Abrégé

OCPOCPOCPOCP11OCP12OCP13OCP13, for the respective comparators CMP11, CMP12, CMP13.

Classes IPC  ?

• H02H 7/085 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour moteurs dynamo-électriques contre une charge excessive

Abrégé

Provided is a semiconductor switch device which performs square integration of load current and wire temperature estimation at low cost and with high precision, while reducing resources required for accurate wire temperature estimation. A semiconductor switch device 200 according to one or more examples of the present invention includes: switch units 206, 201, and 202 that are connected between a power source 300 connected from the outside of the semiconductor switch device 200 and a load 400 through a wire, and that turn on/off power supply to the load; load current detection units 203 and 204 that detect load current flowing through the switch units 206, 201, and 202; and a square operation unit 205 that outputs a squared value of a load current value detected by the current detection units 203 and 204. The switch unit 206 receives a control command from outside and turns on/off power supply to the load on the basis of the control command.

Classes IPC  ?

• H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
• H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu

Abrégé

A semiconductor device according to one or more embodiments may include a first semiconductor region, a second semiconductor region arranged on the first semiconductor region, a third semiconductor region arranged on the second semiconductor region, a first trench penetrating the second semiconductor region from the third semiconductor region and reaching the first semiconductor region, a first main electrode arranged on the second semiconductor region via a first insulating film, field electrodes arranged via second insulating films in a second trenches that are deeper than the first trench and reach the first semiconductor region. The first main electrode may be arranged between the field electrodes. The field electrodes may be arranged alternately, and the field electrodes that are alternately adjacent to each other may be arranged so that the field electrodes partially overlap with adjacent field electrodes in an alignment direction of the arranging field electrodes in a plan view.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A first coupling capacitor is electrically connected in series with an input side reactor. A positive rectifier diode is electrically connected in series with the first coupling capacitor. A positive output side reactor is electrically connected to a connecting point of the first coupling capacitor and the positive rectifier diode and a ground potential. A first smoothing capacitor is electrically connected to the positive rectifier diode and a ground potential. A second coupling capacitor is electrically connected in series with the first coupling capacitor. A negative rectifier diode is electrically connected to the positive output side reactor and the second coupling capacitor. A negative output side reactor is electrically connected to a connecting point of the second coupling capacitor and the negative rectifier diode. A second smoothing capacitor is electrically connected to the negative rectifier diode, the ground potential, and the negative output side reactor.

Classes IPC  ?

• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

An excitation current detection circuit is disclosed. A transformer comprises a primary winding, an auxiliary winding, and a secondary winding. A first voltage detector detects a positive voltage of an auxiliary winding voltage. A second voltage detector detects a negative voltage of the auxiliary winding voltage. A first voltage controlled oscillator generates a first clock with a frequency proportional to the positive voltage during a period when the auxiliary winding voltage is the positive voltage. A second voltage controlled oscillator generates a second clock with a frequency proportional to the negative voltage during a period when the auxiliary winding voltage is the negative voltage. A counter outputs a counter value, which is added in one of cycles of the first clock and the second clock and subtracted in the other cycle of the first clock and the second clock as a detected value of an excitation current.

Classes IPC  ?

• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs
• G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

Abrégé

A direct current to direct current converter is disclosed that controls an output voltage based on an error signal between a feedback voltage and a target voltage. A direct current to direct current converter according to one or more embodiments may include a temperature sensor, a reference voltage generator circuit that generates a reference voltage, a compensation calculator that calculates a compensation value from a temperature detected from the temperature sensor using a function of temperature, a compensator that corrects a target initial value by the compensation value to generate the target value, and a digital-to-analog converter that converts the target value to the target voltage based on the reference voltage.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

Abrégé

An active clamp flyback converter includes a main switch, a primary winding that is electrically connected in series with the main switch, a clamp switch that is electrically connected to a connection point between the main switch and the primary winding, a clamp capacitor that is connected in series with the clamp switch, and a controller that outputs a first ON signal to control the main switch and a second ON signal to control the clamp switch during a period when the main switch is off. The controller outputs the second ON signal during a half cycle or more of a resonance period, in which the resonance current flowing in a resonance circuit comprising the clamp capacitor and a leakage inductance generated when the clam switch is turned on is limited by an excitation current of an excitation inductance of the primary winding.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
• H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle

Abrégé

A detector compares a drain voltage with a first threshold voltage and outputs a first detection signal. An ON counter detects a period of time during which a current flows in a switching, counts the period of time based on a predetermined clock cycle. An OFF counter detects a period of time during which a current flow through the body diode in a state where no current flows in the switching circuit, counts the period of time. An off-time setting circuit sets the time to turn off the switching circuit. A first comparison circuit compares the cycle count value with turn off time. A second comparison circuit compares a cycle count value output by the ON counter with a comparison result output by the first comparison circuit and outputs a signal to stop transmitting a PWM signal.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A detector compares a drain voltage with a first threshold voltage and outputs a first detection signal. An ON-counter detects a period of time during which current flows in a switching circuit based on the first detection signal, counts the period of time based on a predetermined clock cycle, and outputs an ON-count value. A first comparator receives the ON-count value and an ON-threshold value and outputs a first comparison signal when the ON-count value and the ON-threshold value match. A second comparator receives the ON-count value and a decreased ON threshold value, compares the ON-count value and the decreased ON-threshold value, and outputs a second comparison signal. An ON-mask time adjuster receives the second comparison signal and outputs an ON-threshold value for adjusting a mask time and a decreased ON-threshold value that is less than the ON threshold value.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A semiconductor device according to one or more embodiment may include: an IGBT region including a first semiconductor region of a first conductivity type; a second semiconductor region of a second conductivity type arranged on the first semiconductor region; a third semiconductor region of the first conductivity type arranged on the second semiconductor region; a fourth semiconductor region of the second conductivity type arranged on the first semiconductor region and opposite the second semiconductor region; and a control electrode that is arranged via an insulating film opposite the second semiconductor region; and a diode region comprising a fifth semiconductor region of the second conductivity type on the first semiconductor region. In the semiconductor device according to one or more embodiments, an impurity concentration of the fifth semiconductor region may be lower than the impurity concentration of the second semiconductor region.

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 29/861 - Diodes

Abrégé

A light emitting device according to one or more embodiment is disclosed, which may include a blue LED, a first phosphor that is excited by light of the blue LED and emits green to yellow light, and a second phosphor that is excited by light of the blue LED and emits light with an emission peak wavelength greater than the emission peak wavelength of the first phosphor but 625 nm or less. In one or more embodiments, an emission intensity of the light emitting device at an emission wavelength of 650 nm relative to the emission intensity at the emission peak wavelength of the light emitting device may be 60% or less.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

The present invention relates to controlling of an active clamp fly-back converter comprising a control unit 2 that turns on/off a clamp switch two times by two pulses during off-period of a main switch. The control unit 2 sets the on-period of the first pulse to half the resonant frequency of a clamp capacitor and a leakage inductor to the resonant frequency, inclusive, turns on the clamp switch when current does not flow through the body diode of the clamp switch and flows the resonant current of the clamp capacitor and the leakage inductor, flows current through the body diode after turning off the clamp switch, turns on the clamp switch after the magnetization current of a magnetizing inductor becomes zero by the second pulse and flows negative direction current through the magnetizing inductor, and performs zero-voltage switching of the main switch QL, thereby providing a high-efficiency and low noise converter.

Classes IPC  ?

• H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire

Abrégé

A semiconductor device according to one or more embodiments may include: on a semiconductor substrate, a high voltage circuit region; a transistor element region; an isolation region that elementally isolates the transistor element region from the high voltage circuit region; and a capacitively coupled field plate including plural lines of conductors, wherein the capacitively coupled field plate is provided to extend circumferentially along an outer circumferential portion of the high voltage circuit region and across the transistor element region, in a plan view of the semiconductor device, and one or more dividing sections divides at least one of the plural lines of conductors in the capacitively coupled field plate to make the at least one line discontinuous.

Classes IPC  ?

• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

Abrégé

A watchdog timer device according to one or more embodiments may include a mode setting unit that sets a first mode or a second mode. In the first mode, the watchdog timer device monitors an operation state of a monitored device and generates an interrupt signal to cause the monitored device to perform recovery processing at a first timeout. In the second mode, the watchdog timer device monitors the recovery processing and generates a reset signal to restart the monitored device at a second timeout. The watchdog timer device uses different logic to execute determining the first timeout in the first mode and determining the second timeout in the second mode.

Classes IPC  ?

• G06F 11/07 - Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts

Abrégé

A semiconductor device according to one or more embodiments may include a drive circuit comprising: a gate control circuit that generates a gate control signal; a first resistor comprising a first electrode electrically connected to the gate control circuit and a second electrode; and a second resistor comprising a first electrode electrically connected to the gate control circuit and a second electrode that is not electrically connected to the second electrode of the first resistor; wherein the second resistor comprises a resistance value greater than that of the first resistor; an IGBT circuit comprising: a first IGBT cell electrically connected to the second electrode of the first resistor; and a second IGBT cell electrically connected to the second electrode of the second resistor.

Classes IPC  ?

• H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

Abrégé

An analog-to-digital converter is disclosed that converts an input analog potential to a digital conversion value. An analog-to-digital converter according to one or more embodiments may include a comparator that compares the input analog potential with a reference potential; and a conversion circuit that measures comparison operation time from a start to an end of a comparison operation by the comparator and outputs the digital conversion value according to the measured comparison operation time and a comparison result by the comparator.

Classes IPC  ?

• H03M 1/34 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence

Abrégé

A semiconductor device may include: a drift region of a first conductivity type; a base region of a second conductivity type arranged on the drift region; an emitter region of the first conductivity type arranged on the base region; a field stop region of the first conductivity type arranged in contact with the drift region; a collector region of the second conductivity type in contact with the field stop region; a main gate electrode electrically insulated from the base region and the collector region; a control gate electrode electrically insulated from the base region and the collector region; a gate pad on the drift region; a first resistor electrically connected between the gate pad and the main gate electrode; and a second resistor electrically connected between the gate pad and the control gate electrode. A resistance value of the first resistor may be greater than the second resistor thereof.

Classes IPC  ?

• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais

Abrégé

The present invention drives a DC-DC converter without dead time and increases conversion efficiency. This DC-DC converter 100 is characterized by comprising: a first switching element 4; a second switching element 5; a first off-detection circuit 13 that has a control circuit 110 which the first switching element 4 and the second switching element 5 alternately on-off drive, causing the same to perform control such that an output voltage becomes a specified voltage, said control circuit 110 detecting turn-off of the first switching element 4; and a second off-detection circuit 16 that detects turn-off of the second switching element. The DC-DC converter 100 is further characterized in that when one among the first switching element 4 and the second switching element 5 transitions to turn-on from an off state, said switching element is on driven on the basis of an off signal from the first off detection circuit 13 or the second off detection circuit 16, which detects the turn-off of the other switching element.

Classes IPC  ?

• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A semiconductor is disclosed that may include: a first drift region; a base region arranged on the first semiconductor layer; a source region arranged on the base region; a main electrode electrically connected to the source region; and a gate electrode structure that penetrates the source region and base region and reaches the first drift region, wherein the gate electrode structure comprises: a gate electrode; and an insulating material that insulates the gate electrode from the first drift region and the base region; and a field plate structure reaching the first drift region deeper than the gate electrode structure, wherein the field plate structure comprises: a field plate; a resistive part that electrically connects the main electrode to the field plate; and an insulating material that insulates the field plate and the resistive part section from the first drift region and the base region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

The present invention provides a semiconductor integrated circuit and a data transmission-reception method with which the number of connection terminals between chips can be reduced without compromising functionality.　The semiconductor integrated circuit includes a chip A and a chip B and performs transmission and reception of data between the chip A and the chip B. In the semiconductor integrated circuit, the transmission of data from the chip A to the chip B and the transmission of a trigger signal (trigger), which is a control signal, from the chip A to the chip B are performed by time-division multiplexing using a DOUT terminal that connects the chip A and the chip B to each other; and the transmission of data from the chip B to the chip A and the transmission of a status signal (status), which is a control signal, from the chip B to the chip A are performed by time-division multiplexing using a DIN terminal that connects the chip A and the chip B to each other.

Classes IPC  ?

• H04L 25/02 - Systèmes à bande de base - Détails
• H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H04J 3/00 - Systèmes multiplex à division de temps

Abrégé

A semiconductor device according to one or more embodiments is disclosed that may include a first substrate comprising a single-crystalline SiC substrate; a second substrate comprising a polycrystalline SiC substrate; and an interface layer sandwiched between the first substrate and the second substrate and comprising at least elements of phosphorus and chromium.

Classes IPC  ?

• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins

Abrégé

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device according to one or more embodiments are disclosed. An interface layer is formed by implanting ionized impurities into a first layer comprising single-crystalline silicon carbide (SiC). Surfaces of the interface layer and a second layer comprising polycrystalline silicon carbide (SiC) are activated. The activated surfaces of the interface layer and the second layer are contacted and bonded. A covering layer is formed to cover a top surface and sides of the first layer, sides of the interface layer, and sides of the second layer.

Classes IPC  ?

• C30B 29/68 - Cristaux avec une structure multicouche, p.ex. superréseaux
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C30B 29/36 - Carbures
• C30B 31/22 - Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire par implantation d'ions
• C30B 25/20 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale

Abrégé

A dimming agent according to one or more embodiments is disclosed that may include at least one of terbium, praseodymium, manganese, titanium. A diffuse reflection intensity of the dimming agent in a wavelength of from 400 nm to 750 nm may be 80% or less.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• G02B 5/22 - Filtres absorbants

Abrégé

A first semiconductor region, a second semiconductor region, and a third semiconductor region are arranged in layers. Trenches penetrate through the second semiconductor region and reach the first semiconductor region. Each of the trenches may include a gate electrode, and an insulating film insulating the gate electrode from the first semiconductor region and the second semiconductor region. An upper electrode is electrically connected to the second semiconductor region and the third semiconductor region. A fourth semiconductor region of the second conductivity type is arranged on an outer side of the trench of which the gate electrode is an outermost gate electrode in a plan view. An edge trench is arranged on an outer side of the fourth semiconductor region. The fourth semiconductor region is electrically connected to the upper electrode and a bottom of the fourth semiconductor may be arranged deeper than a bottom of the second semiconductor region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

The purpose of the present invention is to enhance the cross regulation accuracy of a DC-DC converter comprising a SEPIC circuit adapted for multiple outputs for supplying positive and negative output voltages. [Solution] In a multi-output SEPIC circuit 1 comprising: reactors Lin, L1, L2; a switching element Q1; coupling capacitors C1, C2; rectifying elements D1, D2; and output capacitors Co1, Co2, the connection of the coupling capacitor C2 and the reactor Lin is changed. The present invention is characterized by changing the connection of the coupling capacitor C2 so that the coupling capacitor C2 is connected to a node of the coupling capacitor C1, the anode of the rectifying element D1, and the reactor L1.

Classes IPC  ?

• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

[Problem] To provide a lateral semiconductor device having a high breakdown voltage. [Solution] On the surface of a high-breakdown-voltage diffusion layer island, a high-concentration floating diffusion layer (1E18 atoms/cc or more) having a conductivity type opposite to that of the high-breakdown-voltage diffusion layer island and connected to the high-breakdown-voltage diffusion layer island is formed concentrically around an electrode lead-out portion from the high-breakdown-voltage diffusion layer as a center. As a result, annular equipotential regions defined by the element structure can be designed in a concentric multistage configuration, and by increasing the number of stages, a stable high-breakdown-voltage structure can be easily realized. In addition, reliability problems such as a decrease in breakdown voltage during long-term use are less likely to occur.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/861 - Diodes
• H01L 29/868 - Diodes PIN

Abrégé

An abnormality detection circuit and method of detecting an abnormality in a CPU is disclosed that may include counting a count value from an initial value to a timeout value; storing a seed value readable from the CPU; generating a key value for verification by performing a specified arithmetic processing on the seed value; waiting for a key value to be written by the CPU; comparing the key value written by the CPU with the key value for verification; and when the count value is equal to the timeout value without the counter being reset, in response to the key value and the key value for verification matching, resetting the counter and storing the seed value to be determined at the time of resetting the counter in the seed value storage section.

Classes IPC  ?

• G06F 9/30 - Dispositions pour exécuter des instructions machines, p.ex. décodage d'instructions
• G06F 7/58 - Générateurs de nombres aléatoires ou pseudo-aléatoires

Abrégé

[Problem] Power modules require high heat-sinking performance, and hence, the objective of the present invention is to provide a four-sided cooling power module that can exhibit an enhanced heat-sinking performance as package structure. [Solution] This four-sided cooling power module comprises: a first base on which electronic parts are mounted; a second base that is opposed to the first base; and a sealing resin that seals the first base and the second base with respective portions thereof exposed. The first base consists of a first region, a second region and a third region. The electronic parts are mounted on the first region. The second region and the third region are oriented orthogonally to the first region. The second base is joined to some of the electronic parts mounted on the first region. The four sides that are the external sides of the first base and of the second base are exposed from the sealing resin.

Classes IPC  ?

• H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur

Abrégé

An integrated circuit for digitally controlling a critical mode power factor correction (PFC) circuit according to one or more embodiments may include: an output voltage detector and a switching current detector; an A/D converter and a sample and hold circuit that perform analog-to-digital conversion of an output signal of the output voltage detector and the switching current detector; an arithmetic unit that performs calculation based on the output signal of the A/D converter and generates a pulse signal to turn on/off a switching device of the PFC circuit; a correction value calculator that calculates, based on a switching frequency of the PFC circuit, a correction value for linearly correcting the output signal of the A/D converter; and an adder that adds the correction value to the output signal of the A/D converter to correct the output signal of the A/D converter and inputs the corrected output signal to the arithmetic unit.

Classes IPC  ?

• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A method may include detecting an output voltage of the output smoothing capacitor in the bridgeless interleaved power factor correction circuit of a critical mode, comparing the detected output voltage with a reference voltage, controlling the first and the second half-bridge circuits included in the bridgeless interleaved power factor correction circuit of the critical mode to be on and off based on an error signal between the output voltage and the predetermined reference voltage, measuring ON time of a synchronous rectification switch operation of the first half-bridge circuit by measuring a time period between OFF timing of an active switch of the first half-bridge circuit and output of a differentiation signal generated by a differentiation circuit included in the bridgeless interleaved power factor correction circuit of the critical mode; and assigning the measured time to next ON time of the synchronous rectification switch operation of the second half-bridge circuit.

Classes IPC  ?

• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont

Abrégé

Provided is a watchdog timer device capable of optimizing both a method that causes interruption and a method that causes resetting.　This watchdog timer device comprises: a count value reception unit (2) that receives and holds CTOA and CTOB; a counter (3) that determines, in a WDT mode, occurrence of timeout when a count value with CTOA serving as an initial value is counted down to "0" without receiving input of a count clear request CCRA, and determines, in an RT mode, occurrence of timeout when a count value with CTOB serving as an initial value is counted down to "0" without receiving input of a count clear request CCRB; and a mode setting unit (4) that sets an initial state to the WDT mode, and causes the WDT mode to transition to the RT mode when determining occurrence of timeout in the WDT mode or causes the RT mode to transition to the WDT mode by receiving input of the count clear request CCRB in the RT mode.

Classes IPC  ?

• G06F 11/07 - Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts

Abrégé

[Problem] To provide a semiconductor device of a vertical trench gate MOS structure having high breakage resistance at a terminal portion. [Solution] A semiconductor device of a vertical trench gate MOS structure, wherein: a deep P layer is formed between a termination trench which has a single field plate inside the trench and an active trench which is adjacent to the termination trench and which has a gate electrode inside the trench and a field plate below the gate electrode; and the deep P layer is positioned between the field plate and the gate electrode of the adjacent active part trench.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

[Problem] To provide a semiconductor device with improved heat dissipation. [Solution] A semiconductor device which, on the semiconductor chip back surface, has protrusions formed from the same semiconductor as that of the semiconductor chip, wherein the protrusions are covered with a metal that has good thermal conductivity. By covering the protrusions with a metal, the heat dissipation from the protruding portion is improved, and it is possible to improve heat dissipation of the entire semiconductor chip. Further, heat dissipation can be further improved by adopting structures in which the protrusions covered by a metal in the chip center portion are longer than the protrusions covered by metal in the chip in the peripheral portion, and structures in which the density of protrusions covered by metal in the chip center portion is higher than the density of the protrusions covered by metal in the chip peripheral portion.

Classes IPC  ?

• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

Abrégé

[Problem] To provide a dual-side cooled power module, wherein a stepped structure provided with a thick metal layer on a substrate is used, whereby spacers and a bonding material between spacers can be omitted to reduce the number of components, packaging material costs and manufacturing steps can be reduced, the occurrence of defects can be prevented, and manufacturing costs can be reduced. [Solution] Provided is a structure wherein a first substrate and a second substrate are made to face each other, a semiconductor chip is bonded therebetween, and sealed with resin, each of the first and the second substrates being provided with a first metal layer, an insulating layer, and a second metal layer, a bonding part with the semiconductor chip of the second metal layer being provided with a CTE-modifiable metal.

Classes IPC  ?

• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

Abrégé

[Problem] To provide a semiconductor power module including a DBC substrate having metal patterns with different thicknesses, and thereby reduce the number of components, simplify the manufacturing process, and reduce the manufacturing cost of the semiconductor power module. The present invention also improves the flexibility of the structural design of a semiconductor power module. [Solution] In a package structure of this semiconductor power module in which a power chip and a control chip are mounted on a DBC substrate, metal patterns of the DBC substrate include a power chip mounting part (power part) and a control chip mounting part (signal part), and the metal thickness of the power chip mounting part is greater than the metal thickness of the control chip mounting part. Also, the power chip is a flip chip type and has a structure in which clip leads are provided in wiring.

Classes IPC  ?

• H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,

Abrégé

A semiconductor device is disclosed that includes a group of trenches positioned in active region inside a first semiconductor region. A first trench is positioned in an outer peripheral region on an outer side of an active region. A second trench is positioned on an outer side of the first trench positioned in the outer peripheral region on the outer side of the active region. A mesa portion is positioned between the first and the second trenches. An insulating layer is positioned inside the first and second trenches. A second field plate is positioned inside the insulating layer in the first trench. A third field plate positioned inside the second insulating layer in the second trench. The mesa portion includes the semiconductor region electrically coupled to the first main electrode on an outermost side. The first trench does not have the gate electrode at upper part of the first trench.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

A semiconductor device is disclosed including a sub-layer with first conductivity type, a drift layer with first conductivity type, a base region with second conductivity type positioned on the drift layer, a source region in contact with the base region, a source electrode, a plurality of trenches, at least one of the trenches in contact with the drift layer, the base region, and the source region, a plurality of insulating regions, at least one of the insulating regions positioned inside of each trench, a plurality of gate electrodes, at least one of the gate electrodes positioned inside of each trench; and a plurality of field plates, at least one of the field plates electrically connected to the source electrode and positioned in the insulating region in the trench. The field plate comprises high-resistance polysilicon.

Classes IPC  ?

• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A power conversion device according to an embodiment may include: an output circuit configured to perform a power conversion operation of converting input power into an output power and outputting the output power; and a microcomputer configured to control the power conversion operation by the output circuit with power supplied from an internal power source of the output circuit, wherein the microcomputer outputs a status signal notifying whether the microcomputer is in a power shutdown permit period or a power shutdown inhibit period, and the output circuit includes a power supply stop circuit configured, when receiving the operation stop signal that instructs to stop the power conversion operation, to stop the power supply from the internal power source to the microcomputer on a condition where the status signal indicates that the microcomputer is in the power shutdown permit period.

Classes IPC  ?

• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

Abrégé

The present invention stably supplies a power source for driving a DC-DC converter including a synchronous rectification-type SEPIC circuit. A synchronous rectification-type SEPIC circuit 1, including inductors 2, 5, a switch element 3, a capacitor 4, a synchronous rectification element 6, and an output capacitor 7, is provided with a drive voltage switching unit 15 for stably supplying a drive signal voltage of the synchronous rectification element 6 regardless of whether an output voltage Vo is greater or less than a drive power voltage Vdrv of the synchronous rectification element 6. The drive voltage switching unit 15 is characterized by including a means for: switching connection so that power is supplied from the output voltage Vo to a second drive circuit 10 if the output voltage Vo is set higher than the drive power voltage Vdrv; and switching connection so that power is supplied from the drive voltage Vdrv if the output voltage Vo is set lower than the drive voltage Vdrv.

Classes IPC  ?

• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A DC-DC converter according to one or more embodiments is disclosed that may include: a drive voltage switching circuit of a drive circuit that drives a synchronous rectification MOS transistor. The drive voltage switching circuit may switch a connection so that the drive circuit supplies power from the output voltage to the drive circuit in response to the drive voltage for supplying power to the drive circuit being set to be lower than the output voltage. The drive voltage switching circuit may switch a connection so that the drive circuit supplies power from the drive voltage in response to the drive voltage for supplying power to the drive circuit being set to be higher than the output voltage.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

An event processing method of a processor according to one or more embodiments may include detecting an event input, which notifies an occurrence of an event, detecting a wait event by an event input, changing a status from an execution status to a wait status and outputs a count start signal by an event wait instruction, and changes a status from the wait status to the execution status and outputs a count end signal by the detection of the wait event, incrementing a counter value from an initial value by output of the count start signal, and ends counting by output of the count end signal; and receiving and storing a count value of the timer counter by output of the count end signal.

