A pulsed laser diode driver includes a source capacitor that receives a refresh current at a first terminal and develops a source voltage therefrom. A first terminal of an inductor is connected to the first terminal of the source capacitor. A second terminal of the inductor is connected to an anode of a laser diode and a bypass capacitor. One or more switches are configured to control a current flow through the inductor. A timing and control circuit is configured to receive the source voltage and to generate one or more gate driver signals to control the switches to produce a high- current pulse through the laser diode. The high-current pulse corresponds to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode. A timing of the one or more gate driver signals is based on a voltage level of the source voltage.
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
2.
Auto Flux Timing for Current Resonant Laser Diode Driver
A pulsed laser diode driver includes a source capacitor that receives a refresh current at a first terminal and develops a source voltage therefrom. A first terminal of an inductor is connected to the first terminal of the source capacitor. A second terminal of the inductor is connected to an anode of a laser diode and a bypass capacitor. One or more switches are configured to control a current flow through the inductor. A timing and control circuit is configured to receive the source voltage and to generate one or more gate driver signals to control the switches to produce a high-current pulse through the laser diode. The high-current pulse corresponds to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode. A timing of the one or more gate driver signals is based on a voltage level of the source voltage.
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
3.
PULSED LASER DIODE DRIVER CURRENT MEASUREMENT CIRCUIT
A pulsed laser diode driver includes a laser diode switch and a bypass switch to control a current flow through an inductor to produce a high-current pulse through a laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at an anode of the laser diode. A current pulse measurement circuit receives a sense voltage developed at a sense resistance and generates, based on the sense voltage, a current sense signal that corresponds to the peak current amplitude of the high-current pulse through the laser diode.
A pulsed laser diode driver includes a laser diode switch and a bypass switch to control a current flow through an inductor to produce a high-current pulse through a laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at an anode of the laser diode. A current pulse measurement circuit receives a sense voltage developed at a sense resistance and generates, based on the sense voltage, a current sense signal that corresponds to the peak current amplitude of the high-current pulse through the laser diode.
H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
5.
CONFIGURABLE INTEGRATED POWER DELIVERY MODULE WITH ADAPTIVE POWER SHARING
A multi-port charger includes two or more integrated power delivery modules electrically coupled to an AC-to-DC power converter. Each of the integrated power delivery modules includes a module controller in signal communication with a digital communication bus, a USB-PD controller, a switch-mode DC-to-DC power converter which is configured to provide an adjustable output voltage to a sink device via a USB voltage bus, a first analog-to-digital converter (ADC) circuit in signal communication with the USB-PD controller and the USB voltage bus to generate a digital representation of the output voltage, and a second ADC circuit in signal communication with the USB-PD controller and the USB voltage bus to provide a digital representation of an output current provided by the switch-mode DC-to-DC power converter to the sink device.
A multi-port charger includes two or more integrated power delivery modules electrically coupled to an AC-to-DC power converter. Each of the integrated power delivery modules includes a module controller in signal communication with a digital communication bus, a USB-PD controller, a switch-mode DC-to-DC power converter which is configured to provide an adjustable output voltage to a sink device via a USB voltage bus, a first analog-to-digital converter (ADC) circuit in signal communication with the USB-PD controller and the USB voltage bus to generate a digital representation of the output voltage, and a second ADC circuit in signal communication with the USB-PD controller and the USB voltage bus to provide a digital representation of an output current provided by the switch-mode DC-to-DC power converter to the sink device.
H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
H02J 7/04 - Régulation du courant ou de la tension de charge
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A power converter includes a transformer having a primary-side winding connected to a switch, and a controller connected to a gate node of the switch. The controller includes a switch timing and control module to generate switch control pulses, a gate driver to receive the switch control pulses and generate gate control pulses therefrom to control the switch, and a gate drive controller to provide a switch transition speed control signal to the gate driver to control a switch transition speed of the switch for each pulse of the gate control pulses. Based on an operating mode of the power converter, the gate drive controller is configured to set the switch transition speed of the gate driver to a first speed for generating an initial gate control pulse and to set the switch transition speed of the gate driver to a second speed for generating subsequent gate control pulses.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A semiconductor structure for facilitating an integration of power devices on a common substrate includes a first insulating layer formed on the substrate and an active region having a first conductivity type formed on at least a portion of the first insulating layer. A first terminal is formed on an upper surface of the structure and electrically connects with at least one other region having the first conductivity type formed in the active region. A buried well having a second conductivity type is formed in the active region and is coupled with a second terminal formed on the upper surface of the structure. The buried well and the active region form a clamping diode which positions a breakdown avalanche region between the buried well and the first terminal. A breakdown voltage of at least one of the power devices is a function of characteristics of the buried well.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
An apparatus for turning off a cascode amplifier having a common-base transistor and a common-emitter transistor is disclosed that includes the cascode amplifier, a feedback circuit, and a bias circuit. The feedback circuit is configured to receive a collector-voltage from the collector of the common-emitter transistor when the common-emitter transistor is switched to a first OFF state and produce a first feedback signal. The collector-voltage is equal to a emitter voltage of the common-base transistor and the collector-voltage increases in response to switching the common-emitter transistor to the first OFF state. The bias circuit is configured to receive the first feedback signal and produce a bias-voltage. A first base-voltage is produced from the bias-voltage. The cascode amplifier is configured to receive the first base-voltage and a second base-voltage. The common-base transistor is configured to switch to a second OFF state in response to receiving the second base-voltage.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
An apparatus includes a first lateral diffusion field effect transistor (LDFET) having a first threshold voltage and that includes a first gate electrode, a first drain contact, a first source contact, and a first electrically conductive shield plate separated from the first gate electrode and the first source contact by a first interlayer dielectric. A second LDFET of the apparatus has a second threshold voltage and includes a second gate electrode, a second drain contact, and a second source contact. The second source contact is electrically connected to the first source contact of the first LDFET. A control circuit of the apparatus is electrically coupled to the first electrically conductive shield plate and is configured to apply to the first electrically conductive shield plate a first gate bias voltage of a first level to set the first threshold voltage of the first LDFET to a first desired threshold voltage.
A semiconductor structure that includes at least one lateral diffusion field effect transistor is described. The structure includes a source contact and a gate shield that enables the line width of an ohmic region that electrically connects the source/body region to the gate shield to be smaller than the minimum contact feature size. The gate shield defines a bottom recess for forming a narrower bottom portion of the source contact, and a section that flares outward with distance from the ohmic region to extend above and laterally beyond the ohmic region. By providing a wider area for the source contact, the flared portion of the gate shield allows the portion of the gate shield that contacts the ohmic region to be narrower than the minimum contact feature size. As a result, the cell pitch of the lateral diffusion field effect transistor can be reduced.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A pulsed laser diode driver includes multiple resonant laser diode driver cells, each cell including an inductor having a first inductor terminal to receive a source voltage, a source capacitor coupled between the first inductor terminal and ground, a bypass capacitor having a first terminal connected to the first inductor terminal and a second terminal connected to a second inductor terminal, a laser diode having a cathode that is connected to the first inductor terminal and an anode that is connected to the second inductor terminal, and a bypass switch connected between the second inductor terminal and ground. Each cell's bypass switch is configured to control a current flow through that cell's respective inductor to produce a high-current pulse through that cell's laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of that cell's laser diode.
