POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERIES, POSITIVE ELECTRODE FOR LITHIUM ION BATTERIES, LITHIUM ION BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ALL-SOLID LITHIUM ION BATTERIES, POSITIVE ELECTRODE FOR ALL-SOLID LITHIUM ION BATTERIES, ALL-SOLID LITHIUM ION BATTERY, METHOD FOR PRODUCING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERIES, AND METHOD FOR PRODUCING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ALL-SOLID LITHIUM ION BATTERIES
A positive electrode active material for lithium ion batteries, the positive electrode active material being represented by a composition shown in the following formula (1):
A positive electrode active material for lithium ion batteries, the positive electrode active material being represented by a composition shown in the following formula (1):
LiaNibCOcMndMeOf (1)
A positive electrode active material for lithium ion batteries, the positive electrode active material being represented by a composition shown in the following formula (1):
LiaNibCOcMndMeOf (1)
in which formula (1), 1.0≤a≤1.05, 0.8≤b≤0.9, b+c+d+e=1, 1.8≤f≤2.2, 0.0025≤e/(b+c+d+e)≤0.016, and M is at least one selected from Zr, Ta and W;
wherein WDX mapping analysis of positive electrode active material particles in a field of view of 50 μm×50 μm by FE-EPMA indicates that an oxide of the M adheres to surfaces of the positive electrode active material particles, and the oxide of the M is not present as independent particles that do not adhere to the surfaces of the positive electrode active material particles.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 4/131 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p.ex. LiCoOx
H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
An electromagnetic wave shielding material includes a metal layer for ground connection provided as an outermost layer of a laminate; wherein only one surface of the metal layer for ground connection is laminated on the insulating layer via the adhesive layer, and assuming d1 is a thickness and ε1 is a Young's modulus of the adhesive layer on the one surface, d2 is a thickness and ε2 is a Young's modulus of the metal layer for ground connection, and ε3 is a composite Young's modulus of the adhesive layer on the one surface and the metal layer for ground connection, the following relational expression is satisfied: ε3/ε2>0.60; in which, ε3=ε1 (d1/(d1+d2))+ε2 (d2 (d1+d2)).
Provided is a method for processing lithium ion battery waste, which can effectively precipitate aluminum ions and iron ions in the solution by neutralization and relatively easily separate the precipitate. The method for processing lithium ion battery waste includes: a leaching step of leaching battery powder in an acid, the battery powder containing at least aluminum and iron and being obtained from lithium ion battery waste, and removing a leached residue by solid-liquid separation to obtain a leached solution containing at least aluminum ions and iron ions; and a neutralization step of adding phosphoric acid and/or a phosphate salt and an oxidizing agent to the leached solution, increasing a pH of the leached solution to a range of 2.0 to 3.5, precipitating the aluminum ions and the iron ions in the leached solution as aluminum phosphate and iron phosphate, respectively, and removing a neutralized residue by solid-liquid separation to obtain a neutralized solution.
A sputtering target comprised of a plurality of members including a target material and a base material, wherein the plurality of members includes a first member and a second member laminated to each other, wherein the first member contains Al, and the second member contains Cu, wherein at least one of the first member and the second member contains Mg, wherein the sputtering target includes an alloy layer containing Al and Cu between the first member and the second member, the alloy layer being in contact with the first member and the second member, and wherein the alloy layer further includes an Mg-containing layer containing 5.0 at % or more of Mg in at least a part of the alloy layer.
B23K 20/02 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage au moyen d'une presse
C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
C22C 21/06 - Alliages à base d'aluminium avec le magnésium comme second constituant majeur
H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
5.
INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER
Provided is an indium phosphide substrate, a method for manufacturing indium phosphide substrate, and a semiconductor epitaxial wafer capable of suppressing an occurrence of contamination of the surface of the indium phosphide substrate caused by residues at the edge part. An indium phosphide substrate, wherein a surface roughness of an edge part of the substrate has a root mean square height Sq of 0.15 μm or less, as measured by a laser microscopy on the entire surface of the edge part.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
6.
INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER
Provided is an indium phosphide substrate, a method for manufacturing indium phosphide substrate, and a semiconductor epitaxial wafer capable of suppressing cracks in indium phosphide substrates caused by edge irregularities and processing damage. An indium phosphide substrate, wherein a surface roughness of an edge part of the substrate has a maximum height Sz of 2.1 μm or less, as measured by a laser microscopy on the entire surface of the edge part.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
A sputtering target according to one embodiment is an integrated sputtering target comprising a target portion and a backing plate portion, both of them being made of copper and unavoidable impurities, wherein a Vickers hardness Hv is 90 or more, and wherein a flat ratio of crystal grains in a cross section orthogonal to a sputtering surface is 0.35 or more and 0.65 or less.
C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
C22C 9/01 - Alliages à base de cuivre avec l'aluminium comme second constituant majeur
C22C 9/05 - Alliages à base de cuivre avec le manganèse comme second constituant majeur
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
A method for producing mixed metal salts containing manganese ions and at least one of cobalt ions and nickel ions, the method including: an Al removal step of subjecting an acidic solution containing at least manganese ions and aluminum ions, and at least one of cobalt ions and nickel ions, to removal of the aluminum ions by extracting the aluminum ions into a solvent, the acidic solution being obtained by subjecting battery powder of lithium ion batteries to a leaching step; and a precipitation step of neutralizing an extracted residual liquid obtained in the Al removal step under conditions where a pH is less than 10.0, to precipitate mixed metal salts comprising a metal salt of manganese and a metal salt of at least one of cobalt and nickel.
A copper powder containing copper particulates, wherein the copper powder has a number of particles with a particle size of 1.5 pm or more of 10000 or less per 10 mL of a solution, as measured in the solution using an in-liquid particle counter, the solution having a copper ion concentration of 10 g/L and being obtained by dissolving the copper particulates of the copper powder in nitric acid.
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p.ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
10.
METHOD FOR RECOVERING LITHIUM FROM LITHIUM ION BATTERY SCRAP
A method for recovering lithium from lithium ion battery scrap according to this invention comprises subjecting lithium ion battery scrap to a calcination step, a crushing step, and a sieving step sequentially carried out, wherein the method comprises, between the calcination step and the crushing step, between the crushing step and the sieving step, or after the sieving step, a lithium dissolution step of bringing the lithium ion battery scrap into contact with water and dissolving lithium contained in the lithium ion battery scrap in the water to obtain a lithium-dissolved solution; a lithium concentration step of solvent-extracting lithium ions contained in the lithium-dissolved solution and stripping them to concentrate the lithium ions to obtain a lithium concentrate; and a carbonation step of carbonating the lithium ions in the lithium concentrate to obtain lithium carbonate.
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p.ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
C22B 3/00 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
B09B 3/80 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif impliquant une étape d'extraction
Provided is a method for selecting arsenic-containing minerals.
Provided is a method for selecting arsenic-containing minerals.
A peptide comprising an amino acids sequence according to the following formula:
Provided is a method for selecting arsenic-containing minerals.
A peptide comprising an amino acids sequence according to the following formula:
(T,S,N,Q)-(L,I,V,F,A)-(E,D)-(R,K,N,M,D,C,P,Q,S,E,T,G,W,H,Y)-(L,I,V,F,A)-(R,K,N,M,D,C,P,Q,S,E,T,G,W,H,Y)-(L,I,V,F,A)-(L,I,V,F,A)-(L,I,V,F,A)-(R,H,K)-(T,S,N,Q)-(T,S,N,Q)
Provided is a method for selecting arsenic-containing minerals.
A peptide comprising an amino acids sequence according to the following formula:
(T,S,N,Q)-(L,I,V,F,A)-(E,D)-(R,K,N,M,D,C,P,Q,S,E,T,G,W,H,Y)-(L,I,V,F,A)-(R,K,N,M,D,C,P,Q,S,E,T,G,W,H,Y)-(L,I,V,F,A)-(L,I,V,F,A)-(L,I,V,F,A)-(R,H,K)-(T,S,N,Q)-(T,S,N,Q)
wherein one amino acid is respectively selected from each group defined by paired parentheses.
B03D 1/018 - Mélanges de composés inorganiques et organiques
B03D 1/02 - Procédés de flottation par formation d'écume
C07K 7/08 - Peptides linéaires ne contenant que des liaisons peptidiques normales ayant de 12 à 20 amino-acides
C12N 15/70 - Vecteurs ou systèmes d'expression spécialement adaptés à E. coli
12.
