Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.

Japon

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Brevet
États-Unis - USPTO
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Date
2024 mai 1
2024 (AACJ) 4
2023 8
2022 5
2021 6
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Classe IPC
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices 15
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs 15
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée 14
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée 14
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide 13
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Statut
En Instance 14
Enregistré / En vigueur 75
Résultats pour  brevets

1.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18566691
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-09
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishimori, Hitoshi
  • Horiuchi, Keisuke
  • Nakazato, Norio
  • Kawase, Daisuke
  • Sasaki, Koji

Abrégé

The power semiconductor module includes a base plate, a semiconductor chip mounted on a first main surface of the base plate, and a heat sink connected to a second main surface of the base plate, wherein: a chamfered part is provided at an end portion of at least one side of the second main surface; and, when the cross section of the base plate is viewed in a state in which the base plate is fixed to the heat sink, the slope of the second main surface of the base plate is discontinuous at the boundary between the chamfered part and an area of the second main surface other than the chambered part, and the angle between the bottom surface of the chamfered part of the base plate and the surface on the side of the heat sink where the base plate is fixed is 5° to 30°.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

2.

SEMICONDUCTOR DEVICE, RECTIFYING ELEMENT USING SAME, AND ALTERNATOR

      
Numéro d'application 17766613
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-06
Date de la première publication 2024-02-15
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shiraishi, Masaki
  • Sakano, Junichi

Abrégé

A semiconductor device that is equipped with a MOSFET with a Zener diode embedded and capable of achieving both improvement in the surge resistance and the low on-resistance of the MOSFET is provided. The semiconductor device equipped with a MOSFET with a Zener diode embedded includes an active region in which the MOSFET operates, and a peripheral region that is disposed outside of the active region and holds a withstand voltage of a chip peripheral portion, in which the active region includes a first region including a chip central portion and a second region disposed outside of the first region, and a withstand voltage of the first region is lower than a withstand voltage of the second region and a withstand voltage of the peripheral region.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun

3.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18253611
Statut En instance
Date de dépôt 2021-11-25
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kusukawa, Junpei
  • Ide, Eiichi
  • Mima, Akira

Abrégé

Provided is a compact and highly reliable power semiconductor device that prevents partial discharge originating from voids generated by the entering of water vapor from the exterior of the semiconductor device through a sealing resin or voids generated between a main terminal and the sealing resin when the main terminal is heated. The power semiconductor device comprises an insulating substrate, a semiconductor element provided on a front surface of the insulating substrate, and a gel-like first insulation material for sealing the semiconductor element. The power semiconductor device further includes a plate-shaped terminal for electrically connecting the semiconductor element and an external equipment, and an entire portion of the plate-shaped terminal surrounded by the first insulating material is covered with a second insulating material having a hardness greater than that of the first insulating material.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p.ex. écrans Faraday
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

4.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18254412
Statut En instance
Date de dépôt 2021-10-15
Date de la première publication 2024-01-04
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ashida, Kisho
  • Kawase, Daisuke
  • Sasaki, Koji

Abrégé

Provided is a semiconductor module comprising a power semiconductor chip, a base, an insulating substrate bonded to the base, a semiconductor chip bonded to the insulating substrate, and a case adhered to the base by means of an adhesive. The semiconductor module has a low variability but a high assembly quality and reliability enabling a decrease in stress between the case and an adhered portion of the base. The base includes a plate-like first material, and a second material coating the first material and having a linear coefficient of expansion greater than that of the first material. The case covers at least part of a side surface of the base and is adhered to the base at least on an upper surface of the base by means of the adhesive, and a linear expansion coefficient of the case is larger than the linear expansion coefficient of the first material.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
  • H01L 23/492 - Embases ou plaques

5.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18249282
Statut En instance
Date de dépôt 2021-11-18
Date de la première publication 2023-12-28
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kinoshita, Koyo
  • Morikawa, Takahiro
  • Murata, Tatsunori
  • Yasui, Kan

Abrégé

Provided is a semiconductor device where an electric field applied to an electric field protection layer at a bottom of a trench gate electrode of an active region is relaxed and an avalanche withstand voltage is improved. The semiconductor device includes: an active region that has multiple gate trenches, a trench gate electrode in each gate trench, and a P body layer provided to a section other than the gate trenches; and a termination region disposed on the outer periphery of the active region. Additionally, an electric field protection layer is provided to the bottom of each gate trench of the active region, an electric field relaxation layer is between the active region and the termination region, the bottom surface of the electric field relaxation layer is shallower than that of the electric field protection layer, and the electric field relaxation layer is electrically connected to the P body layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

6.

ENERGIZATION INSPECTION APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ENERGIZATION METHOD

      
Numéro d'application 18255145
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-24
Date de la première publication 2023-12-28
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sagawa, Masakazu
  • Konishi, Kumiko
  • Miki, Hiroshi
  • Mori, Yuki

Abrégé

An electric connection inspection device includes: a cooling plate; an insulating plate provided on the cooling plate; a first measurement electrode provided on the insulating plate; and a second measurement electrode and a third measurement electrode provided above the first measurement electrode and located apart from the first measurement electrode. The insulating plate includes a variable thermal resistance mechanism. A semiconductor device can be installed between the first measurement electrode and the second measurement electrode and between the first measurement electrode and the third measurement electrode.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
  • G01R 31/54 - Test de la continuité
  • G01R 31/70 - Test de connexions entre composants et cartes de circuits imprimés
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

7.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18033543
Statut En instance
Date de dépôt 2021-10-14
Date de la première publication 2023-12-14
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikeda, Osamu
  • Nakamura, Masato

Abrégé

A semiconductor device comprises: a diode element with a main surface having an electrode and a back surface having another electrode; a heat dissipation base arranged to face the diode element; a Cu lead arranged to face the diode element; a bonding material which bonds the back surface of the diode element and the heat dissipation base to each other; and a bonding material which bonds the main surface of the diode element and the Cu lead to each other. The bonding material provided on the back surface side of the diode element is a lead-free solder having a melting point higher than 260° C. and a thermal expansion coefficient lower than that of a Zn—Al solder; and the bonding material provided on the main surface side of the diode element contains a high-melting-point metal having a melting point higher than 260° C. and a compound of Sn and the high-melting-point metal.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