A pulsed laser diode driver includes multiple resonant laser diode driver cells, each cell including an inductor having a first inductor terminal to receive a source voltage, a source capacitor coupled between the first inductor terminal and ground, a bypass capacitor having a first terminal connected to the first inductor terminal and a second terminal connected to a second inductor terminal, a laser diode having a cathode that is connected to the first inductor terminal and an anode that is connected to the second inductor terminal, and a bypass switch connected between the second inductor terminal and ground. Each cell's bypass switch is configured to control a current flow through that cell's respective inductor to produce a high-current pulse through that cell's laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of that cell's laser diode.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A pulsed laser diode driver includes an inductor having a first terminal to receive a source voltage, and a second terminal, a source capacitor coupled between the first terminal of the inductor and ground, a bypass capacitor having a first terminal connected to the first terminal of the inductor and a second terminal connected to the second terminal of the inductor, a laser diode having a cathode that is connected to the first terminal of the inductor and an anode that is connected to the second terminal of the inductor, and a bypass switch connected between the second terminal of the inductor and ground. The bypass switch is configured to control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through the laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode.
A method involves determining that a power converter is in a discontinuous, no-load, or ultra-light load mode of operation. In response, a voltage amplitude of a feedback signal of the power converter rises towards a voltage amplitude that is greater than or equal to a first threshold voltage level. Upon determining that the voltage amplitude of the feedback signal is greater than or equal to the first threshold voltage level, a first enabling pulse is issued to a primary side switch of the power converter to reduce a voltage amplitude of the feedback signal. Upon determining that the voltage amplitude of the feedback signal is greater than or equal to a second threshold voltage level, a normal mode of operation of the power converter is entered.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A pulsed laser diode driver includes a refresh circuit configured to generate a refresh current using a received input voltage. A current amplitude of the refresh current is controlled by the refresh circuit based on a voltage level of a source voltage received by the refresh circuit. A source capacitor of the pulsed laser diode driver is configured to receive the refresh current and to develop the source voltage therefrom. An inductor of the pulsed laser diode driver has a first terminal that is directly electrically connected to the source capacitor. One or more switches of the pulsed laser diode driver are configured to control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through a laser diode that corresponds to a peak current of a resonant waveform developed at an anode of the laser diode.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 19/20 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p.ex. circuits ET, OU, NI, NON
A pulsed laser diode driver includes a refresh circuit configured to generate a refresh current using a received input voltage. A current amplitude of the refresh current is controlled by the refresh circuit based on a voltage level of a source voltage received by the refresh circuit. A source capacitor of the pulsed laser diode driver is configured to receive the refresh current and to develop the source voltage therefrom. An inductor of the pulsed laser diode driver has a first terminal that is directly electrically connected to the source capacitor. One or more switches of the pulsed laser diode driver are configured to control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through a laser diode that corresponds to a peak current of a resonant waveform developed at an anode of the laser diode.
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser
A pulsed laser diode driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage. A source capacitor has a first terminal connected to the first terminal of the inductor to provide the source voltage. A bypass switch has a drain node connected to a second terminal of the inductor and to a first terminal of a bypass capacitor. A laser diode switch has a drain node connected to the second terminal of the inductor. A laser diode has an anode connected to a source node of the laser diode switch and a cathode connected to a bias voltage node. The laser diode switch and the bypass switch control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through the laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode.
A transistor is switched on and off with an on-time that is held constant and an off-time that is varied. When the off-time is detected to be less than a threshold value that is greater than a minimum off-time limit, the on-time is extended. Then the power transistor is switched on and off with the extended on-time that is held constant and the off-time that varies.
H03K 3/017 - Réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
A power converter includes a transformer having a primary-side winding connected to a switch, and a controller connected to a gate node of the switch. The controller includes a switch timing and control module to generate switch control pulses, a gate driver to receive the switch control pulses and generate gate control pulses therefrom to control the switch, and a gate drive controller to provide a switch transition speed control signal to the gate driver to control a switch transition speed of the switch for each pulse of the gate control pulses. Based on an operating mode of the power converter, the gate drive controller is configured to set the switch transition speed of the gate driver to a first speed for generating an initial gate control pulse and to set the switch transition speed of the gate driver to a second speed for generating subsequent gate control pulses.
H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
H02M 7/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type thyratron ou thyristor exigeant des moyens d'extinction utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/12 - Dispositions de réduction des harmoniques d'une entrée ou d'une sortie en courant alternatif
H03K 17/296 - Modifications pour permettre un choix d'intervalles de temps pour exécuter plusieurs opérations de commutation et arrêtant automatiquement leur fonctionnement lorsque le programme est terminé
A power converter includes a transformer having a primary-side winding connected to a switch, and a controller connected to a gate node of the switch. The controller includes a switch timing and control module to generate switch control pulses, a gate driver to receive the switch control pulses and generate gate control pulses therefrom to control the switch, and a gate drive controller to provide a switch transition speed control signal to the gate driver to control a switch transition speed of the switch for each pulse of the gate control pulses. Based on an operating mode of the power converter, the gate drive controller is configured to set the switch transition speed of the gate driver to a first speed for generating an initial gate control pulse and to set the switch transition speed of the gate driver to a second speed for generating subsequent gate control pulses.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
H03K 17/042 - Modifications pour accélérer la commutation par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
22.
CONTROLLED CURRENT MANIPULATION FOR REGENERATIVE CHARGING OF GATE CAPACITANCE
A regenerative gate charging circuit includes an inductor coupled to a gate of a FET. An output control circuit is coupled to a timing control circuit and a bridged inductor driver, which is coupled to the inductor. A sense circuit is coupled to the gate and to the timing control circuit, which receives a control signal, generates output control signals in accordance with a first timing profile, and transmits the output control signals to the output control circuit. In accordance with the first timing profile, the output control circuit holds switches or controllable current sources of the bridged inductor driver in an ON state for a first period and holds the switches or controllable current sources in an OFF state for a second period. Gate voltages are sampled during the second period and after the first period. The timing control circuit generates a second timing profile using the sampled voltages.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A transformer includes first and second primary windings serially electrically connected in a primary-side series combination. The transformer further includes a secondary winding disposed between the first primary winding and the second primary winding. The transformer further includes first and second shielding windings serially electrically connected in a shielding series combination. The first shielding winding is disposed between the first primary winding and the secondary winding, and the second shielding winding is disposed between the second primary winding and the secondary winding.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
A pulsed laser diode array driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage, a source capacitor coupled between the first terminal of the inductor and ground, a bypass capacitor connected between a second terminal of the inductor and ground, a bypass switch connected between the second terminal of the inductor and ground, a laser diode array with one or more rows of laser diodes, and one or more laser diode switches, each being connected between a respective row node of the laser diode array and ground. The laser diode switches and the bypass switch are configured to control a current flow through the inductor to produce respective high-current pulses through each row of the laser diode array, each of the high-current pulses corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at that row of the laser diode array.
A quasi-resonant auto-tuning controller includes a zero-voltage crossing detection circuit and a valley tuning finite-state machine having a look-up table. The zero-voltage crossing detection circuit receives a reference voltage and receives an auxiliary signal from an auxiliary winding. The zero-voltage crossing detection circuit produces a comparison signal having pulses when the auxiliary signal is less than the reference voltage. The valley tuning finite-state machine produces a divided pulse width based on the comparison signal, stores the divided pulse width of each pulse in the look-up table, determines, from the comparison signal, that the auxiliary signal is less than the reference voltage, waits a time period corresponding to the divided pulse width stored in the look-up table if the auxiliary signal is less than the reference voltage, and produces a valley point signal after waiting the time period.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
An improved circuit or method generates first and second initial pulses that do not overlap. First and second drive pulses are generated based on the first and second initial pulses, respectively. A first transistor is turned on with the first drive pulses. A second transistor is turned on with the second drive pulses. A current flows in response to an on-time state of the first transistor overlapping with an on-time state of the second transistor. A delay of the second drive pulses is decreased based on a time of the current flow overlapping with one of the first initial pulses; and the delay of the second drive pulses is increased based on the time of the current flow overlapping with one of the second initial pulses.