METHOD FOR DISSOLVING LITHIUM COMPOUND, METHOD FOR MANUFACTURING LITHIUM CARBONATE, AND METHOD FOR RECOVERING LITHIUM FROM LITHIUM ION SECONDARY CELL SCRAP
A method for dissolving a lithium compound according to the present invention includes bringing a lithium compound into contact with water or an acidic solution, and feeding, separately from the lithium compound, a carbonate ion to the water or the acidic solution to produce carbonic acid, and allowing the carbonic acid to react with the lithium compound to produce lithium hydrogen carbonate.
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
C22B 3/44 - Traitement ou purification de solutions, p.ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés chimiques
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
B09B 3/80 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif impliquant une étape d'extraction
13.
Sputtering Target, Manufacturing Method Therefor, And Manufacturing Method For Magnetic Recording Medium
A sputtering target containing silicon nitride (Si3N4) with reduced specific resistance of is provided. A sputtering target including Si3N4, SiC, MgO and TiCN, wherein a specific resistance of the sputtering target is 10 mΩ·cm or less.
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
C04B 35/58 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de borures, nitrures ou siliciures
Provided is a method for efficiently promoting a leaching reaction of copper. Equipment for leaching copper includes a reactor for leaching reaction and a controller for oxidation-reduction potential. The reactor is configured to be provided with a leaching solution containing iodine and iron. The reactor is configured to be capable of being tightly sealed during the leaching reaction. The controller for oxidation-reduction potential is configured so that, during the leaching reaction, the oxidation-reduction potential of the leaching solution can be maintained at 500 mV (based on Ag/AgCl reference) or higher.
A method for producing a mixed metal solution containing manganese ions and at least one of cobalt ions and nickel ions, the method including: an Al removal step of subjecting an acidic solution containing at least manganese ions and aluminum ions, and at least one of cobalt ions and nickel ions, to removal of the aluminum ions by extracting the aluminum ions into a solvent while leaving at least a part of the manganese ions in the acidic solution in an aqueous phase, the acidic solution being obtained by subjecting battery powder of lithium ion batteries to a leaching step; and a metal extraction step of bringing an extracted residual liquid obtained in the Al removal step to an equilibrium pH of 6.5 to 7.5 using a solvent containing a carboxylic acid-based extracting agent, extracting at least one of the manganese ions and at least one of the cobalt ions and the nickel ions into the solvent, and then back-extracting the manganese ions and at least one of the cobalt ions and nickel ions.
Provided are sulfide-based solid electrolyte with good ionic conductivity and an all-solid lithium ion battery using the same. A sulfide-based solid electrolyte having an argyrodite-type structure, wherein a composition of the sulfide-based solid electrolyte is represented by the formula:
Provided are sulfide-based solid electrolyte with good ionic conductivity and an all-solid lithium ion battery using the same. A sulfide-based solid electrolyte having an argyrodite-type structure, wherein a composition of the sulfide-based solid electrolyte is represented by the formula:
Li8GeS5-xTe1+x
Provided are sulfide-based solid electrolyte with good ionic conductivity and an all-solid lithium ion battery using the same. A sulfide-based solid electrolyte having an argyrodite-type structure, wherein a composition of the sulfide-based solid electrolyte is represented by the formula:
Li8GeS5-xTe1+x
in which: −0.5≤x<0, 0
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
17.
HEAT TREATMENT METHOD FOR BATTERY WASTE AND LITHIUM RECOVERY METHOD
A method for heat-treating battery waste containing lithium includes: allowing an atmospheric gas containing oxygen and at least one selected from the group consisting of nitrogen, carbon dioxide and water vapor to flow in a heat treatment furnace in which the battery waste is arranged, and heating the battery waste while adjusting an oxygen partial pressure in the furnace.
The disclosure is related to reducing the cost of sputtering target products. Provided is a sputtering target product wherein: the sputtering target product includes a target, a backing plate or backing tube, and insert material layer; at least a part of the non-sputtering side of the target is profiled so as to have protrusions and recesses that have plane symmetry; the insert material layer is formed so as to adhere closely to the profiled side, and the insert material is made of metal with specific gravity that is at least less than those of the metal constituting the target.
Provided is a sputtering target which can lower a heat treatment temperature for ordering a Fe—Pt magnetic phase and can suppress generation of particles during sputtering. The sputtering target is a nonmagnetic material-dispersed sputtering target containing Fe, Pt and Ge. The sputtering target includes at least one magnetic phase satisfying a composition represented by (Fe1-αPtα)1-βGeβ, as expressed in an atomic ratio for Fe, Pt and Ge, in which α and β represent numbers meeting 0.35≤α≤0.55 and 0.05≤β≤0.2, respectively. The magnetic phase has a ratio (SGe30mass %/SGe) of 0.5 or less. The ratio (SGe30mass %/SGe) is an average area ratio of Ge-based alloy phases containing a Ge concentration of 30% by mass or more (SGe30mass %) to an area ratio of Ge (SGe) calculated from the entire composition of the sputtering target, in element mapping by EPMA of a polished surface obtained by polishing a cross section perpendicular to a sputtering surface of the sputtering target.
Provided is a method for producing lithium hydroxide, which can obtain lithium hydroxide from lithium sulfate with a relatively low cost. A method for producing lithium hydroxide from lithium sulfate includes: a hydroxylation step of allowing the lithium sulfate to react with barium hydroxide in a liquid to provide a lithium hydroxide solution; a barium removal step of removing barium ions in the lithium hydroxide solution using a cation exchange resin and/or a chelate resin; and a crystallization step of precipitating lithium hydroxide in the lithium hydroxide solution that has undergone the barium removal step.
An indium phosphide substrate, the phosphide substrate has an angle θ on the main surface side of 0°<θ≤120° for all of the planes A, the indium phosphide substrate has edge rounds on the main surface side and a surface side opposite to the main surface; wherein a chamfered width Xf from the wafer edge on the main surface side is 50 μm or more to 130 μm or less; wherein a chamfered width Xb from the wafer edge on the surface side opposite to the main surface is 150 μm or more to 400 μm or less; and wherein the indium phosphide substrate has a thickness of 330 μm or moreto 700 μm or less.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
C30B 33/10 - Gravure dans des solutions ou des bains fondus
22.
PACKAGING CONTAINER, PACKAGING METHOD, AND METAL FOIL TRANSPORT METHOD
Provided are a packaging container, a packaging method, and a method for carrying metal foil, which can suppress damage and deformation of the packaging container and enable stable carrying even if the packaging container is carried while suspending it in the midair. A packaging container made of corrugated cardboard includes: a pallet 2 having leg portions 21; a body frame 3 arranged on the pallet 2, the body frame 3 having bearing grooves 31 at end wall portions 32 opposing to each other; and a lid portion 4 provided on the body frame 3, wherein each of the leg portions 21 is arranged on an inner side than each of the end wall portions 23 of the pallet 2.
B65D 19/00 - Palettes ou plates-formes analogues, avec ou sans parois latérales, pour supporter les charges à soulever ou à déposer
B65D 19/20 - Palettes rigides avec parois latérales, p.ex. boîtes palettes avec corps formé par jonction ou union de plusieurs composants faites entièrement ou essentiellement en papier
B65D 19/36 - Palettes comportant un support de charge souple tendu entre des éléments de guidage, p.ex. des tubes-guides
B65D 19/44 - Eléments ou dispositifs pour placer les objets sur les plates-formes
B65D 5/44 - Parties insérées dans le réceptacle, qui en font partie intégrante ou qui lui sont fixées pour former des garnitures intérieures ou extérieures
B65D 5/50 - Parties insérées dans le réceptacle, qui en font partie intégrante ou qui lui sont fixées pour former des garnitures intérieures ou extérieures Éléments internes de support ou de protection du contenu
B65D 85/66 - Réceptacles, éléments d'emballage ou paquets spécialement adaptés à des objets ou à des matériaux particuliers pour rouleaux de revêtement de sol
B65D 85/672 - Réceptacles, éléments d'emballage ou paquets spécialement adaptés à des objets ou à des matériaux particuliers pour matériaux du genre bande ou ruban enroulés en spirale plate sur noyaux
A sputtering target according to the present invention contains Co and Pt as metal components, wherein a molar ratio of a content of Pt to a content of Co is from 5/100 to 45/100, and wherein the sputtering target contains Nb2O5 as a metal oxide component.
