Zero voltage switching with a secondary switch (e.g., a synchronous rectifier) is described herein. The method allows a secondary side controller to calculate a required secondary switch hold time. By measuring a forward pin voltage when the primary switch is conducting, the required secondary switch hold time may be determined without the need for primary to secondary communication.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A control system for a power switch having a channel. The system includes short circuit protection circuitry-' that is configured to, in response to detection of an overvoltage across the power switch by the overvoltage detection circuitry while the control terminal of the power switch is at a second potential level, change a control terminal of the power switch from one potential level to another potential level such that the charge carrier concentration in the channel is increased.
H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
A double-channel semiconductor device is presented herein. The double-channel semiconductor device is a cascode solution integrating two semiconductor channels: a HEMT channel (104) and a thin film transistor (TFT) channel (216). The HEMT channel can be an AIGaN/GaN HEMT channel and the TFT channel can be a polycrystalline silicon (polysilicon) TFT channel. The polysilicon TFT may advantageously operate in enhancement mode to realize an enhancement-mode cascode device.
H01L 21/8258 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes , , ou
H01L 27/085 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
An ac switch configured to couple and decouple an ac input to a load, the ac switch comprising a first transistor, a second transistor, and a switch controller configured to control the turn ON and turn OFF of the first transistor and the second transistor in response to a request signal. The ac switch comprises an off-state regulator to provide supply regulation to the switch controller in response to the request signal indicating to decouple the ac input to the load and an on-state regulator to provide supply regulation to the switch controller in response to the request signal indicating to couple the ac input to the load. The off-state regulator is configured to provide supply regulation for the switch controller at an extremum of the ac input and the on-state regulator is configured to provide supply regulation for the switch controller at a zero-crossing of the ac input.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/096 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle l'alimentation du circuit de commande étant connectée en parallèle avec l'élément de commutation principal
H02M 5/293 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases sans transformation intermédiaire en courant continu par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
A motor drive system for use with a motor comprising a first high-side switch coupled to a high voltage bus and the motor. A first low-side switch coupled to the motor and a return, a turn ON and turn OFF of the first high-side switch and the first low-side switch provides a phase current for the motor. A system controller configured to receive a phase current sense signal representative of the phase current of the motor and configured to begin an alignment sequence to align the motor to a goal alignment position, wherein during the alignment sequence at least one of the first high-side switch or the first low-side switch is turned ON and OFF having an alignment duty ratio, and the system controller is configured to end the alignment sequence in response to a sensed decrease in the phase current sense signal or a first duration has elapsed.
H02P 6/22 - Dispositions pour le démarrage dans un sens de rotation sélectionné
H02P 6/26 - Dispositions pour la commande de moteurs monophasés
H02P 1/46 - Dispositions de démarrage de moteurs électriques ou de convertisseurs dynamo-électriques pour faire démarrer des machines dynamo- électriques ou des convertisseurs dynamo-électriques pour faire démarrer individuellement un moteur synchrone
The system comprises a plurality of driver modules coupled by a fault condition bus, e.g. single-wire bus. Each driver module includes an Error Flag Interface block coupled between a single terminal error flag input/output (EF I/O) and a Control block. Each driver module may be coupled- to a motor. When a driver module detects a local fault condition, its Error Flag Interface block is configured to lower the voltage at the single terminal EF I/O to communicate the change to the other driver modules. The Error Flag Interface block is further configured to monitor voltage changes at its single terminal EF I/O. An external fault condition is detected when the single terminal EF I/O is at a low voltage. The Error Flag Interface block is further configured to send a signal disabling the output of the driver module.
H03K 17/18 - Modifications pour indiquer l'état d'un commutateur
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
A controller for a power converter comprising a drive circuit and an adaptive current limit generator. The drive circuit is coupled to receive a request signal representative of a power demand of an output of the power converter. The drive circuit is configured to generate a drive signal to control switching of a power switch in response to the request signal. The adaptive current limit generator configured to generate a current limit signal and the drive circuit is configured to turn off the power switch when a current sense signal reaches the current limit signal. The adaptive current limit generator is configured to vary an upper threshold of the current limit signal to a first value when a switching frequency is less than a frequency threshold and vary the upper threshold to a second value when the switching frequency is greater than the frequency threshold.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
Zero voltage switching in a BUCK converter is disclosed herein. A current reversing path is electrically coupled in parallel with a freewheeling diode. The current reversing path may be configured to reverse energize the inductor during a subinterval of the switching cycle.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/02 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif
H02M 3/04 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
9.
MAGNETIC CORE WITH DISTRIBUTED GAP AND FLUX DENSITY OFFSET
An energy transfer element comprises a U-shaped core of powder core, the U-shaped core having two legs and a gap in a magnetic path, a bar comprising magnetizable material positioned in the gap such that the magnetic core and magnetizable material form a rectangular toroid, and one or more power windings wrapped around the magnetic path. The magnetizable material is capable of being magnetized. When the magnetizable material is unmagnetized, the magnetizable material has an initial flux density. When the magnetizable material is magnetized, the flux density produced by the magnetized material is offset from the initial flux density. The magnetizable material is an unmagnetized magnet or a suspension medium such as epoxy with magnetized magnetizable particles and powder core. The magnetizable particles are selected from a group comprising Neodymium Iron Boron (NdFeB) based materials or Samarium Cobalt (SmCo) based material.