H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
H03K 21/38 - Démarrage, arrêt ou remise à une valeur initiale du compteur
H03K 5/133 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés utilisant une chaîne de dispositifs actifs de retard
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H03K 5/00 - Transformation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe
A lateral transistor tile is formed with first and second collector regions that longitudinally span first and second sides of the transistor tile; and a base region and an emitter region that are between the first and second collector regions and are both centered on a longitudinal midline of the transistor tile. A base-collector current, a collector-emitter current, and a base-emitter current flow horizontally; and the direction of the base-emitter current is perpendicular to the direction of the base-collector current and the collector-emitter current. Lateral BJT transistors having a variety of layouts are formed from a plurality of the tiles and share common components thereof.
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
28.
Apparatus for optimized turn-off of a cascode amplifier
An apparatus for turning off a cascode amplifier having a common-gate transistor and a common-source transistor is disclosed that includes the cascode amplifier, a feedback circuit, and a bias circuit. The feedback circuit is configured to receive a drain-voltage from the drain of the common-source transistor when the common-source transistor is switched to a first OFF state and produce a first feedback signal. The drain-voltage is equal to a source voltage of the common-gate transistor and the drain-voltage increases in response to switching the common-source transistor to the first OFF state. The bias circuit is configured to receive the first feedback signal and produce a bias-voltage. A first gate-voltage is produced from the bias-voltage. The cascode amplifier is configured to receive the first gate-voltage and a second gate-voltage. The common-gate transistor is configured to switch to a second OFF state in response to receiving the second gate-voltage.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
An improved ramp generator enables a very high degree of linearity in an output voltage ramp signal. Output ramps of the output voltage ramp signal are alternatingly produced from two preliminary ramp signals during alternating time periods. Preliminary ramps are produced at different preliminary ramp nodes that are alternatingly connected to an output node. The preliminary ramps continuously ramp during and in some cases beyond, e.g., before and/or after, the time periods. In some embodiments, switches alternatingly connect two capacitors to at least one current source, a reset voltage source, and the output node to alternatingly produce the preliminary ramps.
H03K 4/50 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins à forme triangulaire en dents de scie utilisant comme éléments actifs des dispositifs à semi-conducteurs dans laquelle la tension en dents de scie est produite à travers un condensateur
An improved power converter produces power through a power switch in response to an activation signal that has an on-time and a switching frequency. An on-time signal has a constant on-time and controls the on-time of the activation signal. An error signal indicates that the switching frequency is not equal to a reference frequency. A step up signal and a step down signal are based on the error signal. A count signal is increased in response to the step up signal and decreased in response to the step down signal. An on-time pulse has a duration that is related to a value of the count signal. The on-time pulse controls the constant on-time of the on-time signal and maintains the switching frequency at about the reference frequency.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
In a delay circuit, first and second sets of transistors are connected in series between a supply voltage and a ground. The first and second sets of transistors both include a current source transistor, a cascode transistor, and a control transistor. The first set of transistors generates a current that charges a capacitor to generate a ramp signal with a positive slope. A first bias transistor may cause the ramp signal to be biased to ground upon activating the first set of transistors. The second set of transistors generates a current that discharges the capacitor to generate the ramp signal with a negative slope. A second bias transistor may cause the ramp signal to be biased to the supply voltage upon activating the second set of transistors. The delay circuit transitions the state of the output signal based on a voltage level of the ramp signal.
H03K 5/134 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés utilisant une chaîne de dispositifs actifs de retard avec des transistors à effet de champ
H03K 5/00 - Transformation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe
H03K 5/13 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés
32.
FEEDBACK VOLTAGE MODULATION TO REDUCE POWER CONVERTER QUIESCENT CURRENT
A method involves determining that a power converter is in a no-load or ultra-light load mode of operation. In response to determining that the power converter is in a no-load or ultra-light load mode of operation, a voltage amplitude of a feedback signal of the power converter is allowed to rise towards a voltage amplitude that is greater than or equal to a first threshold voltage level. Upon determining that the voltage amplitude of the feedback signal is greater than or equal to the first threshold voltage level, a first sequence of enabling pulses are issued to a primary side switch of the power converter to reduce a voltage amplitude of the feedback signal. Upon determining that the voltage amplitude of the feedback signal is greater than or equal to a second threshold voltage level, a normal mode of operation of the power converter is entered.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/092 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle les signaux de commande étant transmis optiquement
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
33.
Feedback voltage modulation to reduce power converter quiescent current
A method involves determining that a power converter is in a no-load or ultra-light load mode of operation. In response to determining that the power converter is in a no-load or ultra-light load mode of operation, a voltage amplitude of a feedback signal of the power converter is allowed to rise towards a voltage amplitude that is greater than or equal to a first threshold voltage level. Upon determining that the voltage amplitude of the feedback signal is greater than or equal to the first threshold voltage level, a first sequence of enabling pulses are issued to a primary side switch of the power converter to reduce a voltage amplitude of the feedback signal. Upon determining that the voltage amplitude of the feedback signal is greater than or equal to a second threshold voltage level, a normal mode of operation of the power converter is entered.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A laser diode driver includes a clock terminal to receive a clock signal, configuration terminals to receive configuration data, drive terminals, and charging terminals. A first charging terminal is operable to charge a source capacitor of a resonant circuit that includes the source capacitor, an inductor, and a bypass capacitor. Each drive terminal is operable to be directly electrically connected to an anode or cathode of a laser diode or to ground. A mode, output selection, and grouping of drive signals that are delivered to the laser diodes are configured based on the configuration data. The laser diode driver is operable to control a current flow through the resonant circuit to produce high-current pulses through the laser diodes, the high-current pulses corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at respective anodes of the laser diodes, a timing of the high-current pulses being synchronized using the clock signal.
H01S 5/0233 - Configuration de montage des puces laser
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
A pulsed laser diode array driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage, a source capacitor coupled between the first terminal of the inductor and ground, a bypass capacitor connected between a second terminal of the inductor and ground, a bypass switch connected between the second terminal of the inductor and ground, a laser diode array with one or more rows of laser diodes, and one or more laser diode switches, each being connected between a respective row node of the laser diode array and ground. The laser diode switches and the bypass switch are configured to control a current flow through the inductor to produce respective high-current pulses through each row of the laser diode array, each of the high-current pulses corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at that row of the laser diode array.
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
A pulsed laser diode array driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage, a source capacitor coupled between the first terminal of the inductor and ground, a bypass capacitor connected between a second terminal of the inductor and ground, a bypass switch connected between the second terminal of the inductor and ground, a laser diode array with one or more rows of laser diodes, and one or more laser diode switches, each being connected between a respective row node of the laser diode array and ground. The laser diode switches and the bypass switch are configured to control a current flow through the inductor to produce respective high-current pulses through each row of the laser diode array, each of the high-current pulses corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at that row of the laser diode array.
Embodiments of the disclosure include a switch having an on-state resistance that varies based on a temperature coefficient of the switch and an overcurrent protection circuit coupled to the switch and having an adjustable overcurrent threshold level determined based on an adjustable voltage generated by the overcurrent protection circuit, the adjustable voltage generated based on the temperature coefficient of the switch.
