Methods for direct patterning of a silicon hardmask with extreme ultraviolet (EUV) radiation are provided. The method involves forming a polysiloxane and/or oligosiloxane composition into a silicon hardmask layer followed by solvent removal. Without using a photoresist and/or other layer silicon hardmask layer, condensation of the siloxane sol-gel polymers and/or oligomers is induced by EUV radiation, rendering the exposed portions insoluble in typical lithography solvents or developers. The exposed portions of the silicon hardmask layer are removed, leaving a pattern in the silicon hardmask layer that can be transferred to any layers below the silicon hardmask layer, and ultimately to the substrate.
Thermally decomposable gap-fill materials are disclosed that fill small features and are completely removed by a high-temperature bake after processing. These materials are self-crosslinkable polymers. Potential applications of these materials include use as sacrificial gap-fill materials for creating air gaps, as well as protection of high-aspect-ratio or other delicate microelectronic features during processing steps.
In one embodiment, a voltammetry sensor measurement system includes one or more potentiostats configured to transmit an electrical input to a working electrode of a voltammetry sensor and to measure an electrical output from the voltammetry sensor in response to the electrical input, the electrical input including a square wave electrical input, the measured electrical output including a differential current through the working electrode. A controller is coupled with the potentiostats to monitor, in real time, the differential current through the working electrode. The controller is configured to determine if the monitored differential current will exceed a preset differential current threshold of the voltammetry sensor, using a predictive algorithm based on the monitored differential current, before the differential current reaches the threshold; and to generate a signal when the monitored differential current is determined to exceed the threshold, to preserve the voltammetry sensor before the differential current reaches the threshold.
In one embodiment, a voltammetry sensor measurement system includes one or more potentiostats configured to transmit an electrical input to a working electrode of a voltammetry sensor and to measure an electrical output from the voltammetry sensor in response to the electrical input, the electrical input including a square wave electrical input, the measured electrical output including a differential current through the working electrode. A controller is coupled with the potentiostats to monitor, in real time, the differential current through the working electrode. The controller is configured to determine if the monitored differential current will exceed a preset differential current threshold of the voltammetry sensor, using a predictive algorithm based on the monitored differential current, before the differential current reaches the threshold; and to generate a signal when the monitored differential current is determined to exceed the threshold, to preserve the voltammetry sensor before the differential current reaches the threshold.
Adhesive additives are disclosed that enhance spin-on carbon (SOC) resistance to SC-1 wet etch. The additives can be formed by reacting a polymer or oligomer (such as an adhesion polymer or adhesion oligomer) with 3,4,5-triacetoxybenzoic acid (TABA). When added to standard SOC layers or used as a primer between an SOC layer and substrate, these additives enhance the adhesion of the SOC layer to TiN and other substrates and reduce undercut during SC-1 wet etch.
C08F 265/04 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation de monomères sur des polymères d'acides monocarboxyliques non saturés ou de leurs dérivés tels que définis dans le groupe sur des polymères d'esters
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
Novel polyketanil-based compositions for use as a laser-releasable composition for temporary bonding and laser debonding processes are provided. The inventive compositions can be debonded using various UV lasers, at wavelengths from about 300 nm to about 360 nm, leaving behind little to no debris. The layers formed from these compositions possess good thermal stabilities and are resistant to common solvents used in semiconductor processing. The compositions can also be used as build-up layers for redistribution layer formation.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
Composites comprising metal-oxide-functionalized carbon nanotubes with metal nanoparticles deposited thereon are provided. These composites can be used as a working electrode in an electrochemical sensor to detect arsenite in aqueous solutions. The composite can electrochemically reduce As3+ to As0 due to increasing adsorption capability. In one embodiment, Au nanoparticles are deposited on the TiOx/CNT electrode to facilitate the adsorption of As3+ on the electrode surface for further electrochemical reduction process. Square wave voltammetry (SWV) is performed to detect the electrochemical reduction of arsenite in water.
A carbon nanotube sensor device for detecting CO2 and methods of its production and use. A printable polyethylenimine (PEI)-functionalized carbon nanomaterial paste may be used to form the active sensing layer of the device, which is particularly sensitive to CO2. A separate printed heating layer may be used to maintain the working temperature of the sensor, as well as to remove and/or clear volatile gases from the sensor.
A sensing platform for continuous water resource monitoring by electrochemical detection and solution parameter correction is provided. The sensing platform employs a solid-state electrolyte three-electrode cell, creating a high ionic strength environment within the solid-state electrolyte membrane, which is in ion exchange equilibria with the sampled solution. This device may be used as a standalone sensor in environments where the water parameters (pH temperature, and ionic strength) are controlled, or in concert with compensation sensors where water parameters are not controlled.
A carbon nanotube (CNT) ion-selective field effect transistor (IS-FET) integrated device is used to detect nitrate ion in water. The device is operated as an IS-FET sensor, holding the measured potential between the drain electrode and an external reference electrode constant with a potentiometric circuit. Transduction occurs by changes in the effective CNT film gate potential with changes in the phase boundary potential of an ion-selective membrane (ISM) film. Moreover, the nitrate ISM film makes the device highly selective towards nitrate sensing. This printable IS-FET nitrate sensor enables real-time and high-resolution measurements and recording of nitrate ion in water at low cost.
Composites comprising metal-oxide-functionalized carbon nanotubes with metal nanoparticles deposited thereon are provided. These composites can be used as a working electrode in an electrochemical sensor to detect arsenite in aqueous solutions. The composite can electrochemically reduce As3+to As0due to increasing adsorption capability. In one embodiment, Au nanoparticles are deposited on the TiOx/CNT electrode to facilitate the adsorption of As3+ on the electrode surface for further electrochemical reduction process. Square wave voltammetry (SWV) is performed to detect the electrochemical reduction of arsenite in water.
A sensing platform for continuous water resource monitoring by electrochemical detection and solution parameter correction is provided. The sensing platform employs a solid-state electrolyte three-electrode cell, creating a high ionic strength environment within the solid-state electrolyte membrane, which is in ion exchange equilibria with the sampled solution. This device may be used as a standalone sensor in environments where the water parameters (pH temperature, and ionic strength) are controlled, or in concert with compensation sensors where water parameters are not controlled.
A carbon nanotube (CNT) ion-selective field effect transistor (IS-FET) integrated device is used to detect nitrate ion in water. The device is operated as an IS-FET sensor, holding the measured potential between the drain electrode and an external reference electrode constant with a potentiometric circuit. Transduction occurs by changes in the effective CNT film gate potential with changes in the phase boundary potential of an ion-selective membrane (ISM) film. Moreover, the nitrate ISM film makes the device highly selective towards nitrate sensing. This printable IS- FET nitrate sensor enables real-time and high-resolution measurements and recording of nitrate ion in water at low cost.
Achieving homogeneous and heterogeneous integration for 2.5D and 3D integrated circuit, chip-to-wafer, chip-to-substrate, or wafer-to-wafer bonding is an essential technology. The landing wafer or substrate is bonded with a carrier by using a temporary bonding material before thinning the landing wafer to the desired thickness. Upon completion of redistribution layer formation, Cu pad formation, or other backside processing, dies or wafers with through-silicon vias are stacked onto the landing substrate before molding and singulation. As the landing wafer usually has interconnection metals in the bond line, and those interconnection metals are typically made from lead-free solder alloys, deformation of those solder alloys during thermocompression bonding becomes an issue for manufacturers. To address this issue, a polymeric material with desired strengths is coated on the device wafer to form a conformal protective layer on top of solder alloys, thus enabling temporary bonding and debonding processes.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
15.
TEMPORARY BONDING AND DEBONDING PROCESS TO PREVENT DEFORMATION OF METAL CONNECTION IN THERMOCOMPRESSION BONDING
Achieving homogeneous and heterogeneous integration for 2.5D and 3D integrated circuit, chip-to-wafer, chip-to-substrate, or wafer-to-wafer bonding is an essential technology. The landing wafer or substrate is bonded with a carrier by using a temporary bonding material before thinning the landing wafer to the desired thickness. Upon completion of redistribution layer formation, Cu pad formation, or other backside processing, dies or wafers with through-silicon vias are stacked onto the landing substrate before molding and singulation. As the landing wafer usually has interconnection metals in the bond line, and those interconnection metals are typically made from lead-free solder alloys, deformation of those solder alloys during thermocompression bonding becomes an issue for manufacturers. To address this issue, a polymeric material with desired strengths is coated on the device wafer to form a conformal protective layer on top of solder alloys, thus enabling temporary bonding and debonding processes.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
16.