An energy transfer element comprises a magnetic core having a gap in a magnetic path. Magnetizable material producing an initial flux density is positioned in the gap. One or more power windings is wrapped around the magnetic path. When the magnetizable material is magnetized the flux density produced by the magnetized material is offset from the initial flux density. The core is a toroid magnetic core or is comprised of two core pieces. The magnetizable material is an unmagnetized magnet or a mixture of a suspension medium comprising uncured epoxy and magnetizable particles. The magnetizable particles are selected from a group comprising Neodymium Iron Boron (NdFeB) based materials or Samarium Cobalt (SmCo) based material.
Fast turn-on protection of a cascode switch is presented herein. A cascode circuit includes a depletion mode field effect transistor and an enhancement mode field effect transistor electrically coupled in cascode. During turn-on, a protection circuit detects an overcurrent fault by observing a plateau of a cascode node voltage. An overcurrent fault may be detected in response to the plateau existing for greater than a threshold time duration.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
13.
A LATERAL SURFACE GATE VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH ADJUSTABLE OUTPUT CAPACITANCE
A lateral surface gate vertical field effect transistor with adjustable output capacitance is described herein. The lateral surface gate vertical field effect transistor includes both a lateral gate and a trench gate. The lateral gate modulates a surface channel and the trench gate includes a controllable depth. The controllable depth may be varied to advantageously adjust output capacitance.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
14.
A DIE SEAL RING INCLUDING A TWO DIMENSIONAL ELECTRON GAS REGION
A die seal ring including a two-dimensional electron gas is presented herein. A semiconductor device comprises an active device region. The active device region comprises a device terminal; and a die seal ring comprising a two dimensional electron gas region surrounds the active device region. By electrically coupling the device terminal to the two dimensional electron gas region, voltages at the semiconductor sidewall may be controlled to substantially equal that of the device terminal.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
i.ee.ge.g., power MOSFET), an auxiliary JFET is formed to function as a tap element. The auxiliary JFET may be advantageously implemented in a conventional silicon (Si) and/or silicon carbide (SiC) process flow without introducing additional process steps. Additionally, the auxiliary JFET (i.e., tap element) may occupy a small portion (e.g., a standard pad size portion) of the total chip area.
H01L 27/085 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ
H01L 27/098 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte à jonction PN
H01L 21/82 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
16.
VOLTAGE SHAPING CIRCUIT WITH DIODES OF VARIOUS RECOVERY TIMES
A voltage shaping circuit includes a first diode coupled to one end of an energy transfer element. A first resistor is coupled to an other end of the energy transfer element. A capacitor is coupled to the first resistor and to the other end of the energy transfer element. A second diode is coupled between the first diode and the capacitor, and between the first diode and the first resistor. A second resistor coupled between the first diode and the capacitor, and between the first diode and the first resistor.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
Silicon carbide (SiC) junction field effect transistors (JFETs) are presented herein. A deep implant (e.g., a deep p-type implant) forms a JFET gate (106). JFET gate and JFET source (108) may be implemented with heavily doped n-type (N+) and heavily doped p-type (P+) implants, respectively. Termination regions may be implemented by using equipotential rings formed by deep implants (e.g., deep p-type implants).
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
18.
A CIRCUIT PATH CONFIGURATION FOR ENHANCING OVERVOLTAGE PROTECTION IN A SWITCHING POWER SUPPLY
Presented herein is a circuit path configuration for enhancing overvoltage protection in a switching power supply, the switching power supply comprising a bridge rectifier, a primary side switch, and a controller. The circuit path configuration implements input OVP by availing a clamping voltage indicative of a drain-to-source voltage of the primary side switch. The bridge rectifier provides a rectified voltage to a first node. The primary side switch comprises a drain; and the drain is electrically coupled to the first node via a first circuit path. The first circuit path comprises a first circuit path node between the first node and the drain. The controller comprises a voltage monitor input electrically coupled to the first circuit path node via a second circuit path; and the second circuit path provides a monitor voltage to the voltage monitor input.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
A secondary controller configured for use in a power converter, the secondary controller comprising: a detector circuit configured to generate a crossing threshold signal in response to a forward voltage signal crossing below a threshold; a comparator coupled to generate a first state of an off signal in response to the forward voltage signal being greater than a turn off threshold, the comparator further coupled to generate a second state of the off signal in response to the forward voltage signal being less than the turn off threshold; a first flip flop coupled to turn on a synchronous rectifier in response to the crossing threshold signal and to turn off the synchronous rectifier in response to the second state of the off signal; a mode detection circuit configured to output a first mode signal in response to a feedback signal being below a reference and a first state of a secondary drive signal, the mode detection circuit further configured to output a second mode signal in response to the feedback signal being below the reference and a second state of the secondary drive signal; anda control circuit configured to generate a first pattern of a request signal in response to the first mode signal, the control circuit further configured to generate a second pattern of the request signal in response to the second mode signal.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A superjunction device comprising a drain contact, a substrate layer above the drain contact, an epitaxial layer above the substrate layer, a P+ layer above the epitaxial layer formed by P-type implantation to a bottom of the superjunction device, a trench with a sloped angle formed by use of a hard mask layer. The trench is filled with an insulating material. A first vertical column is formed adjacent to the trench. A second vertical column is formed adjacent to the first vertical column. A source contact is coupled to the first vertical column and the second vertical column. A P-body region is coupled to the source contact. A gate oxide is formed above the source contact and the epitaxial layer, and a gate formed above the gate oxide.