H02H 3/05 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion - Détails avec des moyens pour accroître la fiabilité, p.ex. dispositifs redondants
H02H 1/00 - CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ - Détails de circuits de protection de sécurité
H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
A semiconductor package includes a leadframe having an electrically conductive paddle, electrically conductive perimeter package leads, a first electrically conductive clip electrically connected to a first set of the package leads, and a second electrically conductive clip electrically connected to a second set of the package leads. The semiconductor package includes a single semiconductor die. The die includes a front-side active layer having an integrated power structure of two or more transistors. The die includes a backside portion having a backside contact electrically coupled to at least one of the two or more transistors and to the paddle. One or more first front-side contacts of the die are electrically coupled to at least one of the transistors and to the first clip, and one or more second front-side contacts of the die are electrically coupled to at least one of the transistors and to the second clip.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 23/535 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées
A quasi-resonant auto-tuning controller includes a zero-voltage crossing detection circuit and a valley tuning finite-state machine having a look-up table. The zero-voltage crossing detection circuit receives a reference voltage and receives an auxiliary signal from an auxiliary winding. The zero-voltage crossing detection circuit produces a comparison signal having pulses when the auxiliary signal is less than the reference voltage. The valley tuning finite-state machine produces a divided pulse width based on the comparison signal, stores the divided pulse width of each pulse in the look-up table, determines, from the comparison signal, that the auxiliary signal is less than the reference voltage, waits a time period corresponding to the divided pulse width stored in the look-up table if the auxiliary signal is less than the reference voltage, and produces a valley point signal after waiting the time period.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
A thyristor tile includes first and second PNP tiles and first and second NPN tiles. Each PNP tile is adjacent to both NPN tiles, and each NPN tile is adjacent to both PNP tiles. A thyristor includes a plurality of PNP tiles and a plurality of NPN tiles. The PNP and NPN tiles are arranged in an alternating configuration in both rows and columns. The PNP tiles are oriented perpendicular to the NPN tiles. Interconnect layers have a geometry that enables even distribution of signals to the PNP and NPN tiles.
H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 27/08 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
A semiconductor structure for facilitating an integration of power devices on a common substrate includes a first insulating layer formed on the substrate and an active region having a first conductivity type formed on at least a portion of the first insulating layer. A first terminal is formed on an upper surface of the structure and electrically connects with at least one other region having the first conductivity type formed in the active region. A buried well having a second conductivity type is formed in the active region and is coupled with a second terminal formed on the upper surface of the structure. The buried well and the active region form a clamping diode which positions a breakdown avalanche region between the buried well and the first terminal. A breakdown voltage of at least one of the power devices is a function of characteristics of the buried well.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
A method for forming a semiconductor device involves providing a semiconductor wafer having an active layer of a first conductivity type. First and second gates having first and second gate polysilicon are formed on the active layer. A first mask region is formed on the active layer. Between the first and second gates, using the first mask region, the first gate polysilicon, and the second gate polysilicon as a mask, a deep well of a second conductivity type, a shallow well of the second conductivity type, a source region of the first conductivity type, and first and second channel regions of the second conductivity type, are formed. In the active layer, using one or more second mask regions, first and second drift regions of the first conductivity type, first and second drain regions of the first conductivity type, and a source connection region of the second conductivity type, are formed.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
A power transistor is switched on and off with an on-time that is held constant and an off-time that is varied. When the off-time is detected to be less than a threshold value that is greater than a minimum off-time limit, the on-time is extended. Then the power transistor is switched on and off with the extended on-time that is held constant and the off-time that varies.
H03K 3/017 - Réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
In a delay circuit, first and second sets of transistors are connected in series between a supply voltage and a ground. The first and second sets of transistors both include a current source transistor, a cascode transistor, and a control transistor. The first set of transistors generates a current that charges a capacitor to generate a ramp signal with a positive slope. A first bias transistor may cause the ramp signal to be biased to ground upon activating the first set of transistors. The second set of transistors generates a current that discharges the capacitor to generate the ramp signal with a negative slope. A second bias transistor may cause the ramp signal to be biased to the supply voltage upon activating the second set of transistors. The delay circuit transitions the state of the output signal based on a voltage level of the ramp signal.
H03K 5/134 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés utilisant une chaîne de dispositifs actifs de retard avec des transistors à effet de champ
H03K 5/06 - Mise en forme d'impulsions par diminution de durée par l'utilisation de lignes à retard ou d'autres éléments à retard analogues
In a delay circuit, first and second sets of transistors are connected in series between a supply voltage and a ground. The first and second sets of transistors both include a current source transistor, a cascode transistor, and a control transistor. The first set of transistors generates a current that charges a capacitor to generate a ramp signal with a positive slope. A first bias transistor may cause the ramp signal to be biased to ground upon activating the first set of transistors. The second set of transistors generates a current that discharges the capacitor to generate the ramp signal with a negative slope. A second bias transistor may cause the ramp signal to be biased to the supply voltage upon activating the second set of transistors. The delay circuit transitions the state of the output signal based on a voltage level of the ramp signal.
H03K 5/134 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés utilisant une chaîne de dispositifs actifs de retard avec des transistors à effet de champ
H03K 5/00 - Transformation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe
H03K 5/13 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés
A pulsed laser diode driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage. A source capacitor has a first terminal connected to the first terminal of the inductor to provide the source voltage. A bypass switch has a drain node connected to a second terminal of the inductor and to a first terminal of a bypass capacitor. A laser diode switch has a drain node connected to the second terminal of the inductor. A laser diode has an anode connected to a source node of the laser diode switch and a cathode connected to a bias voltage node. The laser diode switch and the bypass switch control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through the laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode.
A laser diode driver includes a clock terminal to receive a clock signal, configuration terminals to receive configuration data, drive terminals, and charging terminals. A first charging terminal is operable to charge a source capacitor of a resonant circuit that includes the source capacitor, an inductor, and a bypass capacitor. Each drive terminal is operable to be directly electrically connected to an anode or cathode of a laser diode or to ground. A mode, output selection, and grouping of drive signals that are delivered to the laser diodes are configured based on the configuration data. The laser diode driver is operable to control a current flow through the resonant circuit to produce high-current pulses through the laser diodes, the high-current pulses corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at respective anodes of the laser diodes, a timing of the high-current pulses being synchronized using the clock signal.
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
A laser diode driver includes a clock terminal to receive a clock signal, configuration terminals to receive configuration data, drive terminals, and charging terminals. A first charging terminal is operable to charge a source capacitor of a resonant circuit that includes the source capacitor, an inductor, and a bypass capacitor. Each drive terminal is operable to be directly electrically connected to an anode or cathode of a laser diode or to ground. A mode, output selection, and grouping of drive signals that are delivered to the laser diodes are configured based on the configuration data. The laser diode driver is operable to control a current flow through the resonant circuit to produce high-current pulses through the laser diodes, the high-current pulses corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at respective anodes of the laser diodes, a timing of the high-current pulses being synchronized using the clock signal.
H01S 5/0233 - Configuration de montage des puces laser
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
49.
Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate
An apparatus includes a first lateral diffusion field effect transistor (LDFET) having a first threshold voltage and that includes a first gate electrode, a first drain contact, a first source contact, and a first electrically conductive shield plate separated from the first gate electrode and the first source contact by a first interlayer dielectric. A second LDFET of the apparatus has a second threshold voltage and includes a second gate electrode, a second drain contact, and a second source contact. The second source contact is electrically connected to the first source contact of the first LDFET. A control circuit of the apparatus is electrically coupled to the first electrically conductive shield plate and is configured to apply to the first electrically conductive shield plate a first gate bias voltage of a first level to set the first threshold voltage of the first LDFET to a first desired threshold voltage.