G11B 5/706 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant une ou plusieurs couches de particules magnétisables mélangées de façon homogène avec un produit de liaison sur une couche de base caractérisés par la composition du matériau magnétique
G11B 5/851 - Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique
H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique
24.
Mg2Si SINGLE CRYSTAL, Mg2Si SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, INFRARED LIGHT RECEIVING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING Mg2Si SINGLE CRYSTAL
Provided is a Mg2Si single crystal in which generation of low-angle grain boundaries in the crystal is satisfactorily suppressed. A Mg2Si single crystal, wherein a variation in crystal orientation as measured by XRD is in a range of ±0.020°.
C30B 11/02 - Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger sans solvants
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
25.
Sputtering Target And Method For Manufacturing The Same
A ceramic sputtering target, wherein when a cross-sectional structure of a sputtering surface is observed with an electron microscope, an amount of microcracks defined below is 50 μm/mm or less, and after performing a peel test on the sputtering surface, an area ratio of peeled particles confirmed by observing the cross-sectional structure with an electron microscope is 1.0% or less.
A ceramic sputtering target, wherein when a cross-sectional structure of a sputtering surface is observed with an electron microscope, an amount of microcracks defined below is 50 μm/mm or less, and after performing a peel test on the sputtering surface, an area ratio of peeled particles confirmed by observing the cross-sectional structure with an electron microscope is 1.0% or less.
Amount of microcracks=frequency of microcracks×average depth of microcracks
A method for processing ores containing gold or refining intermediates containing gold, the refining intermediate being obtained by subjecting the ores to a refining process, wherein the method includes: a leaching step of leaching gold from the ores or the refining intermediates using a sulfate solution containing iodide ions and iron (III) ions as a leaching solution; an adsorption step of adsorbing iodine and gold in the leached solution obtained in the leaching step on activated carbon; and an iodine separation step of separating iodine from the activated carbon while leaving gold on the activated carbon that has undergone the adsorption step.
C22B 3/24 - Traitement ou purification de solutions, p.ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés physiques, p.ex. par filtration, par des moyens magnétiques par adsorption sur des substances solides, p.ex. par extraction avec des résines solides
B01J 20/20 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtration; Absorbants ou adsorbants pour la chromatographie; Procédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique contenant du carbone obtenu par des procédés de carbonisation
Provided is an indium phosphide substrate which has suppressed sharpness of a wafer edge when polishing is carried out from the back surface of the wafer by a method such as back lapping. An indium phosphide substrate, wherein when planes A each parallel to a main surface are taken in a wafer, the phosphide substrate has an angle θ on the main surface side of 0°<θ≤110° for all of the planes A where a distance from the main surface is 100 μm or more and 200 μm or less, wherein the angle θ is formed by a plane B, the plane B including an intersection line of an wafer edge with each of the planes A and being tangent to the wafer edge, and an plane of each of the planes A extending in a wafer outside direction, and wherein in a cross section orthogonal to the wafer edge, the indium phosphide substrate has an edge round at least on the main surface side, and the edge round on the main surface side has a radius of curvature Rf of from 200 to 350 μm.
Provided is a method for processing electronic and electrical device component scrap according to an embodiment of the present invention includes a smelting raw material sorting step of sorting a processing raw material containing valuable metals processable in a smelting step from the electronic and electrical device component scrap, wherein the method comprises removing lump copper wire scrap contained in the electronic and electrical device component scrap using a parallel link robot.
Provided is an indium phosphide substrate having good accuracy of flatness of the orientation flat, and a method for producing the indium phosphide substrate. An indium phosphide substrate having a main surface and an orientation flat, wherein a difference between maximum and minimum values of a maximum height Pz in each of four cross-sectional curves is less than or equal to 1.50/10000 of a length in a longitudinal direction of an orientation flat end face, wherein the four cross-sectional curves are set at intervals of one-fifth of a thickness of the substrate on a surface excluding a width portion of 3 mm inward from both ends of the orientation flat end face in the longitudinal direction of the orientation flat end face, and the maximum height Pz in each of the four cross-sectional curves is measured in accordance with JIS B 0601:2013.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
30.
INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE
Provided is an indium phosphide substrate having good linearity accuracy of a ridge line where the main surface is in contact with the orientation flat, and a method for producing the indium phosphide substrate. An indium phosphide substrate having a main surface and an orientation flat, wherein a maximum value of deviation is less than 1/1000 of a length of a ridge line where the main surface is in contact with the orientation flat, when a plurality of measurement points are set at intervals of 2 mm from a start point to an end point at the ridge line, except for a length portion of 3 mm inward from both ends of the ridge line, and based on a reference line which is a straight line connecting the start point and the end point, a distance of each measurement point from the reference line is defined as the deviation of each measurement point.
C30B 33/10 - Gravure dans des solutions ou des bains fondus
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
31.
Sputtering Target And Method For Manufacturing Sputtering Target
Provided is a sputtering target capable of reducing generation of particles, and a method for producing the same. The sputtering target includes: 10 mol % or more and 85 mol % or less of Co, 0 mol % or more and 47 mol % or less of Pt, and 0 mol % or more and 47 mol % or less of Cr, as metal components; and at least B6O as an oxide component.
C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt
C22C 30/00 - Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant
C22C 32/00 - Alliages non ferreux contenant entre 5 et 50% en poids d'oxydes, de carbures, de borures, de nitrures, de siliciures ou d'autres composés métalliques, p.ex. oxynitrures, sulfures, qu'ils soient soient ajoutés comme tels ou formés in situ
32.
SORTING MACHINE AND METHOD FOR TREATING ELECTRONIC/ELECTRIC DEVICE COMPONENT SCRAPS
Provided is a sorting machine capable of more easily and efficiently sorting specific parts having a specific shape from raw materials containing various substances having different shapes, and a method for treating electronic and electric device component scraps using the sorting machine. The sorting machine includes a conveying device 1 having a conveying surface 13 which conveys raw materials containing substances having different shapes from a raw material inlet 11 to a receiving port 12; and a gate device 2 provided with a cylindrical roll portion 21 having a rotating function arranged at a certain distance d on the conveying surface to allow at least a part of the raw materials 100 to pass through to the receiving port 12.
B03C 1/23 - Séparation magnétique agissant directement sur la substance à séparer le matériau étant déplacé sous l'effet de champs mobiles, p.ex. générés par des bobines magnétiques stationnaires; Séparateurs à champ de Foucault, p.ex. à rampe glissante
B03C 1/18 - Séparation magnétique agissant directement sur la substance à séparer ayant des supports pour le matériau traité en forme de bandes avec des aimants se déplaçant pendant l'opération
33.
METHOD FOR PROCESSING ELECTRONIC/ELECTRICAL DEVICE COMPONENT SCRAPS
Provided is a method for processing electronic and electrical device component scrap, which can improve an efficiency of sorting of raw materials fed to the smelting step from electronic and electrical device component scrap, and reduce losses of valuable metals. A method for processing electronic and electrical device component scrap which includes removing powdery objects contained in electronic and electrical device component scrap prior to a step of separating non-metal objects or metal objects from the electronic and electrical device component scrap containing the metal objects and the non-metal objects, using a metal sorter including: a metal sensor, a color camera, an air valve, and a conveyor.
Provided is a method for processing electronic and electrical device component scrap, which can improve an efficiency of sorting of raw materials fed to the smelting step from electronic and electrical device component scrap, and reduce losses of valuable metals. A method for processing electronic and electrical device component scrap which includes sorting electronic and electrical device component scrap by wind powder sorting to remove plate-shaped materials containing valuable metals included in the electronic and electrical device component scrap, and then sorting the resulting sorted objects by magnetic sorting.
B07B 4/02 - Séparation des solides, obtenue en soumettant leur mélange à des courants de gaz pendant que le mélange tombe
B07B 9/00 - Combinaisons d'appareils à cribler ou tamiser ou à séparer des solides par utilisation de courants de gaz; Disposition générale des installations, p.ex. schéma opératoire
B02C 23/20 - Addition de fluide, dans un but autre que celui de broyer ou de désagréger par l'énergie du fluide après broyage ou désagrégation
B03C 1/24 - Séparation magnétique agissant directement sur la substance à séparer le matériau étant déplacé sous l'effet de champs mobiles, p.ex. générés par des bobines magnétiques stationnaires; Séparateurs à champ de Foucault, p.ex. à rampe glissante le matériau étant déplacé sous l'effet de champs mobiles
Provided is a titanium sputtering target having a recrystallized structure having an average crystal grain diameter of 1 μm or less. Also provided is a method for producing a titanium sputtering target, the method comprising the steps of: subjecting a cut titanium ingot to large strain processing to provide a processed sheet; subjecting the processed sheet to cold rolling at a rolling ratio of 30% or more to provide a rolled sheet; and subjecting the rolled sheet to a heat treatment at a temperature of 320° C. or less.