8.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE, AND POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application 18251207
Statut En instance
Date de dépôt 2021-11-25
Date de la première publication 2023-12-07
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Furukawa, Tomoyasu
  • Moritsuka, Tsubasa

Abrégé

Provided are a semiconductor device and a power converting device utilizing a field-stop layer in a vertical semiconductor device with improved manufacturability using large-diameter wafers. A semiconductor device manufacturing method according to the present invention is characterized by: a step for, after a pattern on a main surface side of a drift layer of a first conductivity type is formed, irradiating ions from a second main surface side to a predetermined depth; a step for, after the ion irradiation, converting the ions into donors by anneal processing of heating at 300-450° C. for 60 seconds or less, thereby forming a field-stop layer; and a step for reducing the thickness of a semiconductor substrate to a predetermined value from the second main surface side such that a crystal defect having occurred in the ion irradiating step is eliminated.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont

9.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application 18005748
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-19
Date de la première publication 2023-09-07
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Masuda, Toru
  • Hayakawa, Seiichi
  • Takayanagi, Yuji

Abrégé

The provided power semiconductor module is configured to reduce the wiring inductance and save space on the substrate by establishing a multi-parallel connection between multiple power semiconductor chips. It consists of a first and second insulated substrates with a plurality of semiconductor switching elements positioned on one and facing the other. There are also first and second spacer conductors positioned between the plurality of semiconductor switching elements and the second insulated substrate. Inter-spacer-conductor wiring parts are connected with the plurality of second spacer conductors. Each of the plurality of semiconductor switching elements has a first electrode connected to a conductor layer on the first substrate, a second electrode connected to a conductor on the second substrate via the first spacer conductors, and a control electrode connected to each other through the second spacer conductors and the inter-spacer-conductor wiring parts which are positioned a prescribed distance from the second conductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

10.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17999492
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-10
Date de la première publication 2023-08-24
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suto, Takeru
  • Watanabe, Naoki
  • Suematsu, Tomoka
  • Miki, Hiroshi

Abrégé

In the present invention, in a FinFET having a channel forming region on a surface of a fin that is a semiconductor layer protruding on an upper surface of a substrate, a channel at a corner of the fin is prevented from becoming an ON state with a low voltage and a steep ON/OFF operation is made possible. As a means thereof, in a MOSFET that has a plurality of trenches, each of which have embedded therein a gate electrode, on an upper surface of an n-type epitaxial substrate provided with a drain region on a bottom surface and that has a channel region formed on a surface of a fin which is a protrusion part between the trenches adjacent to each other, a p-type body layer that constitutes a lateral surface of the fin, and a p+-type semiconductor region that constitutes a corner which is an end of the upper surface of the fin, are formed.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERTER

      
Numéro d'application 18002703
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-19
Date de la première publication 2023-08-03
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tani, Kazuki
  • Hara, Kenji

Abrégé

The semiconductor device configures a cascode-type high voltage element comprising a plurality of low voltage elements connected in series, wherein the number of stages of connected low voltage elements is reduced, and the high voltage element has desired withstand voltage, without limiting the withstand voltage of the gate oxide film of the low voltage elements. The semiconductor device comprises a first semiconductor element and one or more second semiconductor elements connected in series, wherein the first and the second semiconductor elements have a control signal output terminal between a source terminal and a drain terminal or between an emitter terminal and a collector terminal; and a gate terminal of the one or more second semiconductor elements is connected to the control signal output terminal of the first or second semiconductor element connected in series adjacently to the source or emitter side of said one or more second semiconductor elements.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
  • H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible

12.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17874603
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-27
Date de la première publication 2023-03-09
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takeda, Naoki
  • Tanie, Hisashi
  • Ashida, Kisho
  • Harubeppu, Yu
  • Onda, Tomohiro
  • Nakamura, Masato

Abrégé

Provide is a highly reliable semiconductor device in which stress generated in a semiconductor chip is reduced and an increase in thermal resistance is suppressed. The semiconductor device includes: a semiconductor chip including a first main electrode on one surface thereof and a second main electrode and a gate electrode on the other surface thereof; a first electrode connected to the one surface of the semiconductor chip via a first bonding material; and a second electrode connected to the other surface of the semiconductor chip via a second bonding material. The first electrode is a plate-shaped electrode and has a groove in a region overlapping with the semiconductor chip. The groove penetrates in a thickness direction of the first electrode and reaches an end portion of the first electrode when viewed in a plan view.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

13.

Upper arm drive circuit, drive circuit of power conversion device, and power conversion device

      
Numéro d'application 17578044
Numéro de brevet 11955878
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-18
Date de la première publication 2022-09-22
Date d'octroi 2024-04-09
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Iesaka, Satoshi
  • Sakurai, Kenji

Abrégé

The upper arm drive circuit for controlling the drive of an upper arm switching element of the power conversion device includes: an upper arm gate voltage output wiring connected to a gate of the upper arm switching element; a first upper arm drive circuit reference potential wiring; an upper arm gate voltage reference potential wiring connected to an inverter output of the power conversion device; and a control circuit of upper arm drive circuit reference potential wiring potential for controlling the potential of the first upper arm drive circuit reference potential wiring to a potential lower than a reference potential when a potential of the inverter output is equal to a predefined potential that is lower than the reference potential or lower. The first upper arm drive circuit reference potential wiring is connected to the reference potential via the control circuit of upper arm drive circuit reference potential wiring potential.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont

14.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17625815
Statut En instance
Date de dépôt 2020-04-06
Date de la première publication 2022-09-22
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Masuda, Toru
  • Hayakawa, Seiichi
  • Takayanagi, Yuji