A semiconductor device includes an active region, a LOCOS region formed within the active region and that extends vertically above a top surface of the active region, a gate region formed above the top surface of the active region, and a polysilicon resistor having a bottom surface that is offset vertically and physically isolated from a top surface of the LOCOS region. The active region includes a source region laterally disposed from the gate region, a drain region laterally disposed from the gate region, and a drift region laterally disposed between the gate region and the drain region. The polysilicon resistor is formed above the drift region. The active region further includes a first charge balance region formed in the active region below the drift region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
A semiconductor device includes an active region, a LOCOS region formed within the active region and that extends vertically above a top surface of the active region, a gate region formed above the top surface of the active region, and a polysilicon resistor having a bottom surface that is offset vertically and physically isolated from a top surface of the LOCOS region. The active region includes a source region laterally disposed from the gate region, a drain region laterally disposed from the gate region, and a drift region laterally disposed between the gate region and the drain region. The polysilicon resistor is formed above the drift region. The active region further includes a first charge balance region formed in the active region below the drift region.
A transformer includes first and second primary windings serially electrically connected in a primary-side series combination. The transformer further includes a secondary winding disposed between the first primary winding and the second primary winding. The transformer further includes first and second shielding windings serially electrically connected in a shielding series combination. The first shielding winding is disposed between the first primary winding and the secondary winding, and the second shielding winding is disposed between the second primary winding and the secondary winding.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
A transformer includes first and second primary windings serially electrically connected in a primary-side series combination. The transformer further includes a secondary winding disposed between the first primary winding and the second primary winding. The transformer further includes first and second shielding windings serially electrically connected in a shielding series combination. The first shielding winding is disposed between the first primary winding and the secondary winding, and the second shielding winding is disposed between the second primary winding and the secondary winding.
A closed-loop switch-mode boost converter includes a switching signal generator circuit, a switch-mode boost amplifier, a filter circuit, and an error amplifier circuit. The switching signal generator circuit receives an input signal and outputs a switching signal. A duty-cycle of the switching signal has a first non-linear relationship to an amplitude of the input signal. The switch-mode boost amplifier receives the switching signal and produces an output signal. An amplitude of the output signal has a second non-linear relationship to the duty-cycle of the switching signal, and the output signal has a linear relationship to the input signal based on the first and second non-linear relationships. The filter circuit receives the output signal and outputs a filtered output signal. The error amplifier circuit receives the input signal and the filtered output signal and produces a feedback control signal. The filtered output signal is adjusted based on the feedback control signal.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
55.
Controlled current manipulation for regenerative charging of gate capacitance
A regenerative gate charging circuit includes an inductor coupled to a gate of a FET. An output control circuit is coupled to a timing control circuit and a bridged inductor driver, which is coupled to the inductor. A sense circuit is coupled to the gate and to the timing control circuit, which receives a control signal, generates output control signals in accordance with a first timing profile, and transmits the output control signals to the output control circuit. In accordance with the first timing profile, the output control circuit holds switches or controllable current sources of the bridged inductor driver in an ON state for a first period and holds the switches or controllable current sources in an OFF state for a second period. Gate voltages are sampled during the second period and after the first period. The timing control circuit generates a second timing profile using the sampled voltages.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
An apparatus includes a high-pass filter circuit configured to receive a drain-source voltage from a drain node of a synchronous rectifier switch at a secondary-side of a power converter and to generate a filtered drain-source voltage using the received drain-source voltage. A current comparison circuit of the apparatus is configured to receive a current indicative of a current through the synchronous rectifier switch and to generate a current comparison signal using the received current. An auto-tuning controller of the apparatus is configured to turn the synchronous rectifier switch on upon determining a body diode conduction of the synchronous rectifier switch, commence an auto-tuned delay upon determining that the current through the synchronous rectifier switch has changed direction, turn the synchronous rectifier switch off upon expiration of the auto-tuned delay, and update, during a detection window of time, a duration of the auto-tuned delay based on the filtered drain-source voltage.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A method for forming a semiconductor device involves providing a semiconductor wafer having an active layer of a first conductivity type. First and second gates having first and second gate polysilicon are formed on the active layer. A first mask region is formed on the active layer. Between the first and second gates, using the first mask region, the first gate polysilicon, and the second gate polysilicon as a mask, a deep well of a second conductivity type, a shallow well of the second conductivity type, a source region of the first conductivity type, and first and second channel regions of the second conductivity type, are formed. In the active layer, using one or more second mask regions, first and second drift regions of the first conductivity type, first and second drain regions of the first conductivity type, and a source connection region of the second conductivity type, are formed.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
A method for forming a semiconductor device involves providing a semiconductor wafer having an active layer of a first conductivity type. First and second gates having first and second gate polysilicon are formed on the active layer. A first mask region is formed on the active layer. Between the first and second gates, using the first mask region, the first gate polysilicon, and the second gate polysilicon as a mask, a deep well of a second conductivity type, a shallow well of the second conductivity type, a source region of the first conductivity type, and first and second channel regions of the second conductivity type, are formed. In the active layer, using one or more second mask regions, first and second drift regions of the first conductivity type, first and second drain regions of the first conductivity type, and a source connection region of the second conductivity type, are formed.
A pulsed laser diode driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage. A source capacitor has a first terminal connected to the first terminal of the inductor to provide the source voltage. A bypass switch has a drain node connected to a second terminal of the inductor and to a first terminal of a bypass capacitor. A laser diode has an anode connected to the second terminal of the inductor and to the drain node of the bypass switch. A laser diode switch has a drain node connected to a cathode of the laser diode. The laser diode switch and the bypass switch control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through the laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode.
A pulsed laser diode driver includes an inductor having a first terminal configured to receive a source voltage. A source capacitor has a first terminal connected to the first terminal of the inductor to provide the source voltage. A bypass switch has a drain node connected to a second terminal of the inductor and to a first terminal of a bypass capacitor. A laser diode has an anode connected to the second terminal of the inductor and to the drain node of the bypass switch. A laser diode switch has a drain node connected to a cathode of the laser diode. The laser diode switch and the bypass switch control a current flow through the inductor to produce a high-current pulse through the laser diode, the high-current pulse corresponding to a peak current of a resonant waveform developed at the anode of the laser diode.
A charge pump having only NMOS devices charges a plurality of capacitors to a parallel charged voltage level by electrically connecting the capacitors in parallel between an input voltage node and a ground by activating a plurality of first NMOS transistor switches and a plurality of second NMOS transistor switches and deactivating a plurality of third NMOS transistor switches. The charge pump then generates a series capacitor output voltage level at a capacitor series output node by electrically connecting and discharging the capacitors in series between the input voltage node and the capacitor series output node by activating the third NMOS transistor switches and deactivating the first NMOS transistor switches and the second NMOS transistor switches.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
An apparatus includes a high-pass filter circuit configured to receive a drain- source voltage from a drain node of a synchronous rectifier switch at a secondary-side of a power converter and to generate a filtered drain-source voltage using the received drain- source voltage. A current comparison circuit of the apparatus is configured to receive a current indicative of a current through the synchronous rectifier switch and to generate a current comparison signal using the received current. An auto-tuning controller of the apparatus is configured to turn the synchronous rectifier switch on upon determining a body diode conduction of the synchronous rectifier switch, commence an auto-tuned delay upon determining that the current through the synchronous rectifier switch has changed direction, turn the synchronous rectifier switch off upon expiration of the auto-tuned delay, and update, during a detection window of time, a duration of the auto-tuned delay based on the filtered drain- source voltage.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
An apparatus includes a high-pass filter circuit configured to receive a drain-source voltage from a drain node of a synchronous rectifier switch at a secondary-side of a power converter and to generate a filtered drain-source voltage using the received drain-source voltage. A current comparison circuit of the apparatus is configured to receive a current indicative of a current through the synchronous rectifier switch and to generate a current comparison signal using the received current. An auto-tuning controller of the apparatus is configured to turn the synchronous rectifier switch on upon determining a body diode conduction of the synchronous rectifier switch, commence an auto-tuned delay upon determining that the current through the synchronous rectifier switch has changed direction, turn the synchronous rectifier switch off upon expiration of the auto-tuned delay, and update, during a detection window of time, a duration of the auto-tuned delay based on the filtered drain-source voltage.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A power transistor is switched on and off with an on-time that is held constant and an off-time that is varied. When the off-time is detected to be less than a threshold value that is greater than a minimum off-time limit, the on-time is extended. Then the power transistor is switched on and off with the extended on-time that is held constant and the off-time that varies.