Provided is a niobium sputtering target having improved film thickness uniformity throughout the target life.
Provided is a niobium sputtering target having improved film thickness uniformity throughout the target life.
In the niobium sputtering target, a rate of change in a {111} area ratio of each of an upper, central, and lower portions of the sputtering target, as represented by the following equation (2), is 2.5 or less, and the {111} area ratio of each of the upper, central and lower portions is determined by dividing a cross section of a plate-shaped sputtering target perpendicular to a sputtering surface into three equal portions: the upper portion, the central portion and the lower portion from a sputtering surface side in a normal direction of the sputtering surface at an intermediate position between a center and an outer circumference of the sputtering surface of the plate-shaped sputtering target, and measuring a crystal orientation distribution of each of measured regions of the upper portion, the central portion, and the lower portion using an EBSD method:
Provided is a niobium sputtering target having improved film thickness uniformity throughout the target life.
In the niobium sputtering target, a rate of change in a {111} area ratio of each of an upper, central, and lower portions of the sputtering target, as represented by the following equation (2), is 2.5 or less, and the {111} area ratio of each of the upper, central and lower portions is determined by dividing a cross section of a plate-shaped sputtering target perpendicular to a sputtering surface into three equal portions: the upper portion, the central portion and the lower portion from a sputtering surface side in a normal direction of the sputtering surface at an intermediate position between a center and an outer circumference of the sputtering surface of the plate-shaped sputtering target, and measuring a crystal orientation distribution of each of measured regions of the upper portion, the central portion, and the lower portion using an EBSD method:
the {111} area ratio=total area of crystal grains having a {111} plane oriented in the normal direction in the measured regions/total area of the measured regions Equation (1);
Provided is a niobium sputtering target having improved film thickness uniformity throughout the target life.
In the niobium sputtering target, a rate of change in a {111} area ratio of each of an upper, central, and lower portions of the sputtering target, as represented by the following equation (2), is 2.5 or less, and the {111} area ratio of each of the upper, central and lower portions is determined by dividing a cross section of a plate-shaped sputtering target perpendicular to a sputtering surface into three equal portions: the upper portion, the central portion and the lower portion from a sputtering surface side in a normal direction of the sputtering surface at an intermediate position between a center and an outer circumference of the sputtering surface of the plate-shaped sputtering target, and measuring a crystal orientation distribution of each of measured regions of the upper portion, the central portion, and the lower portion using an EBSD method:
the {111} area ratio=total area of crystal grains having a {111} plane oriented in the normal direction in the measured regions/total area of the measured regions Equation (1);
the rate of change=[maximum value−minimum value]/minimum value Equation (2).
A method for recovering at least cobalt of valuable metals, cobalt and nickel, from an acidic solution obtained by subjecting waste containing positive electrode materials for lithium ion secondary batteries to a wet process, the acidic solution comprising cobalt ions, nickel ions and impurities, the method including: a first extraction step for Co recovery, the first extraction step being for extracting cobalt ions by solvent extraction from the acidic solution and stripping the cobalt ions; and a second extraction step for Co recovery, the second extraction step being for extracting cobalt ions by solvent extraction from a stripped solution obtained in the first extraction step for Co recovery and stripping the cobalt ions, wherein the first extraction step for Co recovery includes: a solvent extraction process for extracting cobalt ions in the acidic solution into a solvent; a scrubbing process for scrubbing the solvent that has extracted the cobalt ions; and a stripping process for stripping the cobalt ions in the solvent after the scrubbing into a solution.
A method for recovering at least cobalt of valuable metals, cobalt and nickel, from an acidic solution obtained by subjecting waste containing positive electrode materials for lithium ion secondary batteries to a wet process, the acidic solution comprising cobalt ions, nickel ions and impurities, wherein the method includes: a first extraction step for Co recovery, the first extraction step being for extracting cobalt ions by solvent extraction from the acidic solution and stripping the cobalt ions; an electrolytic step for Co recovery, the electrolytic step being for providing electrolytic cobalt by electrolysis using a stripped solution obtained in the first extraction step for Co recovery as an electrolytic solution; a dissolution step for Co recovery, the dissolution step being for dissolving the electrolytic cobalt in an acid; and a second extraction step for Co recovery, the second extraction step being for extracting cobalt ions by solvent extraction from a cobalt dissolved solution obtained in the dissolution step for Co recovery and stripping the cobalt ions.
C22B 3/00 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p.ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
C25C 1/08 - Production, récupération ou affinage électrolytique des métaux par électrolyse de solutions des métaux du groupe du fer, de métaux réfractaires ou du manganèse du nickel ou du cobalt
39.
Surface-treated metal powder and conductive composition
There is provided a more versatile technique that is useful for enhancing the sintering delay property of a metal powder. A metal powder surface-treated with at least one coupling agent comprising Si, Ti, Al or Zr, wherein a total adhesion amount of Si, Ti, Al and Zr is 200 to 10,000 μg with respect to 1 g of the surface-treated metal powder, wherein a 1% by mass aqueous solution of the coupling agent indicates a pH of 7 or less, and wherein a sintering starting temperature is 500° C. or higher.
H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
B22F 1/145 - Traitement chimique, p.ex. passivation ou décarburation
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
H01B 5/14 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
B22F 1/103 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liants; Poudres métalliques contenant des matières organiques contenant un liant organique comprenant un mélange de, ou obtenu par réaction de, plusieurs composants autres que les solvants ou les agents lubrifiants
Provided is a cylindrical sputtering target made of a metal material, which has reduced particles. The sputtering target includes at least a target material, wherein the target material includes one or more metal elements, and has a crystal grain size of 10 μm or less.
A method for processing positive electrode active material waste of lithium ion secondary batteries, the waste containing cobalt, nickel, manganese and lithium, the method including: a carbon mixing step of mixing the positive electrode active material waste in the form of powder with carbon to obtain a mixture having a ratio of a mass of carbon to a total mass of the positive electrode active material waste and the carbon of from 10% to 30%; a roasting step of roasting the mixture at a temperature of from 600° C. to 800° C. to obtain roasted powder; a dissolution step including a first dissolution process of dissolving lithium in the roasted powder in water or a lithium-containing solution, and a second dissolution process of dissolving the lithium in a residue obtained in the first dissolution process in water; and an acid leaching step of leaching a residue obtained in the lithium dissolution step with an acid.
Provided is a cylindrical sputtering target made of a metal material, which has reduced particles. The sputtering target includes at least a target material, wherein the target material comprises one or more metal elements, the target material has a crystal grain size of 50 μm or less, and the target material has an oxygen concentration of 1000 ppm by mass or less.
B21J 1/02 - Traitement préliminaire des matériaux métalliques sans mise en forme particulière, p.ex. conservation des propriétés physiques de certaines zones, forgeage ou pressage des pièces à l'état brut
B21J 5/00 - Méthodes pour forger, marteler ou presser; Equipement ou accessoires particuliers
43.
TITANIUM COPPER FOIL, EXTENDED COPPER ARTICLE, ELECTRONIC DEVICE COMPONENT, AND AUTO-FOCUS CAMERA MODULE
Provided is a titanium copper foil which has required high strength when used as a spring, and has improved etching uniformity, and which can be suitably used as a conductive spring material for use in electronic device parts such as autofocus camera modules. The titanium copper foil contains from 1.5 to 5.0% by mass of Ti and from 10 to 3000 pm by mass of Fe, the balance being Cu and inevitable impurities, wherein the titanium copper foil has crystal orientation having A of from 10 to 40, in which A is represented by the following equation (1) when measuring a rolled surface by an X-ray diffraction method:
Provided is a titanium copper foil which has required high strength when used as a spring, and has improved etching uniformity, and which can be suitably used as a conductive spring material for use in electronic device parts such as autofocus camera modules. The titanium copper foil contains from 1.5 to 5.0% by mass of Ti and from 10 to 3000 pm by mass of Fe, the balance being Cu and inevitable impurities, wherein the titanium copper foil has crystal orientation having A of from 10 to 40, in which A is represented by the following equation (1) when measuring a rolled surface by an X-ray diffraction method:
A=β{220}/(β{200}+β{311}) Equation (1)
Provided is a titanium copper foil which has required high strength when used as a spring, and has improved etching uniformity, and which can be suitably used as a conductive spring material for use in electronic device parts such as autofocus camera modules. The titanium copper foil contains from 1.5 to 5.0% by mass of Ti and from 10 to 3000 pm by mass of Fe, the balance being Cu and inevitable impurities, wherein the titanium copper foil has crystal orientation having A of from 10 to 40, in which A is represented by the following equation (1) when measuring a rolled surface by an X-ray diffraction method:
A=β{220}/(β{200}+β{311}) Equation (1)
in which the β{220}, the β{200}, and the β{311} represent half-value widths of X-ray diffraction peaks at a {220} crystal plane, a {200} crystal plane, and a {311} crystal plane, respectively.