Abrégé

There is provided a power semiconductor module with multiple semiconductor chips arranged in parallel on an insulated substrate, allowing for high density mounting of semiconductor chips and highly reliable with less difference in operating characteristics from one semiconductor chip to another. The above module includes an insulated substrate; a first conductive pattern laid out on the insulated substrate; multiple power semiconductor chips arranged on the first conductive pattern; a first wiring formed to bridge and directly connecting respective gate electrodes of the power semiconductor chips; and a second wiring formed to bridge and directly connecting respective source electrodes of the power semiconductor chips, wherein the first wiring is placed alongside of the second wiring and may be angled within 30 degrees with respect to the second wiring.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/049 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant perpendiculaires à la base
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application 17626883
Statut En instance
Date de dépôt 2020-04-22
Date de la première publication 2022-09-01
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Furukawa, Tomoyasu
  • Shiraishi, Masaki
  • Watanabe, So
  • Miyoshi, Tomoyuki
  • Takeuchi, Yujiro

Abrégé

A semiconductor device having a high cutoff resistance capable of suppressing local current/electric field concentration and current concentration at a chip termination portion due to an electric field variation between IGBT cells due to a shape variation and impurity variation during manufacturing. The semiconductor device is characterized by including an emitter electrode formed on a front surface of a semiconductor substrate via an interlayer insulating film, a collector electrode formed on a back surface of the semiconductor substrate, a first semiconductor layer of a first conductivity type in contact with the collector electrode, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a central area cell, and an outer peripheral area cell located outside the central area cell.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif

16.

Semiconductor device and termination structure

      
Numéro d'application 17532741
Numéro de brevet 11881514
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-11-22
Date de la première publication 2022-06-23
Date d'octroi 2024-01-23
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokumitsu, Shigeo
  • Shiraishi, Masaki
  • Kato, Yutaka
  • Oda, Tetsuo

Abrégé

Provided is a highly reliable semiconductor device in which an influence on device characteristics can be reduced while improving a high temperature and high humidity bias resistance of a termination structure (termination region) of a chip by a relatively simple method. The semiconductor device includes an active region disposed on a main surface of a semiconductor substrate, and a termination region disposed on the main surface so as to surround the active region. The termination region includes an interlayer insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate, and an organic protective film formed so as to cover the interlayer insulating film. An insulating film having a thickness of 100 nm or less and containing nitrogen is provided between the interlayer insulating film and the organic protective film.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués

17.

Upper arm drive circuit having a reverse current prevention circuit disposed between a power supply of a power conversion device and a first capacitor and control method thereof

      
Numéro d'application 17331685
Numéro de brevet 11735997
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-05-27
Date de la première publication 2022-02-03
Date d'octroi 2023-08-22
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Iesaka, Satoshi
  • Sakurai, Kenji
  • Taniguchi, Tomoya

Abrégé

The upper arm drive circuit for controlling drive of the upper arm switching element of the power conversion device includes: a capacitor disposed between a gate of the upper switching element and the output terminal of the power conversion device; a reverse current prevention circuit that is disposed between a power supply of the power conversion device and the capacitor, and that makes a current flow from a first terminal side of the reverse current prevention circuit connected to the power supply side to a second terminal side of the reverse current prevention circuit connected to the capacitor side and prevents a reverse current from flowing from the second terminal side to the first terminal side; and a switching element for capacitor charging that is turned ON in synchronization with a command signal that turns the upper arm switching element ON.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique

18.

Semiconductor device and power conversion device

      
Numéro d'application 17241631
Numéro de brevet 11942512
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-04-27
Date de la première publication 2021-11-25
Date d'octroi 2024-03-26
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Furukawa, Tomoyasu
  • Kawase, Daisuke

Abrégé

A termination structure in which a semiconductor active region is surrounded with a guard ring and capable of preventing corrosion of a metal layer connected to the guard ring includes: an active region and a guard ring region surrounding the active region. A guard ring is formed on the semiconductor substrate, and an interlayer insulating film is formed on the semiconductor substrate so as to cover the guard ring. A field plate is disposed on the interlayer insulating film and is electrically connected to the guard ring via a contact penetrating the interlayer insulating film. A protective film covers the field plate, which has a laminated structure including a first metal in contact with the guard ring and a second metal which is disposed in contact with the first metal and has a lower standard potential than the first metal.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs

19.

Gate drive device, gate drive method, power semiconductor module, and electric power conversion device

      
Numéro d'application 17160887
Numéro de brevet 11496041
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-28
Date de la première publication 2021-09-23
Date d'octroi 2022-11-08
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikarashi, Daisuke
  • Masuda, Toru
  • Hayakawa, Seiichi
  • Takayanagi, Yuji
  • Inaba, Masamitsu

Abrégé

The invention provides a gate drive device, a gate drive method, a power semiconductor module, and an electric power conversion device capable of reducing a negative gate surge voltage. The gate drive device drives a semiconductor device constituting an arm in an electric power conversion device. Before a turn-off start of a drive arm, in a counter arm, a voltage between one main terminal of the semiconductor device and a gate terminal of the semiconductor device is charged to a voltage value that is larger, in a positive direction, than a negative voltage of a negative gate power supply and smaller than a gate threshold voltage of the semiconductor device.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/084 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques utilisant un circuit de commande commun à plusieurs phases d'un système polyphasé
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

20.

Semiconductor device signal transmission circuit for drive-control, method of controlling semiconductor device signal transmission circuit for drive-control, semiconductor device, power conversion device, and electric system for railway vehicle

      
Numéro d'application 17172571
Numéro de brevet 11539361
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-10
Date de la première publication 2021-09-16
Date d'octroi 2022-12-27
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Masuda, Toru
  • Hayakawa, Seiichi
  • Takayanagi, Yuji
  • Shimada, Takae
  • Wada, Takashi

Abrégé

To provide a semiconductor device signal transmission circuit for drive-control, a method of controlling a semiconductor device signal transmission circuit for drive-control, a semiconductor device, a power conversion device, and an electric system for a railway vehicle capable of preventing malfunction due to noise while speeding up or reducing loss of a switching operation. The semiconductor device signal transmission circuit for drive-control that is connected between a semiconductor device constituting an arm in a power conversion device and a drive circuit configured to drive the semiconductor device, including: an inductor; and an impedance circuit including a switch and connected in parallel with the inductor.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • B60L 13/00 - Propulsion électrique pour véhicules à monorail, véhicules suspendus ou chemins de fer à crémaillère; Suspension ou lévitation magnétiques pour véhicules
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

21.