H03K 3/017 - Réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
65.
Frequency jitter utilizing a fractional valley switching controller
A method involves controlling, for a duration of a first modulation period, a first average off-time of a main switch of a power converter such that the first average off-time of the main switch corresponds to a first intermediate valley number of multiple intermediate valley numbers, an average of the intermediate valley numbers corresponding to a target number of valleys of a resonant waveform at a drain node of the main switch. A second intermediate valley number of the intermediate valley numbers is selected upon expiration of the first modulation period. A difference of the second intermediate valley number and the first intermediate valley number is equal to a fractional valley number offset. A second average off-time of the main switch is controlled for a duration of a second modulation period such that the second average off-time of the main switch corresponds to the second intermediate valley number.
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
An improved laterally diffused MOSFET (LDMOS) device enables an ability to tune some device parameters independently of other device parameters and/or provides a device architecture with component dimensions that significantly improve device performance. The LDMOS device includes a stepped gate having a first portion with a thin gate insulator over a body region and a second portion with a thick gate insulator over part of a drift region. In some embodiments, a gate shield is disposed over another part of the drift region to reduce a gate-drain capacitance of the LDMOS device. In some embodiments, the LDMOS device has a specific resistance (Rsp) of about 5-8 mOhm*mm2, a gate charge (Qg) of about 1.9-2.0 nC/mm2, and an Rsp*Qg product figure of merit of about 10-15 mOhm*nC.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
Disclosed is a device including a first finger of a plurality of lead fingers of a lead frame connected to a first flag. A second finger of the plurality of lead fingers of the lead frame is connected to a second flag. A semiconductor die is coupled to the lead frame. An encapsulant covers the semiconductor die, the lead frame, and a first end of the plurality of lead fingers, and excludes the first flag and the second flag. The first flag and the second flag are separated and electrically isolated from one another by the encapsulant.
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Embodiments of the disclosure include a switch having an on-state resistance that varies based on a temperature coefficient of the switch and an overcurrent protection circuit coupled to the switch and having an adjustable overcurrent threshold level determined based on an adjustable voltage generated by the overcurrent protection circuit, the adjustable voltage generated based on the temperature coefficient of the switch.
H02H 3/05 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion - Détails avec des moyens pour accroître la fiabilité, p.ex. dispositifs redondants
H02H 1/00 - CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ - Détails de circuits de protection de sécurité
H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
An improved ramp generator enables a very high degree of linearity in an output voltage ramp signal. Output ramps of the output voltage ramp signal are alternatingly produced from two preliminary ramp signals during alternating time periods. Preliminary ramps are produced at different preliminary ramp nodes that are alternatingly connected to an output node. The preliminary ramps continuously ramp during and in some cases beyond, e.g., before and/or after, the time periods. In some embodiments, switches alternatingly connect two capacitors to at least one current source, a reset voltage source, and the output node to alternatingly produce the preliminary ramps.
H03K 4/50 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins à forme triangulaire en dents de scie utilisant comme éléments actifs des dispositifs à semi-conducteurs dans laquelle la tension en dents de scie est produite à travers un condensateur
A method involves determining a target number of valleys of a resonant waveform at a drain node of a main switch of a power converter. The target number of valleys corresponds to a desired off-time of the main switch. A first intermediate valley number of a series of intermediate valley numbers is selected. An average of the series of intermediate valley numbers corresponds to the target number of valleys. A first average off-time of the main switch is controlled, for a duration of a first modulation period, such that the first average off-time corresponds to the first intermediate valley number. Upon expiration of the first modulation period, a second intermediate valley number of the intermediate valley numbers is selected. A second average off-time of the main switch is controlled, for a duration of a second modulation period, such that the second average off-time corresponds to the second intermediate valley number.
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
An improved circuit or method generates first and second initial pulses that do not overlap. First and second drive pulses are generated based on the first and second initial pulses, respectively. A first transistor is turned on with the first drive pulses. A second transistor is turned on with the second drive pulses. A current flows in response to an on-time state of the first transistor overlapping with an on-time state of the second transistor. A delay of the second drive pulses is decreased based on a time of the current flow overlapping with one of the first initial pulses; and the delay of the second drive pulses is increased based on the time of the current flow overlapping with one of the second initial pulses.
H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
H03K 21/38 - Démarrage, arrêt ou remise à une valeur initiale du compteur
H03K 5/133 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés utilisant une chaîne de dispositifs actifs de retard
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H03K 5/00 - Transformation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe
72.
Apparatus for optimized turn-off of a cascode amplifier
An apparatus for turning off a cascode amplifier having a common-base transistor and a common-emitter transistor is disclosed that includes the cascode amplifier, a feedback circuit, and a bias circuit. The feedback circuit is configured to receive a collector-voltage from the collector of the common-emitter transistor when the common-emitter transistor is switched to a first OFF state and produce a first feedback signal. The collector-voltage is equal to an emitter voltage of the common-base transistor and the collector-voltage increases in response to switching the common-emitter transistor to the first OFF state. The bias circuit is configured to receive the first feedback signal and produce a bias-voltage. A first base-voltage is produced from the bias-voltage. The cascode amplifier is configured to receive the first base-voltage and a second base-voltage. The common-base transistor is configured to switch to a second OFF state in response to receiving the second base-voltage.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
A lateral transistor tile is formed with first and second collector regions that longitudinally span first and second sides of the transistor tile; and a base region and an emitter region that are between the first and second collector regions and are both centered on a longitudinal midline of the transistor tile. A base-collector current, a collector-emitter current, and a base-emitter current flow horizontally; and the direction of the base-emitter current is perpendicular to the direction of the base-collector current and the collector-emitter current. Lateral BJT transistors having a variety of layouts are formed from a plurality of the tiles and share common components thereof.
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A charge pump having only NMOS devices charges a plurality of capacitors to a parallel charged voltage level by electrically connecting the capacitors in parallel between an input voltage node and a ground by activating a plurality of first NMOS transistor switches and a plurality of second NMOS transistor switches and deactivating a plurality of third NMOS transistor switches. The charge pump then generates a series capacitor output voltage level at a capacitor series output node by electrically connecting and discharging the capacitors in series between the input voltage node and the capacitor series output node by activating the third NMOS transistor switches and deactivating the first NMOS transistor switches and the second NMOS transistor switches.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
An improved power converter produces power through a power switch in response to an activation signal that has an on-time and a switching frequency. An on-time signal has a constant on-time and controls the on-time of the activation signal. An error signal indicates that the switching frequency is not equal to a reference frequency. A step up signal and a step down signal are based on the error signal. A count signal is increased in response to the step up signal and decreased in response to the step down signal. An on-time pulse has a duration that is related to a value of the count signal. The on-time pulse controls the constant on-time of the on-time signal and maintains the switching frequency at about the reference frequency.
