Abrégé

A coin storage device includes: storage compartments that store therein coins by denomination; and screw-type conveying members, installed for the respective storage compartments, each of the screw-type conveying members including a shaft having an elongated shape and having an outer circumferential surface provided with a blade portion that protrudes radially outwards in a spiraling shape, and conveying coins toward a front side by being rotated in one direction about a central axis of the shaft. Further, each of the screw-type conveying members includes an actuating portion to move center of gravity of coins accumulated on the actuating portion up and down periodically as the screw-type conveying member is rotated about the central axis of the shaft.

Classes IPC  ?

• G07D 3/12 - Tri de pièces de monnaie au moyen de déflecteurs échelonnés
• G07D 3/08 - Tri de pièces de monnaie au moyen d'orifices calibrés aménagés sur une piste hélicoïdale
• G07D 9/00 - Comptage de pièces de monnaie; Manipulation de pièces de monnaie non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• G07F 1/04 - Glissières pour pièces de monnaie
• G07F 9/06 - Boîtes pour contenir les pièces de monnaie
• G07F 5/24 - Mécanismes actionnés par des pièces de monnaie; Verrouillages rendant la monnaie

Abrégé

A semiconductor device includes a switching element including a control electrode, a first main electrode, and a second main electrode: a gate driver connected between the control electrode and the first main electrode, configured to transmit a gate drive signal for driving the control electrode; a Miller voltage detector detecting a Miller voltage between the control electrode and the first main electrode when the switching element turns off; a current value detector detecting a principal current flowing through the switching element; and a temperature calculator calculating a temperature of the switching element from the detected Miller voltage and principal current.

Classes IPC  ?

• H03K 17/60 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors bipolaires
• H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
• H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
• H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