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
G02B 7/09 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles avec mécanisme de mise au point ou pour faire varier le grossissement adaptés pour la mise au point automatique ou pour faire varier le grossissement de façon automatique
G03B 13/36 - Systèmes de mise au point automatique
44.
APPARATUS FOR ANALYZING COMPOSITION OF ELECTRONIC AND ELECTRICAL DEVICE PART SCRAPS, DEVICE FOR PROCESSING ELECTRONIC AND ELECTRICAL DEVICE PART SCRAPS, AND METHOD FOR PROCESSING ELECTRONIC AND ELECTRICAL DEVICE PART SCRAPS
Provided is an apparatus for analyzing composition of electronic and electrical device part scraps which can determine a composition of part scraps in the electronic and electrical device part scraps in a short time, a device for processing electronic and electrical device part scraps, and a method for processing electronic and electrical device part scraps using those devices. An apparatus for analyzing a composition of electronic and electrical device part scraps including a classification data storage means for storing a classification data for extracting images of a plurality of component types of electronic and electrical device part scraps from a captured image of electronic and electrical device part scraps composed of the plurality of component types and classifying extracted images into each of the plurality of component types, a classification means for classifying the extracted images into each of the plurality of component types extracted from the captured image of the electronic and electrical device part scraps according to the classification data, and analysis means for analyzing at least one of an area, a number, an average particle size, and weight ratio of each of the plurality of component types classified by the classification means.
A sputtering target according to the present invention contains Co and one or more metals selected from the group consisting of Cr and Ru, as metal components, wherein a molar ratio of the content of the one or more metals to the content of Co is ½ or more, and wherein the sputtering target contains Nb2O5 as a metal oxide component.
G11B 5/851 - Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique
H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique
H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
46.
Raw material supply device, device for processing electronic and electrical device part scraps, and method for processing electronic and electrical device part scraps
A raw material supply device and a device for processing electronic and electrical device part scraps, which can control dropping positions of a raw material containing substances having different shapes and specific gravities, and a method for processing electronic and electrical device part scraps using those devices. The raw material supply device includes a receiving port, a discharge port, a first guide surface, and a second guide surface on a surface opposing to the first guide surface. The processing device includes a first conveying unit, a raw material supply device, a second conveying unit, and a pyramid-shaped disperser. The processing method comprises a sorting step, wherein the sorting step comprises dropping the electronic and electrical device part scraps onto a plurality of dispersion surfaces of a pyramid-shaped disperser, and dispersing the electronic and electrical device part scraps in a plurality of directions on a conveying surface.
B65G 47/19 - Aménagements ou utilisation de trémies ou colonnes de descente avec moyens pour commander le débit des matériaux, p.ex. pour empêcher la surcharge
B65G 47/44 - Aménagements ou utilisation des trémies ou des colonnes de descente
C21D 9/02 - Traitement thermique, p.ex. recuit, durcissement, trempe ou revenu, adapté à des objets particuliers; Fours à cet effet pour ressorts
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
G03B 3/10 - Mise au point effectuée par force motrice
2) for 1 minute. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to the first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1.
H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
H05K 3/06 - Elimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p.ex. par le procédé de photo-décapage
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C25D 5/14 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome plusieurs couches étant du nickel ou du chrome, p.ex. couches doubles ou triples
C25D 3/04 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de chrome
C25D 3/12 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/38 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/56 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions d'alliages
A surface treated copper foil 1 includes a copper foil 2, and a first surface treatment layer 3 formed on one surface of the copper foil 2. The first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1 has a root mean square gradient of roughness curve elements RΔq according to JIS B0601:2013 of 5 to 28°. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to the first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1.
H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
B23B 27/14 - Outils de coupe sur lesquels les taillants ou éléments tranchants sont en matériaux particulier
C03C 17/10 - Traitement de surface du verre, p.ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement par des métaux par dépôt à partir d'une phase liquide
C03C 17/34 - Traitement de surface du verre, p.ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement avec au moins deux revêtements ayant des compositions différentes
C03C 17/36 - Traitement de surface du verre, p.ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement avec au moins deux revêtements ayant des compositions différentes un revêtement au moins étant un métal
C23C 28/04 - Revêtements uniquement de matériaux inorganiques non métalliques
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
E06B 3/67 - Blocs comprenant plusieurs panneaux de verre ou analogues qui sont espacés et fixés les uns aux autres de façon permanente, p.ex. le long des bords caractérisés par des aménagements ou des dispositifs additionnels pour l'isolation thermique ou acoustique
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
H05K 3/06 - Elimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p.ex. par le procédé de photo-décapage
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C25D 5/14 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome plusieurs couches étant du nickel ou du chrome, p.ex. couches doubles ou triples
C25D 3/04 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de chrome
C25D 3/12 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/38 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/56 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions d'alliages
Provided is a corrosion-resistant CuZn alloy, in which: the Zn content is 36.8 to 56.5 mass % and the balance is Cu and inevitable impurities; and the β-phase surface area percentage is 99.9% or greater.
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
2. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to the first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1.
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
H05K 3/06 - Elimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p.ex. par le procédé de photo-décapage
H05K 3/36 - Assemblage de circuits imprimés avec d'autres circuits imprimés
H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
B32B 15/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique
C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C25D 5/14 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome plusieurs couches étant du nickel ou du chrome, p.ex. couches doubles ou triples
C25D 3/04 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de chrome
C25D 3/12 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/38 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/56 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions d'alliages
A surface treated copper foil 1 includes a copper foil 2, and a first surface treatment layer 3 formed on one surface of the copper foil 2. The first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1 has L* of a CIE L*a*b* color space of 44.0 to 84.0. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to a surface of the surface treated copper foil 1 opposite to the first surface treatment layer 3.
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
B32B 15/04 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
H05K 3/02 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
H05K 3/06 - Elimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p.ex. par le procédé de photo-décapage
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
C25D 5/14 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome plusieurs couches étant du nickel ou du chrome, p.ex. couches doubles ou triples
C25D 3/04 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de chrome
C25D 3/12 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/38 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 3/56 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions d'alliages
Provided is a sputtering target, the sputtering target containing 0.05 at % or more of Bi and having a total content of metal oxides of from 10 vol % to 60 vol %, the balance containing at least Co and Pt.
C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt
G11B 5/706 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant une ou plusieurs couches de particules magnétisables mélangées de façon homogène avec un produit de liaison sur une couche de base caractérisés par la composition du matériau magnétique
H01F 1/10 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriés; Emploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques durs substances non métalliques, p.ex. ferrites
H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique
G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
C04B 35/01 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes
C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
C22C 32/00 - Alliages non ferreux contenant entre 5 et 50% en poids d'oxydes, de carbures, de borures, de nitrures, de siliciures ou d'autres composés métalliques, p.ex. oxynitrures, sulfures, qu'ils soient soient ajoutés comme tels ou formés in situ
C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
54.
Method For Preparing Package Of Sputtering Target, And Method For Transporting Same
A method for preparing a package that can effectively suppress surface alteration even in a sputtering target whose surface is likely to be altered by moisture such as a sputtering target comprising an oxide of boron is provided. A method for preparing a package of sputtering target, including a step 1 of housing a sputtering target in a first packaging bag made of a film having a water vapor permeability of 1 g/(m2·24 h) or less, and then vacuum sealing an opening of the first packaging bag; and a step 2 of housing the first packaging bag which has been vacuum sealed in the step 1, in a second packaging bag made of a film having a water vapor permeability of 1 g/(m2·24 h) or less, and then enclosing one or more cushion gases selected from a group consisting of air and inert gas in the second packaging bag, and sealing an opening of the second packaging bag.