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
During a first mode of operation, a zero current detect (ZCD) signal is asserted in response to detecting a zero current condition at a switch node of a power converter. The power converter enters a light load mode of operation when the ZCD signal is asserted between a beginning point and a trigger point of a period of a PWM signal. A compensator voltage is generated based on a feedback voltage indicative of an output voltage. The compensator voltage is compared to a threshold voltage that represents a limit for the compensator voltage during the light load mode of operation determined over a range of the output voltage. The power converter exits the light load mode back to the first mode of operation in response to the compensator voltage being beyond the threshold voltage.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
G01R 19/175 - Indications des instants de passage du courant ou de la tension par une valeur déterminée, p.ex. de passage par zéro
H03K 17/13 - Modifications pour commuter lors du passage par zéro
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
During a first mode of operation, a zero current detect (ZCD) signal is asserted in response to detecting a zero current condition at a switch node of a power converter. The power converter enters a light load mode of operation when the ZCD signal is asserted between a beginning point and a trigger point of a period of a PWM signal. A compensator voltage is generated based on a feedback voltage indicative of an output voltage. The compensator voltage is compared to a threshold voltage that represents a limit for the compensator voltage during the light load mode of operation determined over a range of the output voltage. The power converter exits the light load mode back to the first mode of operation in response to the compensator voltage being beyond the threshold voltage.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
78.
Source contact formation of MOSFET with gate shield buffer for pitch reduction
A semiconductor structure that includes at least one lateral diffusion field effect transistor is described. The structure includes a source contact and a gate shield that enables the line width of an ohmic region that electrically connects the source/body region to the gate shield to be smaller than the minimum contact feature size. The gate shield defines a bottom recess for forming a narrower bottom portion of the source contact, and a section that flares outward with distance from the ohmic region to extend above and laterally beyond the ohmic region. By providing a wider area for the source contact, the flared portion of the gate shield allows the portion of the gate shield that contacts the ohmic region to be narrower than the minimum contact feature size. As a result, the cell pitch of the lateral diffusion field effect transistor can be reduced.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
An apparatus for controlling a power converter includes an analog-to-digital converter to generate a digital representation of a voltage sense signal indicative of an input voltage of the power converter. The apparatus includes a first comparison circuit to generate a first comparison signal using a current sense signal indicative of a current through a primary-side switch of the power converter. The apparatus includes a gate driver to provide a gate drive signal to the primary-side switch based on a control signal, and a digital controller. The digital controller is configured to produce a time scalar value using the digital representation of the voltage sense signal, produce a timing signal using the control signal and the first comparison signal, scale the timing signal using the time scalar value, and adjust a timing of the control signal to limit a peak current through the primary-side switch based on the scaled timing signal.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A quasi-resonant auto-tuning controller includes a zero-voltage crossing detection circuit and a valley tuning finite-state machine having a look-up table. The zero-voltage crossing detection circuit receives a reference voltage and receives an auxiliary signal from an auxiliary winding. The zero-voltage crossing detection circuit produces a comparison signal having pulses when the auxiliary signal is less than the reference voltage. The valley tuning finite-state machine produces a divided pulse width based on the comparison signal, stores the divided pulse width of each pulse in the look-up table, determines, from the comparison signal, that the auxiliary signal is less than the reference voltage, waits a time period corresponding to the divided pulse width stored in the look-up table if the auxiliary signal is less than the reference voltage, and produces a valley point signal after waiting the time period.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
A dual path and mode start-up circuit includes a high-voltage start-up circuit, an auxiliary start-up circuit, a capacitor, and a sensing circuit. The high-voltage start-up circuit has high-voltage input and output voltage nodes and is configurable to be operated in a first or second mode of operation. The auxiliary start-up circuit has auxiliary input and output voltage nodes. The auxiliary output voltage node, the high-voltage output voltage node, and the capacitor are in signal communication. The sensing circuit is configured to sense a voltage level at the capacitor and to configure the high-voltage start-up circuit to operate in the first mode of operation if the voltage level at the capacitor is less than a first threshold voltage level, and configure the high-voltage start-up circuit to operate in the second mode of operation if the voltage level at the capacitor is greater than a second threshold voltage level.
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
An improved circuit or method generates first and second initial pulses that do not overlap. First and second drive pulses are generated based on the first and second initial pulses, respectively. A first transistor is turned on with the first drive pulses. A second transistor is turned on with the second drive pulses. A current flows in response to an on-time state of the first transistor overlapping with an on-time state of the second transistor. A delay of the second drive pulses is decreased based on a time of the current flow overlapping with one of the first initial pulses; and the delay of the second drive pulses is increased based on the time of the current flow overlapping with one of the second initial pulses.
H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
H03K 21/38 - Démarrage, arrêt ou remise à une valeur initiale du compteur
H03K 5/133 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés utilisant une chaîne de dispositifs actifs de retard
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H03K 5/00 - Transformation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe
83.
Lead frame package having conductive surface with integral lead finger
Disclosed is a device including a lead frame having a body with a top surface and a bottom surface and lead fingers. Each lead finger has a first end and a second end. A semiconductor die is coupled to the body. A first flag is a first exposed portion of the body and integral with the first end of a first lead finger. The first flag and the first lead finger are a continuous material. A second flag is a second exposed portion of the body and integral with the first end of a second lead finger. The second flag and the second lead finger are a continuous material. An encapsulant covers the die, the bottom surface of the body, the first end of the lead fingers and a portion of the top surface of the body. The flags are separated and electrically isolated from one another by the encapsulant.
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
An active clamp circuit for a power converter having a transformer includes a switch having a drain node, a gate node, and a source node, the drain node configured to be connected to a first terminal of a primary winding of the transformer, a capacitor having a first terminal connected to the source node, and a second terminal to be connected to a second terminal of the primary winding, a gate driver coupled to the gate node to control the switch and having a high-side input node and a low-side input node, the low-side input node being coupled to the first terminal of the capacitor, and a voltage regulator to: i) receive an input voltage from the second terminal of the capacitor, and ii) provide a regulated voltage to the high-side input node using the input voltage and being of a sufficient voltage level to control the switch.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
85.
LEAD FRAME PACKAGE HAVING CONDUCTIVE SURFACE WITH INTEGRAL LEAD FINGER
Disclosed is a device including a lead frame having a body with a top surface and a bottom surface and lead fingers. Each lead finger has a first end and a second end. A semiconductor die is coupled to the body. A first flag is a first exposed portion of the body and integral with the first end of a first lead finger. The first flag and the first lead finger are a continuous material. A second flag is a second exposed portion of the body and integral with the first end of a second lead finger. The second flag and the second lead finger are a continuous material. An encapsulant covers the die, the bottom surface of the body, the first end of the lead fingers and a portion of the top surface of the body. The flags are separated and electrically isolated from one another by the encapsulant.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
An active clamp circuit for a power converter having a transformer includes a switch having a drain node, a gate node, and a source node, the drain node configured to be connected to a first terminal of a primary winding of the transformer, a capacitor having a first terminal connected to the source node, and a second terminal to be connected to a second terminal of the primary winding, a gate driver coupled to the gate node to control the switch and having a high-side input node and a low-side input node, the low-side input node being coupled to the first terminal of the capacitor, and a voltage regulator to: i) receive an input voltage from the second terminal of the capacitor, and ii) provide a regulated voltage to the high-side input node using the input voltage and being of a sufficient voltage level to control the switch.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
An active clamp circuit includes an active clamp capacitor coupled in series with an active clamp switch and an active clamp controller circuit to receive an active clamp switch current that passes through the active clamp switch and to control the active clamp switch based on the received active clamp switch current. The active clamp controller circuit is configured to enable the active clamp switch based on a first amplitude comparison, the first amplitude comparison being based on the active clamp switch current. The active clamp controller circuit is configured to disable the active clamp switch based on a second amplitude comparison and a third amplitude comparison, the second amplitude comparison and the third amplitude comparison being based on the active clamp switch current.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A quasi-resonant auto-tuning controller includes a zero-voltage crossing detection circuit and a valley tuning finite-state machine having a look-up table. The zero-voltage crossing detection circuit receives a reference voltage and receives an auxiliary signal from an auxiliary winding. The zero-voltage crossing detection circuit produces a comparison signal having pulses when the auxiliary signal is less than the reference voltage. The valley tuning finite-state machine produces a divided pulse width based on the comparison signal, stores the divided pulse width of each pulse in the look-up table, determines, from the comparison signal, that the auxiliary signal is less than the reference voltage, waits a time period corresponding to the divided pulse width stored in the look-up table if the auxiliary signal is less than the reference voltage, and produces a valley point signal after waiting the time period.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
G01R 19/175 - Indications des instants de passage du courant ou de la tension par une valeur déterminée, p.ex. de passage par zéro
89.