Control of a resonant power converter using switch paths during power-up is described herein. During power-up, a first switch path sinks current away from a resonant capacitor while a second switch path sources current to a high-side capacitor. In this way the high-side capacitor may predictably charge to sufficient bootstrap voltage for steady state operation. Additionally, a third switch path may control current to a low-side capacitor.
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
H02M 3/337 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs en configuration push-pull
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
22.
DISCHARGE PREVENTION OF THE POWER SWITCH IN A POWER CONVERTER
A power converter including a controller to control a synchronous rectifier (SR) switch. The controller includes a request control circuit and a discharge prevention circuit. The request control circuit is configured to generate a request signal in response to an output of the power converter. The request control circuit generates a secondary control signal to control the SR switch. The discharge prevention circuit is configured to prevent a parasitic capacitance discharge of a power switch caused by a turn on of the SR switch. The discharge prevention circuit is further generates a prevent signal to disable the secondary control signal from control of the synchronous rectifier switch when a period of the request signal is greater than a first time threshold, and enable the secondary control signal to control the synchronous rectifier switch when the period of the request signal is less than a second time threshold.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A charging device comprising a first power converter configured to provide a first output power, a second power converter configured to provide a second output power. A switch is coupled to the first power converter and the second power converter. A first socket is configured to deliver the first output power from the first power converter to a first powered device. A second socket is configured to deliver the second output power from the second power converter to a second powered device. A power delivery (PD) controller configured to detect a coupling of the first socket to the first powered device. In addition, the PD controller is configured to detect an absence of coupling of the second socket to the second powered device. Furthermore, the PD controller is configured to control the switch to provide the first output power and the second output power to the first powered device.
H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs
24.
ENERGY TRANSFER ELEMENT INCLUDING A COMMUNICATION ELEMENT
An energy transfer element that provides galvanic isolation in a power controller is disclosed herein. A magnetic core assembly has an aperture. A first power winding is positioned within the magnetic core assembly. A first communication winding and a second communication winding are positioned within the aperture such that both the first and second communication windings are perpendicular to the first power winding. The magnetic flux density produced by current in the first power winding is perpendicular to the magnetic flux density produced by current in the first communication winding and the second communication winding. For a power controller having an input-referenced controller and an output-referenced controller, the energy transfer element provides galvanic isolation between the controllers because the communication windings are electrically insulated from each other and from the magnetic core assembly.
Magnetic saturation detectors for power converters are presented herein. An energy transfer element has an input power winding wrapped around a center post. Single or multiple transverse windings are positioned perpendicular to the input power winding and coupled to receive a transverse current that provides a transverse magnetic flux density within the energy transfer element. The transverse magnetic flux density produces a transverse voltage waveform. A voltage detection circuit is configured to receive the transverse voltage waveform and detect a change in the sign of the slope of the transverse voltage waveform. The change in the sign of the slope indicates magnetic saturation. The voltage detection circuit is configured to detect an occurrence of an extremum in the transverse voltage waveform. The extremum indicates the change in the sign of the slope.
Magnetic core assemblies include a skewing feature that introduces transverse components into the power flux density vector are disclosed herein. A magnetic core assembly comprises a lower core having a center section and an upper core having a center section. The center sections are aligned to form a center post. A power winding that receives current is wrapped around the center post. The core assembly further comprises a power flux density vector that has transverse and non-transverse components. The transverse components have a higher magnetic reluctance than the non-transverse components. When the assembly is used with a transverse winding, the transverse components from the magnetic core assembly produce a transverse voltage waveform on the transverse winding. The transverse voltage waveform may be observed to detect a change in the sign of the slope of the transverse voltage waveform. The change in the sign of the slope indicates magnetic saturation.
Capacitance networks for enhancing high voltage operation of high electron mobility transistors (HEMTs) are presented herein. A capacitance network, integrated and/or external, may be provided with a fixed number of capacitively coupled field plates to distribute the electric field in the drift region. The capacitively coupled field plates may advantageously be fabricated on the same metal layer to lower cost; and the capacitance network may be provided to control field plate potentials. The potentials on each field plate may be pre-determined through the capacitance network, resulting in a uniform, and/or a substantially uniform electric field distribution along the drift region.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
28.
COUPLED POLYSILICON GUARD RINGS FOR ENHANCING BREAKDOWN VOLTAGE IN A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
A controller for use in a power converter including a first controller coupled to control switching of a power switch of the power converter to transfer energy to an output of the power converter. The first controller includes a communication delay generator configured to receive a first signal. The communication delay generator determines a communication delay in response to the first signal and outputs a communication signal representative of the communication delay. The first controller further includes a drive circuit coupled to the communication delay generator and configured to receive a request signal which includes a request event to turn ON the power switch. The drive circuit turns ON the power switch in response to the request event. The drive circuit is further configured to receive the communication signal and responsive to the communication signal, delays the turn ON of the power switch by the communication delay.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
30.