CHEMICALLY HOMOGENEOUS SILICON HARDMASKS FOR LITHOGRAPHY
Silicon hardmasks with a single-component polymer are disclosed. These hardmasks provide high optical homogeneity and high chemical homogeneity, thus minimizing or avoiding negative stochastic effects on feature critical dimension. The hardmasks further provide low porosity, higher density, and high silicon content and improve performance factors such as LER/LWR, defectivity, uniformity, and DoF.
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
C08G 77/52 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone contenant des cycles aromatiques
C08G 77/26 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant de l'azote
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
17.
CHEMICALLY HOMOGENEOUS SILICON HARDMASKS FOR LITHOGRAPHY
Silicon hardmasks with a single-component polymer are disclosed. These hardmasks provide high optical homogeneity and high chemical homogeneity, thus minimizing or avoiding negative stochastic effects on feature critical dimension. The hardmasks further provide low porosity, higher density, and high silicon content and improve performance factors such as LER/LWR, defectivity, uniformity, and DoF.
Materials and methods for modifying semiconducting substrate surfaces in order to dramatically change surface energy are provided. Preferred materials include perfluorocarbon molecules or polymers with various functional groups. The functional groups (carboxylic acids, hydroxyls, epoxies, aldehydes, and/or thiols) attach materials to the substrate surface by physical adsorption or chemical bonding, while the perfluorocarbon components contribute to low surface energy. Utilization of the disclosed materials and methods allows rapid transformation of surface properties from hydrophilic to hydrophobic (water contact angle 120° and PGMEA contact angle) 70°. Selective liquiphobic modifications of copper over Si/SiOx, TiOx over Si/SiOx, and SiN over SiOx are also demonstrated.
A method is described for debonding a carrier and device substrate using a high-intensity, pulsed, broadband light system that is suitable for wafer-level packaging applications. The carrier substrate is a transparent wafer with a light absorbing layer on one side of the wafer. This method utilizes the high intensity light to rapidly heat up the light absorbing layer to decompose or melt a bonding material layer that is adjacent to the light absorbing layer. After exposure to light, the carrier substrate can be lifted off the surface of the device wafer with little or no force.
C09J 5/06 - Procédés de collage en général; Procédés de collage non prévus ailleurs, p.ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
Produits et services
Chemicals for use in industry; chemical compositions,
namely, bonding and release layered compositions used in the
manufacture of microelectronic products; chemical
compositions, namely, dielectric coating compositions used
in the manufacture of microelectronic products.
21.
PHOTONIC DEBONDING FOR WAFER-LEVEL PACKAGING APPLICATIONS
A method is described for debonding a carrier and device substrate using a high-intensity, pulsed, broadband light system that is suitable for wafer-level packaging applications. The carrier substrate is a transparent wafer with a light absorbing layer on one side of the wafer. This method utilizes the high intensity light to rapidly heat up the light absorbing layer to decompose or melt a bonding material layer that is adjacent to the light absorbing layer. After exposure to light, the carrier substrate can be lifted off the surface of the device wafer with little or no force.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
Methods are disclosed to prepare permanent materials that can be coated onto microelectronic substrates or used for other structural or optical applications. The permanent materials are thermally stable to at least 300°C, cure using a photo or thermal process, exhibit good chemical resistance (including during metal passivation), and have a lifespan of at least 5 years, preferably at least 10 years, in the final device. Advantageously, these materials can also be bonded at room temperature. The materials exhibit no movement or squeeze-out after bonding and adhere to a variety of substrate types. A chip-to-chip, chip-to-wafer, and/or wafer-to-wafer bonding method utilizing this material is also described.
H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
C09J 7/00 - Adhésifs sous forme de films ou de pellicules
C09J 11/00 - Caractéristiques des adhésifs non prévues dans le groupe , p.ex. additifs
Methods are disclosed to prepare permanent materials that can be coated onto microelectronic substrates or used for other structural or optical applications. The permanent materials are thermally stable to at least 300° C., cure using a photo or thermal process, exhibit good chemical resistance (including during metal passivation), and have a lifespan of at least 5 years, preferably at least 10 years, in the final device. Advantageously, these materials can also be bonded at room temperature. The materials exhibit no movement or squeeze-out after bonding and adhere to a variety of substrate types. A chip-to-chip, chip-to-wafer, and/or wafer-to-wafer bonding method utilizing this material is also described.
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
A high-temperature-stable spin-on-carbon ("SOC") material that fills topography features on a substrate while planarizing the surface in a one-step, thin layer coating process is provided. The material comprises low molecular weight polyimides or diimides that are pre-imidized in solution rather than on the wafer. The SOC layers can survive harsh CVD conditions and are also SCI resistant, especially on TiN and SiOx surfaces.
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C08L 79/08 - Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
C08G 73/10 - Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
25.
SOLUBLE POLYIMIDES AND DIIMIDES FOR SPIN-ON CARBON APPLICATIONS
A high-temperature-stable spin-on-carbon (“SOC”) material that fills topography features on a substrate while planarizing the surface in a one-step, thin layer coating process is provided. The material comprises low molecular weight polyimides or diimides that are pre-imidized in solution rather than on the wafer. The SOC layers can survive harsh CVD conditions and are also SC1 resistant, especially on TiN and SiOx surfaces.
The materials and methods disclosed can be used for applications such as temporary bond and debond of semiconductor and display substrates. These materials have sufficiently low melt rheologies to be used as a bonding layer and can crosslink/cure to allow for reduction in material flow over long periods of time. This class of materials also incorporates the ability to be used as a single-layer system for debonding purposes and typically uses laser debonding for its release mechanism. These materials also allow for solvent cleanability using very mild acidic conditions instead of the typical harsh conditions used on curable layers.
C09J 5/06 - Procédés de collage en général; Procédés de collage non prévus ailleurs, p.ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
C09J 4/00 - Adhésifs à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
C09J 179/00 - Adhésifs à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes
The materials and methods disclosed can be used for applications such as temporary bond and debond of semiconductor and display substrates. These materials have sufficiently low melt rheologies to be used as a bonding layer and can crosslink/cure to allow for reduction in material flow over long periods of time. This class of materials also incorporates the ability to be used as a single-layer system for debonding purposes and typically uses laser debonding for its release mechanism. These materials also allow for solvent cleanability using very mild acidic conditions instead of the typical harsh conditions used on curable layers.
C08G 73/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes
C09J 179/00 - Adhésifs à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes
B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p.ex. réparation; Appareils pour ces opérations
B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
B32B 17/06 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une feuille de verre ou de fibres de verre, de scorie ou d'une substance similaire comprenant du verre comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
A copolymer of polytetrafluoroethylene and a perfluoro acid (e.g., Nafion™) is neutralized by a base to yield its corresponding salt, and a high-boiling-point compatible solvent is used as a substituting solvent, with the original, low-boiling-point solvent being removed by rotor evaporation. The resulting dispersion is screen printable, and its viscosity is controllable by adjusting its solids content. This screen-printable salt dispersion is especially useful in printed electronics applications such as sensors.
C08L 27/18 - Homopolymères ou copolymères du tétrafluoro-éthylène
C08J 3/02 - Production de solutions, dispersions, latex ou gel par d'autres procédés que ceux utilisant les techniques de polymérisation en solution, en émulsion ou en suspension
A copolymer of polytetrafluoroethylene and a perfluoro acid (e.g., Nafion™) is neutralized by a base to yield its corresponding salt, and a high-boiling-point compatible solvent is used as a substituting solvent, with the original, low-boiling-point solvent being removed by rotor evaporation. The resulting dispersion is screen printable, and its viscosity is controllable by adjusting its solids content. This screen-printable salt dispersion is especially useful in printed electronics applications such as sensors.
C09D 11/106 - Encres d’imprimerie à base de résines artificielles contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone
C09D 11/033 - Encres d’imprimerie caractérisées par des particularités autres que la nature chimique du liant caractérisées par le solvant
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
Produits et services
Chemicals for use in industry; Chemical compositions, namely, bonding and release layered compositions used in the manufacture of microelectronic products; chemical compositions, namely, dialectric coating compositions used in the manufacture of microelectronic products
Lithographic compositions for use as wet-removable silicon gap fill layers are provided. The method of using these compositions involves utilizing a silicon gap fill layer over topographic features on a substrate. The silicon gap fill layer can either be directly applied to the substrate, or it can be applied to any intermediate layer(s) that may be applied to the substrate. The preferred silicon gap fill layers are formed from spin-coatable, polymeric compositions with high silicon content, and these layers exhibit good gap fill and planarization performance and high oxygen etch resistance.
