Methods and compositions for the detection of surface-mounted pathogens are described herein. Compositions include preparations comprising quantum dot-ligand conjugates, wherein the ligands target a specific pathogen to form a quantum dot-pathogen complex. Methods include the use of the preparations comprising the quantum dot-ligand conjugates. The preparations may be applied to a surface for the detection of a surface-mounted pathogen thereon via fluorescence, which may be detected by the naked eye or a simple fluorescence camera.
G01N 33/569 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet pour micro-organismes, p.ex. protozoaires, bactéries, virus
G01N 33/543 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
Methods and compositions for the detection of surface-mounted pathogens are described herein. Compositions include preparations comprising quantum dot- ligand conjugates, wherein the ligands target a specific pathogen to form a quantum dot-pathogen complex. Methods include the use of the preparations comprising the quantum dot-ligand conjugates. The preparations may be applied to a surface for the detection of a surface-mounted pathogen thereon via fluorescence, which may be detected by the naked eye or a simple fluorescence camera.
G01N 33/543 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
G01N 33/569 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet pour micro-organismes, p.ex. protozoaires, bactéries, virus
G01N 33/68 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des protéines, peptides ou amino-acides
3.
QUANTUM DOT ARCHITECTURES FOR FLUORESCENCE DONOR-ASSISTED OLED DEVICES
An emissive layer of an electroluminescent device, such as an electroluminescent display device, includes a host matrix and a two-dopant system dispersed in the host matrix. The two-dopant system has a fluorescent emitter dopant and an emissive donor-assistant dopant. The emissive donor-assistant dopant can be a fluorescence donor-assistant dopant or a phosphorescence donor-assistant dopant. The physical distance between the fluorescent emitter dopant and the emissive donor-assistant dopant can be controlled by using various capping ligands, which are bound to a surface of the fluorescent emitter dopant.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
4.
Methods for the synthesis of transition metal dichalcogenide (TMDC) nanoparticles
Methods of synthesizing transition metal dichalcogenide nanoparticles include forming a metal-amine complex, combining the metal-amine complex with a chalcogen source in at least one solvent to form a solution, heating the solution to a first temperature for a first period of time, and heating the solution to a second temperature that is higher than the first temperature for a second period of time.
C09K 11/68 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux réfractaires contenant du chrome, du molybdène ou du tungstène
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C07C 211/08 - Monoamines contenant des groupes alkyle ayant un nombre différent d'atomes de carbone
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 de la classification périodique
C09K 11/58 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du cuivre, de l'argent ou de l'or
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/57 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du manganèse ou du rhénium
C09K 11/69 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux réfractaires contenant du vanadium
C09K 11/67 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux réfractaires
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/87 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux du groupe du platine
C09K 11/60 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du fer, du cobalt ou du nickel
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
Compositions and methods are provided for enhancing the performance of enhancement of indocyanine green (ICG)-based imaging, angiographyand detection efficiency as well as ICG- PDT in which quantum dot nanoparticles (QDs) are conjugated to ICGor an ICG derivative.
A61K 41/00 - Préparations médicinales obtenues par traitement de substances par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
A61K 47/68 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un anticorps, une immunoglobuline ou son fragment, p.ex. un fragment Fc
A61K 47/69 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament le conjugué étant caractérisé par sa forme physique ou sa forme galénique, p.ex. émulsion, particule, complexe d’inclusion, stent ou kit
A nanoparticle conjugate includes a quantum dot (QD) and a thermally activated delayed fluorescence (TADF) molecule bound to the QD. In some instances, the TADF molecule can be directly bound to a surface of the QD. In other instances, the TADF molecule can be indirectly bound to the QD via an interaction with one or more capping ligands disposed on a surface of the QD. Nanoparticle conjugates described herein can be incorporated into emissive layers of electroluminescent light-emitting diode devices to yield electroluminescent quantum dot-containing light-emitting diode (QD-LED) devices.
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
A horticultural lighting apparatus includes a housing; a blue-light emitting element; an emissive layer in optical communication with the blue-light emitting element, the emissive layer includes a polymer material and a population of quantum dots dispersed within the polymer material capable of absorbing blue light and emitting light having wavelengths in the red and far-red regions of the electromagnetic spectrum; a brightness enhancing film in optical communication with the blue-light emitting element and emissive layer; and a protective cover layer. The protective cover layer and housing isolates the blue-light emitting element, emissive layer and brightness enhancing film from the external environment. Methods of growing plants include illuminating a plant with a horticultural lighting apparatus according the present disclosure.
A01G 7/04 - Traitement électrique ou magnétique des végétaux pour favoriser leur croissance
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
Quantum dot semiconductor nanoparticle compositions that incorporate ions such as zinc, aluminum, calcium, or magnesium into the quantum dot core have been found to be more stable to Ostwald ripening. A core-shell quantum dot may have a core of a semiconductor material that includes indium, magnesium, and phosphorus ions. Ions such as zinc, calcium, and/or aluminum may be included in addition to, or in place of, magnesium. The core may further include other ions, such as selenium, and/or sulfur. The core may be coated with one (or more) shells of semiconductor material. Example shell semiconductor materials include semiconductors containing zinc, sulfur, selenium, iron and/or oxygen ions.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
C09C 3/06 - Traitement par des composés inorganiques
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
B01J 13/02 - Fabrication de microcapsules ou de microbilles
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
An emissive layer of an electroluminescent device, such as an electroluminescent display device, includes a host matrix and a two-dopant system dispersed in the host matrix. The two-dopant system has a fluorescent emitter dopant and an emissive donor-assistant dopant. The emissive donor-assistant dopant can be a fluorescence donor-assistant dopant or a phosphorescence donor- assistant dopant. The physical distance between the fluorescent emitter dopant and the emissive donor-assistant dopant can be controlled by using various capping ligands, which are bound to a surface of the fluorescent emitter dopant.
Emissive layers for electroluminescent display devices are described herein. The emissive layer can include a two-dopant system having a population of quantum dots (QDs) and a population of molecules exhibiting thermally activated delayed fluorescence (TADF). In some instances, one or both of the QDs and TADF molecules can be disposed in a host matrix. In some instances, the QDs and TADF molecules can be disposed in separate host matrices. In some instances, an electroluminescent display device can include an emissive layer comprising a population of quantum dots (QDs) and a layer adjacent to the emissive layer, the adjacent layer comprising a population of molecules exhibiting thermally activated delayed fluorescence (TADF).
