices (LEDs) are disclosed. The QDs are absorbed in a host matrix, which dispersed within an outer polymer phase. The host matrix is hydrophobic and is compatible with the surface of the QDs. The host matrix may also include a scaffolding material that prevents the QDs from agglomerating. The outer polymer is typically more hydrophilic and prevents oxygen from contacting the QDs.
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
g) and certain inner phase/outer phase combinations. The resins may comprise an inner phase and outer phase (but may appear to be a single phase due to their homogeneous appearance when viewed using an optical microscope). The method provides a highly scalable and cost-effective procedure for preparing films that are resistant to light, elevated temperatures, moisture, and oxygen.
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H05B 33/20 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau dans lequel le matériau électroluminescent est enrobé
A light emitting layer including a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material. Each of said light emitting particles includes a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. A method of fabricating a light emitting layer comprising a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material, each of said light emitting particles comprising a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. The method comprises providing a dispersion containing said light emitting particles, depositing said dispersion to form a film, and processing said film to produce said light emitting layer.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The nanoparticle precursor composition comprises a first precursor species containing a group 13 element to be incorporated into the nanoparticles and a separate second precursor species containing either a group 15 or a group 16 element to be incorporated into the nanoparticles. The conversion is effected in the presence of molecular cluster compounds under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles on the molecular cluster compounds. The molecular cluster compounds and nanoparticle precursor composition can be dissolved in a solvent at a first temperature to form a solution and the temperature of the solution can then be increased to a second temperature sufficient to initiate seeding and growth of the nanoparticles on the molecular cluster compounds.
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure
C30B 7/10 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
17.
Group III-V/Zinc chalcogenide alloyed semiconductor quantum dots
A scalable method for the manufacture of narrow, bright, monodisperse, photo-luminescent quantum dots prepared in the presence of a Group II-VI molecular seeding cluster fabricated in situ from a zinc salt and a thiol or selenol compound. Exemplary quantum dots have a core containing indium, phosphorus, zinc and either sulfur or selenium.
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
B01J 2/00 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en général; Traitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p.ex. en les rendant hydrophobes
18.
Semiconductor nanoparticle-based light-emitting devices and associated materials and methods
Embodiments of the present invention relate to a formulation for use in the fabrication of a light-emitting device, the formulation including a population of semiconductor nanoparticles incorporated into a plurality of discrete microbeads comprising an optically transparent medium, the nanoparticle-containing medium being embedded in a host light-emitting diode encapsulation medium. A method of preparing such a formulation is described. There is further provided a light-emitting device including a primary light source in optical communication with such a formulation and a method of fabricating the same.
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
B82Y 15/00 - Nanotechnologie pour l’interaction, la détection ou l'actionnement, p.ex. points quantiques comme marqueurs en dosages protéiques ou moteurs moléculaires
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des substances marquées
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
An LED device has a cap containing one or more quantum dot (QD) phosphors. The cap may be sized and configured to be integrated with standard LED packages. The QD phosphor may be held within the well of the LED package, so as to absorb the maximum amount of light emitted by the LED, but arranged in spaced-apart relation from the LED chip to avoid excessive heat that can lead to degradation of the QD phosphor(s). The packages may be manufactured and stored for subsequent assembly onto an LED device.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
C09K 11/54 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du zinc ou du cadmium
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
y Semiconductor core (where M is In or Ga) and an organic capping ligand attached to the core via a carbon-selenium bond. The selenol provides a source of selenium for incorporation into the semiconductor core and also provides the organic capping ligand. The nanoparticles are particularly suitable for solution-based methods of preparing semiconductor films.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
4 nanoparticles, wherein X is Zn, Cd, Hg, Ni, Co, Mn or Fe and Y is S or Se, (CXTY) are disclosed herein. The nanoparticles can be used to make layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells. The CXTY materials are prepared by a colloidal synthesis in the presence of labile organo-chalcogens. The organo-chalcogens serves as both a chalcogen source for the nanoparticles and as a capping ligand for the nanoparticles.