AN ENHANCEMENT MODE METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor (HEMT) is presented herein. By using a polarization stack to replace the traditional barrier layer, a thinner barrier layer ( e.g., a thinner layer of AlGaN) may be formed during fabrication to effectuate a low- sheet-resistance two-dimensional electron gas. Advantageously, the thinner (. i.e., less-than-ten nanometers) barrier layer mitigates reactive ion etching (RIE) induced surface damage. This in turn allows the formation of a recessed gate. Additionally, a dual dielectric gate stack may be deposited to further reduce leakage currents and to improve subthreshold slope.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
31.
POWER CONVERTER COMPRISING AN ACTIVE NON-DISSIPATIVE CLAMP CIRCUIT, AND RESPECTIVE CONTROLLER
A controller for a power converter (100). The controller comprising a control circuit coupled to receive an input line voltage sense signal (149) representative of an input voltage (VIN) of the power converter. The control circuit configured to generate a control signal in response to a request signal (135) representative of an output of the power converter. The control signal represents a delay time to turn on a power switch (SI) after a turn on of a clamp switch (108) in response to the input line voltage sense signal (149). The control circuit can further generate a clamp drive signal to control a clamp driver and a drive circuit configured to generate a drive signal to control the power switch to transfer energy from an input of the power converter to the output of the power converter.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
32.
METHODS AND APPARATUS FOR CONTINUOUS CONDUCTION MODE OPERATION OF A MULTI-OUTPUT POWER CONVERTER
Methods and apparatus for continuous conduction mode operation in multi-output power converters are described herein. During a switching cycle, secondary current may be delivered via a diode to a secondary output. Prior to beginning a subsequent switching cycle, a diverting current may be provided to a lower voltage secondary output on a parallel path. In this way diode current may be reduced to substantially zero prior to the subsequent switching cycle.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
Apparatus and methods for controllable networks to vary inter- stage power transfer in a multi-stage power conversion system are disclosed herein. By using controllable networks (111-113) within the first power converter stage (102), intermediate power delivered to a subsequent or second power converter stage (104) can be varied so that the multi-stage power conversion system (100) may respond to a full load step while offering improved light load power conversion efficiency. A power estimation circuit (122) within the second power converter stage (104) can provide a control signal (Cl-CN) to each of the controllable networks (111-113); the controllable networks (111-113), in turn, can provide network signals (SI, S2) to control the intermediate power delivered to the second power converter stage (104).
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 7/12 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A controller (131) includes first and second half bridge sense circuits coupled to a half bridge node (103). The half bridge node is coupled between a high side switch (142) and a low side switch (143) coupled to an input (VIN). A rising slew detection circuit (134) is coupled to the first half bridge sense circuit to output a first slew detection signal in response to a rising slew event at the half bridge node. A falling slew detection circuit (133) is coupled to the second half bridge sense circuit to output a second slew detection signal in response to a falling slew event at the half bridge node. A control circuit (1329 coupled to output a high side drive signal to the high side switch and a low side drive signal to the low side switch in response to the first slew detection signal, the second slew detection signal, and a feedback signal (UFB).
H02M 3/337 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs en configuration push-pull
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
35.
SECONDARY WINDING SENSE FOR HARD SWITCH DETECTION ON THE SECONDARY SIDE OF A TRANSFORMER IN A POWER CONVERTER
A controller of power converter includes a control loop clock generator (139; Fig. 1B) that is coupled to generate a switching frequency signal (145; Fig. 1B) in response to a sense signal representative of a characteristic of the power converter, a load signal responsive to an output load of the power converter, and a hard switch sense output (148, 149; Fig. 1B). A hard switch sense circuit (143; Fig. 1B) is coupled to generate the hard switch sense output in response to the switching frequency signal and a rectifier conduction signal (135, 136; Fig. 1B) that is representative of a polarity of an energy transfer element of the power converter. A request transmitter circuit (144; Fig. 1B) is coupled to generate a request signal (128; Fig. 1B) in response to the switching frequency signal to control switching of a switching circuit coupled to an input of the energy transfer element of the power converter.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 3/337 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs en configuration push-pull
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
36.
HOUSING FOR FERRITE BEADS AND OTHER PASS-THROUGH ELECTRICAL FILTER COMPONENTS
A mount is configured to couple a filter component to a circuit board. The mount defines a receptacle dimensioned to receive a wire-to-board electrical connector. Reception of the wire-to-board electrical connector in the mount aligns one or more wires electrically connected to the circuit board by the connector with the filter component housed in the filter component housing.
A signal amplifier for use in a power converter includes a variable reference generator coupled to generate a reference signal in response to a dimming control signal. A variable gain circuit is coupled to receive the reference signal, the gain signal, and a feedback signal representative of an output of the power converter. The variable gain circuit is coupled to output a first adjusted signal in response to the reference signal and the gain signal. The variable gain circuit is coupled to output a second adjusted signal in response to the feedback signal and the gain signal. An auxiliary amplifier is coupled to output the gain signal in response to the first adjusted signal and a set signal.
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
A controller for use in a power converter includes a control circuit coupled to generate a low side drive signal to control switching of a low side switch, and generate an ON signal and an OFF signal in response to a feedback signal representative of an output of the power converter. A high side signal interface circuit is coupled to generate a high side drive signal in response to the ON signal and the OFF signal to control switching of a high side switch. The ON signal and the OFF signal are coupled to be pulled up in response to a bypass voltage during an initial state. The high side signal is coupled to turn on the high side switch in response to the control circuit pulling the ON signal low, and turn off the high side switch in response to the control circuit pulling the OFF signal low.