Semiconductor device including a semiconductor element with a gate electrode on only one surface

      
Numéro d'application 17078931
Numéro de brevet 11652023
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-23
Date de la première publication 2021-05-13
Date d'octroi 2023-05-16
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takeda, Naoki
  • Onda, Tomohiro
  • Kawano, Kenya
  • Shintani, Hiroshi
  • Harubeppu, Yu
  • Tanie, Hisashi

Abrégé

Provided is a highly reliable semiconductor device capable of reducing stress generated in a semiconductor element even when a highly elastic joining material such as a Pb-free material is used in a power semiconductor having a double-sided mounting structure. The semiconductor device includes a semiconductor element including a gate electrode only on one surface, an upper electrode connected to the surface of the semiconductor element on which the gate electrode is provided, and a lower electrode connected to a surface opposite to the surface of the semiconductor element on which the gate electrode is provided. A connection end portion of the upper electrode with the surface of the semiconductor element on which the gate electrode is provided is located inside an end portion of the surface of the semiconductor element on which the gate electrode is provided, and a connection end portion of the lower electrode with the opposite surface of the semiconductor element is located inside an end portion of the opposite surface of the semiconductor element.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/492 - Embases ou plaques
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

22.

Semiconductor device and power conversion device

      
Numéro d'application 16971547
Numéro de brevet 11296212
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-02-01
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2022-04-05
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyoshi, Tomoyuki
  • Mori, Mutsuhiro
  • Furukawa, Tomoyasu
  • Takeuchi, Yujiro
  • Shiraishi, Masaki

Abrégé

A current switching semiconductor device to be used in a power conversion device achieves both a low conduction loss and a low switching loss. The semiconductor device includes the IGBT in which only Gc gates are provided and an impurity concentration of the p type collector layer is high, and the IGBT in which the Gs gates and the Gc gates are provided and an impurity concentration of the p type collector layer is low. When the semiconductor device is turned off, the semiconductor device transitions from a state in which a voltage lower than a threshold voltage is applied to both the Gs gates and the Gc gates to a state in which a voltage equal to or higher than the threshold voltage is applied to the Gc gates prior to the Gs gates.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

23.

Semiconductor device and power conversion device

      
Numéro d'application 16976393
Numéro de brevet 11282937
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-02-01
Date de la première publication 2021-02-25
Date d'octroi 2022-03-22
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Mutsuhiro
  • Miyoshi, Tomoyuki
  • Furukawa, Tomoyasu
  • Shiraishi, Masaki

Abrégé

The invention provides an inexpensive flywheel diode having a low power loss. A semiconductor substrate side of a gate electrode provided on a surface of an anode electrode side of a semiconductor substrate including silicon is surrounded by a p layer, an n layer, and a p layer via a gate insulating film. The anode electrode is in contact with the p layer with a low resistance, and is also in contact with the n layer or the p layer, and a Schottky diode is formed between the anode electrode and the n layer or the p layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

24.

Semiconductor device, method for controlling semiconductor device, and control circuit for semiconductor device

      
Numéro d'application 16769704
Numéro de brevet 10916643
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-10-29
Date de la première publication 2020-12-17
Date d'octroi 2021-02-09
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takeuchi, Yujiro
  • Hotta, Yusuke
  • Miyoshi, Tomoyuki
  • Mori, Mutsuhiro

Abrégé

To provide a semiconductor device in which an IGBT having two gate terminals is driven by one control signal, and a continuous ON state and an ON state twice for one on-pulse signal are avoided. A semiconductor device includes: a control signal input terminal; an IGBT having a first gate terminal and a second gate terminal; a delay unit configured to delay an input signal for a delay time; and a logical product unit configured to calculate a logical product of a first input terminal and a second input terminal. The control signal input terminal is connected to an input terminal of the delay unit and a second input terminal of the logical product unit. An output terminal of the delay unit is connected to the first gate terminal of the IGBT and a first input terminal of the logical product unit. An output terminal of the logical product unit is connected to the second gate terminal of the IGBT.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT

25.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

      
Numéro d'application 16305146
Numéro de brevet 10971415
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-01-13
Date de la première publication 2020-10-08
Date d'octroi 2021-04-06
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kojima, Kyoko
  • Matsushima, Hiroyuki
  • Suzuki, Kazuhiro

Abrégé

a is formed of a region R1 including a first corner, a region R2 including a second corner, and a region R3 interposed between the region R1 and the region R2. At this point, in a case of defining a minimum film thickness of a high electric field-resistant sealing member MR in the region R3 as t1 and defining a maximum film thickness of the high electric field-resistant sealing member MR in the region R1 as t2, a relation of t2≤1.5×t1 is satisfied.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
  • H01L 23/08 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques le matériau étant un isolant électrique, p.ex. du verre
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

26.

Inverter device and electric motor device using same

      
Numéro d'application 16618478
Numéro de brevet 11012022
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-28
Date de la première publication 2020-06-11
Date d'octroi 2021-05-18
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Sakano, Junichi
  • Kurita, Shinichi

Abrégé

The object of the invention is to provide an inverter device and an electric motor device using the same to shorten a dead time. Thus, an inverter device is provided, which includes: a switching element including a control terminal and a pair of main terminals; a control circuit configured to output a control signal which indicates whether to instruct an ON state of the switching element; a decision circuit configured to output a decision signal which indicates a state of the switching element based on a voltage between the main terminals of the switching element; and a drive circuit configured to control the ON state or an OFF state of the switching element based on the control signal and the decision signal.

Classes IPC  ?

  • H02P 27/08 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs avec modulation de largeur d'impulsions
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont

27.