H01L 31/0328 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes
H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
H01B 1/12 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques substances organiques
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The precursor composition comprises a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a separate second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C30B 7/14 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
23.
Methods for preparing Cu2ZnSnS4 nanoparticles for use in thin film photovoltaic cells
4 (CZTS) layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells are disclosed herein. The CZTS materials are nanoparticles prepared by a colloidal synthesis in the presence of a labile organothiol. The organothiol serves as both a sulphur source and as a capping ligand for the nanoparticles.
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
Multi-phase polymer films of quantum dots (QDs) are disclosed. The QDs are absorbed in a host matrix, which dispersed within an outer polymer phase. The host matrix is hydrophobic and is compatible with the surface of the QDs. The host matrix may also include a scaffolding material that prevents the QDs from agglomerating. The outer polymer is typically more hydrophilic and prevents oxygen from contacting the QDs.
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
Quantum dots used to modify the spectral output of an LED exhibit less of a performance decrease (due to increased temperature) when incorporated in a chip on board (COB) as compared to conventional LED packages. A ceramic ring may be used to shield the quantum dots from the heat associated with connecting electrical leads to pads on the COB. The upper surface of the ceramic ring may be sealed with a glass disk or other transparent material.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
Quantum dot semiconductor nanoparticle compositions that incorporate ions such as zinc, aluminum, calcium, or magnesium into the quantum dot core have been found to be more stable to Ostwald ripening. A core-shell quantum dot may have a core of a semiconductor material that includes indium, magnesium, and phosphorus ions. Ions such as zinc, calcium, and/or aluminum may be included in addition to, or in place of, magnesium. The core may further include other ions, such as selenium, and/or sulfur. The core may be coated with one (or more) shells of semiconductor material. Example shell semiconductor materials include semiconductors containing zinc, sulfur, selenium, iron and/or oxygen ions.
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
C09C 3/06 - Traitement par des composés inorganiques
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
B01J 13/02 - Fabrication de microcapsules ou de microbilles
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09B 67/02 - Préparations tinctoriales caractérisées par un aspect physique particulier, p.ex. tablettes, feuilles
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
27.
Semiconductor nanoparticle-based light-emitting devices and associated materials and methods
Embodiments of the present invention relate to a formulation for use in the fabrication of a light-emitting device, the formulation including a population of semiconductor nanoparticles incorporated into a plurality of discrete microbeads comprising an optically transparent medium, the nanoparticle-containing medium being embedded in a host light-emitting diode encapsulation medium. A method of preparing such a formulation is described. There is further provided a light-emitting device including a primary light source in optical communication with such a formulation and a method of fabricating the same.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
B82Y 15/00 - Nanotechnologie pour l’interaction, la détection ou l'actionnement, p.ex. points quantiques comme marqueurs en dosages protéiques ou moteurs moléculaires
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des substances marquées
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
The present invention relates to a method for producing encapsulated nanoparticles by dispersing said nanoparticles and an encapsulating medium in a common solvent to form a first solution system and treating said first solution system with a stimulus suitable to induce simultaneous aggregation of the nanoparticles and the encapsulating medium.
H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
A process for producing copper selenide nanoparticles by effecting conversion of a nanoparticle precursor composition comprising copper and selenide ions to the material of the copper selenide nanoparticles in the presence of a selenol compound. Copper selenide-containing films and CIGS semiconductor films produced using copper selenide as a fluxing agent are also disclosed.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
A process for producing nanoparticles incorporating ions selected from groups 13, 16, and 11 or 12 of the periodic table is described. The process comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition comprising said group 13, 16, and 11 or 12 ions to the material of the nanoparticles in the presence of a selenol compound. A process for fabricating a thin film comprising nanoparticles incorporating ions selected from groups 13, 16, and 11 or 12 of the periodic table is also described, as well as a process for producing a printable ink formulation comprising said nanoparticles.