Classes IPC  ?

• G06F 9/54 - Communication interprogramme
• G06F 9/30 - Dispositions pour exécuter des instructions machines, p.ex. décodage d'instructions

Abrégé

Provided is an A/D conversion circuit with which it is possible to eliminate an offset error without increasing the layout area or the consumed current, even when a memory-cell-overwriting comparator is used.　A sequential-comparison analog/digital conversion circuit (1) comprising a capacity DAC (2) that generates a potential for each bit on the basis of an analog input, a comparator (3) that compares the potentials generated by the capacity DAC (2), and a conversion data generator (4) that generates conversion data of a resolution bit on the basis of the result of comparison by the comparator (3), the analog/digital conversion circuit (1) converting the analog input to a digital conversion value and outputting the digital conversion value, wherein the comparator (3) is a memory-cell-overwriting comparator provided with a first-stage current-mirror-type operational amplifier (10) and a second-stage memory cell (20), and the analog/digital conversion circuit (1) also comprises a correction circuit (5) that corrects an output error of the conversion data originating from an offset error in the comparator (3) through addition/subtraction of an offset correction value, which is a fixed value, and that outputs the corrected conversion data as the digital conversion value.

Classes IPC  ?

• H03M 1/10 - Calibrage ou tests
• H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur
• H03K 5/08 - Mise en forme d'impulsions par limitation, par application d'un seuil, par découpage, c. à d. par application combinée d'une limitation et d'un seuil

Abrégé

Provided is an A/D conversion circuit capable of achieving increased speed by eliminating allocation of excessive [capacitive DAC settling time].　This successive comparison type A/D conversion circuit (10) converts analog input into a digital conversion value by repeating, for each resolution bit, a conversion data generating operation, a potential generating operation, and a comparison operation, and converts analog input into a digital conversion value by repeating, for each resolution bit, the conversion data generating operation carried out by a conversion data generator (40), the potential generating operation carried out by a capacitive DAC (2), and the comparison operation carried out by a comparator (3). The successive comparison type analog/digital conversion circuit (10) comprises a comparator operation signal generating circuit (5) that predicts, on the basis of the capacitance C0-C (n-1) used by the capacitive DAC (2) and the charging/discharging period for a capacitive element (51) having equivalent characteristics, the timing at which a potential generated by the capacitive DAC (2) will stabilize, and generates a comparator operation signal that causes the comparator (3) to start a comparison operation.

Classes IPC  ?

• H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur

Abrégé

An analog-to-digital converter according to one or more embodiments is disclosed that converts an analog input to a digital converted value by repeating a conversion data generation operation by a conversion data generator, a potential generation operation by a capacitance DAC, and a comparison operation by a comparator for a resolution bit, the analog-to-digital converter. a comparator operation signal generation circuit predicts the time when a potential generated by the capacitance DAC becomes settled based on a charging or discharging time to a capacitance element whose characteristics are equal to those of the capacitance used in the capacitance DAC, and generates a comparator operation signal to allow the comparator to start the comparison operation.

Classes IPC  ?

• H03M 1/38 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives
• H03M 1/06 - Compensation ou prévention continue de l'influence indésirable de paramètres physiques

Abrégé

One or more embodiments of a successive approximation type analog-to-digital converter that converts an analog input into a digital conversion value and outputs the digital conversion value, may include: a capacitance DAC that generates a bit-by-bit potential based on an analog input; a comparator that compares the potential generated by the capacitance DAC, wherein the comparator is a memory cell rewriting type, the comparator includes a first stage current mirror type operational amplifier; and a second stage memory cell; a conversion data generator that generates conversion data of resolution bits based on a comparison result of the comparator; and a correction circuit that corrects an output error of the conversion data caused by an offset error of the comparator by adding or subtracting an offset correction value that is a fixed value, and outputs the conversion data as a digital conversion value.

Classes IPC  ?

• H03M 1/06 - Compensation ou prévention continue de l'influence indésirable de paramètres physiques
• H03M 1/10 - Calibrage ou tests
• H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur

Abrégé

An analog-digital conversion circuit is disclosed for comparing a comparison potential with a reference potential generated based on a reference power supply to convert a comparison potential to a digital value. An analog-to-digital converter generates the comparison potential based on a sampled and held input potential, the digital value, and the reference power supply. A current amount control unit controls current amount flowing to the current amount control element in each bit circuit. In response to second switches of the bit circuits being turned on in order from the upper bit in each bit circuit by the digital value, the current amount control unit applies a current control potential to the current amount control element in any of the bit circuits that the noise current is more than allowable value while the noise current proportional to the charge flowing from the capacitor is more than the allowable value.

Classes IPC  ?

• H03M 1/12 - Convertisseurs analogiques/numériques
• H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur

Abrégé

[Problem] To provide a trench-gate-type MOSFET having fast switching speed and high surge tolerance. [Solution] In the trench-gate-type MOSFET, the resistance value of the source region near the gate electrode is increased, and the resistance value of the source region far from the gate electrode is lowered. As a method for changing the resistance value, the concentration of diffused impurities may be made lower in the source region near the gate electrode than in the source region far from the gate electrode. Similarly, as the method for changing the resistance value, there is a method of having the same impurity concentration at the source region near the gate region and the source region far from the gate electrode, and inputting impurities having low mobility in the source region near the gate electrode and impurities having high mobility in the source region far from the gate electrode.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

[Problem] Since there is variation in the thicknesses of materials stacked on top of one another in a dual side cooling power module, stacking the materials one by one makes it difficult to keep the stacked thickness of the entire module constant. [Solution] In order to control the stacked height of this dual side cooling power module when the thickness tolerances of materials directly influence the thickness tolerance of the entire module, a die or the like is stacked on and attached to mutually facing insulated substrates, and thereafter a joining material (adhesive) attached lastly to the substrates is made to act as a cushioning joining layer (buffer adhesion layer) with a reflow process in which a special metal jig is used and pre-drying is not performed.

Classes IPC  ?

• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs

Abrégé

[Problem] The objective of the present invention is to provide a dimming agent and a light-emitting device, capable of limiting brightness without lowering the current value of a current being injected into an LED. [Solution] The invention is the dimming agent having a diffuse reflection intensity of 80% or lower at wavelengths from 400 nm to 750 nm, characterized by containing at least one among terbium, praseodymium, manganese, and titanium.

Classes IPC  ?

• C09K 3/00 - Substances non couvertes ailleurs
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone

Abrégé

A pipeline processing unit includes a fetch unit that fetches the instruction for the thread having an execution right, a decoding unit that decodes the instruction fetched by the fetch unit, and a computation execution unit that executes the instruction decoded by the decoding unit. When the WAIT instruction for the thread having the execution right is executed, an instruction holding unit holds instruction fetch information on a processing target instruction to be processed immediately after the WAIT instruction. An execution target thread selection unit selects a thread to be executed based on a wait command and, in response to a wait state started from the execution of the WAIT instruction being canceled, processes the processing target instruction from decoding thereof based on the instruction fetch information on the processing target instruction held in the instruction holding unit.

Classes IPC  ?

• G06F 9/38 - Exécution simultanée d'instructions
• G06F 9/30 - Dispositions pour exécuter des instructions machines, p.ex. décodage d'instructions

Abrégé

Provided are an abnormality detection circuit and an abnormality detection method which are capable of temporally and logically monitoring a program sequence.　This abnormality detection circuit is equipped with: a seed value register (13) which is a seed value storage unit that stores a seed value (SEED) in such a manner that the seed value (SEED) can be read from a CPU (2); a calculation unit (14) which performs a predetermined calculation process on the seed value stored in the seed value register (13), and thereby generates a check key value (CKEY); a write key register (15) which is a key value storage unit to which a key value (WKEY) is written by the CPU (2); and a comparator (16) which compares the key value (WKEY) written to the write key register (15) with the check key value (CKEY). If the key value (WKEY) written to the write key register (15) matches the check key value (CKEY), then a counter (12) is reset, and the seed value (SEED) determined at the time of resetting the counter (12) is stored in the seed value register (13).

Classes IPC  ?