Semiconductor device having a stacked electrode with an electroless nickel plating layer

      
Numéro d'application 16450252
Numéro de brevet 10847614
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-24
Date de la première publication 2020-03-05
Date d'octroi 2020-11-24
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Furukawa, Tomoyasu
  • Morita, Toshiaki
  • Kawase, Daisuke
  • Tabata, Toshihito

Abrégé

3P in the first electroless Ni plating layer is 0% to 20% inclusive.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/73 - Transistors bipolaires à jonction
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique

28.

Semiconductor device and power conversion apparatus

      
Numéro d'application 16465429
Numéro de brevet 10763346
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-12-25
Date de la première publication 2020-01-02
Date d'octroi 2020-09-01
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Furukawa, Tomoyasu
  • Shiraishi, Masaki
  • Morita, Toshiaki

Abrégé

Provided is a semiconductor device in which, in a case where a metallic plate (a conductive member) is bonded by being sintered to a semiconductor chip having an IGBT gate structure, an excess stress is less likely to be generated in a gate wiring section of the semiconductor chip even when pressure is applied in a sinter bonding process, so that a characteristic failure is reduced. The semiconductor device according to the present invention is characterized by: being provided with a semiconductor chip having a gate structure represented by an IGBT; including first gate wiring and second gate wiring formed on the surface of the semiconductor chip; and including an emitter electrode disposed so as to cover the first gate wiring and a sintered layer disposed above the emitter electrode, wherein a multilayer structure formed by including at least the emitter electrode and the sintered layer on the surface of the semiconductor chip continuously exists over a range including an emitter electrode connecting contact and gate wiring regions.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/861 - Diodes

29.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

      
Numéro d'application 16189608
Numéro de brevet 10529813
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-11-13
Date de la première publication 2019-09-19
Date d'octroi 2020-01-07
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sagawa, Masakazu
  • Ishigaki, Takashi

Abrégé

A semiconductor device including an n-type semiconductor layer formed on a substrate, having a cell region and a gate pad region, and including silicon carbide, and a unit cell formed in the cell region is configured as follows. A p-type body region formed in the semiconductor layer of the gate pad region, a first insulating film formed on the p-type body region, a conductive film formed on the first insulating film, and a second insulating film formed on the conductive film, and a gate pad formed on the second insulating film. Then, the film thickness of the first insulating film is 0.7 μm or more, and more favorably 1.5 μm or more. In addition, the electric field strength of the first insulating film is 3 MV/cm or less. Then, an opening portion is formed on the first insulating film in the gate pad region, and a resistance portion and a connection portion corresponding to the conductive film are formed in the opening portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

30.

Semiconductor chip and power module, and manufacturing method of the same

      
Numéro d'application 16153251
Numéro de brevet 10522638
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-10-05
Date de la première publication 2019-05-23
Date d'octroi 2019-12-31
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sagawa, Masakazu
  • Morikawa, Takahiro
  • Miyata, Motoyuki
  • Yasui, Kan
  • Morita, Toshiaki

Abrégé

A semiconductor chip includes a semiconductor substrate made of SiC, a front surface electrode formed in a principal surface of the semiconductor substrate, and a rear surface electrode (drain electrode) formed in a rear surface of the semiconductor substrate. The front surface electrode is bonded to a wire, and includes an Al alloy film containing a high melting-point metal. The Al alloy film contains a columnar Al crystal which extends along a thickness direction of the Al alloy film, and an intermetallic compound is precipitated therein.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

31.

Power semiconductor module

      
Numéro d'application 16168857
Numéro de brevet 10888941
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-10-24
Date de la première publication 2019-05-02
Date d'octroi 2021-01-12
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawamura, Daichi
  • Masuda, Toru
  • Kusukawa, Junpei
  • Sakurai, Naoki

Abrégé

When a distance between an end portion of a brazing material and a downward extended line of a side surface of an insulating substrate is taken as “a”, and a distance between an end portion of a solder resist on the side of a solder and the downward extended line of the side surface of the insulating substrate is taken as “b”, the positional relationship a

Classes IPC  ?

  • H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p.ex. écrans Faraday
  • H01L 23/24 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif
  • H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • B23K 1/20 - Traitement préalable des pièces ou des surfaces destinées à être brasées, p.ex. en vue d'un revêtement galvanique
  • B23K 35/36 - Emploi de compositions non métalliques spécifiées, p.ex. comme enrobages, comme flux; Emploi de matériaux de brasage ou de soudage spécifiés associé à l'emploi de compositions non métalliques spécifiées, dans lequel l'emploi des deux matériaux est important
  • H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
  • H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
  • H05K 3/34 - Connexions soudées
  • H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
  • B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p.ex. par la forme
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

32.

Semiconductor device and alternator using the same

      
Numéro d'application 16056332
Numéro de brevet 11049965
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-06
Date de la première publication 2019-02-07
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shiraishi, Masaki
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Sakano, Junichi
  • Mori, Mutsuhiro
  • Kurita, Shinichi

Abrégé

A semiconductor device includes a first external electrode with a first electrode surface portion; a second external electrode with a second electrode surface portion; a MOSFET chip with a built-in Zener diode which includes an active region and a peripheral region; a control IC chip which drives the MOSFET chip based on voltage or current between a drain electrode and a source electrode of the MOSFET chip; and a capacitor which supplies power to the MOSFET chip and the control IC chip. The first electrode surface portion is connected to either the drain electrode or the source, the second electrode surface portion is connected to either the source electrode or the drain electrode, a plurality of unit cells of the MOSFET with the built-in Zener diode are provided in the active region, and the breakdown voltage of the Zener diode is set to be lower than that of the peripheral region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H03K 17/0814 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de sortie
  • H03K 17/74 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de diodes
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique

33.

