In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chip (100) comprises a semiconductor layer sequence (1) and several semiconductor structures (21, 22) having in each case one active region (210). The active regions are respectively designed for the emission and/or absorption of electromagnetic radiation. The active regions of different semiconductor structures are not linked to one another. The semiconductor structures are respectively designed as a nanorod or a microrod. The semiconductor structures are embedded in the semiconductor layer sequence.
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
2.
LIGHT-EMITTING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
In various embodiments, a light-emitting device is provided, comprising a multiplicity of light-emitting modules arranged on a first substrate. Each light-emitting module of the multiplicity of light-emitting modules comprises a multiplicity of light-emitting components arranged on a second substrate, wherein the second substrate is electrically connected to the first substrate; and comprises a common primary lens for the multiplicity of light-emitting components.
F21V 23/04 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des interrupteurs
F21S 41/00 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares
F21Y 105/12 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la disposition géométrique des éléments générateurs de lumière, p.ex. par la disposition des éléments générateurs de lumière en différents schémas ou densités
The invention relates to a laser assembly (10) with a common waveguide layer (1) and a plurality of laser bodies (2). Each of the laser bodies has an active zone (23) which is designed to generate coherent electromagnetic radiation. The laser bodies are arranged adjacently to one another on the common waveguide layer, wherein the laser bodies directly adjoin the common waveguide layer. In particular, the laser bodies are designed to be phase-coupled to one another via the waveguide layer during the operation of the laser assembly. The invention additionally relates to a method for producing such a phase-coupled laser assembly.
In one embodiment, the gain-guided semiconductor laser (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) and electrical contact pads (4). The semiconductor layer sequence (2) comprises an active zone (21) for generating radiation, a waveguide layer (22) and a cladding layer (23). The semiconductor layer sequence (2) furthermore comprises a current aperture layer (3), which, along a resonator axis (R), is electrically conducting in a central region (32) and is electrically insulating in adjacent edge regions (33). Transversely with respect to the resonator axis (R), the central region (32) has a width (W) of at least 10 µm and the edge regions (33) have at least a minimum width (M). The minimum width (M) is 3 µm or more. As seen in plan view, the semiconductor layer sequence (2) and at least one of the contact pads (4) on the semiconductor layer sequence (2) are continuous components in the central region (32) and adjacent to the central region (32) and going beyond the central region (32) on both sides at least as far as the minimum width (M) in a transverse direction with respect to the resonator axis (R).
In one embodiment, the optoelectronic component (1) to be produced comprises an optoelectronic semiconductor component (2) which has electrical contact surfaces (21, 22) on an assembly side (20). One base (3) is a lead frame. The base (3) has metallic intermediate pieces (31, 32). Each of the intermediate pieces (31, 32) is directly fastened to one of the contact surfaces (21, 22). Electrical connection surfaces (41, 42) for the external electrical contacting of the semiconductor component (2) are formed by bottom sides of the intermediate pieces (31, 32) facing away from the semiconductor component (2). A quotient of a thickness (T) of the intermediate pieces (31, 32) and a distance (W) between the intermediate pieces (31, 32) in the direction parallel to the assembly side (20) is between 3 and 20. The method comprises: A) providing a metal sheet (51), B) milling the metal sheet (51), C) structuring the metal sheet (51) to form a lead frame blank (52) with the intermediate pieces (31, 32), F) applying the semiconductor components (2) to the intermediate pieces (31, 32), and G) separating the components (1).
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
A radiation-emitting component is specified, comprising: a first semiconductor chip (1), which emits blue light (51) during operation; a second semiconductor chip (2), which emits cyan-colored light (52) during operation; and a conversion element (3), which emits secondary radiation (53) during operation, wherein the conversion element (3) is disposed downstream of the first semiconductor chip (1) and the second semiconductor chip (2), wherein the conversion element (3) emits the secondary radiation (53) under excitation by the blue light (51) from the first semiconductor chip (1), and wherein the secondary radiation (33) mixes with the blue light (51) to form warm-white light (54).
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
7.
LIGHTING DEVICE FOR OPTICALLY REPRODUCING ENCODED INFORMATION AND METHOD FOR OPERATING THE LIGHTING DEVICE
A lighting device (10) for optically reproducing encoded information comprises a plurality of optical components (11), wherein each of the components (11) is embodied to emit light and the combination of the light emitted by the optical components (11) yields encoded information.
The invention relates to a measuring unit (100) for optically measuring at least one property of a measurement object (M), wherein the measurement unit comprises the following: a) a light-emitting LED component (102), comprising: i) a housing (108), the housing occupying a housing area G; and ii) an LED chip (110) located in the housing, the LED chip comprising a light-emitting light area L; b) a photodetector (104) for detecting light reflected from the measurement object (M), which originates from the LED component, and for outputting a measurement signal, which is dependent on the detection; and c) an integrated circuit (106) for evaluating the measurement signal supplied from the photodetector (104), wherein the LED component (102), the photodetector (104) and the integrated circuit (106) are combined into an integrated unit, characterized by: - a conversion layer (112), arranged in the housing (108) and located over the LED chip (110), which converts light emitted from the LED chip (110) into multi-band light (E); and - the ratio L/G of the light area L to the housing area G being greater than or equal to 0.8.
G01N 21/35 - Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p.ex. spectrométrie d'absorption atomique en utilisant la lumière infrarouge
G01J 3/02 - Spectrométrie; Spectrophotométrie; Monochromateurs; Mesure de la couleur - Parties constitutives
G01J 3/42 - Spectrométrie d'absorption; Spectrométrie à double faisceau; Spectrométrie par scintillement; Spectrométrie par réflexion
9.
OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to an optoelectronic component (1) comprising: a radiation-emitting semiconductor chip (2) which emits primary electromagnetic radiation from a radiation exit surface; a conversion element (3) which converts the primary radiation into secondary electromagnetic radiation, wherein the conversion element (3) comprises a frame (5) which covers lateral surfaces of a conversion segment (4) and is designed so as to be reflective; and an adhesion promoter (6) by means of which the conversion element (3) is fastened to the radiation exit surface of the semiconductor chip (2), wherein the adhesion promoter (6) covers points of an outer surface of the frame (5a). The invention further relates to a method for producing an optoelectronic component (1).
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
10.
LED DISPLAY AND METHOD FOR OPERATING AN LED DISPLAY
An LED display (10) having a multiplicity of pixels (11, 12, 13) is described, wherein the pixels each contain at least one inorganic LED (3) and at least one organic LED (2). Furthermore, a method for operating the LED display (10) is specified.
G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
The invention relates to a lighting assembly which comprises - a lighting device (1) for emitting blue light (11), and - a controller (4) for operating the lighting device (1), - the controller (4) being designed to adjust the melanopic effect factor of the blue light (11).
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
A61N 5/06 - Thérapie par radiations utilisant un rayonnement lumineux
12.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A FIRST AND SECOND CONTACT ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (10) comprising an optoelectronic semiconductor chip (15). The optoelectronic semiconductor chip comprises a first semiconductor layer (100) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (110) of a second conductivity type, a first contact element (115) that is electrically conductively connected to the first semiconductor layer (100), and a second contact element (117) that is electrically conductively connected to the second semiconductor layer (110). The first semiconductor layer (100) and the second semiconductor layer (110) are arranged on top of one another forming a layer stack. The first semiconductor layer (100) is structured such that a part of the second semiconductor layer (110) is exposed. The first contact element (115) is arranged on top of the semiconductor layer (100) and the second contact element (117) is arranged on top of the first semiconductor layer (100). Parts of the first contact element (115) are arranged at the same vertical height as parts of the second contact element (117) within a region in which the second contact element (117) overlaps the first semiconductor layer (100).
The invention relates, in various embodiments, to a beam conducting cavity structure (130). According to the invention, the beam conducting cavity structure (130) has at least one first curved surface (102) and a second curved surface (104), which span a cavity (134). The first and second curved surfaces (102, 104) each have at least one first focal point (112, 116) and one second focal point (110, 114). The cavity (134) is designed such that there is no or substantially no distance laterally between the first focal point (112) of the first curved surface (102) and the second focal point (114) of the second curved surface (104). The first focal point (116) of the second curved surface (104) is arranged adjacent to the connecting section (132) of the first and second focal point (110, 112) of the first curved surface (102). In addition, the beam conducting cavity structure (130) has at least one third curved surface (206) having a first focal point and a second focal point, wherein the cavity (134) is designed such that there is no or substantially no distance laterally between the first focal point (116) of the second curved surface (104) and the second focal point of the third curved surface (206); and wherein the first focal point of the third curved surface (206) is arranged adjacent to the connecting section of the first and second focal point (110, 114) of the second curved surface (104).