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C09K 11/67 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux réfractaires
12.
TOP-EMITTING PRINTED DISPLAY WITH QUANTUM DOTS AND THERMALLY ACTIVATED DELAYED FLUORESCENCE MOLECULES
An emissive layer of a top-emitting (TE) printed display comprises a combination of solution-processable nanocrystal quantum dots, thermally activated delayed fluorescent molecules, and a suitable host material along with both electron and hole charge transport materials sandwiched into a microcavity between a reflective bottom electrode and a transparent or semi- transparent top electrode. The electrodes may be reflective metals and the thickness of the emissive layers and charge transport layers may be tuned according to the required resonant wavelength along with the thickness of the top semi-transparent electrode to optimize the resonant condition and maximize the light output.
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
H05B 33/20 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau dans lequel le matériau électroluminescent est enrobé
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
A light emitting layer including a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material. Each of said light emitting particles includes a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. A method of fabricating a light emitting layer comprising a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material, each of said light emitting particles comprising a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. The method comprises providing a dispersion containing said light emitting particles, depositing said dispersion to form a film, and processing said film to produce said light emitting layer.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
g) and certain inner phase/outer phase combinations. The resins may comprise an inner phase and outer phase (but may appear to be a single phase due to their homogeneous appearance when viewed using an optical microscope). The method provides a highly scalable and cost-effective procedure for preparing films that are resistant to light, elevated temperatures, moisture, and oxygen.
H05B 33/20 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau dans lequel le matériau électroluminescent est enrobé
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a molecular cluster compound to the material of the nanoparticles. The molecular cluster compound comprises a first ion and a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion can be effected in the presence of a second molecular cluster compound comprising a third ion and a fourth ion to be incorporated into the growing nanoparticles, under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles via consumption of a first molecular cluster compound.
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C30B 7/10 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
The present disclosure relates to quantum dot nanoparticles conjugated to 5- Aminolevulinic acid or esters thereof and their uses in conjunction with additional free, non- endogenous 5-Aminolevulinic acid or esters thereof.
4 nanoparticles, wherein X is Zn, Cd, Hg, Ni, Co, Mn or Fe and Y is S or Se, (CXTY) are disclosed herein. The nanoparticles can be used to make layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells. The CXTY materials are prepared by a colloidal synthesis in the presence of labile organo-chalcogens. The organo-chalcogens serves as both a chalcogen source for the nanoparticles and as a capping ligand for the nanoparticles.
H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
H01L 31/055 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière où la lumière est absorbée et réémise avec une longueur d’onde différente par l’élément optique directement associé ou intégré à la cellule PV, p.ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de convers
H01L 31/0328 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
H01B 1/12 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques substances organiques
H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
19.
QUANTUM DOT ARCHITECTURES FOR COLOR FILTER APPLICATIONS
Organically capped quantum dots are made by functionalizing the surfaces of QDs of various architectures with a combination of 6-mercaptohexanol (MCH) and 2-[2-(2-methoxyethoxy)-ethoxy]-acetic acid (MEEAA). Such MCH/MEEAA- capped QDs exhibit improved compatibility with solvents used in the fabrication of QD-containing films of light emitting devices, such as liquid crystal displays.
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
G02F 1/13 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
20.
CIGS NANOPARTICLE INK FORMULATION WITH A HIGH CRACK-FREE LIMIT
A method for formulating a CIGS nanoparticle-based ink, which can be processed to form a thin film with a crack-free limit (CFL) of 500 nm or greater, comprises combining CIGS nanoparticles and binary chalcogenide nanoparticles in a solvent.
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
21.
Molded nanoparticle phosphor for light emitting applications
A molded nanoparticle phosphor for light emitting applications is fabricated by converting a suspension of nanoparticles in a matrix material precursor into a molded nanoparticle phosphor. The matrix material can be any material in which the nanoparticles are dispersible and which is moldable. The molded nanoparticle phosphor can be formed from the matrix material precursor/nanoparticle suspension using any molding technique, such as polymerization molding, contact molding, extrusion molding, injection molding, for example. Once molded, the molded nanoparticle phosphor can be coated with a gas barrier material, for example, a polymer, metal oxide, metal nitride or a glass. The barrier-coated molded nanoparticle phosphor can be utilized in a light-emitting device, such as an LED. For example, the phosphor can be incorporated into the packaging of a standard solid state LED and used to down-convert a portion of the emission of the solid state LED emitter.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09D 165/00 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principale; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p.ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
A61K 47/68 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un anticorps, une immunoglobuline ou son fragment, p.ex. un fragment Fc
A61K 47/54 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé organique
A61K 47/69 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament le conjugué étant caractérisé par sa forme physique ou sa forme galénique, p.ex. émulsion, particule, complexe d’inclusion, stent ou kit
A61K 47/60 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé organique macromoléculaire, p.ex. une molécule oligomérique, polymérique ou dendrimérique obtenu par des réactions autres que celles faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, p.ex. polyurées ou polyuréthanes le composé organique macromoléculaire étant un oligomère, un polymère ou un dendrimère de polyoxyalkylène, p.ex. PEG, PPG, PEO ou polyglycérol
A61K 47/52 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé inorganique, p.ex. un ion inorganique complexé avec l’ingrédient actif
A61K 31/4745 - Quinoléines; Isoquinoléines condensées en ortho ou en péri avec des systèmes hétérocycliques condensées avec des systèmes cycliques ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p.ex. phénanthrolines
C07K 16/32 - Immunoglobulines, p.ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux contre du matériel provenant d'animaux ou d'humains contre des produits de traduction des oncogènes
Compositions and their use are described for delivery of drugs to desired tissues via a light responsive quantum dot (QD) drug delivery system (QD-DDS). The QD-DDS comprises water soluble QD nanoparticles loaded with drug molecules that are releasable from the QD-DDS upon light administration at a wavelength absorbed by the QD.
A61K 41/00 - Préparations médicinales obtenues par traitement de substances par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
A61K 47/68 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un anticorps, une immunoglobuline ou son fragment, p.ex. un fragment Fc
A61K 47/69 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament le conjugué étant caractérisé par sa forme physique ou sa forme galénique, p.ex. émulsion, particule, complexe d’inclusion, stent ou kit
A61K 31/00 - Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs organiques
A61K 31/4745 - Quinoléines; Isoquinoléines condensées en ortho ou en péri avec des systèmes hétérocycliques condensées avec des systèmes cycliques ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p.ex. phénanthrolines
B82Y 5/00 - Nanobiotechnologie ou nanomédecine, p.ex. génie protéique ou administration de médicaments
Compositions and methods are described for detecting and treating conditions including cancer with target specific quantum dot nano-devices. In some aspects, nanoparticle conjugates are provided having multiple target specificities and include surface modified, water soluble quantum dot (QD) nanoparticles each of which are chemically conjugated to at least two different target specific ligands.