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09D 11/037 - Encres d’imprimerie caractérisées par des particularités autres que la nature chimique du liant caractérisées par le pigment
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
31.
Group III-V/zinc chalcogenide alloyed semiconductor quantum dots
A scalable method for the manufacture of narrow, bright, monodisperse, photo-luminescent quantum dots prepared in the presence of a Group II-VI molecular seeding cluster fabricated in situ from a zinc salt and a thiol or selenol compound. Exemplary quantum dots have a core containing indium, phosphorus, zinc and either sulfur or selenium.
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
4 nanoparticles, wherein X is Zn, Cd, Hg, Ni, Co, Mn or Fe and Y is S or Se, (CXTY) are disclosed herein. The nanoparticles can be used to make layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells. The CXTY materials are prepared by a colloidal synthesis in the presence of labile organo-chalcogens. The organo-chalcogens serves as both a chalcogen source for the nanoparticles and as a capping ligand for the nanoparticles.
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
H01L 31/0328 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
H01B 1/12 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques substances organiques
H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
33.
Methods for preparing Cu2ZnSnS4 nanoparticles for use in thin film photovoltaic cells
4 (CZTS) layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells are disclosed herein. The CZTS materials are nanoparticles prepared by a colloidal synthesis in the presence of a labile organothiol. The organothiol serves as both a sulphur source and as a capping ligand for the nanoparticles.
A method for producing aqueous compatible semiconductor nanoparticles includes binding pre-modified ligands to nanoparticles without the need for further post-binding modification to render the nanoparticles aqueous compatible. Nanoparticles modified in this way may exhibit enhanced fluorescence and stability compared to aqueous compatible nanoparticles produced by methods requiring post-binding modification processes.
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
B22F 9/06 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
35.
Copper-indium-gallium-chalcogenide nanoparticle precursors for thin-film solar cells
Nanoparticles containing IUPAC group 11 ions, group 13 ions and sulfur ions are synthesized by adding metal salts and an alkanethiol in an organic solvent and promoting the reaction by applying heat. Nanoparticles are formed at temperatures as low as 200° C. The nanoparticles may be thermally annealed for a certain amount of time at a temperature lower than the reaction temperature (usually ˜40° C. lower) to improve the topology and narrow the size distribution. After the reaction is complete, the nanoparticles may be isolated by the addition of a non-solvent and re-dispersed in organic solvents including toluene, chloroform and hexane to form a nanoparticle ink. Additives may be incorporated in the reaction solution to tailor the final ink viscosity.
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C01G 15/00 - Composés du gallium, de l'indium ou du thallium
C09D 11/037 - Encres d’imprimerie caractérisées par des particularités autres que la nature chimique du liant caractérisées par le pigment
C30B 29/46 - Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C30B 7/14 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The precursor composition comprises a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a separate second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure
y semiconductor core (where M is In or Ga) and an organic capping ligand attached to the core via a carbon-selenium bond. The selenol provides a source of selenium for incorporation into the semiconductor core and also provides the organic capping ligand. The nanoparticles are particularly suitable for solution-based methods of preparing semiconductor films.
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
A molded nanoparticle phosphor for light emitting applications is fabricated by converting a suspension of nanoparticles in a matrix material precursor into a molded nanoparticle phosphor. The matrix material can be any material in which the nanoparticles are dispersible and which is moldable. The molded nanoparticle phosphor can be formed from the matrix material precursor/nanoparticle suspension using any molding technique, such as polymerization molding, contact molding, extrusion molding, injection molding, for example. Once molded, the molded nanoparticle phosphor can be coated with a gas barrier material, for example, a polymer, metal oxide, metal nitride or a glass. The barrier-coated molded nanoparticle phosphor can be utilized in a light-emitting device, such as an LED. For example, the phosphor can be incorporated into the packaging of a standard solid state LED and used to down-convert a portion of the emission of the solid state LED emitter.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09D 165/00 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principale; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p.ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
39.