• G06F 11/07 - Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts

Abrégé

A light emitting device (1) includes: three or more light emitting units (10, 20, 30) that individually include blue light emitting element, a wavelength range of the blue light emitting element accommodated in respective packages being different from each other. The light emitting device mixes output lights from the light emitting units (10, 20, 30) to output white light of a predetermined chromaticity. In an xy chromaticity diagram, the chromaticity of the output light from each of light emitting units (10, 20, 30) is located at a distance from the predetermined chromaticity. The difference between the chromaticity of the output light from each of the light emitting units (10, 20, 30) and the predetermined chromaticity is not greater than 0.04.

Classes IPC  ?

• F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers
• F21Y 113/13 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes comprenant un ensemble de sources lumineuses ponctuelles
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

An analog-to-digital converter that converts an inputted analog signal into a digital value is disclosed that may include unit circuits that each generate reference voltages comprising regular potential intervals by a series resistor circuit connected between a high potential side reference voltage and a low potential side reference voltage and convert the reference voltages into a digital value by comparing the reference voltages with the inputted analog signal, and an adder that adds the digital values converted by the unit circuits. Each unit circuit may include coupling switches that couple the series resistor circuit with the series resistor circuit of another one of the unit circuits and connect the series resistor circuits between the high potential side reference voltage and the low potential side reference voltage and a sharing switch that shares the inputted analog signal with the other unit circuit that is coupled with the series resistor circuit.

Classes IPC  ?

• H03M 1/20 - Augmentation de la résolution par l'utilisation d'un système à n bits pour obtenir n+m bits, p.ex. par addition d'un signal aléatoire
• H03M 1/36 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement simultanément, c. à d. du type parallèle
• H03M 1/42 - Comparaisons séquentielles dans des étages disposés en série, sans changer la valeur du signal analogique

Abrégé

D1_1D1_2IN1IN2IN1IN2IN1IN2D1_1D1_2D1_1D1_2IN1IN2IN2) and output an error signal.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
• H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur

Abrégé

A semiconductor device according to one or more embodiments may include a first semiconductor region of a first conductivity type, a second semiconductor region of the first conductivity type with a higher impurity concentration than an impurity concentration of the first semiconductor region, the second semiconductor region being provided on a first principal surface of the first semiconductor region, a third semiconductor region of a second conductivity type provided on an upper surface of the second semiconductor region, the third semiconductor region being doped with an impurity in accordance with an impurity concentration profile including peaks along a film thickness direction, a fourth semiconductor region of the first conductivity type provided on an upper surface of the third semiconductor region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Provided is a power conversion device in which an output circuit can immediately stop the supply of power in a state in which a microcomputer can be stopped.　The power conversion device is provided with: an output circuit (10) that executes a power conversion operation in which input power is converted to a prescribed output power and output; and a microcomputer (20) that is supplied power from an internal power supply (12) of the output circuit (10), and controls the power conversion operation by the output circuit (10). The microcomputer (20) outputs, to the output circuit (10), a state signal that provides notification of whether the microcomputer (20) is in a power supply stoppable period in which the power supply can be stopped, or in a power supply non-stoppable period in which the power supply cannot be stopped. The output circuit (10) is provided with a power supply stopping circuit (14) that stops the supply of power from the internal power supply (12) to the microcomputer (20) when, upon input of an operation stop signal instructing that the power conversion operation be stopped, it can be confirmed via the state signal that the microcomputer (20) is in a power supply stoppable period.

Classes IPC  ?

• H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

Abrégé

Provided are a processor and an event processing method which are capable of measuring, in real time, the time it takes to return to a RUN state after executing an EVTWAIT instruction, without consuming external timer resources.　This processor is provided with: a timer counter TMR which starts counting from an initial value; an event input control unit (26) which detects an event input that indicates occurrence of an event; an EVTWAIT instruction detection unit (27) which detects a wait event in response to the event input; a state control unit (30) which, in response to an EVTWAIT instruction, causes a transition from a RUN state to a WAIT state and outputs a count start signal, and which, in response to the detection of the wait event, causes a transition from the WAIT state to the RUN state and outputs a count end signal; and a TMRCAP register (23) which retrieves and holds the count value of the timer counter TMR in response to the count end signal output from the state control unit (30).

Classes IPC  ?

• G06F 1/14 - Dispositions pour le contrôle du temps, p.ex. horloge temps réel
• G06F 1/3234 - Gestion de l’alimentation, c. à d. passage en mode d’économie d’énergie amorcé par événements Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise

Abrégé

Embodiments of this disclosure provide a control apparatus and method for a current resonance circuit and a current resonance power supply. The control method includes: performing integration on a resonance current of the current resonance circuit or a switching current of one or more switching elements to generate an integration signal; generating a feedback signal of the current resonance circuit; comparing the integration signal with the feedback signal, and generating a measurement signal according to a comparison result; performing digital filtering on the measurement signal; and according to the measurement signal after filtering, generating a pulse width modulation signal controlling the switching elements.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

In the present invention, a digital/analog converter included in an A/D conversion circuit is provided with: a plurality of bit circuits which include, so as to correspond to a plurality of bits, capacitors outputting comparative potential from one ends thereof and having capacity values increasing from lower-order bits to the higher-order bits of the plurality of bits, first switches positioned at the other ends of the capacitors and having applied thereto input potential, and series circuits comprising second switches and current amount control elements and positioned between the other ends of the capacitors and a reference power source; and a current amount control unit for controlling a current amount flowing through the current amount control elements provided to the bit circuits. In a case where the second switches are switched on, by digital values, sequentially from the higher-order bit in the respective bit circuits, and during a period in which a second switch in any one of the bit circuits that has a noise current equal to or higher than an allowable value is switched on, the noise current being proportional to electrical charge flowing from the corresponding capacitor to the reference power source, the current amount control unit regulates the noise current so to be lower than the allowable value by applying current control potential to a current amount control element in any one of the bit circuits.

Classes IPC  ?

• H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur
• H03M 1/08 - Compensation ou prévention continue de l'influence indésirable de paramètres physiques du bruit

Abrégé

The present invention is provided with: a voltage detection unit 1 for detecting an output voltage and converting the detected output voltage to a digital value having a predetermined number of bits; a digital filter 4 for performing a predetermined calculation on the basis of the error between a target value and the output of the voltage detection unit; a drive unit 5 for driving switching elements with a predetermined duty in a filter characteristic analysis period and controlling a main switching element with a duty based on the calculation result of the digital filter after the completion of the filter characteristic analysis period; a current detection unit 6 for detecting a current flowing through an inductor and outputting the detected current as a current detection signal; a filter characteristic analysis unit 7 for analyzing, on the basis of the current detection signal from the current detection unit, the characteristics of a filter constituted by the inductor and an output capacitor from the period of occurrence of a rush current flowing through the inductor in the filter analysis period; and a constant storage unit 8 having a plurality of digital filter constant tables in which a plurality of filter constants corresponding to a plurality of filter characteristics are stored, selecting a proper filter constant from among the plurality of digital filter constant tables in accordance with the filter characteristics after the completion of the filter characteristic analysis period, and supplying the selected filter constant to the digital filter.

Classes IPC  ?

• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

Task #: 946 / Project: Abstracts JA-EN 199617 / Asset: pctjp2018046755-ttad-000001-en-ja.xml This semiconductor device comprises: a drift region (30) having an SJ structure that is placed on a semiconductor substrate (10), for which a first columnar region (31) of a first electrically conductive type and a second columnar region (32) of a second electrically conductive type are placed in alternating fashion; a base region (40) of the second electrically conductive type that is placed on the drift region (30); a source region (50) of the first electrically conductive type that is placed on the base region (40); and gate electrodes (80) placed inside grooves that pass through the source region (50) and the base region (40). The second columnar region (32) of the drift region (30) is formed with the recombination center density of holes and electrons higher in an upper region (32A) than in a lower region (32B).

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués

Abrégé

A semiconductor device, provided with a semiconductor substrate 10 in which an element region 110 and a periphery region 120 surrounding the element region 110 are defined on a main surface thereof. Outer peripheral trenches 20, having an insulating film 21 disposed on the inner wall surface of a groove and an electroconductor film 22 disposed on the insulating film 21 inside the groove, are disposed on the periphery region 120 so as to surround the element region 110. The electroconductor film 22 of the outer peripheral trenches 20 is set to a potential higher than the potential of the negative-side main electrode of a semiconductor element formed on the element region 110.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

UHVHWHULVLWLULVLWLUHVHWHWH by upper/lower complementary switching with a dead time Td in between; a mask generation unit (56) for generating a mask period including the dead time Td; and a zero cross detection unit (51) for detecting a zero cross of back electromotive force in a period other than the mask period on the basis of the phase voltage in a non-conduction period.