The present disclosure relates to quantum dot nanoparticles conjugated to ligands, and in particular quantum dot nanoparticles wherein each nanoparticle is conjugated to a polymenzable ligand. The present disclosure also relates to methods of making such conjugated quantum dot nanoparticles, and the use of such conjugated quantum dot nanoparticles as therapeutic agents, ablation agents and tattooing agents.
A61K 47/69 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament le conjugué étant caractérisé par sa forme physique ou sa forme galénique, p.ex. émulsion, particule, complexe d’inclusion, stent ou kit
26.
SHELLING OF HALIDE PEROVSKITE NANOPARTICLES FOR THE PREVENTION OF ANION EXCHANGE
A core/shell semiconductor nanoparticle structure comprises a core comprising a halide perovskite semiconductor and a shell comprising a semiconductor material that is not a halide perovskite (and that is substantially free of halide perovskites). The halide perovskite semiconductor core may be of the form AMX3, wherein: A is an organic ammonium such as CH3NH3+, (C8H17)2(CH3NH3)+, PhC2H4NH3+, C6H11CH2NH3+ or 1-adamantyl methyl ammonium, an amidinium such as CH(NH2)2+, or an alkali metal cation such as Li+, Na+, K+, Rb+ or Cs+; M is a divalent metal cation such as Mg2+, Mn2+, Ni2+, Co2+, Pb2+, Sn2+, Zn2+, Ge2+, Eu2+, Cu2+ or Cd2+; and X is a halide anion (F-, Cl-, Br-, I-) or a combination of halide anions.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
27.
Shelling of halide perovskite nanoparticles for the prevention of anion exchange
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/18 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse au sein de la région électroluminescente
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C01D 3/00 - Halogénures de sodium, de potassium ou des métaux alcalins en général
C07C 211/63 - Composés d'ammonium quaternaire ayant des atomes d'azote quaternisés liés à des atomes de carbone acycliques
C07F 3/00 - Composés contenant des éléments des groupes 2 ou 12 de la classification périodique
The present disclosure relates to a plurality of quantum dot nanoparticles conjugated to ligands, and in particular a plurality of quantum dot nanoparticles wherein each nanoparticle is conjugated to an exosome-specific binding ligand. The present disclosure also relates to methods of making such a plurality of conjugated quantum dot nanoparticles, methods of detecting exosomes using such a plurality of conjugated quantum dot nanoparticles and methods of detecting exosomes using such a plurality of conjugated quantum dot nanoparticles.
G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des substances marquées
29.
GAS BARRIER COATING FOR SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES
A thin silazane coating cured with short-wavelength UV radiation is highly transparent, exhibits good oxygen-barrier properties, and does minimal damage to quantum dots in a quantum dot-containing film.
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C08G 77/62 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des atomes d'azote
C09D 183/16 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
C08L 83/16 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone; Compositions contenant des dérivés de tels polymères dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Quantum dot semiconductor nanoparticle compositions that incorporate ions such as zinc, aluminum, calcium, or magnesium into the quantum dot core have been found to be more stable to Ostwald ripening. A core-shell quantum dot may have a core of a semiconductor material that includes indium, magnesium, and phosphorus ions. Ions such as zinc, calcium, and/or aluminum may be included in addition to, or in place of, magnesium. The core may further include other ions, such as selenium, and/or sulfur. The core may be coated with one (or more) shells of semiconductor material. Example shell semiconductor materials include semiconductors containing zinc, sulfur, selenium, iron and/or oxygen ions.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
C09C 3/06 - Traitement par des composés inorganiques
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
B01J 13/02 - Fabrication de microcapsules ou de microbilles
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09B 67/02 - Préparations tinctoriales caractérisées par un aspect physique particulier, p.ex. tablettes, feuilles
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
31.
LIGAND CONJUGATED QUANTUM DOT NANOPARTICLES AND METHODS OF DETECTING DNA METHYLATION USING SAME
The present disclosure relates to conjugated quantum dot nanoparticles, to methods of making such conjugated quantum dot nanoparticles, and to methods of detecting DNA methylation using such conjugated quantum dot nanoparticles. In one embodiment, the quantum dot is conjugated to an antibody that recognizes methylated DNA bases, such as an anti-5-methylcytosine antibody, an anti-5- hydroxymethylcytosine antibody, an anti-5-formylcytosine antibody, an anti-5-carboxylcytosine antibody or an anti-N6-methyladenine antibody.
G01N 33/53 - Tests immunologiques; Tests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet
G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des substances marquées
B82Y 15/00 - Nanotechnologie pour l’interaction, la détection ou l'actionnement, p.ex. points quantiques comme marqueurs en dosages protéiques ou moteurs moléculaires
32.
A PROBE FOR TARGETING AND MANIPULATING MITOCHONDRIAL FUNCTION USING QUANTUM DOTS
The present disclosure relates to quantum dot nanoparticles useful for targeting and manipulating mitochondrial function, and to methods of targeting and manipulating mitochondrial function using such quantum dot nanoparticles.
A61K 41/00 - Préparations médicinales obtenues par traitement de substances par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
A61K 47/69 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament le conjugué étant caractérisé par sa forme physique ou sa forme galénique, p.ex. émulsion, particule, complexe d’inclusion, stent ou kit
A61K 47/54 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé organique
A61K 47/68 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p.ex. les supports ou les additifs inertes; Agents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p.ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un anticorps, une immunoglobuline ou son fragment, p.ex. un fragment Fc
An organic light-emitting diode with an inorganic two-dimensional (2D) EL active material may comprise a plurality of layers on a plastic or glass substrate. In addition to the EL layer, the device may comprise a hole injection layer, a hole transport layer/electron blocking layer, an electron transport layer/hole blocking layer, an electron injection layer, and optional buffer layers such as poly(methyl methacrylate) (PMMA) to help balance the charge injection into the 2D material and redistribute the electric field.