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
Lithographic compositions for use as wet-removable silicon gap fill layers are provided. The method of using these compositions involves utilizing a silicon gap fill layer over topographic features on a substrate. The silicon gap fill layer can either be directly applied to the substrate, or it can be applied to any intermediate layer(s) that may be applied to the substrate. The preferred silicon gap fill layers are formed from spin-coatable, polymeric compositions with high silicon content, and these layers exhibit good gap fill and planarization performance and high oxygen etch resistance.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
33.
Selective liquiphobic surface modification of substrates
Materials and methods for modifying semiconducting substrate surfaces in order to dramatically change surface energy are provided. Preferred materials include perfluorocarbon molecules or polymers with various functional groups. The functional groups (carboxylic acids, hydroxyls, epoxies, aldehydes, and/or thiols) attach materials to the substrate surface by physical adsorption or chemical bonding, while the perfluorocarbon components contribute to low surface energy. Utilization of the disclosed materials and methods allows rapid transformation of surface properties from hydrophilic to hydrophobic (water contact angle 120° and PGMEA contact angle) 70°. Selective liquiphobic modifications of copper over Si/SiOx, TiOx over Si/SiOx, and SiN over SiOx are also demonstrated.
Materials and methods for modifying semiconducting substrate surfaces in order to dramatically change surface energy are provided. Preferred materials include perfluorocarbon molecules or polymers with various functional groups. The functional groups (carboxylic acids, hydroxyls, epoxies, aldehydes, and/or thiols) attach materials to the substrate surface by physical adsorption or chemical bonding, while the perfluorocarbon components contribute to low surface energy. Utilization of the disclosed materials and methods allows rapid transformation of surface properties from hydrophilic to hydrophobic (water contact angle 120° and PGMEA contact angle 70°). Selective liquiphobic modifications of copper over Si/SiOx, TiOx over Si/SiOx, and SiN over SiOx are also demonstrated.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Temperature sensors; pressure sensors; humidity sensors;
moisture sensors; sensor chips for scientific use; sensors
for the determination of properties of liquids; vibration
sensors; sensors for measuring gas properties, not for
medical use; sensors for measuring water properties, not for
medical use; sensors for measuring varying angles of
deflection, not for medical use; sensors for measuring
moisture, not for medical use; downloadable computer
software for the collecting, reading and processing data
sent from sensors.
New lithographic compositions for use as EUV silicon hardmask layers are provided. The present invention provides methods of fabricating microelectronic structures and the resulting structures formed thereby using EUV lithographic processes. The method involves utilizing a silicon hardmask layer immediately below the photoresist layer. The silicon hardmask layer can either be directly applied to the substrate, or it can be applied to any intermediate layer(s) that may be applied to the substrate. The preferred silicon hardmask layers are formed from spin-coatable, polymeric compositions. The inventive method improves adhesion and reduces or eliminates pattern collapse issues.
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C08G 77/14 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes contenant de l'oxygène
C08G 77/18 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes contenant de l'oxygène à des groupes alcoxyle ou aryloxyle
C08G 77/26 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant de l'azote
New lithographic compositions for use as EUV silicon hardmask layers are provided. The present invention provides methods of fabricating microelectronic structures and the resulting structures formed thereby using EUV lithographic processes. The method involves utilizing a silicon hardmask layer immediately below the photoresist layer. The silicon hardmask layer can either be directly applied to the substrate, or it can be applied to any intermediate layer(s) that may be applied to the substrate. The preferred silicon hardmask layers are formed from spin-coatable, polymeric compositions. The inventive method improves adhesion and reduces or eliminates pattern collapse issues.
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
Methods are disclosed to prepare permanent materials that can be coated onto microelectronic substrates or used for other structural or optical applications. The materials are thermally stable to at least about 300°C, curable using a photo or thermal process, exhibit good chemical resistance (including during metal passivation), and have a lifespan of at least about 5 years, preferably at least about 10 years, in the final device. Advantageously, these materials can also be bonded at room temperature. The materials exhibit no movement or squeeze-out after bonding and adhere to a variety of substrate types.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
(1) Temperature sensors; pressure sensors; humidity sensors; moisture sensors; sensor chips for scientific use namely sensing temperature, humidity, flex/strain and detecting analytes in water and in air; sensors for the determination of properties of liquids; vibration sensors; sensors for measuring gas properties, not for medical use; sensors for measuring water properties, not for medical use; sensors for measuring varying angles of deflection, not for medical use; sensors for measuring moisture, not for medical use; downloadable computer software for the collecting, reading and processing data sent from sensors, namely resistance, impedance, conductivity measurement.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Temperature sensors; pressure sensors; humidity sensors; moisture sensors; sensor chips for scientific use; sensors for the determination of properties of liquids; vibration sensors; sensors for measuring gas properties, not for medical use; sensors for measuring water properties, not for medical use; sensors for measuring varying angles of deflection, not for medical use; sensors for measuring moisture, not for medical use; downloadable computer software for the collecting, reading and processing data sent from sensors
41.
POLY(CYANOCINNAMATE)S FOR STRUCTURAL AND OPTICAL APPLICATIONS
Methods of preparing poly(cyanocinnamate)s are provided, with those involving mild conditions and resulting in a soluble polymer that is stable at room temperature and can be coated onto microelectronic substrates. The polymer includes at least one bis(cyanoacetate) monomer and at least one aromatic dialdehyde monomer. The polymer exhibits good thermal and structural properties and high absorbance in the UV range.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
42.
POLY(CYANOCINNAMATE)S FOR STRUCTURAL AND OPTICAL APPLICATIONS
Methods of preparing poly(cyanocinnamate)s are provided, with those involving mild conditions and resulting in a soluble polymer that is stable at room temperature and can be coated onto microelectronic substrates. The polymer includes at least one bis(cyanoacetate) monomer and at least one aromatic dialdehyde monomer. The polymer exhibits good thermal and structural properties and high absorbance in the UV range.
Novel polyketanil-based compositions for use as a laser-releasable composition for temporary bonding and laser debonding processes are provided. The inventive compositions can be debonded using various UV lasers, at wavelengths from about 300 nm to about 360 nm, leaving behind little to no debris. The layers formed from these compositions possess good thermal stabilities and are resistant to common solvents used in semiconductor processing. The compositions can also be used as build-up layers for redistribution layer formation.
Novel polyketanil-based compositions for use as a laser-releasable composition for temporary bonding and laser debonding processes are provided. The inventive compositions can be debonded using various UV lasers, at wavelengths from about 300 nm to about 360 nm, leaving behind little to no debris. The layers formed from these compositions possess good thermal stabilities and are resistant to common solvents used in semiconductor processing. The compositions can also be used as build-up layers for redistribution layer formation.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
Materials and methods to immobilize photoacid generators on semiconducting substrates are provided. PAG-containing monomers are copolymerized with monomers to allow the polymer to bind to a surface, and optionally copolymerized with monomers to enhance solubility to generate PAG-containing polymers. The PAG-containing monomers can be coated onto a surface, where the immobilized PAGs can then be used to pattern materials coated on top of the immobilized PAGs, allowing direct patterning without the use of a photoresist, thereby reducing process steps and cost. The disclosed materials and processes can be used to produce conformal coatings of controlled thicknesses.
G03F 1/00 - Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
G03F 7/09 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
Materials and methods to immobilize photoacid generators on semiconducting substrates are provided. PAG-containing monomers are copolymerized with monomers to allow the polymer to bind to a surface, and optionally copolymerized with monomers to enhance solubility to generate PAG-containing polymers. The PAG-containing monomers can be coated onto a surface, where the immobilized PAGs can then be used to pattern materials coated on top of the immobilized PAGs, allowing direct patterning without the use of a photoresist, thereby reducing process steps and cost. The disclosed materials and processes can be used to produce conformal coatings of controlled thicknesses.
G03F 7/095 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires ayant plus d'une couche photosensible
New lithographic compositions for use as EUV adhesion layers are provided. The present invention provides methods of fabricating microelectronics structures using those compositions as well as structures formed by those methods. The method involves utilizing an adhesion layer immediately below the photoresist layer. The adhesion layer can either be directly applied to the substrate, or it can be applied to any intermediate layer(s) that may be applied to the substrate, such as an alpha-carbon, spin-on carbon, spin-on silicon hardmask, metal hardmask, or deposited silicon layer. The preferred adhesion layers are formed from spin-coatable, polymeric compositions. The inventive method improves adhesion and reduces or eliminates pattern collapse issues.
New lithographic compositions for use as EUV adhesion layers are provided. The present invention provides methods of fabricating microelectronics structures using those compositions as well as structures formed by those methods. The method involves utilizing an adhesion layer immediately below the photoresist layer. The adhesion layer can either be directly applied to the substrate, or it can be applied to any intermediate layer(s) that may be applied to the substrate, such as an alpha-carbon, spin-on carbon, spin-on silicon hardmask, metal hardmask, or deposited silicon layer. The preferred adhesion layers are formed from spin-coatable, polymeric compositions. The inventive method improves adhesion and reduces or eliminates pattern collapse issues.
Novel block copolymers ("BCPs") having non-random distributions of comonomers within at least one of the blocks and methods of using those BCPs in directed self-assembly ("DSA") processes are provided. The non-random (e.g., gradient-creating) distributions can be customized in order to concentrate the desired comonomer properties in predetermined areas of the BCP. These BCPs can achieve perpendicular orientation with simple annealing and offer superior long-range ordering and lower defectivity when compared to prior art BCPs. These BCPs can be incorporated into compositions that simultaneously offer the benefits of high-χ and rapid thermal-annealing kinetics while maintaining similar or improved guide process windows when compared to prior art BCPs.
C08F 293/00 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation sur une macromolécule contenant des groupes capables d'amorcer la formation de nouvelles chaînes polymères rattachées exclusivement à une ou aux deux extrémités de la macromolécule de départ
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 212/32 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant plusieurs cycles
C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
50.
Gradient block copolymers for directed self-assembly
Novel block copolymers (“BCPs”) having non-random distributions of comonomers within at least one of the blocks and methods of using those BCPs in directed self-assembly (“DSA”) processes are provided. The non-random (e.g., gradient-creating) distributions can be customized in order to concentrate the desired comonomer properties in predetermined areas of the BCP. These BCPs can achieve perpendicular orientation with simple annealing and offer superior long-range ordering and lower defectivity when compared to prior art BCPs. These BCPs can be incorporated into compositions that simultaneously offer the benefits of high-χ and rapid thermal-annealing kinetics while maintaining similar or improved guide process windows when compared to prior art BCPs.
C08L 53/00 - Compositions contenant des copolymères séquencés possédant au moins une séquence d'un polymère obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone; Compositions contenant des dérivés de tels polymères
C08F 20/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
C08F 26/06 - Homopolymères ou copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par une liaison simple ou double à l'azote ou par un hétérocycle contenant de l'azote
C08G 63/06 - Polyesters dérivés soit d'acides hydroxycarboxyliques, soit d'acides polycarboxyliques et de composés polyhydroxylés dérivés des acides hydroxycarboxyliques
C08F 20/26 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle
51.
Laser-releasable bonding materials for 3-D IC applications
Novel thermoplastic polyhydroxyether-based compositions for use as a laser-releasable composition for temporary bonding and laser debonding processes are provided. The inventive compositions can be debonded using various UV lasers, leaving behind little to no debris. The layers formed from these compositions possess good thermal stabilities and are soluble in commonly-used organic solvents (e.g., cyclopentanone). The compositions can also be used as build-up layers for RDL formation.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
C08K 3/00 - Emploi de substances inorganiques en tant qu'adjuvants
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
52.
LASER-RELEASABLE BONDING MATERIALS FOR 3-D IC APPLICATIONS
Novel thermoplastic polyhydroxyether-based compositions for use as a laser-releasable composition for temporary bonding and laser debonding processes are provided. The inventive compositions can be debonded using various UV lasers, leaving behind little to no debris. The layers formed from these compositions possess good thermal stabilities and are soluble in commonly-used organic solvents (e.g., cyclopentanone). The compositions can also be used as build-up layers for RDL formation.
B32B 7/06 - Liaison entre couches permettant une séparation sans difficultés
B32B 27/28 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comprenant des copolymères de résines synthétiques non complètement couverts par les sous-groupes suivants
B32B 27/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique caractérisée par l'emploi d'additifs particuliers utilisant des charges, des pigments, des agents thixotropiques
C09J 171/08 - Polyéthers dérivés de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques
C09J 11/06 - Additifs non macromoléculaires organiques
C09J 5/04 - Procédés de collage en général; Procédés de collage non prévus ailleurs, p.ex. relatifs aux amorces comprenant une application séparée de produits adhésifs sur les différentes surfaces à joindre
H01L 21/18 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
53.
Environmentally sealed, reusable connector for printed flexible electronics
An environmentally sealed connector for connecting a spring-loaded terminal to a flexible circuit includes a spring-loaded terminal and a connector cap having a terminal cavity receiving a portion of the spring-loaded terminal therein in order to electrically couple the spring-loaded terminal to the flexible circuit. A connector base is releasably coupled to the connector cap and covers the terminal cavity and the portion of the spring-loaded terminal therein. An elastic member is disposed between the connector cap and the connector base in sealing engagement therewith and surrounds the terminal cavity and the portion of the spring-loaded terminal.
H01R 13/502 - Socles; Boîtiers composés de différentes pièces
H01R 12/59 - Connexions fixes pour circuits imprimés flexibles, câbles plats ou à rubans ou structures similaires
H01R 12/53 - Connexions fixes pour circuits imprimés rigides ou structures similaires se raccordant à des câbles à l'exclusion des câbles plats ou à rubans
H01R 13/52 - Boîtiers protégés contre la poussière, les projections, les éclaboussures, l'eau ou les flammes
H01R 12/65 - Connexions fixes pour circuits imprimés flexibles, câbles plats ou à rubans ou structures similaires caractérisées par les bornes
54.
ENVIRONMENTALLY SEALED, REUSABLE CONNECTOR FOR PRINTED FLEXIBLE ELECTRONICS
An environmentally sealed connector for connecting a spring-loaded terminal to a flexible circuit includes a spring-loaded terminal and a connector cap having a terminal cavity receiving a portion of the spring-loaded terminal therein in order to electrically couple the spring-loaded terminal to the flexible circuit. A connector base is releasably coupled to the connector cap and covers the terminal cavity and the portion of the spring-loaded terminal therein. An elastic member is disposed between the connector cap and the connector base in sealing engagement therewith and surrounds the terminal cavity and the portion of the spring-loaded terminal.
0 as low as 12 nm for lamellar-structured BCPs and hole/pillar size as small as 6 nm for cylinder-structured BCPs. The Tg of the BCPs can also be tuned to lower than those of PS-b-PMMA standards. The enhanced polymer chain mobility resulting from the decreased Tg of the block copolymer may help with improving the kinetics of BCP self-assembly during the thermal annealing.
C08G 81/02 - Composés macromoléculaires obtenus par l'interréaction de polymères en l'absence de monomères, p.ex. polymères séquencés au moins un des polymères étant obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
C08F 293/00 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation sur une macromolécule contenant des groupes capables d'amorcer la formation de nouvelles chaînes polymères rattachées exclusivement à une ou aux deux extrémités de la macromolécule de départ
C08F 2/38 - Polymérisation utilisant des régulateurs, p.ex. des agents d'arrêt de chaîne
56.
HIGH-CHI BLOCK COPOLYMERS FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY
The present invention is broadly concerned with novel directed self-assembly compositions, processes utilizing those compositions, and the resulting structures that are formed. The composition comprises a block copolymer of polystyrene and a polymethylmethacrylate block with polylactic acid side chains ("PS-b-P(MMA-LA)"). The block copolymer is capable of crosslinking and micro-phase separating into lines and spaces measuring about 10-nm or smaller with sub-20 nm L0 capability. Additionally, PS-b-P(MMA-LA) can be thermally annealed without a top-coat for simpler processing than the prior art. The polylactic acid side chains also increase the etch rate of the poly(methylmethacrylate) block when exposed to oxygen plasma, as well as lower the Tg.
B32B 27/28 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comprenant des copolymères de résines synthétiques non complètement couverts par les sous-groupes suivants
C08G 81/02 - Composés macromoléculaires obtenus par l'interréaction de polymères en l'absence de monomères, p.ex. polymères séquencés au moins un des polymères étant obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone
C08F 299/04 - Composés macromoléculaires obtenus par des interréactions de polymères impliquant uniquement des réactions entre des liaisons non saturées carbone-carbone, en l'absence de monomères non macromoléculaires à partir de polycondensats non saturés à partir de polyesters
C08F 20/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
C08F 20/20 - Esters des alcools polyhydriques ou des phénols polyhydriques
C08G 65/40 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison éther dans la chaîne principale de la macromolécule à partir de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques dérivés des phénols à partir des phénols et d'autres composés
C08L 53/00 - Compositions contenant des copolymères séquencés possédant au moins une séquence d'un polymère obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone; Compositions contenant des dérivés de tels polymères
57.
High-χ block copolymers for directed self-assembly
C08G 81/00 - Composés macromoléculaires obtenus par l'interréaction de polymères en l'absence de monomères, p.ex. polymères séquencés
C08G 81/02 - Composés macromoléculaires obtenus par l'interréaction de polymères en l'absence de monomères, p.ex. polymères séquencés au moins un des polymères étant obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone
C08F 293/00 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation sur une macromolécule contenant des groupes capables d'amorcer la formation de nouvelles chaînes polymères rattachées exclusivement à une ou aux deux extrémités de la macromolécule de départ
G03F 7/16 - Procédés de couchage; Appareillages à cet effet
C08L 87/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés, obtenus autrement que par des réactions de polymérisation ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
G03F 7/32 - Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
C08L 53/00 - Compositions contenant des copolymères séquencés possédant au moins une séquence d'un polymère obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone; Compositions contenant des dérivés de tels polymères
C08G 65/40 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison éther dans la chaîne principale de la macromolécule à partir de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques dérivés des phénols à partir des phénols et d'autres composés
B32B 27/28 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comprenant des copolymères de résines synthétiques non complètement couverts par les sous-groupes suivants
58.
Spin-on carbon compositions for lithographic processing
The invention described herein is directed towards spin-on carbon materials comprising polyamic acid compositions and a crosslinker in a solvent system. The materials are useful in trilayer photolithography processes. Films made with the inventive compositions are not soluble in solvents commonly used in lithographic materials, such as, but not limited to PGME, PGMEA, and cyclohexanone. However, the films can be dissolved in developers commonly used in photolithography. In one embodiment, the films can be heated at high temperatures to improve the thermal stability for high temperature processing. Regardless of the embodiment, the material can be applied to a flat/planar or patterned surface. Advantageously, the material exhibits a wiggling resistance during pattern transfer to silicon substrate using fluorocarbon etch.
G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
B32B 33/00 - Produits stratifiés caractérisés par des propriétés particulières ou des caractéristiques de surface particulières, p.ex. par des revêtements de surface particuliers; Produits stratifiés conçus pour des buts particuliers non couverts par une seule autre classe
H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
G03F 7/09 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
C09D 179/08 - Polyimides; Polyesterimides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
C08G 73/10 - Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
B32B 9/04 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
C08G 73/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
59.
CHEMICALLY PATTERNED GUIDE LAYERS FOR USE IN CHEMOEPITAXY DIRECTING OF BLOCK CO-POLYMERS
The present invention is broadly concerned with materials, processes, and structures that allow an underlayer to be imaged directly using conventional lithography, thus avoiding the photoresist processing steps required by prior art directed self-assembly (DSA) processes. The underlayers can be tailored to favor a selected block of the DSA block co-polymers (BCP), depending on the pattern, and can be formulated either to initially be neutral to the BCP and switch to non-neutral after photoexposure, or can initially be non-neutral to the BCP and switch to neutral after exposure. These materials allow fast crosslinking to achieve solvent resistance and possess good thermal stability.
The present invention is broadly concerned with materials, processes, and structures that allow an underlayer to be imaged directly using conventional lithography, thus avoiding the photoresist processing steps required by prior art directed self-assembly (DSA) processes. The underlayers can be tailored to favor a selected block of the DSA block co-polymers (BCP), depending on the pattern, and can be formulated either to initially be neutral to the BCP and switch to non-neutral after photoexposure, or can initially be non-neutral to the BCP and switch to neutral after exposure. These materials allow fast crosslinking to achieve solvent resistance and possess good thermal stability.
C08F 120/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
B05D 1/00 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces
C08L 53/00 - Compositions contenant des copolymères séquencés possédant au moins une séquence d'un polymère obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone; Compositions contenant des dérivés de tels polymères
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
61.
ENERGETIC PULSE CLEARING OF ENVIRONMENTALLY SENSITIVE THIN-FILM DEVICES
A process and electronic hardware and software system for rapidly heating and cooling an active sensing layer of a gas sensor is provided. A series of high-energy pulses is run through a CNT electrically-active layer, heating the layer to varying temperatures. The influence by various gases on the electrical conductivity of the layer can be used to identify gases (e.g., water vapor, alcohol, methane, O2, CO2, and CO). Advantageously, the same structure can also be used as a nanoheater, either within or outside the context of the gas sensor. The device can acquire a unique gas spectra in seconds, and thus accurately determine gas type and mixtures of gases based on a library of known spectra.
G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
62.
Energetic pulse clearing of environmentally sensitive thin-film devices
2, and CO). Advantageously, the same structure can also be used as a nanoheater, either within or outside the context of the gas sensor. The device can acquire a unique gas spectra in seconds, and thus accurately determine gas type and mixtures of gases based on a library of known spectra.
G01N 27/14 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps chauffé électriquement dépendant de variations de température
G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
G01N 33/00 - Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes
63.
Polymer film stencil process for fan-out wafer-level packaging of semiconductor devices
The present invention provides stencil-based processes for fan-out wafer-level packaging (“FOWLP”) that addresses the limitations associated with prior art over-molding of dies. In the inventive process, a temporary carrier is coated with a release layer and curable adhesive backing layer. A die stencil film is then laminated to the coated carrier, and the dies are placed inside pre-formed cavities created in the laminated stencil. The gaps between the dies and the stencil are filled with a curable polymeric material, and a redistribution layer is constructed according to conventional processes. This process results in better repeatability, lower bowing in the carrier, and enhanced downstream processing.
H05K 3/12 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de l'impression pour appliquer le matériau conducteur
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
Dielectric materials with optimal mechanical properties for use in laser ablation patterning are proposed. These materials include a polymer selected from the group consisting of polyureas, polyurethane, and polyacylhydrazones. New methods to prepare suitable polyacylhydrazones are also provided. Those methods involve mild conditions and result in a soluble polymer that is stable at room temperature and can be incorporated into formulations that can be coated onto microelectronic substrates. The dielectric materials exhibit high elongation, low CTE, low cure temperature, and leave little to no debris post-ablation.
Dielectric materials with optimal mechanical properties for use in laser ablation patterning are proposed. These materials include a polymer selected from the group consisting of polyureas, polyurethane, and polyacylhydrazones. New methods to prepare suitable polyacylhydrazones are also provided. Those methods involve mild conditions and result in a soluble polymer that is stable at room temperature and can be incorporated into formulations that can be coated onto microelectronic substrates. The dielectric materials exhibit high elongation, low CTE, low cure temperature, and leave little to no debris post-ablation.
B41C 1/10 - Préparation de la forme ou du cliché pour l'impression lithographique; Feuilles-mère pour le report d'une image sur la forme
C07C 65/21 - Composés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons et contenant l'un des groupes OH, O-métal, —CHO, cétone, éther, des groupes , des groupes ou des groupes contenant des groupes éther, des groupes , des groupes ou des groupes
C07C 65/30 - Composés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons et contenant l'un des groupes OH, O-métal, —CHO, cétone, éther, des groupes , des groupes ou des groupes contenant des groupes —CHO
C07C 243/12 - Hydrazines ayant des atomes d'azote de groupes hydrazine liés à des atomes de carbone acycliques
C08G 69/38 - Polyamides préparés à partir d'aldéhydes et de polynitriles
C08G 18/76 - Polyisocyanates ou polyisothiocyanates cycliques aromatiques
A sensor system comprises a first sensor, a second sensor, a high pass filter, and a summation unit. The first sensor senses an environmental parameter and outputs a first electronic signal with a response having a first time constant. The second sensor senses the environmental parameter and outputs a second electronic signal with a response having a second time constant greater than the first time constant. The high pass filter has a filter time constant roughly equal to the second time constant and filters the first electronic signal, outputting a filtered first electronic signal in which changes in a level or value of the first electronic signal with transition times that are less than the filter time constant are passed. The summation unit receives the filtered first electronic signal and the second electronic signal and outputs a sum of the filtered first electronic signal and the second electronic signal.
G01D 21/02 - Mesure de plusieurs variables par des moyens non couverts par une seule autre sous-classe
G01D 1/02 - Dispositions pour la mesure donnant des résultats autres que la valeur instantanée d'une variable, d'application générale donnant des valeurs moyennes, p.ex. des valeurs efficaces
67.
Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
The invention broadly relates to cyclic olefin polymer bonding compositions and release compositions, to be used independently or together, that enable thin wafer handling during microelectronics manufacturing, especially during a full-wafer mechanical debonding process. The release compositions comprise compositions made from siloxane polymers and copolymers blended in a polar solvent, and that are stable at room temperature for longer than one month. The cyclic olefin polymer bonding compositions provide high thermal stability, can be bonded to fully-treated carrier wafers, can be mechanically or laser debonded after high-temperature heat treatment, and are easily removed with an industrially-acceptable solvent. Wafers bonded according to the invention demonstrate lower overall post-grind stack TTV compared to other commercial bonding materials and can survive 200° C. PECVD processing.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/50 - Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes
C08G 77/14 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes contenant de l'oxygène
C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
C08G 77/18 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes contenant de l'oxygène à des groupes alcoxyle ou aryloxyle
C08G 77/26 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant de l'azote
C09J 145/00 - Adhésifs à base d'homopolymères ou de copolymères de composés ne possédant pas de radicaux aliphatiques non saturés dans une chaîne latérale et contenant une ou plusieurs liaisons doubles carbone-carbone dans un système carbocyclique ou hétérocycliqu; Adhésifs à base de dérivés de tels polymères
C09J 183/06 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes contenant de l'oxygène
B32B 7/06 - Liaison entre couches permettant une séparation sans difficultés
B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
B32B 27/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique d'une résine synthétique d'une sorte différente
B32B 27/28 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comprenant des copolymères de résines synthétiques non complètement couverts par les sous-groupes suivants
B32B 27/32 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comprenant des polyoléfines
C09J 5/06 - Procédés de collage en général; Procédés de collage non prévus ailleurs, p.ex. relatifs aux amorces comprenant un chauffage de l'adhésif appliqué
A sensor system comprises a first sensor, a second sensor, a high pass filter, and a summation unit. The first sensor senses an environmental parameter and outputs a first electronic signal with a response having a first time constant. The second sensor senses the environmental parameter and outputs a second electronic signal with a response having a second time constant greater than the first time constant. The high pass filter has a filter time constant roughly equal to the second time constant and filters the first electronic signal, outputting a filtered first electronic signal in which changes in a level or value of the first electronic signal with transition times that are less than the filter time constant are passed. The summation unit receives the filtered first electronic signal and the second electronic signal and outputs a sum of the filtered first electronic signal and the second electronic signal.
G01K 1/18 - Dispositions particulières pour conduire la chaleur de l'objet à l'élément sensible pour réduire l'inertie thermique
G01K 3/10 - Thermomètres donnant une indication autre que la valeur instantanée de la température fournissant des valeurs différenciées par rapport au temps, p.ex. réagissant uniquement à une variation rapide de température
G01K 7/16 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments résistifs
G01K 7/20 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments résistifs l'élément étant une résistance linéaire, p.ex. un thermomètre à résistance de platine dans un circuit spécialement adapté, p.ex. un circuit en pont
Planarizing and spin-on-carbon (SOC) compositions that fill vias and/or trenches on a substrate while planarizing the surface in a single thin layer coating process are provided. The compositions can planarize wide ranges of substrates with vias or trenches of from about 20 nm to about 220 nm wide, and up to about 700 nm deep. These extraordinary properties come from the low molecular weight of the polymers used in the materials, thermally-labile protecting groups on the polymers, and a delayed crosslinking reaction.
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
G03F 1/22 - Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'une longueur d'onde de 100 nm ou moins, p.ex. masques pour rayons X, masques en extrême ultra violet [EUV]; Leur préparation
Planarizing and spin-on-carbon (SOC) compositions that fill vias and/or trenches on a substrate while planarizing the surface in a single thin layer coating process are provided. The compositions can planarize wide ranges of substrates with vias or trenches of from about 20 nm to about 220 nm wide, and up to about 700 nm deep. These extraordinary properties come from the low molecular weight of the polymers used in the materials, thermally-labile protecting groups on the polymers, and a delayed crosslinking reaction.
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Novel hyper-branched, dense, high-refractive-index polymers, and compositions utilizing those polymers are provided, along with methods of forming high refractive index films with those compositions. The refractive index of the material is at least about 1.8 at 400 nm. Further, it can be made into optically transparent thin films of only a couple hundred angstroms thickness to thick films of several micrometers thick, as well as into "bulk" solids. The use of a thermal acid or a photo acid generator facilitates crosslinking after the coating process.
C08L 79/04 - Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale; Polyhydrazides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
Novel hyper-branched, dense, high-refractive-index polymers, and compositions utilizing those polymers are provided, along with methods of forming high refractive index films with those compositions. The refractive index of the material is at least about 1.8 at 400 nm. Further, it can be made into optically transparent thin films of only a couple hundred angstroms thickness to thick films of several micrometers thick, as well as into “bulk” solids. The use of a thermal acid or a photo acid generator facilitates crosslinking after the coating process.
C08G 73/06 - Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale de la macromolécule; Polyhydrazides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
C09D 179/04 - Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale; Polyhydrazides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
A system for verifying a container of a material before the material is transferred to a process. The system includes a conduit that extends through a mouth of the container. The conduit is supported by an arm that moves between a first position in which the conduit extends through the mouth, and a second position in which the conduit is removed and moved away from the mouth. A reading device extracts information about the container from an information storage element. A computer program receives input regarding the extracted information, receives input regarding the process, and determining whether the container is correct for the process. The program prevents the arm from moving to the first position, and only if the container is determined to be correct does the program allow the arm to move to the first position so that the material can be transferred.
G06K 17/00 - Méthodes ou dispositions pour faire travailler en coopération des équipements couverts par plusieurs des groupes principaux , p.ex. fichiers automatiques de cartes incluant les opérations de transport et de lecture
G06K 19/06 - Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques caractérisés par le genre de marque numérique, p.ex. forme, nature, code
74.
All-organic inductor-capacitor tank circuit for radio frequency sensor applications
The present invention provides novel tank circuits that are totally passive, and they are made of conductive-grade carbon nanotubes (CNTs) on substrates, and preferably flexible substrates. These components and structures contain no traditional electronic materials such as silicon, metal oxides, or ceramics, and they are totally organic. They may be used in applications where the resonant frequency and amplitude of the sensor can be modulated by a thermal, mechanical, or chemical signal, such as temperature, strain, pressure, vibration, or humidity. All-organic, and consequently combustible, passive RF sensors have unique applications for defense and consumer industries.
H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p.ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
H01G 4/40 - Combinaisons structurales de condensateurs fixes avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, la structure étant principalement constituée par un condensateur, p.ex. combinaisons RC
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
75.
POLYIMIDES AS LASER RELEASE MATERIALS FOR 3-D IC APPLICATIONS
The invention broadly relates to release layer compositions that enable thin wafer handling during microelectronics manufacturing. Preferred release layers are formed from compositions comprising a polyamic acid or polyimide dissolved or dispersed in a solvent system, followed by curing and/or solvent removal at about 250°C to about 350°C for less than about 10 minutes, yielding a thin film. This process forms the release compositions into polyimide release layers that can be used in temporary bonding processes, and laser debonded after the desired processing has been carried out.
Printed resistive-based sensors and transducers comprising a thin, electronically "active" sensing layer within a dielectric and/or metallic layered structure are provided. The electronic resistance of the active sensing layer is measured during a change in the sensor environment. By utilizing a multi-layered architecture around the active sensing layer, the electronic signal of the sensing element can be improved. By carefully selecting the architecture and materials that surround the active sensing layer, the sensitivity, stability, and selectivity of the sensor to detect changes in the environment are improved. This design allows for a number of specific application areas for environmental sensing.