Classes IPC  ?

• H02P 6/182 - Dispositions de circuits pour détecter la position sans éléments séparés pour détecter la position utilisant la force contre-électromotrice dans les enroulements

Abrégé

The present invention is a processor that performs a pipeline process in which a plurality of threads are processed, and commands that include a wait command and correspond to the thread numbers of the threads are executed and processed in parallel. Pipeline processing units 1-4 comprise a fetching unit for fetching the commands of the threads for which an execution right has been obtained, a decoding unit for decoding the commands fetched by the fetching unit, and an operation execution unit for executing the commands decoded by the decoding unit. When the wait command of the threads for which the execution right has been obtained is executed, command holding units 14-0, 14-1 hold information on the command fetch of process commands processed subsequent to the wait command. An execution thread selection unit 5 selects the threads to be executed on the basis of a wait instruction, and when the wait state in effect from the time of execution of the wait command is canceled, executes the threads starting from the decoding of the process commands on the basis of the information on the command fetch of the process commands held in the command holding units.

Classes IPC  ?

• G06F 9/38 - Exécution simultanée d'instructions
• G06F 9/30 - Dispositions pour exécuter des instructions machines, p.ex. décodage d'instructions
• G06F 9/32 - Formation de l'adresse de l'instruction suivante, p.ex. par incrémentation du compteur ordinal
• G06F 9/46 - Dispositions pour la multiprogrammation
• G06F 12/0875 - Adressage d’un niveau de mémoire dans lequel l’accès aux données ou aux blocs de données désirés nécessite des moyens d’adressage associatif, p.ex. mémoires cache avec mémoire cache dédiée, p.ex. instruction ou pile

Abrégé

This semiconductor device includes a semiconductor substrate (10) which has, defined on a top surface thereof, an element region (110) and a surrounding region (120) that surrounds the element region (110). A plurality of trenches (20) are arranged surrounding the element region (110) in multiple layers in the surrounding region (120), each of the trenches (20) having an insulating film (21) that is disposed on an inner wall of a groove extending from the top surface of the semiconductor substrate (10) in the film thickness direction and a conductor film (22) that is disposed on the insulating film (21) inside the groove. The surrounding region (120) has an inner region (121) that is close to the element region (110) and an outer region (122) that is positioned around the inner region (121), and the widths of the semiconductor substrate (10) between adjoining trenches (20) are larger in the inner region (121) than in the outer region (122).

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A power conversion device according to one or more embodiments may include: a microcomputer; and an output circuit controlled by the microcomputer, including an output unit that converts an input power into a predetermined power and outputs the predetermined power, an internal power source that supplies a power source to the microcomputer, a driver that drives the output unit by a signal from the microcomputer, and a microcomputer stop transition unit that, when an operation of the power conversion device is stopped, outputs a microcomputer stop signal to the microcomputer and causes an operation of the microcomputer to transition to a stop state. In one or more embodiments, after the microcomputer stop transition unit causes the operation of the microcomputer to transition to a stop state, the microcomputer or the output circuit may stop an output of the internal power source.

Classes IPC  ?

• H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02H 7/122 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques pour onduleurs, c. à d. convertisseurs de courant continu en courant alternatif

Abrégé

A semiconductor device is disclosed that includes a substrate; a first semiconductor region arranged in the cell region on a first surface side of the substrate; a second semiconductor region arranged in a cell region; a channel stopper electrode arranged in a termination region; a first electrode arranged on the first surface and electrically connected to the second semiconductor region; an insulation film arranged between the channel stopper electrode and the first electrode; first conductors arranged inside the insulation film; second conductors arranged on the insulation film; and a second electrode arranged on a second surface side of the substrate. A width of an overlapping portion in a height direction of the first conductor and the second conductor on the first electrode side is larger than a width of an overlapping portion in the height direction of the first and second conductors on the channel stopper electrode side.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

Abrégé

This semiconductor device is provided with: a second conductive-type embedded region (20) that is embedded in a part of the upper surface of a first conductive-type semiconductor substrate (10); a second conductive-type first semiconductor region (30) that is disposed above the semiconductor substrate (10) so as to cover the embedded region (20) and that has an impurity concentration lower than that of the embedded region (20); a first conducive-type connection region (40) that is embedded in a part of the upper surface of the semiconductor substrate (10) in a remaining region obtained by excluding the region where the first semiconductor region (30) is disposed, and that has a side surface connected to an extension region (31) which is a part of the lower part of the first semiconductor region (30); and a first conductive-type second semiconductor region (50) that is disposed on the upper surface of the connection region (40) and has a side surface connected to the first semiconductor region (30). The extension region (31) of the first semiconductor region (30) extends below the end of the second semiconductor region (50), and comes into contact with the side surface of the connection region (40).

Classes IPC  ?

• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A trench semiconductor device includes a layer of semiconductor material, an exterior trench pattern formed in the layer of semiconductor material, and an interior trench pattern formed in the layer of semiconductor material, at least partially surrounded by the exterior trench pattern. The exterior trench pattern includes a plurality of exterior trench portions that are each lined with dielectric material and filled with conductive material, and the interior trench pattern includes a plurality of interior trench portions that are each lined with dielectric material and filled with conductive material.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A trench gate type IGBT, comprising: a first semiconductor area (10) of a first electrically conductive type; a second semiconductor area (20) of the first electrically conductive type placed on the main surface of the first semiconductor area (10), with a higher impurity concentration than the first semiconductor area (10); a third semiconductor area (30) of a second electrically conductive type, placed on the top surface of the second semiconductor area (20), with impurities of an impurity concentration profile having a plurality of peaks along the film thickness direction added; and a fourth semiconductor area (40) of the first electrically conductive type placed on the top surface of the third semiconductor area (30).

Classes IPC  ?

• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A semiconductor device, comprising a nitride semiconductor layer, a switching element, and a driving transistor; the switching element comprises: a first portion of a first electrode formed on the nitride semiconductor layer; a second electrode formed on the nitride semiconductor layer; and a first control electrode formed on the nitride semiconductor layer and located between the first portion of the first electrode and the second electrode; the driving transistor comprises: a second portion of the first electrode formed on the nitride semiconductor layer and connecting the first portions of the adjacent first electrodes to each other; a third electrode formed on the nitride semiconductor layer and transmitting a signal to the first control electrode; and a second control electrode formed on the nitride semiconductor layer and located between the second portion of the first electrode and the third electrode. Therefore, when the switching element is turned off, it can be kept in an off state even if a drain voltage applied to the switching element is subjected to a variation or the like.

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT

Abrégé

A semiconductor device comprising: a semiconductor substrate (10); a first interlayer dielectric film (21) disposed on a major surface of the semiconductor substrate (10); a second interlayer dielectric film (22) disposed on the first interlayer dielectric film (21); and an electrical conductor film (30) which is embedded in an opening continuously penetrating through the first interlayer dielectric film (21) and the second interlayer dielectric film (22) and which is in contact with the major surface of the semiconductor substrate (10). A first inclination angle S1 formed by a side surface of the first interlayer dielectric film (21) and the major surface of the semiconductor substrate (10) is smaller than a second inclination angle S2 formed by an extension line of the side surface of the second interlayer dielectric film (22) and the major surface of the semiconductor substrate (10), and an upper surface of the second interlayer dielectric film (22) is inclined so as to approach the semiconductor substrate (10) gradually outward from the upper end of the opening.

Classes IPC  ?

• H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky

Abrégé

121212122).

Classes IPC  ?

• H03M 1/36 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement simultanément, c. à d. du type parallèle
• H03M 1/20 - Augmentation de la résolution par l'utilisation d'un système à n bits pour obtenir n+m bits, p.ex. par addition d'un signal aléatoire

Abrégé

A semiconductor device, provided with: a semiconductor substrate (10) having a first main surface (11) and a second main surface (12) opposite each other, a measurement pad being disposed on the first main surface (11); and a stress film (20) disposed on the first main surface (11) and/or the second main surface (12), the stress film (20) producing a stress in the semiconductor substrate (10) that causes warpage, in which the first main surface (11) becomes concave, so that the warpage amount of the semiconductor substrate (10) at room temperature is 30 to 60 μm. The stress is produced by the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor substrate (10) and the stress film (20).

Classes IPC  ?

• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement

Abrégé

A device and method for calculating switching time. The device includes: a digital calculator configured to calculate a next on time according to an output voltage signal and an inductor current signal detected during an on period of a switching element and calculate a next off time according to the next on time, an input voltage signal and the output voltage signal; and a signal generator configured to generate a pulse width modulation signal for controlling the switching element, according to the next on time and the next off time. Therefore, a digital controlling manner is provided, not only the number of components and the cost are decreased, but also detection accuracy is improved with a simple structure.

Classes IPC  ?

• H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 7/5395 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur avec commande automatique de la forme d'onde ou de la fréquence de sortie par modulation de largeur d'impulsions
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A semiconductor device in embodiments, may include a device region having: two active trenches, each having at least a gate electrode. Two insulated trenches each having an electrode may be formed between the two active trenches separated by a junction. First p-doped layers may be provided between a first active trench and a first insulated trench, and between a second active trenches and a second insulated trench. Second p-doped layers may be provided between a first insulated trench and a second insulated trench with the junction arranged therebetween. The second p-doped layers may be provided on an external surface of the respective first one and second one of the two insulated trenches at a depth and a thickness set to form a current path when the power semiconductor device is in an OFF state.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor base; a trench insulating film which is provided on the inner wall surface of a trench formed from the upper surface of the semiconductor base in a film thickness direction of the semiconductor base and including a charged region which is charged positively; and a gate electrode provided on the trench insulating film within the trench. The positive charge density of the charged region at least in a side part of an outer region of the trench insulating film which is provided on the side surface of the trench is higher than that of an inner region of the trench insulating film which is opposite to the outer region, the outer region being in contact with the semiconductor base.

Classes IPC  ?

• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

Abrégé

A semiconductor device comprises: a second conductivity type buried region (20) buried in the upper surface of a first conductivity type semiconductor substrate (10); a second conductivity type first semiconductor region (30) that is disposed on the upper surface of the semiconductor substrate (10) so as to cover the buried region (20) and has a lower impurity concentration than the buried region (20); a first conductivity type second semiconductor region (40) disposed on the upper surface of the semiconductor substrate (10) in a remaining region of the region where the first semiconductor region (30) is disposed; a second conductivity type drain region (50) disposed on the upper surface of the first semiconductor region (30); a second conductivity type source region (60) disposed on the upper surface of the second semiconductor region (40); and a gate electrode (80) disposed above the second semiconductor region (40) between the drain region (50) and the source region (60), wherein the position, in plan view, of the opposite end of the buried region (20) facing the second semiconductor region (40) is between the end of the gate electrode (80) on the side closer to the drain region (50) and the drain region (50).

Classes IPC  ?

• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A current collapse characteristic is sufficiently suppressed. After forming a large opening (first opening) passing through both a TEOS oxide layer 42 and an oxide layer 41, a thin oxide layer (third insulating layer) 43 is formed entirely covering the layers 41 and 42 and the first opening. In the thin oxide layer 43 inside the first opening, a second opening for exposing a group-III nitride semiconductor layer 10 is provided. A gate electrode 50 is formed at a slanted portion of the first opening including the second opening. A taper angle of the first opening is smaller in the TEOS oxide layer 42 than in the oxide layer 41.

Classes IPC  ?

• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

Provided is a low cost semiconductor device in which occurrence of chipping and a crack during dicing is suppressed. A nitride layer (silicon nitride layer) 23 is formed on an oxide layer 22. In FIG. 1, a thick organic layer 24 is formed as a top layer. The semiconductor device 1 is characterized by its structure on a side of its end portion. In FIG. 1, the end portion E of the semiconductor device 1 is formed by cutting with a blade in the vertical direction during dicing. An edge E1 of both the oxide layer 22 and the nitride layer is located apart from an edge of a semiconductor substrate 10. An edge E2 of the organic layer 24 on the nitride layer 23 is located inside the edge E1 of the nitride layer 23 (on a side more distant from the edge E).

Classes IPC  ?

• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/8232 - Technologie à effet de champ
• H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
• H01L 23/488 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées

Abrégé

The present invention comprises: a plurality of processors 11a-11c for executing mutually different processes; a multiplexer 12-X for selecting one processor from within the plurality of processors; a checker processor 16; a comparator 14-X for comparing the external state of the processor selected by the multiplexer with the external state of the checker processor or comparing the internal state of the processor selected by the multiplexer with the internal state of the checker processor; and a controller 21 for determining, on the basis of the comparison result of the comparator, that the selected processor or the checker processor is abnormal when the external states or the internal states do not match.

Classes IPC  ?

• G06F 11/16 - Détection ou correction d'erreur dans une donnée par redondance dans le matériel
• G06F 11/18 - Détection ou correction d'erreur dans une donnée par redondance dans le matériel en utilisant un masquage passif du défaut des circuits redondants, p.ex. par logique combinatoire des circuits redondants, par circuits à décision majoritaire

Abrégé

A semiconductor device and a method for forming the semiconductor device. The semiconductor device includes: a unipolar component at least including an epitaxial layer; a transition layer connected to the epitaxial layer; and a bypass component connected to the transition layer; the unipolar component and the bypass component are connected in parallel and the transition layer is configured between the unipolar component and the bypass component.

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 21/8258 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes , , ou
• H01L 21/8234 - Technologie MIS
• H01L 29/872 - Diodes Schottky

Abrégé

A data processing device according to one or more embodiment is disclosed. The data processing device may include a first power-on reset circuit that generates a first power-on reset signal depending on power source voltage, and a processor that activates based on a first power-on reset signal generated by the first power-on reset circuit and that runs software. The processor determines if the normal first power-on reset signal is used to cause the processor to activate and run the software.

Classes IPC  ?

• G06F 1/24 - Moyens pour la remise à l'état initial
• G06F 1/26 - Alimentation en énergie électrique, p.ex. régulation à cet effet
• H03K 17/22 - Modifications pour assurer un état initial prédéterminé quand la tension d'alimentation a été appliquée
• G06F 9/4401 - Amorçage
• G06F 15/177 - Commande d'initialisation ou de configuration

Abrégé

A device and method for controlling a power converter. The device includes an activation terminal configured to obtain a first voltage based on the input voltage; a controlling terminal configured to obtain a second voltage based on the output voltage; and a digital controller configured to obtain a driving power based on the first voltage and/or the second voltage; the digital controller is configured to obtain the driving power at least based on the first voltage when the power converter is stopped. Therefore, a sufficient driving power can be provided for the digital controller even when the power converter is stopped.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• G06F 1/3234 - Gestion de l’alimentation, c. à d. passage en mode d’économie d’énergie amorcé par événements Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise

Abrégé

An SJ power MOSFET 10 having a super-junction structure wherein, in order to achieve better speed increase in switching speed and stabilization of voltage resistance, the MOSFET 10 is configured so that a P–pillar layer 20 disposed between drift layers 13, which are N– pillar layers, is formed from a P column upper layer 21 and a P column lower layer 22, and when the defect density of the P column upper layer 21 is defined as Da, the impurity density of the P column upper layer 21 is defined as Ca, the defect density of the P column lower layer 22 is defined as Db, and the impurity density of the P column lower layer 22 is defined as Cb, the conditions Db > Da and Ca > Cb are satisfied.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

0nn provided in correspondence to a plurality of power conversion units and each detecting an output current of each of the plurality of power conversion units as an individual current; and a pulse corrector (3) which generates an individual pulse signal for each of the plurality of power conversion units on the basis of the entire current, the individual current, and the reference pulse signal, and outputs the individual pulse signal for each of the plurality of power conversion units to each of the plurality of power conversion units as a drive signal for a switching element. The pulse corrector (3) determines a number N' of operation phases of the power conversion units on the basis of the entire current, and outputs the individual pulse signal to each of the determined number N' of operation phases of the power conversion units.

Classes IPC  ?

• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 7/483 - Convertisseurs munis de sorties pouvant chacune avoir plus de deux niveaux de tension

Abrégé

A power conversion device may include: a microcomputer; and an output circuit controlled by the microcomputer, including an output unit that converts an input power into a predetermined power and outputs the predetermined power, an internal power source that supplies a power source to the microcomputer, a driver that drives the output unit by a signal from the microcomputer, and a microcomputer stop transition unit that, when an operation of the power conversion device is stopped, outputs a microcomputer stop signal to the microcomputer and causes an operation of the microcomputer to transition to a stop state. In one or more embodiments, after the microcomputer stop transition unit causes the operation of the microcomputer to transition to a stop state, the microcomputer or the output circuit may stop an output of the internal power source.