A method of synthesis of two-dimensional (2D) nanoflakes comprises the cutting of prefabricated nanoparticles. The method allows high control over the shape, size and composition of the 2D nanoflakes, and can be used to produce material with uniform properties in large quantities. Van der Waals heterostructure devices are prepared by fabricating nanoparticles, chemically cutting the nanoparticles to form nanoflakes, dispersing the nanoflakes in a solvent to form an ink, and depositing the ink to form a thin film.
B01J 13/00 - Chimie des colloïdes, p.ex. production de substances colloïdales ou de leurs solutions, non prévue ailleurs; Fabrication de microcapsules ou de microbilles
35.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD FOR FABRICATING TWO-DIMENSIONAL MATERIALS
A method of synthesis of two-dimensional metal chalcogenide monolayers, such as WSe2 and MoSe2, is based on a chemical vapor deposition approach that uses H2Se or alkyl or aryl selenide precursors to form a reactive gas. The gaseous selenium precursor may be introduced into a tube furnace containing a metal precursor at a selected temperature, wherein the selenium and metal precursors react to form metal chalcogenide monolayers.
Multi-phase polymer films of quantum dots (QDs) and their use in light emitting devices (LEDs) are disclosed. The QDs are absorbed in a host matrix, which dispersed within an outer polymer phase. The host matrix is hydrophobic and is compatible with the surface of the QDs. The host matrix may also include a scaffolding material that prevents the QDs from agglomerating. The outer polymer is typically more hydrophilic and prevents oxygen from contacting the QDs.
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
g) and certain inner phase/outer phase combinations. The resins may comprise an inner phase and outer phase (but may appear to be a single phase due to their homogeneous appearance when viewed using an optical microscope). The method provides a highly scalable and cost-effective procedure for preparing films that are resistant to light, elevated temperatures, moisture, and oxygen.
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H05B 33/20 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau dans lequel le matériau électroluminescent est enrobé
38.
HIGHLY STABLE QUANTUM DOT-CONTAINING POLYMER FILMS
Highly stable films containing semiconductor nanoparticles ("quantum dots") are prepared from resins containing a fast-curing inner phase having a high glass transition temperature (Tg) and certain inner phase/outer phase combinations. The resins may comprise an inner phase and outer phase (but may appear to be a single phase due to their homogeneous appearance when viewed using an optical microscope). The method provides a highly scalable and cost-effective procedure for preparing films that are resistant to light, elevated temperatures, moisture, and oxygen.
H01J 61/42 - Dispositifs propres à modifier la couleur ou la longueur d'onde de la lumière par la transformation par luminescence, de la longueur d'onde de la lumière
H05B 33/20 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau dans lequel le matériau électroluminescent est enrobé
39.
QUANTUM DOT-BASED LIGHTING DEVICES FOR ANIMAL HUSBANDRY AND AQUARIUMS
A lighting fixture for promoting the development of animals comprises a backlight, such as an LED or an array of LEDs, and a series of one or more retractable, rotatable or interchangeable lenses comprising quantum dots, such that the color and/or color temperature of the light emitted by the lighting fixture can be altered and optimized during animal development. A lighting fixture adapted for use on an aquarium may be in the form factor of a standard fluorescent tube and comprise one or more LEDs and a quantum dot-containing film for down-converting at least a portion of the light emitted by the LEDs so as to provide optimum wavelengths for photosynthesis by aquarium plants while simultaneously providing attractive display lighting for the aquarium fish.
A light emitting layer including a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material. Each of said light emitting particles includes a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. A method of fabricating a light emitting layer comprising a plurality of light emitting particles embedded within a host matrix material, each of said light emitting particles comprising a population of semiconductor nanoparticles embedded within a polymeric encapsulation medium. The method comprises providing a dispersion containing said light emitting particles, depositing said dispersion to form a film, and processing said film to produce said light emitting layer.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
LED devices emitting white light comprise a blue-emitting LED, green-emitting quantum dots (QDs) and red-emitting K2SiF6:Mn4+ (KSF) phosphor. A backlight unit (BLU) for a liquid crystal display (LCD) comprises one or more blue-emitting LEDs and a polymer film containing green-emitting QDs and KSF phosphor. The QDs and/or KSF phosphor may be encapsulated in beads that provide protection from oxygen and/or moisture.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
C09K 11/61 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du fluor, du chlore, du brome, de l'iode ou des halogènes non spécifiés
A 5-aminolevulinic acid conjugated quantum dot nanoparticle is useful for treating cancer by administering the 5-aminolevulinic acid conjugated quantum dot nanoparticle in photodynamic therapy as a precursor of both a fluorescence label and a photosensitizer.
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The nanoparticle precursor composition comprises a first precursor species containing a group 13 element to be incorporated into the nanoparticles and a separate second precursor species containing either a group 15 or a group 16 element to be incorporated into the nanoparticles. The conversion is effected in the presence of molecular cluster compounds under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles on the molecular cluster compounds. The molecular cluster compounds and nanoparticle precursor composition can be dissolved in a solvent at a first temperature to form a solution and the temperature of the solution can then be increased to a second temperature sufficient to initiate seeding and growth of the nanoparticles on the molecular cluster compounds.
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure
C30B 7/10 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
45.
Group III-V/Zinc chalcogenide alloyed semiconductor quantum dots
A scalable method for the manufacture of narrow, bright, monodisperse, photo-luminescent quantum dots prepared in the presence of a Group II-VI molecular seeding cluster fabricated in situ from a zinc salt and a thiol or selenol compound. Exemplary quantum dots have a core containing indium, phosphorus, zinc and either sulfur or selenium.
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
B01J 2/00 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en général; Traitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p.ex. en les rendant hydrophobes
46.
Semiconductor nanoparticle-based light-emitting devices and associated materials and methods
Embodiments of the present invention relate to a formulation for use in the fabrication of a light-emitting device, the formulation including a population of semiconductor nanoparticles incorporated into a plurality of discrete microbeads comprising an optically transparent medium, the nanoparticle-containing medium being embedded in a host light-emitting diode encapsulation medium. A method of preparing such a formulation is described. There is further provided a light-emitting device including a primary light source in optical communication with such a formulation and a method of fabricating the same.