Semiconductor device and method for manufacturing same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway carriage

      
Numéro d'application 15533964
Numéro de brevet 10290704
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-02-12
Date de la première publication 2018-11-15
Date d'octroi 2019-05-14
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tega, Naoki
  • Watanabe, Naoki
  • Sato, Shintaroh

Abrégé

An object of the present invention is to provide high-performance highly-reliable power semiconductor device. The semiconductor device according to the present invention is provided with a first conductive type semiconductor substrate, a drain electrode formed on a back side of the semiconductor substrate, a drift layer of the first conductive type formed on a surface side of the semiconductor substrate, a source area of the first conductive type, a current diffused layer of the first conductive type, a body layer of a second conductive type reverse to the first conductive type in contact with the source area and the current diffused layer, a trench which pierces the source area, the body layer and the current diffused layer, which is shallower than the body layer, and the bottom of which is in contact with the body layer, a high-concentration JFET layer of the first conductive type formed up to a deeper position than a boundary between the current diffused layer and the body layer, electrically connecting the drift layer and the current diffused layer, and having higher impurity concentration than the drift layer, a gate insulating film formed on an inner wall of the trench, and a gate electrode formed on the gate insulating film.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H02P 27/08 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs avec modulation de largeur d'impulsions
  • B60L 53/22 - PROPULSION DES VÉHICULES À TRACTION ÉLECTRIQUE; FOURNITURE DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE À L'ÉQUIPEMENT AUXILIAIRE DES VÉHICULES À TRACTION ÉLECTRIQUE; SYSTÈMES DE FREINS ÉLECTRODYNAMIQUES POUR VÉHICULES, EN GÉNÉRAL; SUSPENSION OU LÉVITATION MAGNÉTIQUES POUR VÉHICULES; CONTRÔLE DES PARAMÈTRES DE FONCTIONNEMENT DES VÉHICULES À TRACTION ÉLECTRIQUE; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES DE SÉCURITÉ POUR VÉHICULES À TRACTION ÉLECTRIQUE Échange d'éléments d’emmagasinage d'énergie dans les véhicules électriques caractérisés par des convertisseurs situés dans le véhicule - Détails de structure ou aménagements des convertisseurs de charge spécialement adaptés pour recharger des véhicules électriques
  • B61C 3/00 - Locomotives ou automotrices électriques

34.

Electric power converter

      
Numéro d'application 15767310
Numéro de brevet 10224425
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-10-17
Date de la première publication 2018-10-18
Date d'octroi 2019-03-05
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takeuchi, Yujiro
  • Mori, Mutsuhiro

Abrégé

An electric power converter (100) which is provided with a switching element (101) and a rectifying element (102) that is connected in series to the switching element (101). This electric power converter (100) has a configuration wherein an external electrical load (103) is connected to the connection point of the switching element (101) and the rectifying element (102). The switching element (101) is composed of an insulating gate type semiconductor element that has a first gate terminal (105) and a second gate terminal (106). The rectifying element (102) is composed of a diode that has a Schottky junction which uses silicon carbide as a semiconductor base. Different driving signals are applied to the first gate terminal (105) and the second gate terminal (106), respectively.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
  • H03K 17/0814 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de sortie
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs

35.

Rectifier including MOSFET and hold circuit that boosts gate voltage of MOSFET, and alternator using the same

      
Numéro d'application 15819315
Numéro de brevet 10205314
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-11-21
Date de la première publication 2018-07-05
Date d'octroi 2019-02-12
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Mori, Mutsuhiro
  • Kurita, Shinichi

Abrégé

A rectifier includes a rectification MOSFET that performs rectification, a comparator formed by connecting a drain of the rectification MOSFET to a non-inverting input terminal and a source to an inverting input terminal, and a control circuit that performs an on/off control of the rectification MOSFET using an output of the comparator. The control circuit includes a shut-off MOSFET that disconnects a drain of the rectification MOSFET and a non-inverting input terminal of the comparator from each other, and a shut-off circuit that turns off the shut-off MOSFET to electrically disconnect the drain of the rectification MOSFET and the non-inverting input terminal of the comparator from each other when the drain voltage of the rectification MOSFET is equal to or higher than a predetermined first voltage.

Classes IPC  ?

  • H02H 7/06 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour compensateurs synchrones
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
  • H02J 7/14 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge de batteries par des générateurs dynamo-électriques entraînés à vitesse variable, p.ex. sur véhicule
  • H02K 11/04 - Association structurelle de machines dynamo-électriques à des organes électriques ou à des dispositifs de blindage, de surveillance ou de protection pour le redressement
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

36.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 15492604
Numéro de brevet 10002817
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-04-20
Date de la première publication 2018-03-29
Date d'octroi 2018-06-19
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikeda, Osamu
  • Kushima, Takayuki
  • Okubo, Shinji
  • Miyazaki, Takaaki

Abrégé

A power module includes: a ceramic substrate that includes a principal surface and a back surface, and is provided with a plurality of metal wirings on the principal surface; a semiconductor chip mounted on any metal wiring of the plurality of metal wirings; and a resin part disposed around each of the plurality of metal wirings. Further, side faces of the metal wirings each have: a first region in which a plating film is formed; a second region that is positioned above the first region and that is a non-plating region; and a third region that is positioned between the first region and the second region and in which metal particles are formed. The resin part is bonded to the metal particles, the plating film, and the principal surface of the ceramic substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
  • H01L 23/15 - Substrats en céramique ou en verre
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

37.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and power conversion system

      
Numéro d'application 15695670
Numéro de brevet 09991336
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-09-05
Date de la première publication 2018-03-29
Date d'octroi 2018-06-05
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Wakagi, Masatoshi
  • Arai, Taiga
  • Mori, Mutsuhiro
  • Furukawa, Tomoyasu

Abrégé

−3.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H02M 7/5395 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur avec commande automatique de la forme d'onde ou de la fréquence de sortie par modulation de largeur d'impulsions
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H02P 27/08 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs avec modulation de largeur d'impulsions

38.

Semiconductor device and power conversion device using same

      
Numéro d'application 15538907
Numéro de brevet 10109549
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-12-24
Date de la première publication 2017-12-07
Date d'octroi 2018-10-23
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hirao, Takashi
  • Yasui, Kan
  • Suzuki, Kazuhiro

Abrégé

In order to improve productivity of a semiconductor device, while improving stability of the blocking voltage of the semiconductor device, this semiconductor device is characterized by having a semiconductor element, and a laminated structure having three resin layers, said laminated structure being in a peripheral section surrounding a main electrode on one surface of the semiconductor element. The semiconductor device is also characterized in that the laminated structure has, on the center section side of the semiconductor element, a region where a lower resin layer is in contact with an intermediate resin layer, and a region where the lower resin layer is in contact with an upper resin layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/04 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs

39.

Semiconductor device, method for manufacturing same, and semiconductor module

      
Numéro d'application 15539447
Numéro de brevet 10083948
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-12-26
Date de la première publication 2017-12-07
Date d'octroi 2018-09-25
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yasui, Kan
  • Suzuki, Kazuhiro
  • Taniguchi, Takafumi

Abrégé

In order to form, in a wide band gap semiconductor device, a high field resistant sealing material having a large end portion film thickness, said high field resistant sealing material corresponding to a reduced termination region having a high field intensity, and to improve accuracy and shorten time of manufacturing steps, this semiconductor device is configured as follows. At least a part of a cross-section of a high field resistant sealing material formed close to a termination region at the periphery of a semiconductor chip has a perpendicular shape at a chip outer peripheral end portion, said shape having, on the chip inner end side, a film thickness that is reduced toward the inner side. In a semiconductor device manufacturing method for providing such semiconductor device, the high field resistant sealing material is formed in a semiconductor wafer state, then, heat treatment is performed, and after dicing is performed, a chip is mounted.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

40.

Semiconductor device, and alternator and power converter using the semiconductor device

      
Numéro d'application 15509882
Numéro de brevet 09831145
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-08-19
Date de la première publication 2017-09-14
Date d'octroi 2017-11-28
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Mori, Mutsuhiro
  • Kurita, Shinichi
  • Sugayama, Shigeru
  • Sakano, Junichi
  • Onda, Kohhei

Abrégé

Provided is a semiconductor device including: a first external electrode which includes a circular outer peripheral portion; a MOSFET chip; a control circuit chip which receives voltages of a drain electrode and a source electrode of the MOSFET and supplies a signal to a gate electrode to control the MOSFET on the basis of the voltage; a second external electrode which is disposed on an opposite side of the first external electrode with respect to the MOSFET chip and includes an external terminal on a center axis of the circular outer peripheral portion of the first external electrode; and an isolation substrate which isolates the control circuit chip from the external electrode. The first external electrode, the drain electrode and the source electrode of the MOSFET chip, and the second external electrode are disposed to be overlapped in a direction of the center axis. The drain electrode of the MOSFET chip and the first external electrode are connected. The source electrode of the MOSFET chip and the second external electrode are connected.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H02K 11/04 - Association structurelle de machines dynamo-électriques à des organes électriques ou à des dispositifs de blindage, de surveillance ou de protection pour le redressement
  • H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques

41.

Semiconductor device and alternator using same

      
Numéro d'application 15354474
Numéro de brevet 10304761
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-11-17
Date de la première publication 2017-05-18
Date d'octroi 2019-05-28
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawano, Kenya
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Kurita, Shinichi
  • Terakawa, Takeshi

Abrégé

Provided are a semiconductor device realized easily at low cost without requiring a complicated manufacturing process, and an alternator using the same. The semiconductor device includes a base having a base seat, a lead having a lead header, and an electronic circuit body, wherein the electronic circuit body is arranged between the base and the lead; the base seat is connected to a first surface of the electronic circuit body; the lead header is connected to a second surface of the electronic circuit body; the electronic circuit body is integrally covered by resin, including a transistor circuit chip having a switching element, a control circuit chip for controlling the switching element, a drain frame, and a source frame; either one of the drain frame and the source frame, and the base are connected; and the other one of the drain frame and the source frame, and the lead are connected.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H02K 11/04 - Association structurelle de machines dynamo-électriques à des organes électriques ou à des dispositifs de blindage, de surveillance ou de protection pour le redressement
  • H01L 23/051 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p.ex. du type "sandwich"

42.

Rectifier, alternator using same and power supply using same

      
Numéro d'application 15297565
Numéro de brevet 10079536
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-10-19
Date de la première publication 2017-04-20
Date d'octroi 2018-09-18
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Kurita, Shinichi
  • Terakawa, Takeshi

Abrégé

The rectifier includes a rectification MOSFET; a comparator having the non-inverted input terminal connected to a drain of the rectification MOSFET and the inverted input terminal connected to a source of the rectification MOSFET, and the control circuit controlling ON and OFF of the rectification MOSFET by an output of the comparator. The control circuit includes the shutoff MOSFET for performing shutoff between the drain of the rectification MOSFET and the non-inverted input terminal of the comparator and the shutoff control circuit performing electrical shutoff between the drain of the rectification MOSFET and the non-inverted input terminal of the comparator by turning off the shutoff MOSFET when a voltage of the drain of the rectification MOSFET is equal to or higher than a first predetermined voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
  • H02K 7/00 - Dispositions pour la mise en œuvre d'énergie mécanique associées structurellement aux machines dynamo-électriques, p.ex. association structurelle avec des moteurs mécaniques d'entraînement ou des machines dynamo-électriques auxiliaires
  • H02K 11/04 - Association structurelle de machines dynamo-électriques à des organes électriques ou à des dispositifs de blindage, de surveillance ou de protection pour le redressement
  • H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/30 - Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation
  • H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont

43.

Semiconductor device with substantially equal impurity concentration JTE regions in a vicinity of a junction depth

      
Numéro d'application 15279192
Numéro de brevet 09755014
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-09-28
Date de la première publication 2017-01-19
Date d'octroi 2017-09-05
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mochizuki, Kazuhiro
  • Onose, Hidekatsu
  • Kameshiro, Norifumi
  • Yokoyama, Natsuki

Abrégé

−3 or lower in a case of a junction barrier Schottky diode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage

44.