Combining voltage ramps to create linear voltage ramp
An improved ramp generator enables a very high degree of linearity in an output voltage ramp signal. Output ramps of the output voltage ramp signal are alternatingly produced from two preliminary ramp signals during alternating time periods. Preliminary ramps are produced at different preliminary ramp nodes that are alternatingly connected to an output node. The preliminary ramps continuously ramp during and in some cases beyond, e.g., before and/or after, the time periods. In some embodiments, switches alternatingly connect two capacitors to at least one current source, a reset voltage source, and the output node to alternatingly produce the preliminary ramps.
H03K 4/50 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins à forme triangulaire en dents de scie utilisant comme éléments actifs des dispositifs à semi-conducteurs dans laquelle la tension en dents de scie est produite à travers un condensateur
A quasi-resonant auto-tuning controller includes a zero-voltage crossing detection circuit and a valley tuning finite-state machine having a look-up table. The zero-voltage crossing detection circuit receives a reference voltage and receives an auxiliary signal from an auxiliary winding. The zero-voltage crossing detection circuit produces a comparison signal having pulses when the auxiliary signal is less than the reference voltage. The valley tuning finite-state machine produces a divided pulse width based on the comparison signal, stores the divided pulse width of each pulse in the look-up table, determines, from the comparison signal, that the auxiliary signal is less than the reference voltage, waits a time period corresponding to the divided pulse width stored in the look-up table if the auxiliary signal is less than the reference voltage, and produces a valley point signal after waiting the time period.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
A width of a voltage pulse signal is directly proportional to a difference between first and second resistances in a pulse generator. The voltage pulse signal is generated with a ramp signal, two reference voltages, and two comparators. The first reference voltage is generated with the first resistance and a first current, and the second reference voltage is generated with the second resistance and a second current. The first comparator produces a first comparator output in response to the first reference voltage and the ramp signal, and the second comparator produces a second comparator output in response to the second reference voltage and the ramp signal. A logic circuitry generates the voltage pulse signal in response to the two comparator outputs.
H03K 3/023 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation d'amplificateurs différentiels ou des comparateurs, avec réaction positive interne ou externe
A thyristor tile includes first and second PNP tiles and first and second NPN tiles. Each PNP tile is adjacent to both NPN tiles, and each NPN tile is adjacent to both PNP tiles. A thyristor includes a plurality of PNP tiles and a plurality of NPN tiles. The PNP and NPN tiles are arranged in an alternating configuration in both rows and columns. The PNP tiles are oriented perpendicular to the NPN tiles. Interconnect layers have a geometry that enables even distribution of signals to the PNP and NPN tiles.
H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 27/08 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
During a first mode of operation, a zero current detect (ZCD) signal is asserted in response to detecting a zero current condition at a switch node of a power converter. The power converter enters a light load mode of operation when the ZCD signal is asserted between a beginning point and a trigger point of a period of a PWM signal. A compensator voltage is generated based on a feedback voltage indicative of an output voltage. The compensator voltage is compared to a threshold voltage that represents a limit for the compensator voltage during the light load mode of operation determined over a range of the output voltage. The power converter exits the light load mode back to the first mode of operation in response to the compensator voltage being beyond the threshold voltage.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A charge pump having only NMOS devices charges a plurality of capacitors to a parallel charged voltage level by electrically connecting the capacitors in parallel between an input voltage node and a ground by activating a plurality of first NMOS transistor switches and a plurality of second NMOS transistor switches and deactivating a plurality of third NMOS transistor switches. The charge pump then generates a series capacitor output voltage level at a capacitor series output node by electrically connecting and discharging the capacitors in series between the input voltage node and the capacitor series output node by activating the third NMOS transistor switches and deactivating the first NMOS transistor switches and the second NMOS transistor switches.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
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Flyback converter with synchronous rectifier controller
A flyback converter includes a primary side circuit to receive an input voltage signal, a secondary side circuit to generate an output voltage signal using the input voltage signal, a synchronous rectifier switch, and a synchronous rectifier controller. The synchronous rectifier controller receives an attenuated drain-source voltage signal of the synchronous rectifier switch and the output voltage signal. The synchronous rectifier controller includes a threshold voltage generator to generate a first voltage signal using the output voltage signal, a first comparator to compare the attenuated drain-source voltage signal to the first voltage signal and, in response, generate a first comparison signal, and a second comparator to compare the attenuated drain-source voltage signal to a second voltage signal and, in response, generate a second comparison signal. The synchronous rectifier controller generates a control signal for switching the synchronous rectifier switch to an ON-state based on the first and second comparison signals.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
97.
Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate
An apparatus includes a first lateral diffusion field effect transistor (LDFET) having a first threshold voltage and that includes a first gate electrode, a first drain contact, a first source contact, and a first electrically conductive shield plate separated from the first gate electrode and the first source contact by a first interlayer dielectric. A second LDFET of the apparatus has a second threshold voltage and includes a second gate electrode, a second drain contact, and a second source contact. The second source contact is electrically connected to the first source contact of the first LDFET. A control circuit of the apparatus is electrically coupled to the first electrically conductive shield plate and is configured to apply to the first electrically conductive shield plate a first gate bias voltage of a first level to set the first threshold voltage of the first LDFET to a first desired threshold voltage.
A forward converter includes an input voltage source divided into multiple divided input voltage sources, each of which provides a portion of a total input voltage of the input voltage source. The forward converter includes an output circuit with an output capacitor, a transformer having multiple primary windings, a secondary winding, and a relaxation winding. Each primary winding is connected in series with a corresponding primary side switching device. A combination of the primary winding and the corresponding primary side switching device is in parallel with a corresponding divided voltage source. The secondary winding outputs a voltage via the output circuit. The relaxation winding is connected across the divided input voltage sources or the output capacitor. A controller circuit controls the primary side switching devices to control power flow from the input voltage source to the output capacitor based on an indication of a voltage across the output capacitor.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
An apparatus for controlling a power converter includes an analog-to-digital converter to generate a digital representation of a voltage sense signal indicative of an input voltage of the power converter. The apparatus includes a first comparison circuit to generate a first comparison signal using a current sense signal indicative of a current through a primary-side switch of the power converter. The apparatus includes a gate driver to provide a gate drive signal to the primary-side switch based on a control signal, and a digital controller. The digital controller is configured to produce a time scalar value using the digital representation of the voltage sense signal, produce a timing signal using the control signal and the first comparison signal, scale the timing signal using the time scalar value, and adjust a timing of the control signal to limit a peak current through the primary-side switch based on the scaled timing signal.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
An active clamp circuit includes an active clamp switch having a drain node and a source node, an active clamp capacitor coupled in a series combination with the active clamp switch, a delay circuit, and an active clamp controller circuit coupled to the active clamp switch and to the delay circuit. The active clamp controller circuit is configured to i) receive an active clamp switch voltage based on a voltage developed across the drain node and the source node of the active clamp switch, ii) enable the active clamp switch based on a voltage amplitude of the active clamp switch voltage, and iii) disable the active clamp switch based on a delay signal generated by the delay circuit.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
brevets