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
H03K 3/013 - Modifications du générateur en vue d'éviter l'action du bruit ou des interférences
H02M 3/337 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs en configuration push-pull
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A resonant power converter includes a drive circuit coupled to control switching a switching circuit coupled to a resonant tank circuit. A switch control circuit is coupled to control the drive circuit to control the switching of the switching circuit in response to a switching frequency signal. The switch control circuit is further coupled to control a burst mode of the controller in response to a burst signal. An initial active pulse of the switching circuit when entering the burst mode is an active partial pulse. A final active pulse of the switching circuit when exiting the burst mode is an active full pulse resulting in a passive partial pulse following the first and second switches being turned off to exit the burst mode. A frequency control circuit is coupled to generate the switching frequency signal in response to a feedback signal.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/337 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs en configuration push-pull
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
40.
LOW COMMON MODE NOISE TRANSFORMER STRUCTURE WITH EXTERNAL FLOAT WIRE MOUNT
A transformer structure is disclosed to reduce common mode noise on an output load. The transformer structure includes a bobbin mounted on a magnetic core, a plurality of windings wound around the bobbin. The plurality of windings include a primary winding coupled to receive an input voltage, a secondary winding coupled to an output load; and a floating auxiliary winding located between the primary and secondary winding. The floating auxiliary winding includes a first terminal and a second terminal coupled to a pair of external float wires extended towards an isolation mounting sheet placed adjacent to an exterior top surface of the transformer structure. The pair of external float wires forms parallel adjacent and open-ended conductive traces with a predefined pattern on the isolation mounting sheet placed above the exterior top surface of the transformer structure.
H02M 3/33 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des tubes à décharge
41.
SINGLE-WIRE BUS MULTI-GROUP FAULT COMMUNICATION FOR HALF-BRIDGE INVERTER MODULES
A fault communication system includes a system controller and a plurality of devices. Each one of the plurality of devices includes a single fault terminal. A fault bus consisting of only a single wire coupled to the system controller and the plurality of devices is also included. The fault bus is coupled to provide multidirectional multi-fault group communication between the plurality of devices and the system controller. The single fault terminal of each one of the plurality of devices includes is coupled to the fault bus to provide the multidirectional multi-fault group communication between the plurality of devices and the system controller.
G01R 31/42 - Tests d'alimentation d'alimentations en courant alternatif
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
42.
POWER CONVERTER CONTROLLER WITH STABILITY COMPENSATION
A switched mode power converter has an energy transfer element that delivers an output signal to a load. A power switching device coupled to the primary side of the energy transfer element regulates a transfer of energy to the load. A secondary controller is coupled to receive a feedback signal and output a pulsed signal in response thereto. A primary controller is coupled to receive the pulsed signal and output a drive signal in response thereto, the drive signal being coupled to control switching of the power switching device. A compensation circuit generates an adaptively compensated signal synchronous with the pulsed signal. The adaptively compensated signal has a parameter that is adaptively adjusted in response to a comparison of the feedback signal with a threshold reference signal. The parameter converges towards a final value that produces a desired level of the output signal.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
An integrated circuit (IC) for sensing a temperature rise in a power transistor device, the temperature rise caused by a current flow in the power transistor device. The power transistor device and a sense-FET are disposed on a substrate. The sense-FET senses a fractional portion of the current flow and outputs a current signal. A JFET has its drain connected to the drain of the power transistor device. The gate of the JFET is connected to the source of the power transistor device, such that when the power transistor device is on, the JFET is also turned on, and a drain voltage signal of the power transistor device is output at a second node of the JFET. A detection circuit receives the drain voltage signal and the current signal and outputs an alarm signal when the drain-source resistance of the power transistor device exceeds a combined threshold limit.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/18 - Modifications pour indiquer l'état d'un commutateur
G01K 7/42 - Circuits pour la compensation de l’inertie thermique; Circuits pour prévoir la valeur stationnaire de la température
A heterostructure semiconductor device includes first and second active areas, each electrically isolated from one another, and each including first and second active layers with an electrical charge disposed therebetween. A power transistor is formed in the first active area, and an integrated gate resistor is formed in the second active area. A gate array laterally extends over the first active area of the power transistor. First and second ohmic contacts are respectively disposed at first and second lateral ends of the integrated gate resistor, the first and second ohmic contacts are electrically connected to the second portion of the second active layer, the second ohmic contact also being electrically connected to the gate array. A gate bus is electrically connected to the first ohmic contact.