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
B82Y 15/00 - Nanotechnologie pour l’interaction, la détection ou l'actionnement, p.ex. points quantiques comme marqueurs en dosages protéiques ou moteurs moléculaires
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des substances marquées
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Optical films containing semiconductor nanoparticles for changing the color of the light output of a light source for use in backlighting units of electronic displays and lighting apparatus
An LED device has a cap containing one or more quantum dot (QD) phosphors. The cap may be sized and configured to be integrated with standard LED packages. The QD phosphor may be held within the well of the LED package, so as to absorb the maximum amount of light emitted by the LED, but arranged in spaced-apart relation from the LED chip to avoid excessive heat that can lead to degradation of the QD phosphor(s). The packages may be manufactured and stored for subsequent assembly onto an LED device.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
C09K 11/54 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du zinc ou du cadmium
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
50.
QUANTUM DOTS STABILIZED WITH A METAL THIOL POLYMER
A composition of matter comprises a plurality of quantum dots and a metal thiol polymer that acts to stabilize the quantum dots. In certain embodiments, the metal thiol polymer is a zinc thiol polymer. The zinc thiol polymer may be a zinc alkanethiolate. The zinc alkanethiolate may be zinc dodecanethiolate (Zn-DDT). A composition comprising a plurality of quantum dots and a metal thiol polymer may be formulated with one or more additional polymers as a quantum dot-containing bead or as a quantum dot-containing composite material - e.g., a multilayer film.
y Semiconductor core (where M is In or Ga) and an organic capping ligand attached to the core via a carbon-selenium bond. The selenol provides a source of selenium for incorporation into the semiconductor core and also provides the organic capping ligand. The nanoparticles are particularly suitable for solution-based methods of preparing semiconductor films.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
4 nanoparticles, wherein X is Zn, Cd, Hg, Ni, Co, Mn or Fe and Y is S or Se, (CXTY) are disclosed herein. The nanoparticles can be used to make layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells. The CXTY materials are prepared by a colloidal synthesis in the presence of labile organo-chalcogens. The organo-chalcogens serves as both a chalcogen source for the nanoparticles and as a capping ligand for the nanoparticles.
H01L 31/0328 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes
H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
H01B 1/12 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques substances organiques
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The precursor composition comprises a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a separate second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C30B 7/14 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
54.
Methods for preparing Cu2ZnSnS4 nanoparticles for use in thin film photovoltaic cells
4 (CZTS) layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells are disclosed herein. The CZTS materials are nanoparticles prepared by a colloidal synthesis in the presence of a labile organothiol. The organothiol serves as both a sulphur source and as a capping ligand for the nanoparticles.
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
Multi-phase polymer films of quantum dots (QDs) are disclosed. The QDs are absorbed in a host matrix, which dispersed within an outer polymer phase. The host matrix is hydrophobic and is compatible with the surface of the QDs. The host matrix may also include a scaffolding material that prevents the QDs from agglomerating. The outer polymer is typically more hydrophilic and prevents oxygen from contacting the QDs.
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
Multi-phase polymer films of quantum dots (QDs) are disclosed. The QDs are absorbed in a host matrix, which is dispersed within an outer polymer phase. The host matrix is hydrophobic and is compatible with the surface of the QDs. The host matrix may also include a scaffolding material that prevents the QDs from agglomerating. The outer polymer is typically more hydrophilic and prevents oxygen from contacting the QDs.
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
It has been discovered that certain silicon-containing, surface-modifying ligands can be used to make semiconductor nanopartides (quantum dots) more compatible with polysiloxanes. Quantum dots dispersed in a polysiloxane matrix may be used, for example, in light-emitting devices to alter the emission spectrum of such devices.
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
The addition of a chain transfer agent (CTA) or a reversible-addition fragmentation chain transfer agent (RAFT CTA) such as (2-(dodecyl-thiocarbonothioylthio)-2-methylpropionic acid) during the formation of quantum dot polymer films yields films characterized by high and stable quantum yields.
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
59.
QUANTUM DOT NANOPARTICLES HAVING ENHANCED STABILITY AND LUMINESCENCE EFFICIENCY
Certain dithio- compounds have been found to be superior capping ligands for quantum dot (QD) nanoparticles. Example dithio- ligands include dithiocarbamate ligands. These strongly binding ligands are capable of coordinating to both positive and negative atoms on the surface of the nanoparticle. The ligands are bi-dentate and thus their approach to the QD surface is not as sterically hindered as is the approach of mono-dentate ligands. These ligands can therefore completely saturate the QD surface.
Various methods are used to provide a desired doping metal concentration in a CIGS-containing ink when the CIGS layer is deposited on a photovoltaic device. When the doping metal is sodium, it may be incorporated by: adding a sodium salt, for example sodium acetate, together with the copper-, indium- and/or gallium-containing reagents at the beginning of the synthesis reaction of Cu(ln,Ga)(S,Se)2 nanoparticles; synthesizing Cu(ln,Ga)(S,Se)2 nanoparticles and adding a sodium salt to the reaction solution followed by mild heating before isolating the nanoparticles to aid sodium diffusion; and/or, using a ligand that is capable of capping the Cu(ln,Ga)(S,Se)2 nanoparticles with one end of its molecular chain and binding to sodium atoms with the other end of its chain.
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
61.
H2S REACTIVE ANNEAL TO REDUCE CARBON IN NANOPARTICLE-DERIVED THIN FILMS
A method for preparing CIGS absorber layers using CIGS nanoparticles on a substrate comprises one or more annealing steps that involve heating the CIGS nanoparticle film(s) to dry the film and possibly to fuse the CIGS nanoparticles together to form CIGS crystals. Generally, at least the final annealing step will induce particle fusion to form CIGS crystals. Reactive gas annealing has been found to facilitate the growth of larger grains in the resulting CIGS absorber layers and lead to improved photovoltaic performance of those layers. It is suspected that the presence of carbon in CIGS nanoparticle films hinders grain growth and limits the size of crystals which can be obtained in CIGS films upon annealing. It has been discovered that exposing the CIGS nanoparticle films to a reactive atmosphere containing sulfur can decrease the amount of carbon in the film, resulting in the growth of larger CIGS crystals upon annealing.
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
Quantum dots used to modify the spectral output of an LED exhibit less of a performance decrease (due to increased temperature) when incorporated in a chip on board (COB) as compared to conventional LED packages. A ceramic ring may be used to shield the quantum dots from the heat associated with connecting electrical leads to pads on the COB. The upper surface of the ceramic ring may be sealed with a glass disk or other transparent material.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
Quantum dot semiconductor nanoparticle compositions that incorporate ions such as zinc, aluminum, calcium, or magnesium into the quantum dot core have been found to be more stable to Ostwald ripening. A core-shell quantum dot may have a core of a semiconductor material that includes indium, magnesium, and phosphorus ions. Ions such as zinc, calcium, and/or aluminum may be included in addition to, or in place of, magnesium. The core may further include other ions, such as selenium, and/or sulfur. The core may be coated with one (or more) shells of semiconductor material. Example shell semiconductor materials include semiconductors containing zinc, sulfur, selenium, iron and/or oxygen ions.
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
C09C 3/06 - Traitement par des composés inorganiques
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
B01J 13/02 - Fabrication de microcapsules ou de microbilles
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09B 67/02 - Préparations tinctoriales caractérisées par un aspect physique particulier, p.ex. tablettes, feuilles
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
Quantum dot semiconductor nanoparticle compositions that incorporate ions such as zinc, aluminum, calcium, or magnesium into the quantum dot core have been found to be more stable to Ostwald ripening. A core-shell quantum dot may have a core of a semiconductor material that includes indium, magnesium, and phosphorus ions. Ions such as zinc, calcium, and/or aluminum may be included in addition to, or in place of, magnesium. The core may further include other ions, such as selenium, and/or sulfur. The core may be coated with one (or more) shells of semiconductor material. Example shell semiconductor materials include semiconductors containing zinc, sulfur, selenium, iron and/or oxygen ions.
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
C09C 3/06 - Traitement par des composés inorganiques
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
The surfaces of nanoparticles (QDs) are modified with amphiphilic macromolecules, for example, amphiphilic copolymers. The surface modification renders the QDs more compatible with oxygen-excluding matrices, such as epoxy resin, polyurethane resin, polyester resins or any hydrophilic inorganic/organic hybrid resin such as (meth)acrylate-functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane (POSS).
A method for the preparation of CIGS-type core-shell nanoparticles produces core-shell nanoparticles that may include a quaternary or ternary metal chalcogenide core. The core may be substantially surrounded by a binary metal chalcogenide shell. A core- shell nanoparticle may be deposited on a PV cell contact (e.g., a molybdenum electrode) via solution-phase deposition. The deposited particles may then be melted or fused into a thin absorber film for use in a photovoltaic device.
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
67.
PREPARATION OF COPPER-RICH COPPER INDIUM (GALLIUM) DISELENIDE/DISULFIDE NANOPARTICLES
A method for the preparation of copper indium gallium diselenide/disulfide (CIGS) nanoparticles utilizes a copper-rich stoichiometry. The copper-rich CIGS nanoparticles are capped with organo-chalcogen ligands, rendering the nanoparticles processable in organic solvents. The nanoparticles may be deposited on a substrate and thermally processed in a chalcogen-rich atmosphere to facilitate conversion of the excess copper to copper selenide or copper sulfide that may act as a sintering flux to promote liquid phase sintering and thus the growth of large grains. The nanoparticles so produced may be used to fabricate CIGS-based photovoltaic devices.
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
H01L 31/0445 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
An LED device has a cap containing one or more quantum dot (QD) phosphors. The cap may be sized and configured to be integrated with standard LED packages. The QD phosphor may be held within the well of the LED package, so as to absorb the maximum amount of light emitted by the LED, but arranged in spaced-apart relation from the LED chip to avoid excessive heat that can lead to degradation of the QD phosphor(s). The packages may be manufactured and stored for subsequent assembly onto an LED device.
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
69.
Semiconductor nanoparticle-based light-emitting devices and associated materials and methods
Embodiments of the present invention relate to a formulation for use in the fabrication of a light-emitting device, the formulation including a population of semiconductor nanoparticles incorporated into a plurality of discrete microbeads comprising an optically transparent medium, the nanoparticle-containing medium being embedded in a host light-emitting diode encapsulation medium. A method of preparing such a formulation is described. There is further provided a light-emitting device including a primary light source in optical communication with such a formulation and a method of fabricating the same.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
B82Y 15/00 - Nanotechnologie pour l’interaction, la détection ou l'actionnement, p.ex. points quantiques comme marqueurs en dosages protéiques ou moteurs moléculaires
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang ou d'urine; Test par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Test immunologique faisant intervenir des substances marquées
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
70.
CIGS NANOPARTICLE INK FORMULATION HAVING A HIGH CRACK-FREE LIMIT
A method for formulating a CIGS nanoparticle-based ink, which can be processed to form a thin film with a crack-free limit (CFL) of 500 nm or greater, comprises: dissolving or dispersing Cu(ln,Ga)S2 and Cu(ln,Ga)Se2 nanoparticles; mixing the nanoparticle solutions/dispersions and adding oleic acid to form an ink; depositing the ink on a substrate; annealing to remove the organic components of the ink formulation; forming a film with a CFL ≥ 500 nm; and, repeating the deposition and annealing process to form a CIGS film having a thickness ≥ 1 μιη. The film so produced may be incorporated into a thin film photovoltaic device.
C09D 11/38 - Encres pour l'impression à jet d'encre caractérisées par des additifs non macromoléculaires autres que les solvants, les pigments ou les colorants
H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
71.
INORGANIC SALT-NANOPARTICLE INK FOR THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES AND RELATED METHODS
Compositions for solution-based deposition of CIGS films are described. The compositions include ternary, quaternary or quinary chalcogenide nanoparticles (i.e., CIGS nanoparticles) and one or more inorganic salts dissolved or dispersed in a solvent to form an ink. The ink can be deposited on a substrate by conventional coating techniques and then annealed to form a crystalline layer. Further processing can be employed to fabricate a PV device. The inorganic salts are included to (i) tune the stoichiometry of the CIGS precursor ink to a desirable ratio, thus tuning the semiconductor band gap, to (ii) dope the CIGS layer with additives, such as Sb and/or Na, to promote grain growth, and/or to (iii) modify and improve the coating properties of the CIGS precursor ink.
H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
A method of preparing metal oxide nanoparticles is described herein. The method involves reacting nanoparticle precursors in the presence of a population of molecular cluster compounds. The molecular cluster compound may or may not contain the same metal as will be present in the metal oxide nanoparticle. Likewise, the molecular cluster compound may or may not contain oxygen. The molecular cluster compounds acts a seeds or templates upon which nanoparticle growth is initiated. As the molecular cluster compounds are all identical, the identical nucleation sites result in highly monodisperse populations of metal oxide nanoparticles.