B65B 31/04 - Mise sous vide, sous pression ou sous gaz spécial, des réceptacles ou emballages pleins, au moyen d'ajutages par lesquels on envoie ou on retire de l'air ou d'autres gaz, p.ex. un gaz inerte
Provided is a sputtering target containing 0.05 at % or more of Bi, and having a total content of metal oxides of from 10 vol % to 70 vol %, the balance containing at least Ru.
C04B 35/44 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'aluminates
C04B 35/505 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de composés de terres rares à base d'oxyde d'yttrium
57.
Linear object removal method, linear object removal device, and electronic/electric apparatus component scrap processing method
b of the plurality of rods 2 being free ends; and feeding a raw material containing at least wire-form objects and plate-form objects into the vibrating sieve machine 1; and vibrating the filters 3 to sieve out the wire-form objects toward an under-sieve side of the vibrating sieve machine 1.
B07B 1/12 - Appareils ayant uniquement des éléments parallèles
B07B 1/36 - Tamis mobiles non prévus ailleurs, p.ex. à oscillations, à mouvement alternatif, à balancement, à basculement ou à vacillement à secousses ou à mouvement alternatif, dans plusieurs sens
B09B 3/00 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif
58.
COPPER POWDER, METHOD FOR MANUFACTURING COPPER POWDER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID SHAPED OBJECT
The present invention provides a copper powder which is capable of fusion bonding with a low energy laser by enabling heat to be efficiently inputted with a high absorption rate for laser irradiation and has high convenience in handling, and provides a method for manufacturing the copper powder. One embodiment of the present invention is a copper powder, having an absorption rate for light having a wavelength λ=1060 nm of 18.9% to 65.0%, and an index, which is indicated by (the absorption rate for light having a wavelength λ=1060 nm)/(an oxygen concentration), of 3.0 or more.
Provided is a joined body of a target material and a backing plate, the joined body comprising: a target material containing Ta; and a backing plate joined to the target material, wherein a tensile strength between the target material and the backing plate is 20 kg/mm2 or more, and the target material has an average hydrogen content of 7 ppm by volume or less.
A sputtering target according to the present invention contains Co and Pt as metal components, wherein a molar ratio of a content of Pt to a content of Co is from 5/100 to 45/100, and wherein the sputtering target contains Nb2O5 as a metal oxide component.
G11B 5/851 - Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique
G11B 5/735 - Couches de base caractérisées par la couche arrière
G11B 5/706 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant une ou plusieurs couches de particules magnétisables mélangées de façon homogène avec un produit de liaison sur une couche de base caractérisés par la composition du matériau magnétique
H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique
61.
Thin film comprising titanium oxide, and method of producing thin film comprising titanium oxide
A thin film is provided that primarily comprises titanium oxide and includes Ti, Ag and O. The thin film contains 29.6 at % or more and 34.0 at % or less of Ti, 0.003 at % or more and 7.4 at % or less of Ag, and oxygen as the remainder thereof and has a ratio of oxygen to metals, O/(2Ti+0.5Ag), of 0.97 or more. The thin film has a high refractive index and a low extinction coefficient. In addition, the thin film has superior transmittance, minimally deteriorates in reflectance, and is useful as an interference film or a protective film for an optical information recording medium. The film may also be applied to a glass substrate to provide a heat reflective film, an antireflective film, or an interference filter. A method of producing the thin film is also disclosed.
H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
G11B 7/2548 - Supports d’enregistrement caractérisés par le choix du matériau des couches autres que les couches d'enregistrement des couches supérieures de protection constituées essentiellement de matériaux inorganiques
C04B 35/46 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxydes de titane ou de titanates
G11B 7/2578 - Supports d’enregistrement caractérisés par le choix du matériau des couches autres que les couches d'enregistrement de couches ayant des propriétés intervenant lors de l’enregistrement ou de la reproduction, p.ex. couches d’interférence optique, couches de sensibilisation ou couches diélectriques qui protègent les couches d’enregistrement constituées essentiellement de matériaux inorganiques
G11B 7/254 - Supports d’enregistrement caractérisés par le choix du matériau des couches autres que les couches d'enregistrement des couches supérieures de protection
62.
Polycrystalline YAG sintered body and production method thereof
−1 or less. An object of an embodiment of the present invention is to provide a large and transparent polycrystalline YAG sintered body and its production method.
C04B 35/50 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de composés de terres rares
C01F 17/34 - Aluminates, p.ex. YAlO3 ou Y3-xGdxAl5O12
C09K 11/77 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
63.
Compound semiconductor and method for producing the same
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/22 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
64.
Compound semiconductor and method for producing single crystal of compound semiconductor
A method for recovering lithium from lithium ion battery scrap according to this invention comprises subjecting lithium ion battery scrap to a calcination step, a crushing step, and a sieving step sequentially carried out, wherein the method comprises, between the calcination step and the crushing step, between the crushing step and the sieving step, or after the sieving step, a lithium dissolution step of bringing the lithium ion battery scrap into contact with water and dissolving lithium contained in the lithium ion battery scrap in the water to obtain a lithium-dissolved solution; a lithium concentration step of solvent-extracting lithium ions contained in the lithium-dissolved solution and stripping them to concentrate the lithium ions to obtain a lithium concentrate; and a carbonation step of carbonating the lithium ions in the lithium concentrate to obtain lithium carbonate.
C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p.ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
C22B 3/00 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
B09B 3/80 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif impliquant une étape d'extraction
66.
Method for processing electronic and electrical device component scrap
A titanium copper according to the present invention contains from 1.5 to 5.0% by mass of Ti, the balance being of Cu and inevitable impurities, wherein the titanium copper has a layered structure of Cu and Ti where in a Ti concentration curve obtained by analyzing a cross section parallel to a rolling direction along a thickness direction by STEM-EDX, a lower concentration Ti layer having a Ti concentration less than an average value of Ti concentrations in the Ti concentration curve and a higher concentration Ti layer having a Ti concentration equal to or higher than the average value of the Ti concentrations in the Ti concentration curve are alternately present in the thickness direction, and wherein in the cross section parallel to the rolling direction, a number of higher concentration Ti layers is 5 layers per 500 nm in the thickness direction.
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
G03B 3/10 - Mise au point effectuée par force motrice
G02B 7/02 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles
G03B 13/36 - Systèmes de mise au point automatique
A method for recovering lithium according to this invention comprises separating sodium from a lithium-containing solution containing lithium ions and sodium ions to recover lithium, wherein the method comprises a solvent extraction step including: at least three-stage extraction process having a first extraction process, a second extraction process, and a third extraction process; and a lithium back extraction stage of back extracting the lithium ions from a solvent that have undergone the at least three-stage extraction process; and wherein, in the extraction process, the solvent undergoes the first extraction process, the second extraction process, and the third extraction process in this order, and a solution as the lithium-containing solution undergoes the respective processes in opposite order to the order of the solvent.
A pure copper powder with a Si coating formed thereon, wherein a Si adhesion amount is 5 wtppm or more and 200 wtppm or less, a C adhesion amount is 15 wtppm or more, and a weight ratio C/Si is 3 or less. An object of the present invention is to provide a pure copper powder with a Si coating formed thereon and a production method thereof, as well as an additive manufactured object using such pure copper powder capable of suppressing the partial sintering of the pure copper powder caused by the preheating thereof in additive manufacturing based on the electron beam (EB) method, and suppressing the loss of the degree of vacuum caused by carbon (C) during the molding process.
B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
70.
Method for removing wire-form objects, device for removing wire-form objects, and method for processing electronic/electrical apparatus component scrap
Provided is a method for removing wire-form objects, a device for removing wire-form objects, and a method for processing electronic/electrical apparatus component waste, which can efficiently sort wire-form objects from sorting target objects having various shapes. The method for removing wire-form objects includes: arranging a filter in a vibrating sieve machine, the filter including a plurality of rods extending at distances in a feed direction of a raw material; and placing a raw material containing at least wire-form objects and plate-form objects onto the filter, and vibrating the filter to sieve out the wire-form objects under a sieve.
B07B 1/12 - Appareils ayant uniquement des éléments parallèles
B07B 1/36 - Tamis mobiles non prévus ailleurs, p.ex. à oscillations, à mouvement alternatif, à balancement, à basculement ou à vacillement à secousses ou à mouvement alternatif, dans plusieurs sens
B09B 5/00 - Opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou par un seul autre groupe de la présente sous-classe
71.
Sputtering Target and Method for Producing Sputtering Target
Provided is a sputtering target having a molybdenum content of 99.99% by mass or more, a relative density of 98% or more, and an average crystal grain diameter of 400 μm or less.
Provided is a method for processing electronic/electrical device component waste, which can increase an amount of electronic/electrical device component waste processed in a smelting step and efficiently recover valuable metals. The method for processing electronic/electrical device component waste includes a step of processing the electronic/electrical device component waste in a smelting step, wherein prior to the smelting step, the method includes a step for reducing smelting inhibitors contained in the electronic/electrical device component waste
Provided is a tungsten silicide target that efficiently suppresses generation of particles during sputtering deposition. A tungsten silicide target having a two-phase structure of a WSi2 phase and a Si phase, wherein the tungsten silicide target is represented by a composition formula in an atomic ratio: WSix with X>2.0; wherein, when observing a sputtering surface, a ratio of a total area I1 of Si grains having an area per a Si grain of 63.6 μm2 or more to a total area S1 of the Si grains forming the Si phase (I1/S1) is 5% or less; and wherein a Weibull modulus of flexural strength is 2.1 or more.
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
74.
METHOD FOR PROCESSING ELECTRONIC AND ELECTRICAL DEVICE COMPONENT SCRAP
Provided is a method for processing electronic and electrical device component scrap, which can increase an amount of electronic and electrical device component scrap processed in a smelting step and efficiently recover valuable metals. The method for processing electronic and electrical device component scrap includes: a step 1 of removing powdery materials and film-shaped component scrap from the electronic and electrical device component scrap; a step 2 of concentrating synthetic resins and substrates from the electronic and electrical device component scrap from which the powdery materials and film-shaped component scrap have been removed; and a step 3 of concentrating the substrates containing valuable metals from a concentrate obtained in the step 2.
Provided is a radiation detection element, including: a plurality of electrode portions on a surface of a substrate; and an insulating portion between the electrode portions, the substrate being made of a compound semiconductor crystal containing cadmium telluride or cadmium zinc telluride, wherein an intermediate layer containing tellurium oxide is present between each of the electrode portions and the substrate, and wherein the tellurium oxide layer has a thickness of 100 nm or less on a 500 nm inner side from an end portion of the insulating portion between the electrode portions. The radiation detection element has higher adhesion of the electrodes, and does not result in an element performance defect caused by insufficient insulation between the electrodes, even if the radiation detection element has a narrower distance between the electrode portions in order to obtain a high-definition radiographic image.
Provided is a radiation detecting element that has high adhesion between electrode portions and a substrate and does not suffer from performance failures due to insufficient insulation between the electrode portions, even if a distance between the electrode portions is narrower in order to obtain a high-definition radiation drawn image. The radiation detecting element includes: a plurality of electrode portions; and an insulating portion provided between the electrode portions on a surface of a substrate made of a compound semiconductor crystal containing cadmium telluride or cadmium zinc telluride, wherein an intermediate layer containing tellurium oxide is present between each of the electrode portions and the substrate, and wherein tellurium oxide is present on an upper portion of the insulating portion, and the tellurium oxide on the upper portion of the insulating portion has a maximum thickness of 30 nm or less.
H01L 31/08 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
G01T 1/24 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à semi-conducteurs
G01T 7/00 - MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X - Détails des instruments de mesure des radiations
2 as non-magnetic materials, wherein Si and O are present in a region where B or N is present at a cut surface of the sintered compact. A high density sputtering target is provided which enables production of a magnetic thin film for heat-assisted magnetic recording media, and also reduces the amount of particles generated during sputtering.
G11B 5/65 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison caractérisé par sa composition
G11B 5/851 - Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique
C22C 32/00 - Alliages non ferreux contenant entre 5 et 50% en poids d'oxydes, de carbures, de borures, de nitrures, de siliciures ou d'autres composés métalliques, p.ex. oxynitrures, sulfures, qu'ils soient soient ajoutés comme tels ou formés in situ
C22C 33/02 - Fabrication des alliages ferreux par des techniques de la métallurgie des poudres
H01F 41/18 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats par pulvérisation cathodique
C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
H01F 1/33 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriés; Emploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques doux particules métalliques ayant un revêtement d'oxyde
A semiconductor substrate has, on an Au electrode pad, an electrolessly-plated Ni film/an electrolessly-plated Pd film/an electrolessly-plated Au film or an electrolessly-plated Ni film/an electrolessly-plated Au film and a method of manufacturing the semiconductor substrate by the steps indicated in (1) to (6) below: (1) a degreasing step; (2) an etching step; (3) a pre-dipping step; (4) a Pd catalyst application step; (5) an electroless Ni plating step; (6) an electroless Pd plating step and electroless Au plating step or an electroless Au plating step.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
80.
Semiconductor wafer with void suppression and method for producing same
A semiconductor wafer suppressed in voids produced in the interface between a passivation film and an electroless nickel plating film, and configured such that an electrode pad is entirely covered by the electroless nickel plating film. The semiconductor wafer includes, on a substrate, an electrode pad and a passivation film covering the upper surface of the substrate and an opening from which the electrode pad is exposed. The semiconductor wafer sequentially includes, on the electrode pad, an electroless nickel plating film, an electroless palladium plating film and an electroless gold plating film. A void, present in the interface between the passivation film and the electroless nickel plating film, has a length from the forefront of the void to the surface of the electrode pad of 0.3 μm or more and a width of 0.2 μm or less. The electrode pad is entirely covered by the electroless nickel plating film.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
C23C 18/36 - Revêtement avec l'un des métaux fer, cobalt ou nickel; Revêtement avec des mélanges de phosphore ou de bore et de l'un de ces métaux en utilisant des agents réducteurs d'hypophosphites
C23C 18/44 - Revêtement avec des métaux nobles en utilisant des agents réducteurs
A sputtering target formed from a potassium sodium niobate sintered body to which a dopant has been added; as a dopant, the sputtering target includes one or more types among Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Bi, Sb, V, In, Ta, Mo, W, Cr, Ti, Zr, Hf, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Cu, Zn, Ag, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Si, Ge, Sn, and Ga; and a variation coefficient of a dopant concentration in a plane of the sputtering target is 0.12 or less. In terms of suppressing the generation of particles, provided is a sputtering target which is formed from a sintered body that includes potassium sodium niobate and to which a dopant has been added.
H01L 41/316 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
B32B 3/00 - Produits stratifiés caractérisés essentiellement par le fait qu'une des couches comporte des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou bien qu'une des couches est de forme générale non plane; Produits stratifiés caractérisés essentiellement par des particularismes de forme
H05K 9/00 - Blindage d'appareils ou de composants contre les champs électriques ou magnétiques
B32B 7/025 - Propriétés électriques ou magnétiques
B32B 15/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique
B32B 15/085 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique comprenant des polyoléfines
B32B 15/088 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique comprenant des polyamides
B32B 15/095 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique comprenant des polyuréthanes
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
An object of the present invention is to provide a sputtering target that can suppress a generation amount of fine nodules which lead to an increase in substrate particles during sputtering, and a method for producing the same. A ceramic sputtering target, the sputtering target having a surface roughness Ra on a sputtering surface of 0.5 μm or less and an Svk value measured with a laser microscope on the sputtering surface of 1.1 μm or less.
C04B 35/457 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxydes de zinc, d'étain ou de bismuth ou de leurs solutions solides avec d'autres oxydes, p.ex. zincates, stannates ou bismuthates à base d'oxydes d'étain ou de stannates
A MgO sintered sputtering target, wherein a ratio of GOS (Grain Orientation Spread) being 0° to 1° is 75% or higher. A MgO sintered sputtering target, wherein a ratio of KAM (Kernel Average Misorientation) being 0° to 2° is 90% or higher. An object of the present invention is to provide a MgO sintered sputtering target capable of reducing particles.
A sputtering target-backing plate assembly obtained by bonding a sputtering target and a backing plate using a brazing material, wherein a braze bonding layer which bonds the sputtering target and the backing plate contains a material having thermal conductivity that is higher than that of the brazing material in an amount of 5 vol % or more and 50 vol % or less, and a thickness of the braze bonding layer is 100 μm or more and 700 μm or less. An object is to prevent the seepage of the brazing material while maintaining the thickness of the braze bonding layer.
