Mitsubishi Heavy Industries Mechatronics Systems, Ltd.

Japon

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Brevet
États-Unis - USPTO
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Classe IPC
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) 2
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques 2
C23F 1/00 - Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques 2
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique 2
Résultats pour  brevets

1.

Inner electrode for barrier film formation and apparatus for film formation

      
Numéro d'application 13229393
Numéro de brevet 08418650
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-09-09
Date de la première publication 2012-01-05
Date d'octroi 2013-04-16
Propriétaire MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES MECHATRONICS SYSTEMS, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Goto, Seiji
  • Yamakoshi, Hideo
  • Ueda, Atsushi
  • Okamoto, Kenichi
  • Asahara, Yuji
  • Danno, Minoru

Abrégé

An inner electrode for barrier film formation is an inner electrode for barrier film formation that is inserted inside a plastic container having an opening, supplies a medium gas to the inside of the plastic container, and supplies high frequency power to an outer electrode arranged outside the plastic container, thereby generating discharge plasma on the inner surface of the plastic container to form a barrier film on the inner surface of the plastic container, and that is provided with a gas supply pipe having a gas flow path to supply a medium gas and an insulating member screwed into an end portion of the gas supply pipe to be flush therewith and having a gas outlet communicated with the gas flow path.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
  • C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
  • C23F 1/00 - Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
  • H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique

2.

Inner electrode for barrier film formation and apparatus for film formation

      
Numéro d'application 11660201
Numéro de brevet 08034177
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2005-10-17
Date de la première publication 2008-01-24
Date d'octroi 2011-10-11
Propriétaire MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES MECHATRONICS SYSTEMS, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Goto, Seiji
  • Yamakoshi, Hideo
  • Ueda, Atsushi
  • Okamoto, Kenichi
  • Asahara, Yuji
  • Danno, Minoru

Abrégé

a).

Classes IPC  ?

  • C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
  • C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
  • C23F 1/00 - Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
  • H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique