A pulsed laser diode driver includes a source capacitor that receives a refresh current at a first terminal and develops a source voltage therefrom. A first terminal of an inductor is connected to the first terminal of the source capacitor. A second terminal of the inductor is connected to an anode of a laser diode and a bypass capacitor. One or more switches are configured to control a current flow through the inductor. A timing and control circuit is configured to receive the source voltage and to generate one or more gate driver signals to control the switches to produce a high- current pulse through the laser diode. The high-current pulse corresponds to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode. A timing of the one or more gate driver signals is based on a voltage level of the source voltage.
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
2.
PULSED LASER DIODE DRIVER CURRENT MEASUREMENT CIRCUIT
A pulsed laser diode driver includes a laser diode switch and a bypass switch to control a current flow through an inductor to produce a high-current pulse through a laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at an anode of the laser diode. A current pulse measurement circuit receives a sense voltage developed at a sense resistance and generates, based on the sense voltage, a current sense signal that corresponds to the peak current amplitude of the high-current pulse through the laser diode.
H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
3.
CONFIGURABLE INTEGRATED POWER DELIVERY MODULE WITH ADAPTIVE POWER SHARING
A multi-port charger includes two or more integrated power delivery modules electrically coupled to an AC-to-DC power converter. Each of the integrated power delivery modules includes a module controller in signal communication with a digital communication bus, a USB-PD controller, a switch-mode DC-to-DC power converter which is configured to provide an adjustable output voltage to a sink device via a USB voltage bus, a first analog-to-digital converter (ADC) circuit in signal communication with the USB-PD controller and the USB voltage bus to generate a digital representation of the output voltage, and a second ADC circuit in signal communication with the USB-PD controller and the USB voltage bus to provide a digital representation of an output current provided by the switch-mode DC-to-DC power converter to the sink device.
A pulsed laser diode driver includes multiple resonant laser diode driver cells, each cell including an inductor having a first inductor terminal to receive a source voltage, a source capacitor coupled between the first inductor terminal and ground, a bypass capacitor having a first terminal connected to the first inductor terminal and a second terminal connected to a second inductor terminal, a laser diode having a cathode that is connected to the first inductor terminal and an anode that is connected to the second inductor terminal, and a bypass switch connected between the second inductor terminal and ground. Each cell's bypass switch is configured to control a current flow through that cell's respective inductor to produce a high-current pulse through that cell's laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of that cell's laser diode.
A pulsed laser diode driver includes a refresh circuit configured to generate a refresh current using a received input voltage. A current amplitude of the refresh current is controlled by the refresh circuit based on a voltage level of a source voltage received by the refresh circuit. A source capacitor of the pulsed laser diode driver is configured to receive the refresh current and to develop the source voltage therefrom. An inductor of the pulsed laser diode driver has a first terminal that is directly electrically connected to the source capacitor. One or more switches of the pulsed laser diode driver are configured to control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through a laser diode that corresponds to a peak current of a resonant waveform developed at an anode of the laser diode.
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser
A power converter includes a transformer having a primary-side winding connected to a switch, and a controller connected to a gate node of the switch. The controller includes a switch timing and control module to generate switch control pulses, a gate driver to receive the switch control pulses and generate gate control pulses therefrom to control the switch, and a gate drive controller to provide a switch transition speed control signal to the gate driver to control a switch transition speed of the switch for each pulse of the gate control pulses. Based on an operating mode of the power converter, the gate drive controller is configured to set the switch transition speed of the gate driver to a first speed for generating an initial gate control pulse and to set the switch transition speed of the gate driver to a second speed for generating subsequent gate control pulses.
H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
H02M 7/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type thyratron ou thyristor exigeant des moyens d'extinction utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/12 - Dispositions de réduction des harmoniques d'une entrée ou d'une sortie en courant alternatif
H03K 17/296 - Modifications pour permettre un choix d'intervalles de temps pour exécuter plusieurs opérations de commutation et arrêtant automatiquement leur fonctionnement lorsque le programme est terminé
7.
FEEDBACK VOLTAGE MODULATION TO REDUCE POWER CONVERTER QUIESCENT CURRENT
A method involves determining that a power converter is in a no-load or ultra-light load mode of operation. In response to determining that the power converter is in a no-load or ultra-light load mode of operation, a voltage amplitude of a feedback signal of the power converter is allowed to rise towards a voltage amplitude that is greater than or equal to a first threshold voltage level. Upon determining that the voltage amplitude of the feedback signal is greater than or equal to the first threshold voltage level, a first sequence of enabling pulses are issued to a primary side switch of the power converter to reduce a voltage amplitude of the feedback signal. Upon determining that the voltage amplitude of the feedback signal is greater than or equal to a second threshold voltage level, a normal mode of operation of the power converter is entered.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/092 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle les signaux de commande étant transmis optiquement
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A pulsed laser diode array driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage, a source capacitor coupled between the first terminal of the inductor and ground, a bypass capacitor connected between a second terminal of the inductor and ground, a bypass switch connected between the second terminal of the inductor and ground, a laser diode array with one or more rows of laser diodes, and one or more laser diode switches, each being connected between a respective row node of the laser diode array and ground. The laser diode switches and the bypass switch are configured to control a current flow through the inductor to produce respective high-current pulses through each row of the laser diode array, each of the high-current pulses corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at that row of the laser diode array.
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
In a delay circuit, first and second sets of transistors are connected in series between a supply voltage and a ground. The first and second sets of transistors both include a current source transistor, a cascode transistor, and a control transistor. The first set of transistors generates a current that charges a capacitor to generate a ramp signal with a positive slope. A first bias transistor may cause the ramp signal to be biased to ground upon activating the first set of transistors. The second set of transistors generates a current that discharges the capacitor to generate the ramp signal with a negative slope. A second bias transistor may cause the ramp signal to be biased to the supply voltage upon activating the second set of transistors. The delay circuit transitions the state of the output signal based on a voltage level of the ramp signal.
H03K 5/134 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés utilisant une chaîne de dispositifs actifs de retard avec des transistors à effet de champ
H03K 5/06 - Mise en forme d'impulsions par diminution de durée par l'utilisation de lignes à retard ou d'autres éléments à retard analogues
A laser diode driver includes a clock terminal to receive a clock signal, configuration terminals to receive configuration data, drive terminals, and charging terminals. A first charging terminal is operable to charge a source capacitor of a resonant circuit that includes the source capacitor, an inductor, and a bypass capacitor. Each drive terminal is operable to be directly electrically connected to an anode or cathode of a laser diode or to ground. A mode, output selection, and grouping of drive signals that are delivered to the laser diodes are configured based on the configuration data. The laser diode driver is operable to control a current flow through the resonant circuit to produce high-current pulses through the laser diodes, the high-current pulses corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at respective anodes of the laser diodes, a timing of the high-current pulses being synchronized using the clock signal.
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
A semiconductor device includes an active region, a LOCOS region formed within the active region and that extends vertically above a top surface of the active region, a gate region formed above the top surface of the active region, and a polysilicon resistor having a bottom surface that is offset vertically and physically isolated from a top surface of the LOCOS region. The active region includes a source region laterally disposed from the gate region, a drain region laterally disposed from the gate region, and a drift region laterally disposed between the gate region and the drain region. The polysilicon resistor is formed above the drift region. The active region further includes a first charge balance region formed in the active region below the drift region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
A transformer includes first and second primary windings serially electrically connected in a primary-side series combination. The transformer further includes a secondary winding disposed between the first primary winding and the second primary winding. The transformer further includes first and second shielding windings serially electrically connected in a shielding series combination. The first shielding winding is disposed between the first primary winding and the secondary winding, and the second shielding winding is disposed between the second primary winding and the secondary winding.
A method for forming a semiconductor device involves providing a semiconductor wafer having an active layer of a first conductivity type. First and second gates having first and second gate polysilicon are formed on the active layer. A first mask region is formed on the active layer. Between the first and second gates, using the first mask region, the first gate polysilicon, and the second gate polysilicon as a mask, a deep well of a second conductivity type, a shallow well of the second conductivity type, a source region of the first conductivity type, and first and second channel regions of the second conductivity type, are formed. In the active layer, using one or more second mask regions, first and second drift regions of the first conductivity type, first and second drain regions of the first conductivity type, and a source connection region of the second conductivity type, are formed.
A pulsed laser diode driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage. A source capacitor has a first terminal connected to the first terminal of the inductor to provide the source voltage. A bypass switch has a drain node connected to a second terminal of the inductor and to a first terminal of a bypass capacitor. A laser diode has an anode connected to the second terminal of the inductor and to the drain node of the bypass switch. A laser diode switch has a drain node connected to a cathode of the laser diode. The laser diode switch and the bypass switch control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through the laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode.
An apparatus includes a high-pass filter circuit configured to receive a drain- source voltage from a drain node of a synchronous rectifier switch at a secondary-side of a power converter and to generate a filtered drain-source voltage using the received drain- source voltage. A current comparison circuit of the apparatus is configured to receive a current indicative of a current through the synchronous rectifier switch and to generate a current comparison signal using the received current. An auto-tuning controller of the apparatus is configured to turn the synchronous rectifier switch on upon determining a body diode conduction of the synchronous rectifier switch, commence an auto-tuned delay upon determining that the current through the synchronous rectifier switch has changed direction, turn the synchronous rectifier switch off upon expiration of the auto-tuned delay, and update, during a detection window of time, a duration of the auto-tuned delay based on the filtered drain- source voltage.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
During a first mode of operation, a zero current detect (ZCD) signal is asserted in response to detecting a zero current condition at a switch node of a power converter. The power converter enters a light load mode of operation when the ZCD signal is asserted between a beginning point and a trigger point of a period of a PWM signal. A compensator voltage is generated based on a feedback voltage indicative of an output voltage. The compensator voltage is compared to a threshold voltage that represents a limit for the compensator voltage during the light load mode of operation determined over a range of the output voltage. The power converter exits the light load mode back to the first mode of operation in response to the compensator voltage being beyond the threshold voltage.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
An active clamp circuit for a power converter having a transformer includes a switch having a drain node, a gate node, and a source node, the drain node configured to be connected to a first terminal of a primary winding of the transformer, a capacitor having a first terminal connected to the source node, and a second terminal to be connected to a second terminal of the primary winding, a gate driver coupled to the gate node to control the switch and having a high-side input node and a low-side input node, the low-side input node being coupled to the first terminal of the capacitor, and a voltage regulator to: i) receive an input voltage from the second terminal of the capacitor, and ii) provide a regulated voltage to the high-side input node using the input voltage and being of a sufficient voltage level to control the switch.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
18.
LEAD FRAME PACKAGE HAVING CONDUCTIVE SURFACE WITH INTEGRAL LEAD FINGER
Disclosed is a device including a lead frame having a body with a top surface and a bottom surface and lead fingers. Each lead finger has a first end and a second end. A semiconductor die is coupled to the body. A first flag is a first exposed portion of the body and integral with the first end of a first lead finger. The first flag and the first lead finger are a continuous material. A second flag is a second exposed portion of the body and integral with the first end of a second lead finger. The second flag and the second lead finger are a continuous material. An encapsulant covers the die, the bottom surface of the body, the first end of the lead fingers and a portion of the top surface of the body. The flags are separated and electrically isolated from one another by the encapsulant.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A quasi-resonant auto-tuning controller includes a zero-voltage crossing detection circuit and a valley tuning finite-state machine having a look-up table. The zero-voltage crossing detection circuit receives a reference voltage and receives an auxiliary signal from an auxiliary winding. The zero-voltage crossing detection circuit produces a comparison signal having pulses when the auxiliary signal is less than the reference voltage. The valley tuning finite-state machine produces a divided pulse width based on the comparison signal, stores the divided pulse width of each pulse in the look-up table, determines, from the comparison signal, that the auxiliary signal is less than the reference voltage, waits a time period corresponding to the divided pulse width stored in the look-up table if the auxiliary signal is less than the reference voltage, and produces a valley point signal after waiting the time period.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
G01R 19/175 - Indications des instants de passage du courant ou de la tension par une valeur déterminée, p.ex. de passage par zéro
An active clamp circuit includes an active clamp switch having a drain node and a source node, an active clamp capacitor coupled in a series combination with the active clamp switch, a delay circuit, and an active clamp controller circuit coupled to the active clamp switch and to the delay circuit. The active clamp controller circuit is configured to i) receive an active clamp switch voltage based on a voltage developed across the drain node and the source node of the active clamp switch, ii) enable the active clamp switch based on a voltage amplitude of the active clamp switch voltage, and iii) disable the active clamp switch based on a delay signal generated by the delay circuit.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
21.