Semiconductor nanoparticle-containing materials and light emitting devices incorporating the same
In various embodiments, the present invention provides a light emitting device cap configured for location on a light emitting device comprising or consisting essentially of a primary light source. The cap defines a well region within which is received a population of semiconductor nanoparticles such that the semiconductor nanoparticles are in optical communication with the primary light source of the light emitting device when the cap is located on the light emitting device. There is further provided a light emitting device comprising or consisting essentially of a primary light source and such a cap, as well as methods for fabricating such a cap and device.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
40.
Semiconductor nanoparticle-based materials for use in light emitting diodes, optoelectronic displays and the like
A formulation incorporates nanoparticles, particularly quantum dot (QD) nanoparticles, into an optically clear medium (resin) to be used as a phosphor material in lighting and display applications, and as a down converting phosphor material in LEDs (light emitting diodes). The resin is compatible with QDs to allow high performance and stability of QD-based LEDs, lighting and display applications.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C08L 33/06 - Homopolymères ou copolymères des esters d'esters ne contenant que du carbone, de l'hydrogène et de l'oxygène, l'oxygène, faisant uniquement partie du radical carboxyle
C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
41.
Method of making highly-confined semiconductor nanocrystals
A method of making a colloidal solution of high confinement semiconductor nanocrystals includes: forming a first solution by combining a solvent, growth ligands, and at most one semiconductor precursor; heating the first solution to the nucleation temperature; and adding to the first solution, a second solution having a solvent, growth ligands, and at least one additional and different precursor than that in the first solution to form a crude solution of nanocrystals having a compact homogenous semiconductor region. The method further includes: waiting 0.5 to 20 seconds and adding to the crude solution a third solution having a solvent, growth ligands, and at least one additional and different precursor than those in the first and second solutions; and lowering the growth temperature to enable the formation of a gradient alloy region around the compact homogenous semiconductor region, resulting in the formation of a colloidal solution of high confinement semiconductor nanocrystals.
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
A light emitting layer including a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material. Each of said light emitting particles includes a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. A method of fabricating a light emitting layer comprising a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material, each of said light emitting particles comprising a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. The method comprises providing a dispersion containing said light emitting particles, depositing said dispersion to form a film, and processing said film to produce said light emitting layer.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The precursor composition comprises a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a separate second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
B82B 1/00 - Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C30B 29/10 - Composés inorganiques ou compositions inorganiques
In various embodiments, the present invention relates to production of encapsulated nanoparticles by dispersing said nanoparticles and an encapsulating medium in a common solvent to form a first solution system and applying a stimulus to said first solution system to induce simultaneous aggregation of the nanoparticles and the encapsulating medium.
H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
In various embodiments, the present invention relates to a plurality of coated primary particles, each primary particle including a primary matrix material and containing a population of semiconductor nanoparticles, wherein each primary particle is provided with a separate layer of a surface coating material. Various methods of preparing such particles are described. Composite materials and light-emitting devices incorporating such primary particles are also described.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The precursor composition comprises a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a separate second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C30B 7/14 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The precursor composition comprises a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a separate second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C30B 7/14 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques
An optoelectronic device including two spaced apart electrodes; and at least one layer containing ternary core/shell nanocrystals disposed between the spaced electrodes and having ternary semiconductor cores containing a gradient in alloy composition and wherein the ternary core/shell nanocrystals exhibit single molecule non-blinking behavior characterized by on times greater than one minute or radiative lifetimes less than 10 ns.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
49.
Nanostructured layers, methods of making nanostructured layers, and application thereof
One embodiment of the invention provides a nanostructure layer, comprising: a first population of semiconductor nanocrystals forming electron transport conduits; a second population of semiconductor nanocrystals forming hole transport conduits; and a third population of semiconductor nanocrystals capable of at least one of the following: absorbing light or emitting light.