G01R 31/00 - Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
G01R 27/02 - Mesure de résistances, de réactances, d'impédances réelles ou complexes, ou autres caractéristiques bipolaires qui en dérivent, p.ex. constante de temps
77.
Polyimides as laser release materials for 3-D IC applications
The invention broadly relates to release layer compositions that enable thin wafer handling during microelectronics manufacturing. Preferred release layers are formed from compositions comprising a polyamic acid or polyimide dissolved or dispersed in a solvent system, followed by curing and/or solvent removal at about 250° C. to about 350° C. for less than about 10 minutes, yielding a thin film. This process forms the release compositions into polyimide release layers that can be used in temporary bonding processes, and laser debonded after the desired processing has been carried out.
B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
B32B 7/06 - Liaison entre couches permettant une séparation sans difficultés
B05D 3/00 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliqués; Traitement ultérieur des revêtements appliqués, p.ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides
B32B 27/06 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 37/14 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p.ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par les propriétés des couches
C09D 179/08 - Polyimides; Polyesterimides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
C08G 73/10 - Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
Printed resistive-based sensors and transducers comprising a thin, electronically “active” sensing layer within a dielectric and/or metallic layered structure are provided. The electronic resistance of the active sensing layer is measured during a change in the sensor environment. By utilizing a multi-layered architecture around the active sensing layer, the electronic signal of the sensing element can be improved. By carefully selecting the architecture and materials that surround the active sensing layer, the sensitivity, stability, and selectivity of the sensor to detect changes in the environment are improved. This design allows for a number of specific application areas for environmental sensing.
G01D 5/16 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier la résistance
G01K 7/16 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments résistifs
G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
A novel interchangeable spin chuck system is provided that allows the user to quickly change substrate sizes and spin chuck styles without any extra tools. This system has a two-piece design and overcomes many of the drawbacks of previous spin chuck designs, such as difficulty in seating the spin chuck and ensuring that the spin chuck is at a consistent flatness and height. Furthermore, this spin chuck system allows the spin chucks to be manufactured at a lower cost. Thus, rather than restricting users to "make do" with incorrect spin chucks due to budget limitations, this economical design gives users access to a wider range of spin chuck sizes and styles.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
80.
USER INTERFACE, METHOD, AND COMPUTER PROGRAM FOR DISPLAYING DATA
A user interface for monitoring a number of parameters of a system includes an electronic display element and a display driver for controlling the electronic display element so as to display a data graph thereon. The data graph includes a bounded area divided into a plurality of segments, each segment representing one of the parameters; and a number of concentric portions formed in each segment, each concentric portion representing a state or value of the parameter represented by its corresponding segment. The display driver receives data representative of a current state or value of each of the parameters and indicates the current state or value of the parameters by marking the concentric portions that represent the current states or values.
Compositions for directed self-assembly (DSA) patterning techniques are provided. Methods for directed self-assembly are also provided in which a DSA composition comprising a block copolymer (BCP) is applied to a substrate and then self-assembled to form the desired pattern. The block copolymer includes at least two blocks and is selected to have a high interaction parameter (Chi). The BCPs are able to form perpendicular lamellae by simple thermal annealing on a neutralized substrate, without a top coat. The BCPs are also capable of micro-phase separating into lines and spaces measuring at 10 nm or smaller, with sub-20-nm Lo capability.
The invention broadly relates to cyclic olefin polymer bonding compositions and release compositions, to be used independently or together, that enable thin wafer handling during microelectronics manufacturing, especially during a full-wafer mechanical debonding process. The release compositions comprise compositions made from siloxane polymers and copolymers blended in a polar solvent, and that are stable at room temperature for longer than one month. The cyclic olefin polymer bonding compositions provide high thermal stability, can be bonded to fully-treated carrier wafers, can be mechanically or laser debonded after high-temperature heat treatment, and are easily removed with an industrially-acceptable solvent. Wafers bonded according to the invention demonstrate lower overall post-grind stack TTV compared to other commercial bonding materials and can survive 200°C PECVD processing.
C09D 153/00 - Compositions de revêtement à base de copolymères séquencés possédant au moins une séquence d'un polymère obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
C08F 293/00 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation sur une macromolécule contenant des groupes capables d'amorcer la formation de nouvelles chaînes polymères rattachées exclusivement à une ou aux deux extrémités de la macromolécule de départ
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
84.
Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
The invention broadly relates to cyclic olefin polymer bonding compositions and release compositions, to be used independently or together, that enable thin wafer handling during microelectronics manufacturing, especially during a full-wafer mechanical debonding process. The release compositions comprise compositions made from siloxane polymers and copolymers blended in a polar solvent, and that are stable at room temperature for longer than one month. The cyclic olefin polymer bonding compositions provide high thermal stability, can be bonded to fully-treated carrier wafers, can be mechanically or laser debonded after high-temperature heat treatment, and are easily removed with an industrially-acceptable solvent. Wafers bonded according to the invention demonstrate lower overall post-grind stack TTV compared to other commercial bonding materials and can survive 200° C. PECVD processing.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
B32B 7/06 - Liaison entre couches permettant une séparation sans difficultés
B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
B32B 27/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique d'une résine synthétique d'une sorte différente
B32B 27/28 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comprenant des copolymères de résines synthétiques non complètement couverts par les sous-groupes suivants
B32B 27/32 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique comprenant des polyoléfines
85.
Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates
A process is disclosed for using two polymeric bonding material layers to bond a device wafer and carrier wafer in a way that allows debonding to occur between the two layers under low-force conditions at room temperature. Optionally, a third layer is included at the interface between the two layers of polymeric bonding material to facilitate the debonding at this interface. This process can potentially improve bond line stability during backside processing of temporarily bonded wafers, simplify the preparation of bonded wafers by eliminating the need for specialized release layers, and reduce wafer cleaning time and chemical consumption after debonding.
B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
B32B 37/14 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p.ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par les propriétés des couches
B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p.ex. réparation; Appareils pour ces opérations
B32B 37/24 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p.ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par les propriétés des couches avec au moins une couche qui ne présente pas de cohésion avant la stratification, p.ex. constituée de matériau granulaire projeté sur un substrat
86.
Highly crosslinked polymer dielectric films for improved capacitor performance
New polymeric dielectric materials are provided for high power capacitors, especially for mobile and weapons applications. These materials utilize aminoplast crosslinking in their polymeric structure. The aminoplast crosslinking ability of these materials allows them to be customized for a number of applications, but also allows the materials to have a higher crosslinking density, leading to higher dielectric constants, higher breakdown voltage, and higher thermal stability. These materials can be incorporated into current capacitor manufacturing schemes with little to no processing changes.
The invention described herein is directed towards spin-on carbon materials comprising polyamic acid compositions and a crosslinker in a solvent system. The materials are useful in trilayer photolithography processes. Films made with the inventive compositions are not soluble in solvents commonly used in lithographic materials, such as, but not limited to PGME, PGMEA, and cyclohexanone. However, the films can be dissolved in developers commonly used in photolithography. In one embodiment, the films can be heated at high temperatures to improve the thermal stability for high temperature processing. Regardless of the embodiment, the material can be applied to a flat/planar or patterned surface. Advantageously, the material exhibits a wiggling resistance during pattern transfer to silicon substrate using fluorocarbon etch.
G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
B32B 33/00 - Produits stratifiés caractérisés par des propriétés particulières ou des caractéristiques de surface particulières, p.ex. par des revêtements de surface particuliers; Produits stratifiés conçus pour des buts particuliers non couverts par une seule autre classe
C08G 73/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
C09D 179/08 - Polyimides; Polyesterimides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
C08G 73/10 - Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
G03F 7/09 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
B32B 9/04 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
88.
Highly etch-resistant polymer block for use in block copolymers for directed self-assembly
Compositions for directed self-assembly (DSA) patterning techniques are provided. Methods for directed self-assembly are also provided in which a DSA composition comprising a block copolymer is applied to a substrate and then self-assembled to form the desired pattern. The block copolymer includes at least two blocks of differing etch rates, so that one block (e.g., polymethylmethacrylate) is selectively removed during etching. Because the slower etching block (e.g., polystyrene) is modified with an additive to further slow the etch rate of that block, more of the slow etching block remains behind to fully transfer the pattern to underlying layers.