APPARATUS FOR OPTIMIZED TURN-OFF OF A CASCODE AMPLIFIER
An apparatus for turning off a cascode amplifier having a common-gate transistor and a common-source transistor is disclosed that includes the cascode amplifier, a feedback circuit, and a bias circuit. The feedback circuit is configured to receive a drain-voltage from the drain of the common-source transistor when the common-source transistor is switched to a first OFF state and produce a first feedback signal. The drain-voltage is equal to a source voltage of the common-gate transistor and the drain-voltage increases in response to switching the common-source transistor to the first OFF state. The bias circuit is configured to receive the first feedback signal and produce a bias-voltage. A first gate-voltage is produced from the bias-voltage. The cascode amplifier is configured to receive the first gate-voltage and a second gate-voltage. The common-gate transistor is configured to switch to a second OFF state in response to receiving the second gate-voltage.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c. à d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
An improved power converter produces power through a power switch in response to an activation signal that has an on-time and a switching frequency. An on-time signal has a constant on-time and controls the on-time of the activation signal. An error signal indicates that the switching frequency is not equal to a reference frequency. A step up signal and a step down signal are based on the error signal. A count signal is increased in response to the step up signal and decreased in response to the step down signal. An on-time pulse has a duration that is related to a value of the count signal. The on-time pulse controls the constant on-time of the on-time signal and maintains the switching frequency at about the reference frequency.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
An apparatus for controlling a power converter includes an analog-to-digital converter to generate a digital representation of a voltage sense signal indicative of an input voltage of the power converter. The apparatus includes a first comparison circuit to generate a first comparison signal using a current sense signal indicative of a current through a primary-side switch of the power converter. The apparatus includes a gate driver to provide a gate drive signal to the primary-side switch based on a control signal, and a digital controller. The digital controller is configured to produce a time scalar value using the digital representation of the voltage sense signal, produce a timing signal using the control signal and the first comparison signal, scale the timing signal using the time scalar value, and adjust a timing of the control signal to limit a peak current through the primary-side switch based on the scaled timing signal.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
24.
APPARATUS FOR REGULATING A BIAS-VOLTAGE OF A SWITCHING POWER SUPPLY
An apparatus for regulating a bias-voltage of a switching power supply is disclosed. The apparatus includes a cascode amplifier, feedback-circuit, and bias-regulator circuit. The cascode amplifier includes a common-gate transistor and common-source transistor, where a source of the common-gate transistor is in signal communication with a drain of the common-source transistor. The feedback-circuit is in signal communication with the source of the common-gate transistor and the drain of the common-source transistor and the bias-regulator circuit is in signal communication with a gate of the common-source transistor, a gate of the common-gate transistor, and the feedback-circuit. The feedback-circuit receives a drain-voltage from the drain of the common-source transistor and produces a feedback-voltage and the bias-regulator circuit is configured to receive the feedback-voltage and produce and regulate the bias-voltage. A gate-voltage is produced from the bias-voltage and the gate-voltage is injected into the gate of the common-gate transistor.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A lateral transistor tile is formed with first and second collector regions that longitudinally span first and second sides of the transistor tile; and a base region and an emitter region that are between the first and second collector regions and are both centered on a longitudinal midline of the transistor tile. A base-collector current, a collector-emitter current, and a base-emitter current flow horizontally; and the direction of the base-emitter current is perpendicular to the direction of the base-collector current and the collector-emitter current. Lateral BJT transistors having a variety of layouts are formed from a plurality of the tiles and share common components thereof.
H01L 27/082 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants bipolaires
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Embodiments of the disclosure include a switch having an on-state resistance that varies based on a temperature coefficient of the switch and an overcurrent protection circuit coupled to the switch and having an adjustable overcurrent threshold level determined based on an adjustable voltage generated by the overcurrent protection circuit, the adjustable voltage generated based on the temperature coefficient of the switch.
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
A semiconductor device includes an active region formed over a substrate. The active region includes a FET and a diode. The FET includes one or more FET fingers. Each FET finger includes a FET source region, a FET drain region, and a lateral FET gate electrode. The diode includes one or more diode fingers. Each of the diode fingers includes a diode anode region electrically coupled to the FET source region, a diode cathode region electrically coupled to the FET drain region, and a lateral diode gate electrode electrically coupled to the diode anode region and electrically isolated from the lateral FET gate electrode. The FET fingers are active fingers of the semiconductor device and the diode fingers are dummy fingers of the semiconductor device. The diode is configured to clamp a maximum voltage developed across the FET drain region and the FET source region.
A power converter controller includes a fractional valley controller configured to determine a target number of valleys of a resonant waveform at a drain node of a main switch, the target number of valleys corresponding to a desired off-time of the main switch, the fractional valley controller modulating an off-time of the main switch between two or more modulated off-times. The target number of valleys corresponds to a non-integer number of valleys of the resonant waveform at the drain node of the main switch. Each of the modulated off-times of the main switch corresponds to an integer number of valleys, and the two or more modulated off-times of the main switch has an average value that corresponds to the desired off-time.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
29.
SWITCHED-MODE POWER CONTROLLER WITH MULTI-MODE STARTUP
A switched-mode power controller includes a primary side controller circuit configured in a startup mode of operation to generate a fixed switching frequency pulse width modulation (PWM) signal with incrementing duty-ratio value. The PWM signal drives a main-switch that charges an inductive device with stored energy and discharges the stored energy into a capacitor on a secondary side to generate a power controller output voltage. Based on a comparison of the power controller output voltage with a reference voltage, the primary side controller circuit is configured to stop the incrementing of the duty-ratio of the PWM signal and begin a quasi-resonant mode of operation during which the primary side controller circuit reduces a number of valleys detected in one or more off-times of the main-switch in one or more respective main-switch switching periods.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
A flyback converter includes a primary-side circuit to receive an input voltage, a secondary-side circuit to generate an output voltage, a transformer coupling the primary-side circuit to the secondary-side circuit, a main switch coupled to a primary winding of the transformer, and a converter controller having a primary-side controller in signal communication with the main switch to control an on time and an off time of the main switch and to detect one or more valleys of a resonant waveform developed at the main switch during the off time of the main switch. The primary-side controller is configured to operate in a valley reduction mode of operation upon determining that the output voltage is less than a reference voltage minus a predetermined threshold value. The valley reduction mode of operation includes decrementing, for each switching cycle of the main switch, a number of valleys occurring during that switching cycle.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
An active clamp circuit includes an active clamp capacitor coupled in series with an active clamp switch and an active clamp controller circuit to receive an active clamp switch current that passes through the active clamp switch and to control the active clamp switch based on the received active clamp switch current. The active clamp controller circuit is configured to enable the active clamp switch based on a first amplitude comparison, the first amplitude comparison being based on the active clamp switch current. The active clamp controller circuit is configured to disable the active clamp switch based on a second amplitude comparison and a third amplitude comparison, the second amplitude comparison and the third amplitude comparison being based on the active clamp switch current.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
A power converter includes an input side to receive an input voltage, and an output side to provide an output voltage, a main switch, a controller, a transformer having a primary winding that couples the main switch to the input side, an active clamp switch coupled to the input side by an active clamp capacitor, and an active clamp controller circuit. The active clamp controller circuit includes a sampling circuit to generate a sampled main switch voltage, a delay circuit to generate a delayed sampled main switch voltage, a voltage comparison circuit, and an active clamp switch control circuit configured to i) enable the active clamp switch based on a first comparison between the sampled main switch voltage and the delayed sampled main switch voltage, and ii) disable the active clamp switch based on a second comparison between the sampled main switch voltage and the delayed sampled main switch voltage.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
33.
CONTROLLED CURRENT MANIPULATION FOR REGENERATIVE CHARGING OF GATE CAPACITANCE
A circuit for regenerative gate charging includes an inductor coupled to a gate of a FET. An output control circuit is coupled to a timing control circuit and a bridged inductor driver, which is coupled to the inductor. A sense circuit is coupled to the gate and to the timing control circuit, which receives a control signal, generates output control signals in accordance with a first switch timing profile, and transmits the output control signals to the output control circuit. In accordance with the first switch timing profile, the output control circuit holds switches of the bridged inductor driver in an ON state for a first period and holds all of the switches in an OFF state for a second period. Gate voltages are sampled during the second period and after the first period. The timing control circuit generates a second switch timing profile using the sampled voltages.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
A forward converter includes an input voltage source divided into multiple divided input voltage sources, each of which provides a portion of a total input voltage of the input voltage source. The forward converter includes an output circuit with an output capacitor, a transformer having multiple primary windings, a secondary winding, and a relaxation winding. Each primary winding is connected in series with a corresponding primary side switching device. A combination of the primary winding and the corresponding primary side switching device is in parallel with a corresponding divided voltage source. The secondary winding outputs a voltage via the output circuit. The relaxation winding is connected across the divided input voltage sources or the output capacitor. A controller circuit controls the primary side switching devices to control power flow from the input voltage source to the output capacitor based on an indication of a voltage across the output capacitor.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A configuration circuit for obtaining a digital code includes a controller circuit that generates a plurality of multibit control words. A digitally controlled current source circuit receives a multibit control word generated by the controller circuit. The digitally controlled current source circuit generates an output current that corresponds to the multibit control word in accordance with a predetermined output curve. A test voltage node receives the output current, and a test voltage develops in response to the output current. A reference voltage node develops a reference voltage, the level of which is independent of the multibit control word. A voltage comparison circuit (i) receives the test voltage and the reference voltage, (ii) compares the two voltages to produce a comparison result and (iii) sends the comparison result to the controller circuit. The digital code is obtained by the configuration circuit using the comparison result and the multibit control word.
A semiconductor package includes a leadframe having perimeter package leads and electrical connectors, a single semiconductor die having a back-side electrical contact and front-side electrical contacts, an electrically conductive clip ("clip"), and a top semiconductor die having a frontside and a backside. The single semiconductor die includes two or more transistors. Two or more of the front-side electrical contacts of the semiconductor die are electrically coupled to and physically mounted to respective electrical contacts of the leadframe. An electrical contact surface of the clip is electrically coupled to and physically mounted to an electrical connector of the leadframe. Another electrical contact surface of the clip is physically mounted to and electrically coupled to the back- side electrical contact of the semiconductor die. The backside of the top semiconductor die is physically mounted to yet another surface of the electrically conductive clip.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/485 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H01L 23/40 - Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
37.
CONNECTION ARRANGEMENTS FOR INTEGRATED LATERAL DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTORS
In an active layer over a semiconductor substrate, a semiconductor device has a first lateral diffusion field effect transistor (LDFET) that includes a source, a drain, and a gate, and a second LDFET that includes a source, a drain, and a gate. The source of the first LDFET and the drain of the second LDFET are electrically connected to a common node. A first front-side contact and a second front-side contact are formed over the active layer, and a substrate contact electrically connected to the semiconductor substrate is formed. Each of the first front-side contact, the second front- side contact, and the substrate contact is electrically connected to a different respective one of the drain of the first LDFET, the source of the second LDFET, and the common node.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor package includes a leadframe, having perimeter package leads and a ground voltage lead, a bottom semiconductor die flip-chip mounted to the leadframe, and a top semiconductor die. The bottom semiconductor die has a first frontside active layer with first frontside electrical contacts electrically connected to the leadframe, a first backside portion, and a buried oxide layer situated between the first frontside active layer and the first backside portion. The top semiconductor die is mounted to the first backside portion. The first frontside active layer includes a circuit electrically connected to the first backside portion by a backside electrical connection through the buried oxide layer. The first backside portion of the bottom semiconductor die is electrically connected to the ground voltage lead through a first electrical contact of the first frontside electrical contacts to minimize crosstalk.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/485 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
39.