G01N 21/03 - Dispositions ou appareils pour faciliter la recherche optique - Détails de structure des cuvettes
G01N 21/3504 - Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p.ex. spectrométrie d'absorption atomique en utilisant la lumière infrarouge pour l'analyse des gaz, p.ex. analyse de mélanges de gaz
In at least one embodiment of the method for controlling an illumination of an object (10), the object is illuminated by a first radiation source (1) during the method. A second radiation source (2) is provided, the latter being configured to illuminate the object in addition to the first radiation source. The method comprises a step A), in which a first measurement signal is captured, wherein a change in the first measurement signal is representative for a change in a first radiation property of radiation striking the object. In a step B), the second radiation source is controlled, on the basis of a detected change in the first measurement signal, in such a way that the second radiation source illuminates the object and the change in the first radiation property of the radiation striking the object is counteracted.
H04N 5/235 - Circuits pour la compensation des variations de la luminance de l'objet
15.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A CARRIER ELEMENT AND AN ELECTRIC CONTACT ELEMENT, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
The invention relates to an optoelectronic semiconductor device (10) comprises a carrier element (100) having a first main surface (110), an optoelectronic semiconductor chip (150) which is arranged above the carrier element (100) and adjoining the first main surface (110), and an electrical contact element (161) for contacting the optoelectronic semiconductor chip (150). According to the invention, the electric contact element (161) is arranged in an opening (162) formed in the first main surface (110) of the carrier element (100).
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
16.
LIGHT-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR OPERATING A LIGHT-EMITTING COMPONENT
The invention relates to a light-emitting component (10) having a light source (100) and a dimming element (200) arranged downstream of the light source (100) in a radiation direction (Z), wherein - the light source (100) comprises at least one emitter (101) which is designed to emit light (L1), and - a brightness of a light (L3) emitted by the light-emitting component (10) is adjustable, wherein - the adjustment of the brightness is carried out in part by means of a pulsewidth-modulated and/or amplitude-modulated operating signal for the emitter (101), and - the brightness can be adjusted in part by means of partial absorption and/or reflection of the light (L) emitted by the emitter (101) in the dimming element (200).
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
17.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A FIRST AND SECOND METAL LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (10) comprising a first semiconductor layer (110) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (105) of a second conductivity type, and an active zone (108), wherein the first semiconductor layer (110) and the second semiconductor layer are structured to form a mesa such that parts of the second semiconductor layer (105) are not covered by the first semiconductor layer (110) and a section of the active zone is exposed in the region of a mesa flank. The optoelectronic semiconductor component also comprises a passivation layer (117) which is arranged over parts of the first semiconductor layer (110) and over parts of the second semiconductor layer (105), as well as over the exposed section of the active zone (108). The optoelectronic semiconductor component also contains a first metal layer (115) and a second metal layer (125). The second metal layer (125) covers the passivation layer (117) in the region of the mesa flank. The composition of the first metal layer (115) next to the first semiconductor layer (110) is consistent along a horizontal direction.
A device for temporarily delimiting a material capable of being applied in a flowable state, wherein provision is made for the material not to cover a first region of an optoelectronic lighting device and to cover a second region of the lighting device, said second region adjoining the first region, comprises a delimiting element having an underside and at least one lateral surface, wherein, in particular for protecting the first region from the flowable material, the device is embodied and arrangeable temporarily on the lighting device in such a way that the underside of the delimiting element contacts the lighting device in the first region and the lateral surface and/or an edge between the lateral surface and the underside delimit(s) the first region with respect to the second region.
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
19.
APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING A LAYER OF A MATERIAL PROVIDED IN A FREE-FLOWING STATE ON AN OPTOELECTRONIC LIGHTING APPARATUS
The invention relates to an apparatus and to a method for producing a layer of a material provided in a free-flowing state on an optoelectronic lighting apparatus, which apparatus comprises: an in particular plate-like limiting device, and a holding device for holding the limiting device at a specific distance above the lighting apparatus in order to form the layer between the limiting device and the lighting apparatus.
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
An electronic component (1; 23; 27) has a housing body (2) and a semiconductor chip (3). The housing body (2) has a frame (4) and a carrier (5). The semiconductor chip (3) is arranged on a top side (8) of the carrier (5). The frame (4) has a top edge (10), a bottom edge (11) which is situated opposite the top edge (10), and an inner wall (12). A projection (13) which faces the bottom edge (11) is formed on the inner wall (12). The top side (8) of the carrier (5) rests against the projection (13).
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
21.
OPTOELECTRONIC LIGHTING APPARATUS, OPTOELECTRONIC ILLUMINATION DEVICE AND PRODUCTION METHOD
An optoelectronic lighting apparatus is described comprising: exactly one light-emitting, optoelectronic semiconductor component (23), in particular an LED or an LED chip, wherein the semiconductor component (23) has an exit region (31) for light at at least one surface side (29), a carrier (27) for the semiconductor component (23), wherein the semiconductor component (23) is arranged on a top side (25) of the carrier (27), at least one functional layer (37), in particular a conversion layer for converting light that has emerged from the exit region into light having at least one other wavelength, wherein the functional layer (37) is arranged above the exit region (31) and/or next to the exit region (31), and an enclosure (39) for the functional layer (37), wherein the enclosure (39) surrounds the functional layer (37) as viewed in a circumferential direction (U), wherein the circumferential direction (U) runs parallel to the top side (25) of the carrier around the functional layer (37).
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
An optoelectronic semiconductor component (1) comprising a semiconductor body (10) is specified, said semiconductor body comprising an active region (100) provided for generating electromagnetic radiation, wherein the semiconductor body (10) has a main surface (10A) running parallel to a main plane of extent of the semiconductor body (10). Furthermore, the optoelectronic semiconductor component (1) comprises a contact pad (20), which is arranged on a side of the main surface (10A) facing away from the active region (100) and is provided for electrically contacting the semiconductor body (10), and a reflection layer (30), which is arranged on the side of the main surface (10A) facing away from the active region (100) and reflects back the electromagnetic radiation generated in the active region (100) at least partly in the direction of the active region (100). Moreover, a part of the main surface (10A) forms a radiation output coupling surface (100A) that is at least partly delimited laterally by the reflection layer (30). Furthermore, the contact pad (20) and the reflection layer (30) are arranged next to one another. A method for producing an optoelectronic semiconductor component (1) is furthermore specified.
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
The invention provides a component (10) which comprises a carrier (1) and at least one main body (2H) and in which the main body comprises a semiconductor body (2) and the carrier comprises a mounting surface (1M), on which the main body is arranged. A resting structure (3) is formed on the mounting surface and projects vertically beyond the mounting surface, wherein the main body directly adjoins the resting structure, and so, at least along a lateral direction, the position of the main body is restricted by the resting structure. The invention also provides a method, in particular for producing such a component.
An LED surface light source (10) is described, comprising a printed circuit board (3) and a multiplicity of LEDs (7) arranged on the printed circuit board (3), wherein – the LEDs (7) are arranged in a multiplicity of segments (6), wherein the segments (6) each comprise at least one LED (7) and are separated from one another by light-nontransmissive partition walls (8), and – the segments (6) each have a diffuser (9) for diffusing the light emitted by the LEDs (7).
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
25.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1), comprising: - a semiconductor chip (2) which emits electromagnetic radiation of a first wavelength range from a radiation exit area (3) during operation, - a conversion layer (4) which comprises at least two individual conversion layers (5), wherein - each individual conversion layer (5) has a phosphor which converts electromagnetic radiation of the first wavelength range at least partially into electromagnetic radiation of a second wavelength range, and - an activator concentration of the phosphor in the individual conversion layers (5) is different from one another. The invention further relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component (1).