H01L 21/82 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
A controller includes a regulation control circuit coupled to generate a drive signal in response to a feedback signal to control switching of a power switch to control a transfer of energy from an input to an output of a power converter. The regulation circuit includes an enable circuit coupled to generate an enable signal that is representative of a determination to turn on the power switch. A clamp control circuit is coupled to generate a clamp drive signal in response to the enable signal to turn on a clamp switch coupled to an energy transfer element for a first duration near an end of an off time of the power switch to inject charge stored in the clamp circuit into the energy transfer element to discharge a parasitic capacitance of the power switch into the energy transfer element before the power switch is turned on.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A switch mode power converter includes a primary side, an energy transfer element, and a secondary side. The secondary side includes output terminals coupled to a load and an output capacitance across the output terminals. The secondary side further includes a compensation signal generator- configured to generate a compensation signal. The compensation signal compensates charging the output capacitance with power transferred from the primary side to the secondary side. The secondary side further includes computational circuitry configured to output an adjusted compensation signal that compensates, based on the compensation signal, one of an output sense signal representative of an output signal at the output terminals and a reference signal representative of a desired output voltage of the switch mode power converter. The secondary side further includes a comparator to compare the adjusted compensation signal with the other one of the output sense signal and the reference signal.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A power converter controller asserts a leading edge signal when a leading edge of a voltage signal is detected. The voltage sense signal is representative of an input voltage of the power converter. A trailing edge signal is asserted when a trailing edge of the voltage signal is detected. A first state of a threshold signal is generated when the voltage sense signal is at or above an upper threshold and generating a second state of the threshold signal when the voltage sense signal is at or below a lower threshold. A conduction signal is updated in response to the leading edge signal, the trailing edge signal, and the threshold signal. The conduction signal is for controlling a switch coupled to regulate an output of the power converter.
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
H02M 5/27 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases sans transformation intermédiaire en courant continu par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type thyratron ou thyristor exigeant des moyens d'extinction pour transformation de la fréquence
48.
INTRODUCING JITTER TO A SWITCHING FREQUENCY BY WAY OF MODULATING CURRENT LIMIT
A controller for use in a power converter includes a switch controller coupled to a power switch coupled to an energy transfer element. The switch controller is coupled to receive a current sense signal representative of a drain current through the power switch. The switch controller is coupled to generate a drive signal to control switching of the power switch in response to the current sense signal and a modulated current limit signal to control a transfer of energy from an input to an output of the power converter. A current limit generator is coupled to generate a current limit signal. A jitter generator is coupled to generate a jitter signal. An arithmetic operator circuit is coupled to generate the modulated current limit signal in response to the current limit signal and the jitter signal.
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
49.
OUTPUT-SIDE CONTROLLER WITH SWITCHING REQUEST AT RELAXATION RING EXTREMUM
A control circuit for use in an isolated power converter includes an output-side first controller having a switch control signal generator and an extremum locator. The switch control signal generator communicates a control signal to a second controller on the input side of the power converter via an isolated interface to initiate a transition of a switch from an OFF state to an ON state. The extremum locator enables the switch control signal generator to communicate the control signal in response to an oscillating voltage signal at an output terminal of the energy transfer element. The extremum locator enables the switch control signal generator such that the transition of the switch from the OFF state to the ON state occurs substantially at a time that the oscillating voltage signal reaches an extremum.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
50.
PROGRAMMING CONTROLLER PARAMETERS THROUGH EXTERNAL TERMINALS OF A POWER CONVERTER
This relates to systems and processes for programming parameters of a controller of a power converter. In one example, a predetermined signal may be applied to the input or output terminals of the power converter to unlock the controller and cause the controller to enter a programming mode. While in the programming mode, one or more additional predetermined signals may be applied to the terminals of the power converter to program one or more parameters of the controller. Once the desired parameters have been programmed, another predetermined signal may be applied to the terminals of the power converter to cause the controller to exit the programming mode and enter a locked mode. The predetermined signals applied to the terminals can include an ac or dc signal having a predetermined pattern of changes in frequency, amplitude, and/or magnitude that are applied for a fixed or variable duration.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
51.
MOSFET DRIVER WITH PULSE TIMING PATTERN FAULT DETECTION AND ADAPTIVE SAFE OPERATING AREA MODE OF OPERATION
A Safe Operating Area (SOA) adaptive gate driver for a switch mode power converter is disclosed. In response to a detection of a fault condition, the SOA adaptive gate driver may limit the peak current in a power transistor (e.g., power MOSFET) of the power converter by limiting the voltage applied to the gate of the power MOSFET or by limiting the current injected into the gate of the power MOSFET. The limited gate voltage or current may increase the margin between an SOA border and the turn-off locus of the drain voltage and current (VD and ID) to ensure safe operation of the switch mode power converter during the fault condition.
H02H 7/20 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour équipement électronique
52.
HIGH-VOLTAGE FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING MULTIPLE IMPLANTED LAYERS
A method for fabricating a high-voltage field-effect transistor includes forming a body region, a source region, and a drain region in a semiconductor substrate. The drain region is separated from the source region by the body region. Forming the drain region includes forming an oxide layer on a surface of the semiconductor substrate over the drain region and performing a plurality of ion implantation operations through the oxide layer while tilting the semiconductor substrate such that ion beams impinge on the oxide layer at an angle that is offset from perpendicular. The plurality of ion implantation operations form a corresponding plurality of separate implanted layers within the drain region. Each of the implanted layers is formed at a different depth within the drain region.
Measurement circuits having a delta-sigma modulator are disclosed. One example measurement circuit includes a low pass filter coupled to receive an input voltage, a switched-capacitor integrator circuit, and a switched comparator circuit. The measurement circuit may generate a digital output made up of a sequence of logic high and logic low levels that are representative of a scaled value of the input voltage output by the low pass filter circuit. Also, by virtue of its switched-capacitor configuration, the electric charge received by the switched difference amplifier circuit may be returned to the input in a manner such that the input to the delta-sigma modulator takes little to no average current from the voltage it measures. In other words, the delta-sigma modulator may have a high input impedance by virtue of its switched-capacitor circuit configuration.
