A new Li-complexing derivative electrolyte for use in an electrochemical device, method of manufacturing said electrolyte, and an electrochemical device is disclosed. The electrolyte includes a Li-ion complex associated with one or more coordinating ligands. The ratio of the Li-ion complex to coordinating ligands is less than and equal to 1.52, and the association of the Li ion complex and the one or more coordinating ligands has an apparent coordination number (ACN) of 3 to 5. An inactive solvent may also be incorporated.
An electrochemical device includes a first electrode having 50 wt.% to 99 wt.% immobilized sulfur, 1 wt. % to 12 wt.% binder, and 0.2 wt.% to 12 wt.% porous composition. The porous composition includes 0.0001 wt.% to 40 wt.% of a first porous material having an average pore size less of than 2 nm and 0.05 wt.% to 40 wt.% of a second porous material having an average pore size of 2 nm to 100 nm. The electrochemical device further includes a second electrode opposed from the first electrode and an electrolyte positioned between the first electrode and the second electrode.
H01M 4/136 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p.ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFy
H01M 4/1397 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p.ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFy
H01M 4/02 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
H01M 4/96 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes inertes ayant une activité catalytique, p.ex. pour piles à combustible Électrodes à base de carbone
An optical configuration for providing chromatic dispersion compensation in a high data rate communication system is based upon using optical dispersion compensation in the receive signal path prior to performing an O/E conversion. The performance of chromatic dispersion compensation in the optical domain thus presents a "corrected" optical signal as an input to the photodetecting device. The inclusion of optical-based chromatic dispersion compensation allows for a higher data rate to be used without introducing an unacceptable bit error rate; alternatively, the use of optical-based dispersion correction allows for the reach of a data communications network to be increased.
H04B 10/2513 - Dispositions spécifiques à la transmission par fibres pour réduire ou éliminer la distorsion ou la dispersion due à la dispersion chromatique
G02B 6/293 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c. à d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux avec des moyens de sélection de la longueur d'onde
4.
IMMOBILIZED SELENIUM IN A POROUS CARBON WITH THE PRESENCE OF OXYGEN, AND USES IN A RECHARGEABLE BATTERY
CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC) (Espagne)
Inventeur(s)
Xu, Wen-Qing
Li, Xiaoming
Patkar, Shailesh
Eissler, Elgin E.
Arias, Antonio, Benito Fuertes
Solis, Marta, Sevilla
Abrégé
In a method of preparing an immobilized selenium system or body, a selenium - carbon - oxygen mixture is formed. The mixture is then heated to a temperature above the melting temperature of selenium and the heated mixture is then cooled to ambient or room temperature, thereby forming the immobilized selenium system or body.
H01M 4/133 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base de matériau carboné, p.ex. composés d'intercalation du graphite ou CFx
H01M 4/136 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p.ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFy
H01M 4/1393 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de matériau carboné, p.ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx
H01M 4/1397 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p.ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFy
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
5.
IMMOBILIZED CHALCOGEN AND USE THEREOF IN A RECHARGEABLE BATTERY
An immobilized chalcogen system or body includes a mixture or combination of chalcogen and carbon. The carbon can be in the form of a carbon skeleton. The chalcogen can include oxygen, sulfur, selenium, or tellurium, or a combination of any two or more of oxygen, sulfur, selenium, and tellurium. The activation energy for chalcogen to escape the immobilized chalcogen system or body is ≥ 96 kJ/mole.
F16L 59/02 - Forme ou configuration de matériaux isolants, avec ou sans revêtement formant un tout avec les matériaux isolants
H01B 1/04 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement soit de compositions à base de carbone-silicium, soit de carbone soit de silicium
This disclosure provides an apparatus for a thermoelectric (TE) contrast therapy device and related methods. The thermoelectric contrast therapy device includes a control node (610) and a plurality of thermoelectric nodes (605). The control node electrically and mechanically connected to the plurality of thermoelectric nodes, the control node configured to direct the heating and cooling functions as well as timing functions. Each of thermoelectric nodes includes a thermoelectric module (105) structured with a supply side (115) and a waste side (120), a phase change material (110), a reservoir (725), a thermal sink (320), a spreader (125) and a controller (1010). The thermoelectric contrast therapy device pre-charges (1105) the PCM contained in the reservoir; provides (910) opposite heating and cooling functions using the supply side and the waste side of the thermoelectric module; and directs, using the controller, the heating and cooling functions as well as timing functions.
A wafer handling fixture is used to transport a finished semiconductor wafer from one post-fabrication procedure to another (e.g., testing, inspection, cleaning, dicing, or shipping) in a manner that maintains the wafer in its "flattened" form and eliminates the possibility for a wafer to later spring back into a bowed form. The wafer handling fixture includes a surface stiction film to which the wafer will naturally adhere, and uses a wafer release mechanism included in a bottom support plate to permit for the "controlled" transfer of the wafer from the handling fixture to testing/inspection equipment.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
8.
APPARATUS FOR SUPPORTING THINNED SEMICONDUCTOR WAFERS
A vacuum chuck is configured so that a wafer handling fixture (including the supported wafer) may be loaded into a central recessed area of the chuck. The depth of the central recessed area with respect to the surrounding portion of the wafer chuck is controlled such that the exposed surface of the thinned wafer slightly protrudes above the vacuum chuck. The vacuum force of the chuck functions to hold the wafer handling fixture securely in place. Thus, a thinned wafer remains completely supported by the handling fixture during a film application process, and will not bow and allow no gaps to form between the wafer and the film during the application process.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
Modification of the topology of selected regions of individual VCSEL devices during fabrication is utilized to provide an array output beam with specific characteristics (e.g., "uniform" output power across the array). These physical features include the width of the metal aperture, the width of the modal filter, and/or the geometry of the contact ring structure on the top of the VCSEL device. The modifications may also function to adjust the numerical apertures (NAs) of the devices, the beam waist, wallplug efficiency, and the like.
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
10.
SELECTIVE RECOVERY OF RARE EARTH METALS FROM AN ACIDIC SLURRY OR ACIDIC SOLUTION
A method for extracting rare earth metals from an acidic slurry or an acidic solution. The method includes providing an acidic slurry or acidic solution; adding a composite comprising an extractant and a polymer resin; mixing the composite with the acidic slurry or acidic solution to form a mixture slurry or solution; and separating the mixture slurry or solution into a rare-earth-metal-loaded composite and a raffinate slurry or solution. The acidic slurry or acidic solution comprises at least one rare earth metal and at least one early transition metal and/or at least one actinide metal.
An integrated wavelength division multiplexing (WDM) optical transceiver comprises the following elements: (1) a light source; (2) an array of photodiodes responsive to a plurality of optical signals and forming a plurality of electrical received information signals therefrom; and (3) a photonics integrated module (PIM) including transmission components and receiving components necessary to provide transceiver functionality. The transmission components include a demultiplexer, an electro-optic modulator array, and a multiplexer for combining a plurality of modulated optical signals onto a single output signal path as the transceiver output. The receiving components include a demultiplexer responsive to an incoming WDM signal for separating each wavelength component and creating a plurality of received optical signals.
H04J 14/02 - Systèmes multiplex à division de longueur d'onde
H04B 10/40 - Systèmes de transmission utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes hertziennes, p.ex. les infrarouges, la lumière visible ou ultraviolette, ou utilisant des radiations corpusculaires, p.ex. les communications quantiques Émetteurs-récepteurs
brevets