C09K 11/54 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du zinc ou du cadmium
Multi-phase polymer films containing quantum dots (QDs) are described herein. The films have domains of primarily hydrophobic polymer and domains of primarily hydrophilic polymer. QDs, being generally more stable within a hydrophobic matrix, are dispersed primarily within the hydrophobic domains of the films. The hydrophilic domains tend to be effective at excluding oxygen.
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
The present invention relates to a method for producing encapsulated nanoparticles by dispersing said nanoparticles and an encapsulating medium in a common solvent to form a first solution system and treating said first solution system with a stimulus suitable to induce simultaneous aggregation of the nanoparticles and the encapsulating medium.
H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
A process for producing copper selenide nanoparticles by effecting conversion of a nanoparticle precursor composition comprising copper and selenide ions to the material of the copper selenide nanoparticles in the presence of a selenol compound. Copper selenide-containing films and CIGS semiconductor films produced using copper selenide as a fluxing agent are also disclosed.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
A process for producing copper selenide nanoparticles by effecting conversion of a nanoparticle precursor composition comprising copper and selenide ions to the material of the copper selenide nanoparticles in the presence of a selenol compound. Copper selenide- containing films and CIGS semiconductor films produced using copper selenide as a fluxing agent are also disclosed.
Disclosed herein are articles for use in phototherapy utilizing quantum dots (QDs). One embodiment is a medical dressing having an occlusive layer and translucent layer. Quantum dot light-emitting diode chips are configured within the occlusive layer to provide light of a specific wavelength for use in phototherapy. Another embodiment is a medical dressing having an occlusive layer and translucent layer, wherein quantum dot material is embedded or impregnated within one or both layers.
A process for producing nanoparticles incorporating ions selected from groups 13, 16, and 11 or 12 of the periodic table is described. The process comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition comprising said group 13, 16, and 11 or 12 ions to the material of the nanoparticles in the presence of a selenol compound. A process for fabricating a thin film comprising nanoparticles incorporating ions selected from groups 13, 16, and 11 or 12 of the periodic table is also described, as well as a process for producing a printable ink formulation comprising said nanoparticles.
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09D 11/037 - Encres d’imprimerie caractérisées par des particularités autres que la nature chimique du liant caractérisées par le pigment
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
79.
GROUP III-V/ZINC CHALCOGENIDE ALLOYED SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
A scalable method for the manufacture of narrow, bright, monodisperse, photo-luminescent quantum dots prepared in the presence of a Group ll-VI molecular seeding cluster fabricated in situ from a zinc salt and a thiol or selenol compound. Exemplary quantum dots have a core containing indium, phosphorus, zinc and either sulfur or selenium.
A scalable method for the manufacture of narrow, bright, monodisperse, photo-luminescent quantum dots prepared in the presence of a Group II-VI molecular seeding cluster fabricated in situ from a zinc salt and a thiol or selenol compound. Exemplary quantum dots have a core containing indium, phosphorus, zinc and either sulfur or selenium.
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
A process is disclosed for producing quantum dots (QDs) by reacting one or more core semiconductor precursors with phosphine in the presence of a molecular cluster compound. The core semiconductor precursor(s) provides elements that are incorporated into the QD core semiconductor material. The core semiconductor also incorporates phosphorus, which is provided by the phosphine. The phosphine may be provided to the reaction as a gas or may, alternatively, be provided as an adduct of another material.
Materials and methods for preparing Cu2ZnSnS4 (CZTS) layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells are disclosed herein. The CZTS materials are nanoparticles prepared by a colloidal synthesis in the presence of a labile organothiol. The organothiol serves as both a sulphur source and as a capping ligand for the nanoparticles.
Disclosed herein are CIGS-based photon-absorbing layers disposed on a substrate. The photon-absorbing layers are useful in photovoltaic devices. The photon absorbing-layer is made of a semiconductor material having empirical formula AB1-xB'xC2-yC'y, where A is Cu, Zn, Ag or Cd; B and B' are independently A1, In or Ga; C and C' are independently S, or Se, and wherein 0 ≤ x ≤ 1; and 0 ≤ y ≤ 2. The grain size of the semiconductor material and the composition of the semiconductor material both vary as a function of depth across the layer. The layers described herein exhibit improved photovoltaic properties, including increased shunt resistance and decreased backside charge carrier recombination.
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Materials and methods for preparing Cu2XSnY4 nanoparticles, wherein X is Zn, Cd, Hg, Ni, Co, Mn or Fe and Y is S or Se, (CXTY) are disclosed herein. The nanoparticles can be used to make layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells. The CXTY materials are prepared by a colloidal synthesis in the presence of labile organo-chalcogens. The organo-chalcogens serves as both a chalcogen source for the nanoparticles and as a capping ligand for the nanoparticles.
Disclosed herein are coated beads made of a primary matrix material and containing a population of quantum dot nanoparticles. Each bead has a multi-layer surface coating. The layers can be two or more distinct surface coating materials. The surface coating materials may be inorganic materials and/or polymeric materials. A method of preparing such particles is also described. The coated beads are useful for composite materials for applications such as light-emitting devices.
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
4 nanoparticles, wherein X is Zn, Cd, Hg, Ni, Co, Mn or Fe and Y is S or Se, (CXTY) are disclosed herein. The nanoparticles can be used to make layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells. The CXTY materials are prepared by a colloidal synthesis in the presence of labile organo-chalcogens. The organo-chalcogens serves as both a chalcogen source for the nanoparticles and as a capping ligand for the nanoparticles.
H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
H01L 31/0328 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
H01B 1/12 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques substances organiques
H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
87.
Methods for preparing Cu2ZnSnS4 nanoparticles for use in thin film photovoltaic cells
4 (CZTS) layers for use in thin film photovoltaic (PV) cells are disclosed herein. The CZTS materials are nanoparticles prepared by a colloidal synthesis in the presence of a labile organothiol. The organothiol serves as both a sulphur source and as a capping ligand for the nanoparticles.
Methods for detecting disease in a patient are disclosed. The methods involve administering to the patient a quantum dot-analyte conjugate, which includes an analyte that binds to a marker for the disease in the patient's gastrointestinal tract. The analyte is conjugated to a quantum dot having a characteristic emission wavelength. Using an endoscopic modality, a physician can illuminate portions of the patient's gastrointestinal tract and detect the presence of the marker based on emission of the quantum dot. Also disclosed are methods of predicting a response to a treatment in a patient.