A process is disclosed for communicating digital data between a powered device and a charging device via a universal serial bus (USB). The process includes conducting a handshaking period between the powered device and the charging device via the USB. The powered device initiates a mode of normal operation of the charging device after an end of the handshaking period. The charging device communicates digital data (e.g., available power levels) between the powered device and the charging device during a time period that starts with the end of the handshaking period and ends with a beginning of the mode of normal operation.
A control circuit for use in a power converter that has a dimmer circuit coupled to an input of the power converter includes a current controller and a main controller. The current controller controls a current through an energy transfer element of the power converter by cycling between a first and second states. The main controller controls the current controller in a first mode where the first state of the current controller is an ON state and the second state is an OFF state such that an output of the power converter is regulated. The main controller controls the current controller in a second mode where the first state is the ON state but the second state is a non-zero minimum current state to maintain an input current of the power converter that is equal to or greater than a holding current threshold of the dimmer circuit.
This relates to a rectifier with indicator switch circuit that may be used in a power conversion system. The rectifier with indicator switch circuit may be configured to rectify an ac line voltage and output an indicator signal that is representative of a fault condition in the ac line voltage. The rectifier with indicator switch circuit may include a storage capacitor configured to be charged by the ac line voltage during a first half -cycle of the ac line voltage and a detection capacitor configured to be charged by the storage capacitor during a second half-cycle of the ac line voltage. A switch coupled to the detection capacitor may be configured to generate the indicator signal based on a voltage across the detection capacitor. The indicator signal may be provided to a controller to disable operation of the power conversion system in response to the detection of a fault condition
H02H 7/125 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques pour redresseurs
A power converter controller includes a primary controller and a secondary controller. The primary controller is coupled to receive one or more request signals from the secondary controller and transition a power switch from an OFF state to an ON state in response to each of the received request signals. The primary controller is coupled to detect a turn-off condition when the power switch is in the ON state and transition the power switch from the ON state to the OFF state in response to detection of the turn-off condition. The secondary controller is galvanically isolated from the primary controller. The secondary controller is coupled to transmit the request signals to the primary controller and control the amount of time between the transmission of each of the request signals.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A voltage comparator includes an amplifier (408) coupled to receive an input signal (402) at an amplifier input and generate an output signal (418) at an amplifier output (414) in response to the input signal. The amplifier includes a current generation circuit (409) coupled to generate a first current flowing through a first branch (440) and a second current flowing through a second branch (444). A first transistor has a first terminal coupled to the amplifier input and a second terminal coupled to the first branch. A second transistor has a third terminal coupled to the second branch, a fourth terminal coupled to a reference voltage. A second control terminal of the second transistor is coupled to the first control terminal. An output circuit (410) is coupled to the amplifier output (418) to generate a comparator output signal (404) in response to the output signal. The amplifier output is coupled to the second branch.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H03K 5/08 - Mise en forme d'impulsions par limitation, par application d'un seuil, par découpage, c. à d. par application combinée d'une limitation et d'un seuil
Processes for fabricating a tapered field plate dielectric for high-voltage semiconductor devices are disclosed. One example process may include depositing a thin layer of oxide, depositing a polysiricon hard mask, depositing a resist layer and etching a trench area, performing deep silicon trench etch, and stripping the resist layer. The process may further include repeated steps of depositing a layer of oxide and anisotropic etching of the oxide to form a tapered wall within the trench. The process may further include depositing poly and performing further processing to form the semiconductor device. Another example process may include etching a trench in a semiconductor wafer, depositing an insulating layer on the semiconductor wafer to form a gap within the trench, depositing a masking layer on the insulating layer, and alternating!)' etching the masking layer and the insulating layer to form a tapered field plate dielectric region.
A semiconductor device includes a substrate and a first active layer disposed over the substrate. The semiconductor device also includes a second active layer disposed on the first active layer such that a lateral conductive channel arises between the first active layer and the second active layer, a source, gate and drain contact are disposed over the second active layer. A conductive charge distribution structure is disposed over the second active layer between the gate and drain contacts. The conductive charge distribution structure is capacitively coupled to the gate contact.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A semiconductor device includes a pillar formed on a substrate of the same conductivity type. The pillar has a vertical thickness that extends from a top surface down to the substrate. The pillar extends in first and second lateral directions in a loop shape. First and second dielectric regions are disposed on opposite lateral sides of the pillar, respectively. First and second conductive field plates are respectively disposed in the first and second dielectric regions. A metal layer is disposed on the top surface of the pillar, the metal layer forming a Schottky diode with respect to the pillar. When the substrate is raised to a high-voltage potential with respect to both the metal layer and the first and second field plates, the first and second field plates functioning capacitively to deplete the pillar of charge, thereby supporting the high-voltage potential along the vertical thickness of the pillar.
Switches comprising a normally-off semiconductor device and a normally-on semiconductor device in cascode arrangement are described. The switches include a capacitor connected between the gate of the normally-on device and the source of the normally-off device. The switches may also include a zener diode connected in parallel with the capacitor between the gate of the normally-on device and the source of the normally-off device. The switches may also include a pair of zener diodes in series opposing arrangement between the gate and source of the normally-off device. Switches comprising multiple normally-on and/or multiple normally-off devices are also described. The normally-on device can be a JFET such as a SiC JFET. The normally-off device can be a MOSFET such as a Si MOSFET. The normally-on device can be a high voltage device and the normally-off device can be a low voltage device. Circuits comprising the switches are also described.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 17/74 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de diodes
63.