CONDUCTIVE CLIP CONNECTION ARRANGEMENTS FOR SEMICONDUCTOR PACKAGES
Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages are disclosed. Some examples provide electrically conductive clip connection arrangements for semiconductor packages that improve electrical performance and fabrication reliability while maintaining compatibility with existing quality control processes. Some examples provide innovative conductive clip structures and die pad arrangements that broaden the range of options available for tailoring the physical configurations of one or more of the constituent conductive clips and/or die pads to achieve specific electrical performance targets.
H01L 23/40 - Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A combined voltage regulator and snubber circuit generally has a voltage regulator device in parallel with the energy storage element of the snubber circuit operatively connectable in series with a leakage inductance current path; the leakage inductance being part of a magnetic component utilized in a switch-mode power supply having an input voltage source, controllable semiconductor switches, freewheeling semiconductor switches, feedback controller, reactive energy storage components and a load; the voltage regulator generally providing constant or variable voltage to the gate driver of the controllable semiconductor and/or feedback controller.
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
G05F 5/00 - Systèmes de régulation de variables électriques par détection des écarts du signal électrique à l'entrée du système et par commande par ces écarts d'un dispositif intérieur au système pour obtenir un signal de sortie régulé
Various methods and devices that involve pulsed signals are disclosed. An example minimum pulse-width (MPW) circuit comprises a first and second logic circuit. A first input of the first logic circuit is connected to an input of the MPW circuit. A first input of the second logic circuit is communicatively coupled to an output of the first logic circuit. The MPW circuit also comprises a MPW filter circuit communicatively coupled to an output of the second logic circuit, a one-shot circuit communicatively coupled to an output of the minimum pulse-width filter circuit and located on a first feedback path, and another one-shot circuit communicatively coupled to the output of the minimum pulse-width filter circuit and located on a second feedback path. A second input of the first logic circuit is on the first feedback path. A second input of the second logic circuit is on the second feedback path.
H03K 5/156 - Dispositions dans lesquelles un train d'impulsions est transformé en un train ayant une caractéristique désirée
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
Various methods and devices that involve snubber circuits for switching power converters are disclosed. An example power converter has a snubbing circuit. The snubber circuit comprises a bypass capacitor connecting an input node of the power converter to a ground node of the power converter, a decoupling capacitor that connects the input node of the power converter to a snubber node, and a snubbing resistor that connects the snubber node to the ground node. The snubbing resistor connects the decoupling capacitor to the ground node of the power converter. The snubbing resistor is greater than 1 ohm. The decoupling capacitor is greater than 5 nanofarads and less than 0.5 microfarads. The bypass capacitor is greater than 1 microfarads.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
43.
POWER CONVERTER WITH PREDICTIVE PULSE WIDTH MODULATOR
Various methods and devices that involve control circuits for power converters are disclosed. One method comprises controlling a switch using a control signal based on a comparison signal. The switch controls a transfer of power between an input node, which receives an input, and an output node. The method comprises measuring an output of the power converter, generating an error signal based on the output, generating a periodic ramp signal with a varying period, providing the error signal to a first input terminal of a comparator, providing the ramp signal to a second input terminal of the comparator, and generating the comparison signal based on the error signal and the ramp signal using the comparator. The method comprises increasing a slope of the ramp signal in response to an increase in the input, and increasing the slope of the ramp signal in response to a decrease in the varying period.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
A switch-mode power supply controller controls a circuit that includes a flyback- based, switch-mode power supply in the context of an input voltage source, a USB Type-C PD controller and an output load. The switch-mode power supply controller may be configured to estimate input voltage based on a measured magnetizing inductance discharge time. Furthermore, the switch-mode power supply controller may be configured to estimate output voltage based on the measured magnetizing inductance discharge time and the estimated input voltage. Still further, the estimated voltages may be used by the switch- mode power supply controller to limit certain currents and optimize power efficiency. Even further, the estimated and measured value may be employed by the switch-mode power supply controller to estimate and indicate brownout conditions.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs
45.
SWITCHING MODE POWER SUPPLY WITH ANTI-WINDUP CIRCUIT
The anti-windup circuit generally has a voltage clamping device in series with a current limiting device operatively connectable to the output current path of a feedback compensator; the feedback compensator being part of a switch-mode power supply (SMPS) having an input voltage source and a load and generating constrained control values required to generate control on-off actions for tight power regulation. The inclusion of the disclosed anti-windup circuit in an SMPS may lead to hardware based overvoltage protection, reduced overall size and faster response to load changes.