Embodiments of the present invention relate to a formulation for use in the fabrication of a light-emitting device, the formulation including a population of semiconductor nanoparticles incorporated into a plurality of discrete microbeads comprising an optically transparent medium, the nanoparticle-containing medium being embedded in a host light-emitting diode encapsulation medium. A method of preparing such a formulation is described. There is further provided a light-emitting device including a primary light source in optical communication with such a formulation and a method of fabricating the same.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
B82Y 15/00 - Nanotechnologie pour l’interaction, la détection ou l'actionnement, p.ex. points quantiques comme marqueurs en dosages protéiques ou moteurs moléculaires
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des substances marquées
A process for the production of surface functionalised nanoparticles, such as the production of semiconductor quantum dot nanoparticles incorporating surface-bound functional groups that increase the ease with which the dots can be employed in applications, such as incorporation into solvents, inks, polymers, glasses, metals, electronic materials and devices, bio-molecules and cells. Embodiments of the method include reacting first and second nanoparticle precursor species in the presence of a nanoparticle surface binding ligand X—Y—Z where X is a nanoparticle surface binding group, Y is a linker group, and Z is a functional group, in which Y comprises a polyethyleneglycol group and/or Z comprises an aliphatic group incorporating a terminal unsaturated group, the reaction being effected under conditions permitting binding of said surface binding ligand to the growing nanoparticles to produce said surface functionalised nanoparticles.
B05D 7/00 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
52.
Shaped articles comprising semiconductor nanocrystals and methods of making and using same
A shaped article comprising a plurality of semiconductor nanocrystals. Devices incorporating shaped articles are also provided. Methods of manufacturing shaped articles by various molding processes are also provided.
A process for producing nanoparticles incorporating ions selected from groups 13, 16, and 11 or 12 of the periodic table, and materials produced by the process. In an embodiment, the process includes effecting conversion of a nanoparticle precursor composition comprising group 13, 16, and 11 or 12 ions to the material of the nanoparticles in the presence of a selenol compound. Other embodiments include a process for fabricating a thin film including nanoparticles incorporating ions selected from groups 13, 16, and 11 or 12 of the periodic table as well as a process for producing a printable ink formulation including the nanoparticles.
H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
H01B 1/08 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques oxydes
H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
H01B 1/12 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques substances organiques
Method for producing a nanoparticle comprised of core, first shell and second shell semiconductor materials. Effecting conversion of a core precursor composition comprising separate first and second precursor species to the core material and then depositing said first and second shells. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticle core. Core/multishell nanoparticles in which at least two of the core, first shell and second shell materials incorporate ions from groups 12 and 15, 14 and 16, or 11, 13 and 16 of the periodic table. Core/multishell nanoparticles in which the second shell material incorporates at least two different group 12 ions and group 16 ions. Core/multishell nanoparticles in which at least one of the core, first and second semiconductor materials incorporates group 11, 13 and 16 ions and the other semiconductor material does not incorporate group 11, 13 and 16 ions.
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
Nanoparticles including a molecular cluster compound incorporating ions from groups 12 and 16 of the periodic table, as well as a core semiconductor material incorporating ions from groups 13 and 15 of the periodic table, are fabricated. The core semiconductor material is provided on the molecular cluster compound.
A first population of semiconductor nanocrystals to create electron transport conduits, a second population so semiconductor nanocrystals to create hole transport conduits; and a third population of semiconductor nanocrystals to be used for either light absorption or light emission can be combined to form an inorganic nanostructure layer.
B05D 5/12 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces pour obtenir des effets, finis ou des structures de surface particuliers pour obtenir un revêtement ayant des propriétés électriques spécifiques
B05D 3/02 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliqués; Traitement ultérieur des revêtements appliqués, p.ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par cuisson
B05D 1/02 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces réalisés par pulvérisation
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The precursor composition comprises a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a separate second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C30B 7/14 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques
A method of producing nanoparticles comprising effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles, the precursor composition comprising a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles, said conversion being effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
brevets