RESET VOLTAGE CIRCUIT FOR A FORWARD POWER CONVERTER
A reset voltage circuit for a forward power converter includes a reset capacitor and a memory capacitor. The reset capacitor is to be coupled to recycle energy from a primary winding of a transformer to an input bulk capacitor during a resetting of the transformer. The memory capacitor is to be coupled to store a first voltage equal to an input voltage of the power converter when the input voltage is at a steady-state value. The memory capacitor is further to set a voltage across the primary winding during the resetting of the transformer to a magnitude greater than or equal to the first voltage when the input voltage of the forward power converter drops below the steady-state value.
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
In a PFC (Power Factor Correction) converter control unit (60), a PWM (pulse width modulated) signal (Vcp) is produced by comparing a PFC converter output voltage error signal (Vcom), produced by a transconductance amplifier (113), with a ramp signal (Lrmp), which may be from a control unit (61) of a resonant mode converter in cascade with the PFC converter. Level shifting (140-141, 160, 165, 166) is used to match the amplitude ranges of the compared signals. A current, representing an input current of the PFC converter and produced by a current mirror (121-123), is switched (125) by the PWM signal to a parallel resistance (126) and capacitance (127) to produce a smoothed voltage (Pmul) constituting a control signal for the PFC converter.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
65.
CONTROL ARRANGEMENT FOR A RESONANT MODE POWER CONVERTER
The switching frequency of an LLC converter (11) is controlled by a control unit (61) to which a feedback circuit (52-54) provides a first current (Ifdbk) dependent upon the output voltage of the converter. An oscillator circuit (84-88) produces a sawtooth waveform (Lrmp) at a frequency dependent upon the first current, up to a limit equal to a second current (Ifmax) set by a resistor (50). Two complementary switch control signals (A, B) are produced for controlling two switches (29, 31) of the converter for conduction in alternate cycles of the sawtooth waveform. A timer (63) produces dead times between the two complementary switch control signals in dependence upon the second current. Another resistor (51) provides a current constituting a minimum value of the first current, and a charging current of a capacitor (56) in series with a resistor (55) modifies the first current for soft starting of the converter.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
A control unit (14) controls cascaded PFC and LLC converters (10, 11), the LLC converter having an input coupled to an output (12, Vp) of the PFC converter and providing an output voltage that decreases with increasing switching frequency. The control unit produces a sawtooth waveform (Lrmp) with a linear ramp for controlling the LLC converter switching frequency, and hence its output voltage, in dependence upon a feedback signal (Fdbk). It also produces for the PFC converter a PWM signal (P) with a frequency that is the same as or an integer fraction of the LLC converter switching frequency, by comparing two thresholds (Pmul, Vtp) with the linear ramp in respective different cycles of the sawtooth waveform to turn on and off a switch (21) of the PFC converter during these different cycles. Logic circuits (211-216) prevent PFC converter switch transitions from occurring simultaneously with switching transitions of the LLC converter.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
67.
COMPARATOR WITH COMPLEMENTARY DIFFERENTIAL INPUT STAGES
A comparator comprises complementary (e.g. NMOS and PMOS) comparator cells (40, 41) having overlapping common mode input voltage ranges which together extend approximately from rail to rail. A digital logic arrangement, including edge detectors (42, 43), gates (44, 45), and a latch (48), is responsive to transitions at the outputs of the comparator cells to set the latch in response to the earliest rising edge and to reset the latch in response to the earliest falling edge. An output of the latch constitutes an output of the comparator. Consequently the comparator is edge-sensitive with a speed optimized for a wide common mode input voltage range. Additional logic gates (46, 47) can provide level-sensitive control of the latch.
H03K 5/22 - Circuits présentant plusieurs entrées et une sortie pour comparer des impulsions ou des trains d'impulsions entre eux en ce qui concerne certaines caractéristiques du signal d'entrée, p.ex. la pente, l'intégrale
A buck or boost converter, comprising a first inductor (10), a controlled switch (12), a main diode (14), and an output capacitor (16), includes a snubber circuit to reduce losses. The snubber circuit includes a second inductor (20) in a path in series with the switch and main diode of the converter, a series-connected resistor (22) and diode (24) connected directly in parallel with the second inductor, and a capacitance (28) in parallel with the main diode and which can be constituted partly or entirely by parasitic capacitance of the main diode.
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 5/293 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases sans transformation intermédiaire en courant continu par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
69.
METHOD AND ARTICLE OF MANUFACTURE FOR DESIGNING A TRANSFORMER
Various techniques directed to the design and construction of transformers are disclosed. In one aspect, a method according to embodiments of the present invention includes loading parameters of a transformer included in a power supply design, calculating primary winding parameters of the transformer in response to the loaded parameters of the transformer, calculating secondary winding parameters of the transformer in response to the loaded parameters of the transformer. Shield winding parameters of the transformer may be calculated in response to the loaded parameters of the transformer. The calculation of secondary winding parameters may include allocating pins of a secondary winding of the transformer.
H01F 41/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques
H01F 27/38 - Organes de noyaux auxiliaires; Bobines ou enroulements auxiliaires
H01F 29/02 - Transformateurs ou inductances variables non couverts par le groupe avec possibilités de regroupement ou d'interconnexion des enroulements
brevets