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
46.
AC/DC POWER ADAPTER WITH ACCESSIBLE INTERNAL MEMORY
A power adapter for supplying electrical power to a mobile device. The power adapter includes a processor and an interface for data communication and power transmission with the mobile device, memory internal to a casing of the power adapter, and an AC/DC power conversion circuit electrically coupled to the processor. The AC/DC power conversion circuit is configured to receive an AC power input and convert the AC power input to a DC power output over the interface for the mobile device. The processor is configured to: recognize a load associated with the mobile device connected to the DC power output; set the DC power output based on the load; receive backup data from the mobile device over the interface; and store the backup data from the mobile device within the memory.
H02M 7/04 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques
G06F 12/16 - Protection contre la perte de contenus de mémoire
H02J 1/00 - Circuits pour réseaux principaux ou de distribution, à courant continu
The combined voltage regulator and snubber circuit generally has a voltage regulator device in parallel with the energy storage element of the snubber circuit operatively connectable in series with a leakage inductance current path; the leakage inductance 5 being part of a magnetic component utilized in a switch-mode power supply having an input voltage source, controllable semiconductor switches, freewheeling semiconductor switches, feedback controller, reactive energy storage components and a load; the voltage regulator generally providing constant or variable voltage to the gate driver of the controllable semiconductor and/or feedback controller; the snubber circuit generally 10 recycling leakage inductance energy to the input capacitor of a neighbouring cell in a multi-cell stacked converter.
Various methods and devices that involve power converter with stable feedback are disclosed. A disclosed power converter comprises an input node on an input side of the power converter and an output node on an output side of the power converter. The power converter also comprises a switch coupled to the input node and having a control node, a feedback path between the output node and the control node, and a first circuit block on the feedback path with a multipath feedback active filter. The first circuit block is at least partly defined by a pure bandpass transfer function.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
G06F 1/26 - Alimentation en énergie électrique, p.ex. régulation à cet effet
49.
QUASI-LATERAL DIFFUSION TRANSISTOR WITH DIAGONAL CURRENT FLOW DIRECTION
A quasi-lateral diffusion transistor is formed in a semiconductor-on-insulator (SOI) wafer by forming a gate region, a body region, a drift region, and a source region and bonding a handle wafer to the SOI wafer at a first side (e.g., top side) of the SOI wafer; and removing a semiconductor substrate of the SOI wafer, forming a hole in a buried insulator layer of the SOI wafer, and forming a drain region for the transistor at a second side (e.g., bottom side) of the SOI wafer. The body region and the drift region physically contact the buried insulator layer. The drain region is formed in a bottom portion of the drift region exposed by the hole and is laterally offset from the source region. In operation of the quasi-lateral diffusion transistor, a current flow direction through the semiconductor layer is diagonal between the source region and the drain region.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
Various methods and devices that involve body contacted transistors are disclosed. An exemplary method comprises forming a gate on a planar surface of a semiconductor wafer. The gate covers a channel of a first conductivity type that is opposite to a second conductivity type. The method also comprises implanting a body dose of dopants on a source side of the gate using the gate to mask the body dose of dopants. The body dose of dopants spreads underneath the channel to form a deep well. The body dose of dopants has the first conductivity type. The method also comprises implanting, subsequent to implanting the body dose of dopants, a source dose of dopants on the source side of the gate to form a source. The method also comprises forming a source contact that is in contact with the deep well at the planar surface of the semiconductor wafer.
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
An LDFET is disclosed. A source region is electrically coupled to a source contact. A lightly doped drain (LDD) region has a lower dopant concentration than the source region, and is separated from the source region by a channel. A highly doped drain region forms an electrically conductive path between a drain contact and the LDD region. A gate electrode is located above the channel and separated from the channel by a gate dielectric. A shield plate is located above the gate electrode and the LDD region, and is separated from the LDD region, the gate electrode, and the source contact by a dielectric layer. A control circuit applies a variable voltage to the shield plate that: (1) accumulates a top layer of the LDD region before the transistor is switched on; and (2) depletes the top layer of the LDD region before the transistor is switched off.
brevets