Nanoparticles containing lUPAC group 11 ions, group 13 ions and sulfur ions are synthesized by adding metal salts and an alkanethiol in an organic solvent and promoting the reaction by applying heat. Nanoparticles are formed at temperatures as low as 200°C. The nanoparticles may be thermally annealed for a certain amount of time at a temperature lower than the reaction temperature (usually ~40°C lower) to improve the topology and narrow the size distribution. After the reaction is complete, the nanoparticles may be isolated by the addition of a non-solvent and re-dispersed in organic solvents including toluene, chloroform and hexane to form a nanoparticle ink. Additives may be incorporated in the reaction solution to tailor the final ink viscosity.
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
90.
Method for producing aqueous compatible nanoparticles
A method for producing aqueous compatible semiconductor nanoparticles includes binding pre-modified ligands to nanoparticles without the need for further post-binding modification to render the nanoparticles aqueous compatible. Nanoparticles modified in this way may exhibit enhanced fluorescence and stability compared to aqueous compatible nanoparticles produced by methods requiring post-binding modification processes.
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
B22F 9/06 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
91.
Copper-indium-gallium-chalcogenide nanoparticle precursors for thin-film solar cells
Nanoparticles containing IUPAC group 11 ions, group 13 ions and sulfur ions are synthesized by adding metal salts and an alkanethiol in an organic solvent and promoting the reaction by applying heat. Nanoparticles are formed at temperatures as low as 200° C. The nanoparticles may be thermally annealed for a certain amount of time at a temperature lower than the reaction temperature (usually ˜40° C. lower) to improve the topology and narrow the size distribution. After the reaction is complete, the nanoparticles may be isolated by the addition of a non-solvent and re-dispersed in organic solvents including toluene, chloroform and hexane to form a nanoparticle ink. Additives may be incorporated in the reaction solution to tailor the final ink viscosity.
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
C01G 15/00 - Composés du gallium, de l'indium ou du thallium
C09D 11/037 - Encres d’imprimerie caractérisées par des particularités autres que la nature chimique du liant caractérisées par le pigment
C30B 29/46 - Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C30B 7/14 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
92.
MOLYBDENUM SUBSTRATES FOR CIGS PHOTOVOLTAIC DEVICES
Photovoltaic (PV) devices and solution-based methods of making the same are described. The PV devices include a CIGS-type absorber layer formed on a molybdenum substrate. The molybdenum substrate includes a layer of low- density molybdenum proximate to the absorber layer. The presence of low- density molybdenum proximate to the absorber layer has been found to promote the growth of large grains of CIGS-type semiconductor material in the absorber layer.
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
An illuminated sign (100) has a primary light source (101) in spaced apart relation to a transparent or translucent substrate (104) having quantum dot phosphors printed or coated thereon. The primary light source (101) may be a blue LED, a white LED or an LED having a significant portion of its emission in the ultraviolet region of the spectrum. The LED may be a backlight for the transparent or translucent substrate (104) and/or an edge light, a down light or an up light.
A method of producing nanoparticles comprises effecting conversion of a nanoparticle precursor composition to the material of the nanoparticles. The precursor composition comprises a first precursor species containing a first ion to be incorporated into the growing nanoparticles and a separate second precursor species containing a second ion to be incorporated into the growing nanoparticles. The conversion is effected in the presence of a molecular cluster compound under conditions permitting seeding and growth of the nanoparticles.
C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
C30B 29/60 - Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/62 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09K 11/74 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C09K 11/88 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
C09K 11/89 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du mercure
A method of preparing Group XIII selenide nanoparticles comprises reacting a Group XIII ion source with a selenol compound. The nanoparticles have an MxSey semiconductor core (where M is In or Ga) and an organic capping ligand attached to the core via a carbon-selenium bond. The selenol provides a source of selenium for incorporation into the semiconductor core and also provides the organic capping ligand. The nanoparticles are particularly suitable for solution-based methods of preparing semiconductor films.
y semiconductor core (where M is In or Ga) and an organic capping ligand attached to the core via a carbon-selenium bond. The selenol provides a source of selenium for incorporation into the semiconductor core and also provides the organic capping ligand. The nanoparticles are particularly suitable for solution-based methods of preparing semiconductor films.
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
Compositions having luminescent properties are described. The compositions can include a luminescent material, such as quantum dots and a reflective material, such as barium sulfate, both suspended in a matrix material. The presence of the reflecting material increases the amount of light captured from the composition. The compositions described herein can be used in back-lighting for LCDs and can also be used in other applications, such as color conditioning of ambient lighting.
By forming nanoparticles from gas-phase precursors within cracks or defects in a gas-barrier film, crack-width may be determined from the diameter of the nanoparticles formed within. The optical absorption and emission wavelengths of a quantum dot are governed by the particle size. For a particular material, the absorption and/or emission wavelengths may therefore be correlated to the particle size (as determined from techniques such as transmission electron microscopy, TEM). Thus, fluorescence measurement techniques and/or confocal microscopy may be used to determine the size of quantum dots formed within a gas-barrier film, allowing both the size and nature of a defect to be determined. The method may be used to assess the potential effects of defects on the integrity of the gas-barrier film.
Quantum dot (QD) LEDs useful for plant, a!gael and photosynihetic bacterial growth applications. The QD LEDs utilizes a solid state LED (typically emitting blue or UV light) as the primary light source and one or more QD elements as a secondary light source that down-converts the primary light. The emission profile of the QD LED can be tuned to correspond to the absorbance spectrum of one or more photosynthetic pigments of the organism.
A molded nanoparticle phosphor for light emitting applications is fabricated by converting a suspension of nanoparticles in a matrix material precursor into a molded nanoparticle phosphor. The matrix material can be any material in which the nanoparticles are dispersible and which is moldable. The molded nanoparticle phosphor can be formed from the matrix material precursor/nanoparticle suspension using any molding technique, such as polymerization molding, contact molding, extrusion molding, injection molding, for example. Once molded, the molded nanoparticle phosphor can be coated with a gas barrier material, for example, a polymer, metal oxide, metal nitride or a glass. The barrier-coated molded nanoparticle phosphor can be utilized in a light-emitting device, such as an LED. For example, the phosphor can be incorporated into the packaging of a standard solid state LED and used to down-convert a portion of the emission of the solid state LED emitter.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
C09K 11/56 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du soufre
C09K 11/70 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore
C09D 165/00 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principale; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p.ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