Method for dissolving lithium compound, method for manufacturing lithium carbonate, and method for recovering lithium from lithium ion secondary cell scrap
A method for dissolving a lithium compound according to the present invention includes bringing a lithium compound into contact with water or an acidic solution, and feeding, separately from the lithium compound, a carbonate ion to the water or the acidic solution to produce carbonic acid, and allowing the carbonic acid to react with the lithium compound to produce lithium hydrogen carbonate.
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
C22B 3/44 - Traitement ou purification de solutions, p.ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés chimiques
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
B09B 3/80 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif impliquant une étape d'extraction
87.
Surface-treated plated material, connector terminal, connector, FFC terminal, FFC, FPC and electronic part
A surface-treated plated material is provided. The surface-treated plated material can suppress generation of whiskers, maintain good solderability and low contact resistance even when exposed to an elevated temperature environment, and have lower insertion force for terminals/connectors. The surface-treated plated material comprises a substrate provided with an upper layer, and the upper layer comprises a plated material containing Sn or In. A surface of the plated material contains at least one compound represented by a certain general formula and at least one compound represented by a certain general formula. One or more compounds selected from a group D of constituent compounds represented by certain general formulae are further applied onto a surface on the upper layer side.
H01R 13/03 - Contacts caractérisés par le matériau, p.ex. matériaux de plaquage ou de revêtement
H01R 12/58 - Connexions fixes pour circuits imprimés rigides ou structures similaires caractérisées par les bornes bornes pour insertion dans des trous
88.
SODIUM REMOVAL METHOD, METAL CONCENTRATING METHOD, AND METAL RECOVERY METHOD
A sodium removal method according to the present invention is a method for removing sodium from a sodium-containing solution by precipitating a sodium ion in the sodium-containing solution as a sodium salt, the method including: a sodium precipitating step of precipitating the sodium salt by decreasing a temperature of the sodium-containing solution so that a sodium concentration of the sodium-containing solution exceeds solubility of the sodium salt at said temperature; and a solid-liquid separation step of removing the precipitated sodium salt by solid-liquid separation.
H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
The present disclosure provides a sputtering target containing one or more metals of Fe, Co, Cr, and Pt, and one or more of C and BN, with less generation of particles, and a method for producing the same. A sputtering target including: one or more metallic phases selected from a group consisting of Fe, Co, Cr, and Pt; and one or more nonmetallic phases selected from a group consisting of C and BN, wherein the sputtering target satisfies: A≤40, and A/B≤1.7 in which A represents the number of boundaries between the metallic phases and the nonmetallic phases on a line segment having a length of 500 μm drawn in a vertical direction, in a structure photograph; and B represents the number of boundaries between the metallic phases and the nonmetallic phases on a line segment having a length of 500 μm drawn in a horizontal direction, in the structure photograph.
B22F 9/08 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide par coulée, p.ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation
C22C 29/16 - Alliages à base de carbures, oxydes, borures, nitrures ou siliciures, p.ex. cermets, ou d'autres composés métalliques, p.ex. oxynitrures, sulfures à base de nitrures
There is provided a BN-containing ferromagnetic material sputtering target which is capable of suppressing generation of particles during sputtering. A sputtering target containing from 1 to 40 at. % of B and from 1 to 30 at. % of N and comprising a structure including at least one ferromagnetic metal-containing metal phase and at least one nonmagnetic material phase, wherein an X-ray diffraction profile obtained by analyzing the structure with an X-ray diffraction method exhibits a diffraction peak derived from cubic boron nitride.
A metal powder in which a coating made of one or more types of elements selected from Gd, Ho, Lu, Mo, Nb, Os, Re, Ru, Tb, Tc, Th, Tm, U, V, W, Y, Zr, Cr, Rh, Hf, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm and Ti is formed on a surface of a copper or copper alloy powder, wherein a thickness of the coating is 5 nm or more and 500 nm or less. A metal powder for metal additive manufacturing based on the laser method which can be efficiently melted with a laser while maintaining the high conductivity of copper or copper alloy, and a molded object produced by using such metal powder are provided.
B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B33Y 70/00 - Matériaux spécialement adaptés à la fabrication additive
C23C 14/16 - Matériau métallique, bore ou silicium sur des substrats métalliques, en bore ou en silicium
C23C 14/22 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
The present invention provides a method for treating at least one lithium ion battery enclosed in a housing containing aluminum, comprising heating the lithium ion battery using a combustion furnace in which a combustion object is incinerated by flames, while preventing the flames from being directly applied to the housing of the lithium ion battery.
C22B 1/00 - Traitement préliminaire de minerais ou de débris ou déchets métalliques
C22B 23/02 - Obtention du nickel ou du cobalt par voie sèche
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
(2) when a cross section perpendicular to the sputtering surface is measured by EBSP, an average value of orientation area ratios of a {100} plane oriented at a misorientation of within 15° relative to a normal direction of the sputtering surface is 20% or more.
An object of the present invention is to provide a copper alloy powder for lamination shaping comprising a copper alloy, a method for producing a lamination shaped product and a lamination shaped product, which can achieve coexistence of mechanical strength and conductivity. One aspect of the present invention relates to a copper alloy powder for lamination shaping, comprising at least one additive element having a solid solution amount to copper of less than 0.2 at %.
A rare-earth thin film magnet is provided which includes Nd, Fe and B as essential components, characterized by including a Si substrate having an oxide film present on a surface thereof, a Nd base film formed as a first layer over the Si substrate, and a Nd—Fe—B film formed as a second layer on the first layer. The rare earth thin film magnet and a production process therefor provides a rare earth thin film magnet suffering neither film separation nor substrate breakage and having satisfactory magnetic properties even when the second layer has composition in the range of 0.120 ≤Nd/(Nd+Fe)<0.150, which corresponds to a compositional range in the vicinity of a stoichiometric composition.
H01F 1/057 - Alliages caractérisés par leur composition contenant des métaux des terres rares et des métaux de transition magnétiques, p.ex. SmCo5 et des éléments IIIa, p.ex. Nd2Fe14B
H01F 10/14 - Métaux ou alliages contenant du fer ou du nickel
H01F 41/14 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats
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Tungsten silicide target and method of manufacturing same
C04B 35/58 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de borures, nitrures ou siliciures
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
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Method for manufacturing high purity tin, electrowinning apparatus for high purity tin and high purity tin
Provided is a method for manufacturing high purity tin including: depositing electrodeposited tin on the surface of a cathode by electrowinning in an electrolytic bath in which a diaphragm is placed between an anode and the cathode, by using a raw material for tin as the anode and a leachate obtained by electrolytically leaching the raw material for tin in a sulfuric acid solution as an electrolytic solution, the electrolytic solution containing a smoothing agent for improving a surface property of the electrodeposited tin; discharging the electrolytic solution from the electrolytic bath such that lead in the discharged electrolytic solution is removed; and putting the electrolytic solution from which lead is removed back into the electrolytic bath.
2Si material but also improved overall performance including photosensitivity. A photodiode comprising: a pn junction of a magnesium silicide crystal; an electrode comprising a material that is in contact with p-type magnesium silicide; and an electrode comprising a material that is in contact with n-type magnesium silicide, wherein the material that is in contact with p-type magnesium silicide is a material which has a work function of 4.81 eV or more and reacts with silicon to form a silicide or form an alloy with magnesium.
H01L 31/103 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
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Laminate of ceramic layer and sintered body of copper powder paste
Provided is a laminate of a sintered body produced by sintering a copper powder paste and a ceramic substrate, which has improved adhesion between the sintered body and the ceramic substrate. A laminate with a copper powder paste sintered body laminated on a ceramic layer, the laminate comprising portions where one or more elements selected from Si, Ti and Zr derived from a copper powder surface treatment agent are together present with a thickness in a range of from 5 to 15 nm in boundaries between the copper powder paste sintered body and the ceramic layer, when observing the boundaries by scanning the laminate with STEM over 100 nm across the boundaries in a thickness direction of the laminate.
Provided is a laminate of a sintered body produced by sintering a copper powder paste and a ceramic substrate, which has improved adhesion between the sintered body and the ceramic substrate. A laminate with a copper powder paste sintered body laminated on a non-metal layer, wherein the copper powder paste sintered body has a crystal grain diameter of copper of 10 μm or less, as determined from an EBSD map image, based on Area Fraction method, and has an average reliability index (CI value) of 0.5 or more in an analysis area.
B22F 7/04 - Fabrication de couches composites, de pièces ou d'objets à base de poudres métalliques, par frittage avec ou sans compactage de couches successives avec une ou plusieurs couches non réalisées à partir de poudre, p.ex. à partir de tôles
brevets