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
A wafer transfer assembly and method of using the assembly to transfer device wafers between processing tools in a manufacturing process are described herein. The assembly comprises a wafer transfer disk, an end effector configured to receive and support the wafer transfer disk, and an elongated handle extending from the end effector. The wafer transfer disk comprises a wafer-engaging surface configured to support a debonded device wafer placed on the wafer transfer assembly with the device surface adjacent the wafer-engaging surface. The wafer-engaging surface has non-stick properties, and yields a low bonding strength interface between the wafer-engaging surface and device surface. The resulting transfer stack can be transported to other processing tools for additional processing of the debonded device wafer, followed by separating the debonded device wafer and the wafer transfer disk without damaging the device wafer.
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
B65G 49/07 - Systèmes transporteurs caractérisés par leur utilisation à des fins particulières, non prévus ailleurs pour des matériaux ou objets fragiles ou dommageables pour des plaquettes semi-conductrices
90.
HIGHLY ETCH-RESISTANT POLYMER BLOCK FOR USE IN BLOCK COPOLYMERS FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY
Compositions for directed self-assembly (DSA) patterning techniques are provided. Methods for directed self-assembly are also provided in which a DSA composition comprising a block copolymer is applied to a substrate and then self-assembled to form the desired pattern. The block copolymer includes at least two blocks of differing etch rates, so that one block (e.g., polymethylmethacrylate) is selectively removed during etching. Because the slower etching block (e.g., polystyrene) is modified with an additive to further slow the etch rate of that block, more of the slow etching block remains behind to fully transfer the pattern to underlying layers.
Multiple bonding layer schemes that temporarily join semiconductor substrates are provided. In the inventive bonding scheme, at least one of the layers is directly in contact with the semiconductor substrate and at least two layers within the scheme are in direct contact with one another. The present invention provides several processing options as the different layers within the multilayer structure perform specific functions. More importantly, it will improve performance of the thin-wafer handling solution by providing higher thermal stability, greater compatibility with harsh backside processing steps, protection of bumps on the front side of the wafer by encapsulation, lower stress in the debonding step, and fewer defects on the front side.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
B32B 38/00 - Opérations auxiliaires liées aux procédés de stratification
B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p.ex. réparation; Appareils pour ces opérations
Multiple bonding layer schemes that temporarily join semiconductor substrates are provided. In the inventive bonding scheme, at least one of the layers is directly in contact with the semiconductor substrate and at least two layers within the scheme are in direct contact with one another. The present invention provides several processing options as the different layers within the multilayer structure perform specific functions. More importantly, it will improve performance of the thin-wafer handling solution by providing higher thermal stability, greater compatibility with harsh backside processing steps, protection of bumps on the front side of the wafer by encapsulation, lower stress in the debonding step, and fewer defects on the front side.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
B32B 38/00 - Opérations auxiliaires liées aux procédés de stratification
B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p.ex. réparation; Appareils pour ces opérations
Multiple bonding layer schemes that temporarily join semiconductor substrates are provided. In the inventive bonding scheme, at least one of the layers is directly in contact with the semiconductor substrate and at least two layers within the scheme are in direct contact with one another. The present invention provides several processing options as the different layers within the multilayer structure perform specific functions. More importantly, it will improve performance of the thin-wafer handling solution by providing higher thermal stability, greater compatibility with harsh backside processing steps, protection of bumps on the front side of the wafer by encapsulation, lower stress in the debonding step, and fewer defects on the front side.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
B32B 38/00 - Opérations auxiliaires liées aux procédés de stratification
B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p.ex. réparation; Appareils pour ces opérations
94.
Highly soluble carbon nanotubes with enhanced conductivity
New methods for preparing carbon nanotube films having enhanced properties are provided. The method broadly provides reacting carbon nanotubes (CNTs) and compounds comprising a polyaromatic moieties in the presence a strong acid. During the reaction process, the polyaromatic moieties noncovalently bond with the carbon nanotubes. Additionally, the functionalizing moieties are further functionalized by the strong acid. This dual functionalization allows the CNTs to be dispersed at concentrations greater than 0.5 g/L in solution without damaging their desirable electronic and physical properties. The resulting solutions are stable on the shelf for months without observable bundling, and can be incorporated into solutions for printing conductive traces by a variety of means, including inkjet, screen, flexographic, gravure printing, or spin and spray coating.
B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
H01B 1/24 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des compositions à base de carbone-silicium, du carbone ou du silicium
95.
Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces
New temporary bonding methods and articles formed from those methods are provided. In one embodiment, the methods comprise coating a device or other ultrathin layer on a growth substrate with a rigid support layer and then bonding that stack to a carrier substrate. The growth substrate can then be removed and the ultrathin layer mounted on a final support. In another embodiment, the invention provides methods of handling device layers during processing that must occur on both sides of the fragile layer without damaging it. This is accomplished via the sequential use of two carriers, one on each side of the device layer, bonded with different bonding compositions for selective debonding.
B29C 65/48 - Assemblage d'éléments préformés; Appareils à cet effet en utilisant des adhésifs
B32B 9/04 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
B32B 37/12 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p.ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par l'usage d'adhésifs
B32B 37/16 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p.ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par les propriétés des couches toutes les couches existant et présentant une cohésion avant la stratification
B32B 38/10 - Enlèvement de couches ou de parties de couches, mécaniquement ou chimiquement
B32B 43/00 - Opérations spécialement adaptées aux produits stratifiés et non prévues ailleurs, p.ex. réparation; Appareils pour ces opérations
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
B32B 7/06 - Liaison entre couches permettant une séparation sans difficultés
B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
B32B 7/14 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives appliqués en disposition espacée, p.ex. en bandes
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
96.
CVD-FREE, SCALABLE PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF SILICON MICRO- AND NANOSTRUCTURES
Manufacturing-friendly and scalable methods for the production of silicon micro- and nanostructures, including silicon nanotubes, are described. The inventive methods utilize conventional integrated circuit and MEMS manufacturing processes, including spin-coating, photolithography, wet and dry silicon etching, and photoassisted electrochemical etch processes. The invention also provides a novel mask, for maximizing the number of tubes obtained per surface area unit of the silicon substrate on which the tubes are built. The resulting tubes have thick and straight outer walls, as well as high aspect ratios.
B82B 3/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
B82B 1/00 - Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
97.
CVD-free, scalable processes for the production of silicon micro- and nanostructures
Manufacturing-friendly and scalable methods for the production of silicon micro- and nanostructures, including silicon nanotubes, are described. The inventive methods utilize conventional integrated circuit and MEMS manufacturing processes, including spin-coating, photolithography, wet and dry silicon etching, and photoassisted electrochemical etch processes. The invention also provides a novel mask, for maximizing the number of tubes obtained per surface area unit of the silicon substrate on which the tubes are built. The resulting tubes have thick and straight outer walls, as well as high aspect ratios.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
B82Y 10/00 - Nanotechnologie pour le traitement, le stockage ou la transmission d’informations, p.ex. calcul quantique ou logique à un électron
B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
B81C 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
G03F 1/50 - Masques vierges non couverts par les groupes ; Leur préparation
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
98.
SILICONE POLYMERS WITH HIGH REFRACTIVE INDICES AND EXTENDED POT LIFE
Novel compositions and methods of using those compositions to form high refractive index coatings are provided. The compositions comprise a mixture of two silicone polymers, a catalyst, and an inhibitor for the catalyst. The preferred catalyst comprises platinum. Unlike prior art silicone systems, the inventive composition can be provided in a one-part form due to a substantially improved pot life. The compositions can be spin- or spray-applied, followed by baking to crosslink the polymers and form a cured layer. The inventive cured layers have high refractive indices and light transmissions.
Novel compositions and methods of using those compositions to form high refractive index coatings are provided. The compositions comprise a mixture of two silicone polymers, a catalyst, and an inhibitor for the catalyst. The preferred catalyst comprises platinum. Unlike prior art silicone systems, the inventive composition can be provided in a one-part form due to a substantially improved pot life. The compositions can be spin- or spray-applied, followed by baking to crosslink the polymers and form a cured layer. The inventive cured layers have high refractive indices and light transmissions.
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
07 - Machines et machines-outils
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
Produits et services
Chemical compositions, namely, bonding and release layers
used in the manufacture of microelectronic products. Semiconductor wafer processing machines and equipment. Technical consulting services in the field of the design of
semiconductor wafer processing machines and equipment,
computer software consultancy.