Classes IPC  ?

• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
• H02H 7/12 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques
• G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
• G05F 1/567 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance pour compensation de température

Abrégé

BRBGBBGBG is added, the light emitting device being configured such that, through use of the absorption characteristics of the blue–green phosphor 25, a blue light component in a short-wave-side blue region of the blue LED 10 is dimmed and a component extending from the nearest ultraviolet to the blue short-wavelength side is suppressed; and a lighting fixture using this light emitting device.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

A device and method for controlling a power supply. The method includes: a first correction signal is generated according to a down-slope waveform and a second correction signal is generated according to an up-slope waveform, in a period of the switching element. Therefore, two kinds of corrections can be performed by using an oscillator, while the area of the circuit can be reduced and the cost of the integrated circuit can be decreased.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor base 10 in which a first trench 101 is formed in a mesh-like shape in a plan view and a second trench 102 is formed in a mesh opening surrounded by the first trench 101; a first semiconductor element 1 which is formed in the semiconductor base 10 and includes a first gate electrode 81 provided within the first trench 101; and a second semiconductor element 2 which is formed in the semiconductor base 10 and includes a second gate electrode 82 provided within the second trench 102 surrounded by the first gate electrode 81.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

An analog-to-digital conversion device according to one or more embodiments independently executes each of events instructed by a host device. Each of two or more analog-to-digital converters include an execution control unit, an event management unit that notifies of a synchronization instruction when a synchronous conversion event set up with a synchronous conversion operation is instructed as the event, and an operation control unit. When a particular one of the analog-to-digital converters receives the synchronization instruction and the execution control unit of the particular analog-to-digital converter is confirmed ready for the analog-to-digital conversion, the operation control unit in the particular analog-to-digital converter notifies the particular analog-to-digital converter is ready for the analog-to-digital conversion to the analog-to-digital converter other than the particular analog-to-digital converter, and instructs the execution control unit to execute the synchronous conversion event after a confirmation that all of the analog-to-digital converters are ready for the analog-to-digital conversion.

Classes IPC  ?

• H03M 1/12 - Convertisseurs analogiques/numériques

Abrégé

A semiconductor wafer and a method for forming a semiconductor. The semiconductor wafer includes: a first semiconductor component having a first device; a second semiconductor component having a second device; an insulation layer laterally extending to the first semiconductor component and the second semiconductor component; and a grind layer configured on or adjacent to a backside of the semiconductor wafer. Therefore, chipping or cracking can be decreased or avoided when the grind layer is exposed during the thinning process (such as backside grinding).

Classes IPC  ?

• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

Abrégé

A semiconductor device substrate including: a substrate; a buffer layer which is provided on the substrate and made of a nitride semiconductor; and a device active layer which is formed of a nitride semiconductor layer provided on the buffer layer, the semiconductor device substrate in that the buffer layer includes: a first region which contains carbon and iron; a second region which is provided on the first region and has average concentration of iron lower than that in the first region and average concentration of carbon higher than that in the first region, and the average concentration of the carbon in the second region is lower than the average concentration of the iron in the first region. The semiconductor device substrate which can suppress a transverse leak current in a high-temperature operation of a device while suppressing a longitudinal leak current and can inhibit a current collapse phenomenon is provided.

Classes IPC  ?

• H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
• H01L 29/207 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV caractérisés en outre par le matériau de dopage
• H01L 29/201 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés
• H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A semiconductor device according to one or more embodiments may include: a drain region; a drift region positioned above the drain region; a base region positioned on the drift region; a trench positioned to abut the base region and the drift region; an insulating in the trench; a counter electrode embedded in the insulating film; a gate electrode positioned above the counter electrode and that is embedded in the insulating film; and a source region that abuts the base region and the trench, wherein a thickness of the insulating film between the gate electrode and an interface between the drift region and the base region is larger than a thickness of the insulating film between the gate electrode and an interface between the source region and the base region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

Abrégé

A semiconductor device may include a device region having one or more active trenches, a field termination region having an edge trench. A depth of the edge trench is larger than a depth of the one or more active trenches. A thickness of an insulation layer in the edge trench is larger than a thickness of an insulation layer in the one or more active trenches. In some embodiments, the first depth is from 1.2 to 2.0 times larger than the second depth, and a first width of the edge trench is 1.5 to 4.0 times larger than a second width of the one or more active trenches. In a cross-sectional view, a gate electrode of the edge trench is laterally offset from the source electrode in a depth direction of the edge trench such that the gate electrode and the source electrode do not overlap.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

Abrégé

A semiconductor device may comprise a substrate; a trench formed in the substrate and filled with an insulating layer; and a gate electrode and a source embedded in the insulating layer. The gate electrode and the source electrode may be positioned in the insulating layer in the trench above and below each other. From a cross-sectional perspective, the gate electrode and the source electrode are not overlapped in horizontal or vertical direction. The trench may extend to a first depth of a bottom surface of the trench below the gate electrode, and may extend to a second depth of the bottom surface of the trench below the source electrode. The first depth and the second depth may be different.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
• H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes

Abrégé

A processor is disclosed that performs pipelining which processes a plurality of threads and executes instructions in concurrent processing, the instructions corresponding to thread numbers of the threads and including a branch instruction. The processor may include a pipeline processor, which includes a fetch part that fetches the instruction of the thread having an execution right, and a computation execution part that executes the instruction fetched by the fetch part. The processor may include a branch controller that determines whether to drop an instruction subsequent to the branch instruction within the pipeline processor based on the thread number of the thread where the branch instruction is executed and on the thread number of the subsequent instruction.

Classes IPC  ?

• G06F 9/38 - Exécution simultanée d'instructions

Abrégé

Voltage-dividing resistors are arranged in parallel with a first DC power supply. A first switch is electrically connected to a first resistor and a second resistor and includes a first terminal, a second terminal, and a control terminal. A second switch switches supply of a power voltage from a second DC power supply. A voltage comparator includes a first and a second input terminals. A reference power supply is connected to the first input terminal of the voltage comparator and outputs a reference voltage. The first terminal of the first switch is electrically connected to the second input terminal of the voltage comparator. The control terminal of the first switch is electrically connected to a positive voltage side of the second DC power supply. When the power voltage is supplied to the control terminal, and allows a voltage to be applied to the first and the second resistors.

Classes IPC  ?

• G01R 31/36 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p.ex. de la capacité ou de l’état de charge
• G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
• G01R 31/3835 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge ne faisant intervenir que des mesures de tension
• G01R 31/396 - Acquisition ou traitement de données pour le test ou la surveillance d’éléments particuliers ou de groupes particuliers d’éléments dans une batterie
• G01R 31/40 - Tests d'alimentation
• G01R 15/04 - Diviseurs de tension
• H01M 10/00 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments secondaires; Leur fabrication
• H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
• G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
• G01R 19/10 - Mesure d'une somme, d'une différence, ou d'un rapport
• G01R 17/00 - Dispositions pour procéder aux mesures impliquant une comparaison avec une valeur de référence, p.ex. pont

Abrégé

A device and method for controlling a power supply. The method includes: monitoring a feedback signal of a feedback terminal; determining whether the feedback signal of the feedback terminal is not a pulse signal; and terminating an on/off operation of a switching element when the feedback signal of the feedback terminal is not a pulse signal. Therefore, an abnormal status of the device can be correctly detected with a simple structure when the feedback terminal is open or is shorted with other terminals, while an error operation and a damage of the device can be avoided.

Classes IPC  ?

• H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02H 3/16 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un courant de défaut à la terre ou à la masse

Abrégé

An alternating-current voltage detection circuit for detecting an alternating-current voltage from an alternating-current power source according to one or more embodiments may include: a rectification circuit that performs full-wave rectification on an alternating-current voltage from the alternating-current power source and supplies a rectified output to a load; a series circuit comprising a first capacitor and a second capacitor electrically connected in series between one end of the alternating-current power source and the ground terminal of the rectification element; a discharge circuit that causes the second capacitor to discharge such that an absolute value of dv/dt voltage does not reach a predetermined voltage, wherein the second capacitor is electrically connected to the ground terminal side of the rectification element; and a predetermined period generator that outputs a signal after an elapse of a predetermined period of time from stoppage of a discharge operation of the discharge circuit.

Classes IPC  ?

• H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 7/06 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge sans électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs sans éléctrode de commande
• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 1/12 - Dispositions de réduction des harmoniques d'une entrée ou d'une sortie en courant alternatif
• H02J 7/34 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p.ex. batterie tampon