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
26.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A SEMICONDUCTOR CONTACT LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
An optoelectronic semiconductor component (10) comprises a first semiconductor layer (120) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (130) of a second conductivity type, respective semiconductor materials of the first and second semiconductor layers (120, 130) each being a compound semiconductor material containing a first, a second and a third composition element, and a second contact region (135) for electrically contacting the second semiconductor layer (130). The second contact region (135) has a second metal contact layer (134) and a semiconductor contact layer (132) between the metal contact layer (134) and the second semiconductor layer (130). A semiconductor material of the semiconductor contact layer (132) contains the first, second and third composition elements, the concentration of the first and second composition elements changing from a position on a side of the second semiconductor layer (130) to a position on the side of the second metal contact layer (134).
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
27.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A TRANSPARENT SUBSTRATE AND A CARRIER
An optoelectronic semiconductor device (10) comprising a transparent substrate (100), a light emitting structure (110) arranged over a first main surface (101) of the transparent substrate (100), and a carrier (120) arranged at a second main surface (102) of the transparent substrate (100), remote from the first main surface (101). An interface (125) or an interface layer (130) between the carrier (120) and the transparent substrate (100) is patterned so that the light transmitted via the transparent substrate (100) is redirected towards the sidewalls (104) of the transparent substrate (100).
An optoelectronic device (10) comprises an optoelectronic component (12) for generating laser radiation, a housing (11), in which the optoelectronic component (12) is housed, a carrier (13), which can be mounted on the housing (11) and which has an optical element (19) and an electrically conductive line (16), and a circuit (15), which runs in part in the housing (11), the electrically conductive line (16) of the carrier (13) being part of the circuit (15), wherein, in order to close the circuit (15), the carrier (13) is mounted necessarily on the housing (11) in such a way that the optical element (19) is arranged in the beam path of the laser radiation, the generation of laser radiation by the optoelectronic component (12) being prevented if the circuit (15) is not closed.
In one embodiment, the display (1) comprises a plurality of pixels (2). The pixels (2) have at least one emitter unit (21, 22, 23). The emitter units (21, 22, 23) each comprise a primary emitter (31) and a secondary emitter (32) for generating light of the same colour, the secondary emitter (32) being associated with the primary emitter (31) of the corresponding emitter unit (21, 22, 23). The primary emitters (31) and the secondary emitters (32) are based on at least one semiconductor material. The emitter units (21, 22, 23) also each comprise a correction circuit (4). The correction circuits (4) are each designed, in the event of a fault of the associated primary emitter (31), to be able to switch the generation of light from the primary emitter (31) to the associated secondary emitter (32).
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
30.
OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to an optoelectronic component (1), comprising: - a radiation-emitting semiconductor chip (2), which comprises an electrical contact (3), - a carrier (4) which comprises an electrically conductive coating (5) and is arranged on the radiation-emitting semiconductor chip (2) with the electrical contact (3), - a contact means (6) which connects the electrically conductive coating (5) of the carrier (4) and the electrical contact (3) of the semiconductor chip (2) to one another, and - a passivation layer (7) which is arranged at certain points on the electrically conductive coating (5), wherein - an outer surface of the electrically conductive coating (8) is encapsulated fully by the passivation layer (7) and the contact means (6). The invention also relates to a method for producing an optoelectronic component (1).
H01L 33/36 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
31.
PRINTED CIRCUIT BOARD, AND METHOD FOR PRODUCING A PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING AT LEAST ONE OPTOELECTRONIC COMPONENT INTEGRATED INTO THE PRINTED CIRCUIT BOARD
The invention relates to a method for producing a printed circuit board (100), the method comprising the following steps: arranging at least one optoelectronic component (11-13) on a first metal layer (10); pressing a first electrically insulating layer (26) onto the at least one optoelectronic component (11-13), and generating at least one cutout (30) in the first metal layer (10) and/or the first electrically insulating layer (26), as a result of which the at least one optoelectronic component (11-13) is at least partially exposed, wherein the first electrically insulating layer (26) has a fiber-reinforced plastic or a glass fiber fabric.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
32.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING CONTACT ELEMENTS AND METHOD FOR PRODUCING SAME
According to embodiments, an optoelectronic semiconductor component (10) comprises a first semiconductor layer (120) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (130) of a second conductivity type, a first contact element (110) for making contact with the first semiconductor layer (120), and a second contact element (115) for making contact with the second semiconductor layer (130). The first semiconductor layer (120) is arranged on a side facing away from a first main surface (145) of the second semiconductor layer (130). Electromagnetic radiation (20) emitted by the optoelectronic semiconductor component (10) is output via the first main surface (145) of the second semiconductor layer (130). The first contact element (110) and the second contact element (115) are arranged on a respective side of a first main surface (144) of the first semiconductor layer (120). The first contact element (110) has a first section (110a), which extends in a first direction, and a second section (110b), which is connected to the first section (110a) and extends in a second direction, which is different from the first direction.
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
33.
METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND WORKPIECE
A method for producing a semiconductor component comprises forming (S100) a first semiconductor layer above a growth substrate and applying (S105) a modification substrate above the first semiconductor layer, wherein a material of the modification substrate has a coefficient of thermal expansion which is different from that of the semiconductor layer. The method furthermore comprises removing (S107) the growth substrate, as a result of which a first layer stack is obtained, and heating (S120) the first layer stack to a growth temperature.
The invention relate to an optoelectronic semiconductor chip (100), which, in at least one embodiment, comprises a semiconductor layer sequence (1) having an active layer (10), a doped current widening layer (11), and a decoupling layer (12), which are arranged one above the other in this sequence. During a specified normal operation, the active layer generates primary radiation. The current widening layer has a greater lateral electrical conductivity than the decoupling layer. On an exit side (120) facing away from the active layer, the decoupling layer has decoupling structures (121) for radiation decoupling. The decoupling layer has a lower absorption coefficient for the primary radiation than the current widening layer.
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
The invention relates to a radiation-emitting component, comprising: - a first radiation-emitting semiconductor chip (1), which is designed to produce a first electromagnetic primary radiation, and a second radiation-emitting semiconductor chip (2), which is designed to produce a second electromagnetic primary radiation, - a first conversion element (3), which converts the first and/or the second electromagnetic primary radiation partially into a first secondary radiation, wherein - the first radiation-emitting semiconductor chip (1) is a first semiconductor laser diode, - the first electromagnetic primary radiation is blue primary radiation, and - the first secondary radiation is green (g) secondary radiation.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
36.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND FLASHLIGHT
In one embodiment, the optoelectronic semiconductor component (1) comprises a carrier (2) with electrical connection surfaces (22) on a carrier top side (20). Five semiconductor chips (31, 32, 33, 34, 35) or groups emitting in different colours are configured to emit light of different colours. The semiconductor chips (31, 32, 33, 34, 35) are attached close to one another on the connection surfaces (22) so that a distance between adjacent semiconductors (31, 32, 33, 34, 35) is no more than 100 micrometres when the carrier top side (20) is viewed from above.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
37.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A CARRIER ELEMENT COMPRISING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL
An optoelectronic semiconductor component (10) comprises an optoelectronic semiconductor chip (15) suitable for emitting electromagnetic radiation (20) and having a first semiconductor layer (120) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (130) of a second conductivity type, and also a first current distribution layer (125). In this case, the first semiconductor layer (120) is arranged on a side facing away from a first main surface (145) of the second semiconductor layer (130). Electromagnetic radiation (20) emitted by the optoelectronic semiconductor chip (15) is output via the first main surface (145) of the second semiconductor layer (130). The first current distribution layer (125) is arranged on the side of a first main surface (144) of the first semiconductor layer (120). The optoelectronic semiconductor component furthermore has a carrier element (135), which comprises an electrically conductive material (132), is arranged on a side of the first main surface (144) of the first semiconductor layer (120) and extends in a vertical direction along an edge of the optoelectronic semiconductor chip (15). The electrically conductive material (132) is connected to the second semiconductor layer (130).
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
38.
OPTOELECTRONIC COMPONENT EMITTING VISIBLE LIGHT AND IR RADIATION
A radiation-emitting optoelectronic component (2) comprising: – a semiconductor radiation source (8), which emits a primary radiation (S) during operation of the component (2); and – a conversion device (10), which converts a first part of the emitted primary radiation into infrared radiation (IR) during operation of the component, wherein the conversion device (10) converts a second part of the emitted primary radiation into visible light (WL) during operation of the component.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
G01J 3/02 - Spectrométrie; Spectrophotométrie; Monochromateurs; Mesure de la couleur - Parties constitutives
G01J 3/10 - Aménagements de sources lumineuses spécialement adaptées à la spectrométrie ou à la colorimétrie
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
The invention relates to a lighting device comprising a pixel assembly (120) of juxtaposed light-emitting pixels (127). The pixel assembly (120) has light-emitting pixels (127) with different pixel shapes. The pixel shapes projected by a distorting imaging optical unit can differ from a rectangular shape, and so can the light-emitting pixels per se.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
The invention relates to a display device (1) comprising a plurality of pixels (2) arranged in a regular main grid (3). Multiple optoelectronic additional chips (4) are used to generate radiation. The pixels (2) are formed by individually controllable light-emitting regions (22, 23). The additional chips (4) are arranged in a secondary grid (5). The secondary grid (5) is offset from the main grid (3) so that the additional chips (4) are positioned apart from grid points of the main grid (3).
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
41.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) having - a substrate (11) which is permeable to radiation, - a semiconductor layer sequence (12) with a first region (12a) of a first conductivity type, a second region (12b) of a second conductivity type and an active region (12c) between the first region (12a) and the second region (12b), - a first contact strip (14a) for supplying power to the first region (12a), - a second contact strip (14b) for supplying power to the second region (12b), - a first connecting point (17a) for making contact with the first contact strip (14a) from outside the optoelectronic semiconductor chip (10), and - a second connecting point (17b) for making contact with the second contact strip (14b) from outside the optoelectronic semiconductor chip (10), wherein - the first contact strip (14a) and the second contact strip (14b) each extend over at least 50 % of the length of the semiconductor chip (10).
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
42.
OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING A MULTIFUNCTIONAL COVER LAYER AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
The invention relates to an optoelectronic component (2), comprising: a housing (4) having a cavity (12) located therein, the cavity (12) comprising the following: a) a bottom (18), b) a light exit opening (24) opposite the bottom (18), and c) a metal mirror layer (16), which at least partly covers the bottom (18) and which is used to reflect light toward the light exit opening (24); an electrical light source (6), e.g. an LED chip, which is located in the cavity (12) and has a contact side (26) facing the light exit opening (24) and a fastening side (28) fastened to the bottom (18); a filling layer (8), in which the electrical light source (6) is embedded and which fills the cavity (12); and a cover layer (10), which covers the metal mirror layer (16), characterized in that the cover layer (10) comprises at least one layer consisting of magnesium fluoride.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
METHOD FOR PRODUCING CONVERSION ELEMENTS, CONVERSION ELEMENTS, METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
A method for producing conversion elements (100), comprising the following method steps: a) providing a sapphire substrate (110); b) forming a conversion coating (120) on a first main surface (110a) of the sapphire substrate (110); and c) dicing the sapphire substrate (110) and the conversion coating (120) to form a plurality of conversion elements (100).
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
44.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS
In one embodiment, the semiconductor component (1) can be surface-mounted and comprises a light-emitting semiconductor chip (2) that has electrical contact areas (23). A light-impermeable main body (5) laterally surrounds the semiconductor chip (2). An electrical fan-out layer (3) contains electrical strip conductors (33). Electrical connection points (4) serve for external electrical contacting of the semiconductor component (1). The contact areas (23) and connection points (4) are on different sides of the fan-out layer (3). The contact areas (23) are electrically connected to the associated contact points (4) by means of the fan-out layer (3). The connection points (4) are expanded with respect to the contact areas (23).
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
C09K 11/77 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
46.
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
One embodiment of the invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (1) comprising a semiconductor layer sequence (2) which has an active zone (23) for generating radiation between a first region (21) and a second region (22). The second region (22) is electrically contacted by means of vias (32). The vias (32) are electrically connected by means of metal contact strips (42). The first region (21) is electrically contacted by means of a metal contact layer (31). There is an electrical insulation layer (61) between the contact strips (42) and the contact layer (31). The contact layer (31) and the contact strips (42) are on a rear side (20) of the first region (21). The vias (32) run from the contact strips (42), through the first region (21) and through the active zone (23), into the second region (22). The contact strips (42) lie at least predominantly between the rear side (20) and the contact layer (31).
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
47.
METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to a component (10), comprising a semiconductor body (2), a grid (1G), a separating layer (1S, 2S) and a converter layer (3). The semiconductor body (2) has an active zone (23), which is designed to generate electromagnetic radiation. The grid (1G) has a plurality of openings (11), which are at least partly filled by the converter layer. The separating layer is arranged in at least part of the region between the semiconductor body and the converter layer. The separating layer is formed from an electrically insulating material or a transparent electrically conductive material. Furthermore, the converter layer is designed to convert the electromagnetic radiation generated by the active zone during operation of the component with respect to the peak wavelength of said electromagnetic radiation. The invention further relates to a method in particular for producing such a component.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
48.
IRRADIATION DEVICE AND METHOD FOR OPERATING AN IRRADIATION DEVICE
The invention relates to an irradiation device for providing electromagnetic radiation, particularly infrared radiation, for irradiating a skin surface, particularly for epilation, comprising a radiation source (11) for producing the electromagnetic radiation and a housing (13) in which the radiation source (11) is arranged, wherein the housing (13) comprises a housing side (15) which is designed and provided to be brought into contact with the skin surface or to be held at a distance from the skin surface, wherein an output region (17) for the electromagnetic radiation produced by the radiation source is provided on the housing side (15), through which the electromagnetic radiation leaves the housing (13) and can reach the skin surface when the housing side (15) is brought into contact with the skin surface or is arranged at a distance from the skin surface accordingly, and wherein the radiation source (11) comprises at least one laser which is a vertical resonator surface-emitting laser (19).
A61B 18/20 - Instruments, dispositifs ou procédés chirurgicaux pour transférer des formes non mécaniques d'énergie vers le corps ou à partir de celui-ci par application de radiations électromagnétiques, p.ex. de micro-ondes en utilisant des lasers
49.
SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A STRESS COMPENSATION LAYER AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
The invention relates to a semiconductor component (10, 15) comprising a conductive layer (130) above a semiconductor body (100, 125) and a first stress compensation layer (170) adjacent to the conductive layer (130, 220, 312). The stress compensation layer has a defined first stress.
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
The invention relates to a laser chip (2) located between a first and a second electrically and thermally conductive component (3, 4), wherein: a first lateral surface (5) of the laser chip is connected in a planar manner to a first lateral surface (7) of the first component (3); the second lateral surface (6) of the laser chip is connected in a planar manner to a first lateral surface (8) of the second component (4); the laser chip has a radiation side (11) which is located between the components; the radiation side (11) is arranged set back inwardly at a predefined distance from the first end faces (20, 24) of the components (3, 4); and a radiation space (15), which extends from the radiation side (11) of the laser chip to the first end faces (20, 24) of the components is formed between the first lateral surfaces (7, 8) of the two components and adjacent to the radiation side (11) of the laser chip.
The invention relates to a method for applying a converter layer (12) to a component (10) emitting electromagnetic radiation comprising the following steps: applying converter elements (14) to a component (10) emitting electromagnetic radiation, and forming a converter layer (12) on the component (10) emitting electromagnetic radiation by depositing a plurality of thin layers (13) on the converter elements (14) by means of an atomic layer deposition method.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
In one embodiment, the proposed display device (1) comprises a light-emitting semiconductor chip (2) with a light-emitting side (20), and a masking layer (3) which is arranged downstream of said semiconductor chip (2) and comprises a plurality of openings (33). The semiconductor chip (2) is devoid of masking layer (3) in said openings (33). A movable covering (4) is made from a light-impermeable material and designed to have a plurality of apertures (44) for adjusting an emission pattern of the semiconductor chip (2). The apertures (44) are at least intermittently associated with the openings (33). A drive unit (5) is provided for moving the covering (4) in a direction parallel to the light-emitting side (20).
G02B 26/00 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
The invention relates to a method for producing a plurality of conversion elements (1a), the method comprising the following steps: providing a matrix material (2), which is transmissive to primary radiation, introducing luminophore particles (3) into the matrix material (2), which luminophore particles are designed to convert part of the primary radiation into secondary radiation, heating the matrix material (2) having the luminophore particles (3) to a first temperature (T1), and cooling the matrix material (2) having the luminophore particles (3) to a second temperature (T2), wherein: during the cooling, the plurality of conversion elements (1a) is produced in a first solid state, and the conversion elements (1a) each have a greatest lateral extent between 90 µm and 125 µm. The invention further relates to a method for producing an optoelectronic component, to a conversion element and to an optoelectronic component.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
54.
OPTOELECTRONIC LIGHTING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING AN OPTOELECTRONIC LIGHTING DEVICE
The invention relates to an optoelectronic lighting device comprising a plurality of optoelectronic semiconductor components (11-13), each having a control circuit (20), wherein each of the control circuits (20) comprises a first circuit branch (21) comprising the respective optoelectronic semiconductor component (11-13) and a first transistor (15) for controlling the current flow through the optoelectronic semiconductor component (11-13), and a capacitor (17) for controlling the first transistor (15) with the capacitor voltage, wherein the first circuit branches (21) of the control circuits (20) of a first group of the optoelectronic semiconductor components (11-13) are connected between a supply potential (V LED) and a common first reference potential line (26), and wherein the capacitors (17) of the control circuits (20) of the first group of the optoelectronic semiconductor components (11-13) are coupled to a common second reference potential line (27).
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
55.
FILAMENT DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A FILAMENT DEVICE
The invention relates to a filament device (20) comprising a support (21), which extends in a longitudinal direction (25) and which has a first main surface (31), a second main surface (32) opposite the first main surface (31) and two side faces (33, 34) connecting the two main surfaces (31, 32) to each other, optoelectronic components (22), which are disposed on the first main surface (31) of the support (21), a first converter layer (23), which is disposed on the first main surface (31) of the support (21) and covers the optoelectronic components (22), and a second converter layer (24), which is disposed on the second main surface (32) of the support (21), wherein the support (21) is designed at least at one point (26) along the longitudinal direction (25) in such a manner that at least one of the two side faces (33, 34) encloses an angle with the first main surface (31) of more than 90°, and wherein the support (21) is trapezoidal in cross-section at the at least one point (26).
F21S 4/20 - Dispositifs ou systèmes d'éclairage utilisant une guirlande ou une bande de sources lumineuses avec les sources lumineuses maintenues par ou à l'intérieur de supports allongés
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
The invention relates to a laser diode chip, comprising an n-type semiconductor region (3), a p-type semiconductor region (5) and an active layer (4) arranged between the n-type semiconductor region (3) and the p-type semiconductor region (5), an n-contact (9) and a p-contact (8), at least one heating element (14), which is/are arranged on the side of the laser diode chip facing the p-type semiconductor region (5), wherein the heating element (14) functions as a resistance heater, and at least one metallic growth layer (7, 11), wherein the heating element comprises a part (11) of the growth layer, and wherein the p-contact (8) is arranged on a further part (7) of the growth layer (7, 11).
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
58.
SENSOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A SENSOR DEVICE
The invention relates to a sensor device (10) comprising at least one light emitter (12), at least one light detector (13), a housing (25) in which the at least one light emitter (12) and the at least one light detector (13) are accommodated, and at least one duct (20) which forms a passage through the housing (25), wherein the at least one light emitter (12) and the at least one light detector (13) are arranged such that light emitted by the at least one light emitter (12) passes through the at least one duct (20) and is then detected by the at least one light detector (13).
A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p.ex. de la concentration des gaz dans le sang, de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p.ex. des oxymètres à photométrie spectrale
The invention relates to an optoelectronic semiconductor device (10) having a first assembly (140) of first optoelectronic components (15) and a second assembly (150) of second optoelectronic components (16) which are arranged on a substrate (100). Each of the first optoelectronic components (15) comprises a first resonator mirror (120) with a first main surface (121), an active region (125) which is suitable for generating radiation, and a second resonator mirror (110), each of which is arranged one over the other along a first direction, wherein radiation (20) emitted by the optoelectronic component (15) is emitted via the first main surface (121). The first optoelectronic components (15) are suitable for emitting electromagnetic radiation. Each of the second optoelectronic components (16) comprises an active region (125), which is suitable for generating radiation, and are suitable for receiving electromagnetic radiation (25).
The invention relates to an illumination device (10) comprising a plurality of lighting segments (1), wherein each lighting segment (1) has a lighting element (2) and an optical element (3) arranged downstream of the lighting element (2), and wherein at least two or more lighting segments (1) are provided which create emission characteristics (21, 22, 23, 24, 25) during operation that are different from one another, and which can be operated independently of one another. The invention also relates to an illumination method and an illumination system (100).
F21S 10/02 - Dispositifs ou systèmes d'éclairage produisant un effet d'éclairage variable produisant des couleurs variables
B60Q 3/74 - Agencement des dispositifs d’éclairage pour l’intérieur des véhicules; Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’intérieur des véhicules caractérisés par leur objet pour l’éclairage général de l’habitacle en combinaison avec un éclairage spécifique, p.ex. des lampes d’habitacle avec des lampes de lecture
61.
ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT
The invention relates to an organic light-emitting component (100) having a substrate (1), a first electrode (2) arranged above the substrate (1), an electrical contact (3) arranged next to the first electrode (2) and for contacting a second electrode (6), wherein the second electrode (6) is not directly contacted with the electrical contact (3), wherein a current path (4) for contacting is formed between the second electrode (6) and the electrical contact (3) within the organic functional layer stack (5), wherein the current path (4) is a microvia, as well as at least one organic functional layer stack (5) which is configured for emitting radiation, wherein the organic functional layer stack (5) is arranged at least above the first electrode (2) and at least partially above the electrical contact (3), wherein the second electrode (6) is arranged above the organic functional layer stack (5).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
The invention relates to an organic light-emitting component (100) having an active region (200) and an edge region (201) surrounding the active region (200) in the lateral direction, wherein: a transparent first electrode (102), an organic functional layer stack (103) and a second electrode (104) are applied to a transparent substrate (101) in the active region (200) on a first main surface (1101); on a second main surface (1102), facing away from the organic functional layer stack (103), of the substrate (101), there is a light output face of the component (100), via which light generated in the organic functional layer stack (103) is emitted; the edge region (201) is free from the organic functional layer stack (103); an encapsulation (107) is applied over the electrodes (102, 104) and the organic functional layer stack (103) and covers the active region (200) and the edge region (201); and over the encapsulation (107) is applied a scattering layer (110) which covers the active region (200) and the edge region (201) and by means of which light (121, 123) which is radiated into the scattering layer (110) during operation of the organic light-emitting component (100) is scattered and at least partially emitted through the light output face in the edge region (201).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
63.
METHOD FOR PRODUCING A BENT ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE, AND BENT ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE
In one embodiment, the method is configured for producing a bent organic light-emitting diode (1) and comprises the following steps: A) providing an emitter unit (3) having an organic layer sequence (40) for generating radiation and providing an electrical connection piece (4), B) bending at least the connection piece (4) and the emitter unit (3) into a bent shape, and C) subsequently mechanically fixedly and permanently connecting the at least one connection piece (4) to the emitter unit (3), such that the bent shape is permanently maintained after step C).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
64.
OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING A REFLECTIVE PROPERTY
The invention relates to an optoelectronic device (10) for generating electromagnetic radiation, comprising a first electrode (14), a second electrode (15) and a functional layer structure (16), which is configured to generate the electromagnetic radiation when power is supplied to the functional layer structure (16) by means of the first (14) and the second electrode (15), as well as comprising an outermost layer structure (12), wherein the optoelectronic device (10) is configured to emit at least one portion of the electromagnetic radiation that can be generated by the functional layer structure (16) via the second electrode (15) and the outermost layer structure (12), such that this portion of the generated electromagnetic radiation exits the optoelectronic device (10) at an outer boundary surface (12a) of the outermost layer structure (12), wherein the outermost layer structure (12) has a refractive index greater than or equal to 2.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
65.
METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT MODULE, AND COMPONENT MODULE
The invention relates to a method for producing a component module (3) comprising the following steps: providing a component holder (2) having a curved upper side and of a radiation-emitting, flexible component (1); and bending and fastening the component (1) on the upper side such that the component has a curved shape. The component module (3) has: a component holder (2) having a curved upper side and a radiation-emitting component (1), which is arranged in curved form on the upper side.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
The invention relates to an optoelectronic device (10) which comprises a substrate (11), a first electrode (14), a second electrode (15) and a functional layer structure (16) that is disposed between the electrodes (14, 15) and that is designed to generate electromagnetic radiation when supplied with power by the two electrodes (14, 15). The optoelectronic device further comprises an insulating layer (13) which electrically insulates at least one of the electrodes (14, 15) from the substrate (11), and a planarized portion (12) for leveling out a roughness of a main face (IIa) of the substrate (11) facing the first electrode (14) and the second electrode (15). The optoelectronic device is characterized in that the electrode which is electrically insulated from the substrate (11) by the insulating layer (13) has a contact (24, 25) for the purpose of contacting and in that the insulating layer (13) is designed and disposed to act as a moisture diffusion barrier for moisture diffusion from the contact (24, 25) to the planarized portion (12).
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
The invention relates to an optoelectronic device (10) which comprises a substrate (11), a functional layer structure (16) that is designed to generate electromagnetic radiation when supplied with power by a first electrode (14) and a second electrode (15), and a planarized portion (12) for leveling out a roughness of a main face (11a) of the substrate (11) facing the electrodes (14). The optoelectronic device is characterized in that the planarized portion (12) is designed and disposed such that an interface (14a, 15b) of one of the electrodes (14, 15) has a lower roughness in at least one first region (34a, 35a) than in a second region (34b, 35b).
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
68.
RADIATION-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A RADIATION-EMITTING COMPONENT
The invention relates to a radiation-emitting component (100), which has a carrier (10) transparent to radiation, which has a first layer (1) of a first material (3) and a second layer (2) having a second material (4) different from the first material (3), the second layer being arranged on the first layer (1), wherein the second material (4) comprises a glass matrix (5) and, embedded therein, a filler (6), wherein the filler (6) adjusts the coefficient of thermal expansion of the second layer (WAK2) such that the coefficients of thermal expansion of the first and second layers (WAK1, WAK2) differ from each other by at most 20%, and wherein the filler (6) is designed to scatter radiation.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
69.
CROSS-LINKING P-DOPANT FOR P-DOPING ORGANIC HOLE CONDUCTORS
The invention relates to a method for producing cross-linked hole-conducting electric layers by converting functionalized p-dopants. The functionalized p-dopants are organic metal complexes which comprise at least one central atom and organic ligands, wherein the central atom is selected from a metal of the groups 6-15 of the periodic table, and at least one of the organic ligands is selected from the following formulas I-V, in which E independently of one another is oxygen, sulfur, selenium, or N(E1)x, and each Rv has at least one functionalizing group selected from the group RF comprising -OH, -COOH, -NH2, -NHR`, halogen, C2-C40-alkenyl, - dienyl, -alkinyl, -alkenyloxy, -dienyloxy, -alkinyloxy, acrylic acid, oxetan, oxiran, silane, acrylic acid, anhydride, and cyclobutane or consists of said groups, and G = C(RF)uHvFw where u+v+w = 3 and n = 1 - 4.
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
70.
LIGHT-EMITTING APPARATUS, METHOD FOR PRODUCING AND METHOD FOR OPERATING SAME
A light-emitting apparatus (600) is provided in various embodiments. The light-emitting apparatus has a plurality of organic, light-emitting components (402), each having a holding structure (406) and a light-emergence surface (432). The light-emergence surface (432) of at least one organic, light-emitting component (402) has an emission direction (410) to the side of the holding structure (406) of the organic, light-emitting component (402). At least two organic, light-emitting components (402) are arranged next to one another at a first distance (412) from one another and the at least two organic, light-emitting components are arranged at a second distance (414) over a predetermined region (424). The first distance (412) and the light-emergence surfaces (432) of the at least two organic, light-emitting components (402) are configured in such a way that the illuminance (422) in the predetermined region (424) is greater than a predetermined illuminance (420).
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
71.
OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to an optoelectronic component (100) comprising an organic functional layer stack (2) which is arranged between a first and a second electrode (1, 4, 11, 41) and designed to emit radiation, and a thin film encapsulation (3) which is electrically conductive, wherein the thin film encapsulation (3) covers the entire surface of at least the first and the second electrode (1, 4, 11, 41) and is in direct electrical contact with the first and the second electrode (1, 4, 11, 41).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
72.
LIGHT-EMITTING ASSEMBLY AND METHOD FOR OPERATING A LIGHT-EMITTING ASSEMBLY
The invention relates to a light-emitting assembly (1) in various embodiments, comprising at least one organic light-emitting component (10), which has a plurality of lighting segments (40), which are arranged laterally adjacent to each other and which can be controlled independently of each other, wherein each of the lighting segments (40) has two organic functional layer structures (22, 25), which are formed one over the other vertically and each have at least one emitter layer and can be controlled independently of each other; and comprising an electronic circuit (8), which is coupled to the lighting segments (40) and is designed: to detect dynamic touching of at least two of the lighting segments (40); to control the corresponding lighting segments (40) in response to the detected dynamic touching in such a way that at least one of the two corresponding emitter layers emits light; to determine, by means of an association specification on the basis the dynamic touching of the corresponding lighting segments (40), at least one parameter value associated with the dynamic touching; and to produce a signal that is representative of the parameter value.
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
73.
METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT AND ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to a method for producing an organic optoelectronic component (10) in various exemplary embodiments, in which: a first electrode (20) is formed; an organic functional layer structure (22) is formed on the first electrode (20); a second electrode (23) is formed on the organic functional layer structure (22); an encapsulation layer (24) is formed on the second electrode in such a way that it encapsulates the first electrode (20), the organic functional layer structure (22), and the second electrode (23); an adhesive layer (44) is applied to a portion of the encapsulation layer (24); a cover (38) is arranged on the adhesive layer (44), wherein a first section (46) of the cover (38) is placed above the portion and a second section (48) of the cover (38) projects beyond the portion of the encapsulation layer (24); the adhesive layer (44) is cured and/or dried; and the second section (48) of the cover (38) is removed and the first section (46) of the cover (38) remains on the portion of the adhesive layer (44).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
The invention relates to a light-emitting component comprising an emission side (2) via which light is emitted from the light-emitting component (10). The emission side (2) comprises multiple regions (2a), and a main surface normal (5) on the emission side (2) in each region (2a) corresponds to an emission direction of the respective region (2a). Main surface normals of at least two regions (2a) are oriented in different directions. The light-emitting component comprises an optical element (3) which is arranged downstream of the regions (2a) in the direction of the light emission of the region (2a), and the light emitted from the regions (2a) is oriented in a specified main emission direction (6) of the light-emitting component (10). The optical element (3) comprises multiple sub-regions (3a) which are paired with the regions (2a).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
75.
MULTI-LAYER ENCAPSULATION, METHOD FOR ENCAPSULATION AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
A multi-layer encapsulation is specified, said multilayer encapsulation comprising a layer sequence comprising at least one barrier layer (31) and at least one planarization layer (32), wherein the barrier layer (31) and the planarization layer (32) together have a lower water permeability than the barrier layer (31). Furthermore, a method for encapsulation and an optoelectronic component comprising an encapsulation are specified.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
76.
METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT
The invention relates to a method for producing an organic light-emitting component (100), the method comprising the following steps: A) providing a substrate (1); B) applying a first electrode (2) on the substrate (1); C) applying at least one organic functional layer stack (5) that is designed for emitting radiation and is arranged above at least the first electrode (2); D) applying a second electrode (6) above the organic functional layer stack (5); and E) applying perhydropolysilazane (4) by means of wet-chemical methods, and curing perhydropolysilazane (4) for generating at least one planarization layer (3) that is arranged between the first electrode (2) and the substrate (1) and/or above the second electrode (6). In step E), a layer structure having at least one layer pair (10) is generated, and each layer pair is shaped from the planarization layer (3) and from a layer (9) produced by means of atomic layer deposition methods or chemical vapor deposition, wherein the layer (9) produced by means of atomic layer deposition methods or chemical vapor deposition entirely surrounds both a surface facing away from the substrate (1) and lateral surfaces of the planarization layer (3).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
77.
ORGANIC ELECTRONIC COMPONENT HAVING A CHARGE-CARRIER GENERATION LAYER
The invention relates to an organic electronic component (100) comprising a first (S1) and a second organic functional layer stack (S2) and a charge carrier generation layer (5) arranged between the same. The charge carrier generation layer (5) has an n-counducting region (5b), a doped organic p-doped region (5a) and an intermediate region (5c) arranged between the same having a layer thickness of 0.1 nm to 20 nm, wherein the doped organic p-doped region (5a) has, as p-dopant, a fluorized sulphonimide metal salt of the following formula 1, wherein M is either a divalent or higher-valency metal having an atomic mass of greater than 26 g/mol or a monovalent metal having an atomic mass of greater than or equal to 39 g/mol, wherein 1 ≤ n ≤ 7, and wherein R1, R2 are independent of each other and are chosen from a group which comprises a fluoro-substituted aryl radical, a fluoro-substituted alkyl radical and a fluoro-substituted arylalkyl radical.
The invention relates to an organic optoelectronic component. The component comprises the following: - an organic functional layer stack (S) between a first electrode (1) and a second electrode (2), comprising a light-emitting layer which is designed to emit a radiation during the operation of the component, and - an out-coupling layer (3) over the first electrode (1) and/or the second electrode (2), said out-coupling layer being arranged in the beam path (R) of the radiation of the light-emitting layer. The out-coupling layer (3) comprises a structured layer (3a) and a planarization layer (3b) arranged over the structured layer. The structured layer (3a) has a surface (A) which is structured at least in some areas, and the planarization layer (3b) planarizes the structured surface (A) of the structured layer (3a). The difference of the refractive indices of the structured layer (3a) and the planarization layer (3b) is at least less than 0.3 in some areas.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
79.
OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR OPERATING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to an optoelectronic component (1) comprising a substrate (3), a first electrode layer (5), an active layer sequence (7), a second electrode layer (9), and a protective layer (11) which are arranged on a surface (4) of the substrate (3) in a stack direction (V). The optoelectronic component (1) has a first operating state (Z1) and a second operating state (Z2). At least one dimension (d2) of the optoelectronic component (1) in the second operating state (Z2) differs from the corresponding dimension (d1) in the first operating state (Z1). The optoelectronic component (1) is designed to emit an electromagnetic radiation (S1) with a first emission wavelength (L1) in the first operating state (Z1) and an electromagnetic radiation (S2) with a second emission wavelength (L2) in the second operating state (Z2), said second emission wavelength differing from the first emission wavelength (L1) in a specified manner.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
80.
ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT, METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT, AND METHOD FOR OPERATING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT
The invention relates to various embodiments of an organic light-emitting component (1), comprising: a metal layer structure (14), which has a first electrode (20) and an antenna (42); an organic functional layer structure (22) over the first electrode (20); a second electrode (23) over the organic functional layer structure (22); an electronic circuit (44), which is electrically coupled at least to the antenna (42) and which is designed, during the operation of the organic light-emitting component (1), to apply a first electrical signal to the antenna (42) such that the antenna (42) emits a first electromagnetic signal corresponding thereto and/or to receive a second electrical signal from the antenna (42), which second electrical signal is produced on the basis of a second electromagnetic signal received by the antenna (42).
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
81.
METHOD FOR OPERATING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE AND COMBINED REAR LIGHT AND BRAKE LIGHT
In one embodiment, the method is configured to operate an organic light-emitting diode (1). In this context, the organic light-emitting diode (1) has a first and a second organic layered stack (10, 20), each with an active zone (13, 23) for generating light. A common translucent central electrode (4) directly adjoins the layered stack (10, 20). The first layered stack (10) is located between a translucent first edge electrode (3) and the central electrode (4), and the second layered stack (20) is arranged between a preferably reflective second edge electrode (5) and the central electrode (4). The first layered stack (10) is operated with a first current density (I1), and the second layered stack (20) is operated only if the first layered stack (10) is switched off, wherein the second layered stack (20) is operated with a second current density (I2). The first and the second current densities (I1, I2) differ from one another by at least a factor of 3.
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
82.
ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE AND VEHICLE REAR LIGHT
In one form of embodiment, the organic light-emitting diode (1) contains an organic layer stack (2). The layer stack (2) comprises an active layer (23) for producing light by means of electroluminescence. The layer stack (2) also comprises another current-carrying layer (21, 22). The other current-carrying layer (21, 22) comprises a first charge carrier transport material (31) as a high-temperature conductor and a second charge carrier transport material (32) as a low-temperature conductor. An operating voltage (U) of the organic light-emitting diode (1) is staibilised in relation to temperature changes within a specific operating temperature range by means of the second charge carrier transport material.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
83.
ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PREVENTING THE ANALYSIS OF THE MATERIAL COMPOSITION OF AN ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to an organic optoelectronic component (100) which has a functional part (10) that is designed to emit electromagnetic radiation and a camouflage layer (20). The functional part (10) has a substrate (11), a first electrode (12), a functional organic layer stack (13), a second electrode (14), and an encapsulation (15). The functional part (10) has a first analysis spectrum (16), and the camouflage layer (20) has a second analysis spectrum (26), wherein the first analysis spectrum (16) and the second analysis spectrum (26) are different, at least partly overlap, and form a complete analysis spectrum (G) of the organic optoelectronic component (100) such that an analysis of the material composition of the functional part (10) is at least hindered on the basis of the camouflage layer (20).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
84.
ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
The invention relates to an electronic component, in particular an organic optoelectronic component, comprising a circuit board (30), in particular a flexible circuit board, and an electronic component (10), in particular an organic optoelectronic component (10), wherein the electronic component (10) has a substrate (11), an encapsulation layer (13), an electronic structure (12) arranged between the substrate (11) and the encapsulation layer (13), in particular an organic optoelectronic structure, and at least one first electrically conductive contact layer (14) arranged adjacent to the encapsulation layer (13) on the substrate (11) and electrically connected to the electronic structure (12), the circuit board (30) comprises a support layer (32) and at least one second electrically conductive contact layer (31), the circuit board (30) is arranged adjacent to the encapsulation layer (13) on the substrate (11), the first and the second contact layer (14, 31) are electrically conductively connected to one another, and the support layer (32) and the encapsulation layer (13) each have at least one aligning structure (20) which interengage and define the position of the circuit board (30) relative to the electronic component (10) in at least one spatial direction.
H05K 3/36 - Assemblage de circuits imprimés avec d'autres circuits imprimés
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
The invention relates to an organic light-emitting component (100) comprising a substrate (1), a functional layer stack (2) between two electrodes (3, 4), which is arranged on the substrate (1), wherein the functional layer stack (2) comprises at least two organic light-emitting layers (21, 22) and at least one charge carrier generating zone (23) arranged between the two organic light-emitting layers (21, 22), wherein the charge carrier generating zone (23) comprises at least one first organic layer (231) having a main surface (2311), wherein the main surface (2311) faces away from the substrate (1), wherein the first organic layer (231) is electron-conducting or hole-conducting, wherein the main surface (2311) has a topographical surface structure (5).
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
86.
LIGHT-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING COMPONENT
In various embodiments, a light-emitting component is provided which has at least one light-emitting layer, a scattering layer (120) arranged in the beam path of the light-emitting layer and a mirror structure (130) following the light-emitting layer with regard to a main emission direction of the light-emitting component (100, 200, 300, 310), wherein the mirror structure (130) is designed to be at least partially transparent to the light (152) that can be emitted by the at least one light-emitting layer and at least partially reflective for the light (144) incident on the light-emitting component (100, 200, 300, 310).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
87.
ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT
The invention relates to an organic light-emitting component comprising an organic layer stack (S) between two electrodes (2, 3). The organic layer stack comprises a light-emitting layer (4). The light-emitting layer comprises a polymer and an emitter material, wherein molecules of the emitter material are bonded to the polymer. The emitter material is configured to generate electromagnetic radiation during operation of the component. The transition dipole moments of the radiation-generating transition of the molecules of the emitter material all have an anisotropic orientation within the light-emitting layer, and ឬcos 2Θᡶ is less than 1/3, wherein Θ is the angle between the respective transition dipole moment of the radiation-generating transition of the molecules of the emitter material and a layer normal of the light-emitting layer.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
88.
ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT
The invention relates to an organic light-emitting component comprising an organic stack of layers between two electrodes. The organic stack of layers comprises a first light-emitting layer and the first light-emitting layer comprises an emitter material designed to produce electromagnetic radiation during the operation of the component. Taken together, the transition dipole moments of the radiation-producing transition of the molecules of the emitter material have an anisotropic orientation inside the first light-emitting layer, ឬcos2θᡶ of less than 1/3, where θ is the angle between the respective transition dipole moment of the radiation-producing transition of the molecules of the emitter material and a layer normal of the first light-emitting layer.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
89.
LIGHT FIXTURE AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT FIXTURE
The invention relates to a light fixture in different forms of embodiment. The light fixture comprises a light-permeable substrate with a glare suppression structure, the glare suppression structure comprising a light input side and a light output side opposite the light input side; a light-permeable first electrode layer embodied on or above the light input side of the substrate; an organically functional layer structure for emitting light, which is embodied on or above the light-permeable first electrode layer; and a second electrode layer embodied on or above the organically functional layer structure.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
F21V 11/14 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Écrans non couverts par les groupes , , ou utilisant des diaphragmes à une ou plusieurs ouvertures avec de nombreuses petites ouvertures
F21V 11/02 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Écrans non couverts par les groupes , , ou utilisant des lamelles ou des bandes parallèles, p.ex. du type store vénitien
F21V 11/06 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Écrans non couverts par les groupes , , ou utilisant des treillages ou des nids d'abeilles
F21W 131/402 - Utilisation ou application des dispositifs ou des systèmes d'éclairage, non prévues dans les groupes Éclairage pour un usage industriel, commercial, récréatif ou militaire pour les postes de travail
90.
OPTOELECTRONIC ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC ASSEMBLY
An optoelectronic assembly (1) is provided in various embodiments. Said optoelectronic assembly (1) comprises an optoelectronic component (10) which has a reflective surface (42) and a radiation cooler (40) which is in direct physical contact with the optoelectronic component (10) and is arranged on the reflective surface (42).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
The invention relates to an organic light-emitting diode (1) comprising a carrier (2) and two electrodes (3, 5). An organic layer sequence (4) having an active zone for producing light is located between the two electrodes (3, 5). In addition, the organic light-emitting diode (1) comprises one or more opaque privacy protection layers (6). As seen in plan view, the privacy protection layer (6) surrounds the organic layer sequence (4) all around. At least one of the electrodes (3, 5), seen in plan view, has a structuring (9) in a region beside the organic layer sequence (4). Said structuring (9) is hidden by the privacy protection layer (6) for a viewer from outside the organic light-emitting diode (1).
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
92.
METHOD FOR PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODES, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODES
The invention relates to a method designed to produce organic light-emitting diodes (1), having the following steps: - providing a support substrate (2) with a main face (20), - coating the main face (20) with an electric insulation layer (4), - applying a mask layer (8) onto the insulation layer (4), - removing the insulation layer (4) in some locations in a specified manner by means of the mask layer (8), - applying an organic layer stack (5) for generating light such that the mask layer (8) is located between the layer stack (5) and the remaining insulation layer (4) and such that the insulation layer (4) and the layer stack (5) directly follow one another in a direction parallel to the main face (20), - removing the mask layer (8) together with waste material of the layer stack (5), and - applying an encapsulation (7) in a formfitting manner.
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
93.
OPTOELECTRONIC COMPONENT DEVICE, METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT DEVICE
The invention relates to an optoelectronic component device in various embodiments. The optoelectronic component device has: at least one organic light-emitting means (1) having an optically active structure (40), which is designed to emit light (180); a multi-finger gesture detection device, which is designed to detect a predefined multi-finger gesture within a region of the optically active structure (40); and a drive device (150), which is coupled to the multi-finger gesture detection device and the organic light-emitting means (1), wherein the drive device (150) is set up to drive the organic light-emitting means (1) as a function of a detected multi-finger gesture such that at least one predefined property of the emittable light is changed.
The invention relates to an organic electronic component (10) comprising at least one organic layer (3), which has a fluorinated sulphonamide metal salt of the following formula 1: (1) wherein M is either a bivalent or higher-order metal having an atomic mass of greater than 26 g/mol or a monovalent metal having an atomic mass of greater than or equal to 39 g/mol, wherein 1 ≤ n ≤ 7, and wherein R1, R2 are selected independently of each other and from a group comprising a fluoride-substituted aryl radical, a fluoride-substituted alkyl radical, and a fluoride-substituted aryl-alkyl radical.
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
95.
OPTOELECTRONIC COMPONENT DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN OPTOELECTRONIC COMPONENT DEVICE
An optoelectronic component device is disclosed in various embodiments. Said optoelectronic component device has at least one two-dimensionally flexible optoelectronic component (1) and a holding unit designed to retain the at least one two-dimensionally flexible optoelectronic component; the at least one two-dimensionally flexible optoelectronic component (1) is disposed in the holding unit in a mechanically stressed manner in such a way that the at least one two-dimensionally flexible optoelectronic component (1) is retained in the holding unit essentially by means of the mechanical stress.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
96.
ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE
An organic light-emitting diode is specified. The organic light-emitting diode comprises - a first electrode, - an organic layer stack for generating light, said stack being arranged above the first electrode, - a second electrode, which is arranged above the organic layer stack. The first electrode and/or the second electrode comprise(s) a first metallic layer and a barrier layer. In this case, the barrier layer is arranged between the first metallic layer and the organic layer stack. The barrier layer comprises a material selected from a group comprising an inorganic metal oxide, nitride and/or carbide or an organic material.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
97.
ORGANIC ELECTRONIC COMPONENT, USE OF A P-TYPE DOPANT FOR A MATRIX MATERIAL
An organic electronic component is specified. The component comprises a matrix material which contains organic phosphane as a p-type dopant. The organic phosphane is substituted with at least one halogen atom .
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
98.
METHOD FOR PRODUCING A LAYER, USE OF THE LAYER, METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT
The invention relates to a method for producing a layer. The method has the following steps: B31) evaporating a compound of the formula IA, IB, IC, or ID, B33) depositing a reaction product of the compound of the formula IA, IB, IC, or ID or B31') evaporating a compound of the formula II and a compound of the formula III, and B33') depositing a reaction product of the compounds of the formula II and III.
ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT DEVICE, METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT DEVICE AND METHOD FOR OPERATING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT DEVICE
In various exemplary embodiments, an organic light-emitting component device is provided. The organic light-emitting component device comprises: a first organic light-emitting component (OLED1) and at least one second organic light-emitting component (OLED2, OLED3), a temperature detecting device configured for detecting at least one temperature (TOLED1-3, TA), and a control unit (130, 230) coupled to the temperature detecting device and configured to operate the first organic light-emitting component (OLED1) and the at least one second organic light-emitting component (OLED2, OLED3), wherein the control unit (130, 230) is designed in such a way that, depending on the at least one detected temperature (TOLED1-3, TA), a first operating parameter (jOLED1) of the first organic light-emitting component (OLED1) and/or a second operating parameter (jOLED2, jOLED3) of the at least one second organic light-emitting component (OLED2, OLED3) are/is changed in this way.
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
100.
METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
The invention relates to a method for producing an optoelectronic component (200) in various embodiments. The method (300) comprises: forming (302) at least one conductor structure (108) on or over a surface (114) of a substrate (102), wherein at least one part (116) of the surface (114) of the substrate (102) is free of conductor structure (108) and the at least one conductor structure (108) has an exposed surface (112), wherein at least the exposed surface (112) of the at least one conductor structure (108) and the surface of the substrate (114) are designed in such a way that a Lewis adduct (110) can be formed on the exposed surface (112) of the at least one conductor structure (108) with respect to a specified material and the surface (114) of the substrate (102) remains substantially free of the Lewis adduct (110); applying (304) the specified material to or over the surface of the at least one conductor structure (108) and the surface (114) of the substrate (102); and heating (306) at least the at least one conductor structure (108) to or above a first threshold temperature, wherein the Lewis adduct (110) is formed at or above the first threshold temperature.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
brevets