Semiconductor device, and alternator and power conversion device which use same

      
Numéro d'application 15102771
Numéro de brevet 10319849
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-12-12
Date de la première publication 2016-10-27
Date d'octroi 2019-06-11
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Mori, Mutsuhiro
  • Sakano, Junichi
  • Onda, Kohhei

Abrégé

The semiconductor device has a first external electrode having an outer peripheral section, which has a circular shape in top plan view and which is to be attached to an alternator. On the first external electrode there mounted: a MOSFET chip; a control circuitry to which voltages at or a current flowing between a first main terminal and a second main terminal of the MOSFET chip is inputted and which generates, on the basis of the voltages or the current, a control signal applied to a gate of the MOSFET chip; and a capacitor for providing a power supply to the control circuitry. The semiconductor device further has a second external electrode disposed opposite to the first external electrode with respect to the MOSFET chip. An electrical connection is made between the first main terminal of the MOSFET chip and the first external electrode, and between the second main terminal of the MOSFET chip and the second external electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H02K 19/36 - Association structurelle de génératrices synchrones à des appareils électriques auxiliaires agissant sur les caractéristiques de la génératrice ou en assurant la commande, p.ex. à des impédances ou des interrupteurs
  • H02K 11/00 - Association structurelle de machines dynamo-électriques à des organes électriques ou à des dispositifs de blindage, de surveillance ou de protection
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
  • H02K 11/04 - Association structurelle de machines dynamo-électriques à des organes électriques ou à des dispositifs de blindage, de surveillance ou de protection pour le redressement
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02P 9/00 - Dispositions pour la commande de génératrices électriques de façon à obtenir les caractéristiques désirées à la sortie
  • H01L 23/051 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p.ex. du type "sandwich"
  • H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
  • H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

45.

Rectification device, alternator, and power conversion device

      
Numéro d'application 15104116
Numéro de brevet 09966871
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-12-12
Date de la première publication 2016-10-27
Date d'octroi 2018-05-08
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Onda, Kohhei
  • Sakano, Junichi
  • Mori, Mutsuhiro

Abrégé

A rectifier including an autonomous type synchronous-rectification MOSFET is provided, which prevents chattering and through-current caused by a malfunction when a noise is applied. The rectifier includes: a rectification MOSFET for performing synchronous rectification; a determination circuit configured to input a voltage between a pair of main terminals of the rectification MOSFET, and to determine whether the rectification MOSFET is in on or off state on the basis of the inputted voltage; and a gate drive circuit configured such that a gate of the rectification MOSFET is turned on and off by a comparison signal from the determination circuit, and such that a time required to boost a gate voltage when the rectification MOSFET is turned on is longer than a time required to lower the gate voltage when the rectification MOSFET is turned off.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
  • H02M 7/04 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

46.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

      
Numéro d'application 14916801
Numéro de brevet 09711600
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-09-09
Date de la première publication 2016-07-28
Date d'octroi 2017-07-18
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mochizuki, Kazuhiro
  • Kameshiro, Norifumi

Abrégé

In a semiconductor device having a silicon carbide device, a technique capable of suppressing variation in a breakdown voltage and achieving reduction in an area of a termination structure is provided. In order to solve the above-described problem, in the present invention, in a semiconductor device having a silicon carbide device, a p-type first region and a p-type second region provided to be closer to an outer peripheral side than the first region are provided in a junction termination portion, a first concentration gradient is provided in the first region, and a second concentration gradient larger than the first concentration gradient is provided in the second region.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/46 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • B60L 11/18 - utilisant de l'énergie fournie par des piles primaires, des piles secondaires ou des piles à combustibles
  • H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
  • H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés

47.

Semiconductor power module and power conversion apparatus using the same

      
Numéro d'application 14757466
Numéro de brevet 10374414
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-12-23
Date de la première publication 2016-06-30
Date d'octroi 2019-08-06
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Horiuchi, Keisuke
  • Kawase, Daisuke
  • Inaba, Masamitsu
  • Saito, Katsuaki

Abrégé

A semiconductor power module with which it is possible to suppress the influence of noise given from a main terminal to a control terminal is provided. At least any one of main terminals (positive electrode terminal, negative electrode terminal, alternating current terminal) is so configured that the main terminal includes two parts extended in a common direction. The two parts are, for example, formed of a single component having such as a shape that the component is bifurcated from the outside toward the inside of the semiconductor power module or two different components. The two parts are so structured that the parts are extended in a common direction. Control terminals (gate signal terminal and emitter signal terminal) are so arranged that a laminated portion of the control terminals is sandwiched between one and the other of the two parts to configure the semiconductor power module.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H02H 7/122 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques pour onduleurs, c. à d. convertisseurs de courant continu en courant alternatif
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/64 - Dispositions relatives à l'impédance
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

48.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

      
Numéro d'application 14778058
Numéro de brevet 10062759
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-03-29
Date de la première publication 2016-04-21
Date d'octroi 2018-08-28
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hisamoto, Digh
  • Kobayashi, Keisuke
  • Tega, Naoki
  • Ohno, Toshiyuki
  • Hamamura, Hirotaka
  • Matsumura, Mieko

Abrégé

A MOSFET using a SiC substrate has a problem that a carbon-excess layer is formed on a surface by the application of mechanical stress due to thermal oxidation and the carbon-excess layer degrades mobility of channel carriers. In the invention, (1) a layer containing carbon-carbon bonds is removed; (2) a gate insulating film is formed by a deposition method; and (3) an interface between a crystal surface and the insulating film is subjected to an interface treatment at a low temperature for a short time. Due to this, the carbon-excess layer causing characteristic degradation is effectively eliminated, and at the same time, dangling bonds can be effectively eliminated by subjecting an oxide film and an oxynitride film to an interface treatment.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

49.

Synchronous rectifier and alternator using the same

      
Numéro d'application 14870605
Numéro de brevet 10069436
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-09-30
Date de la première publication 2016-04-07
Date d'octroi 2018-09-04
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishimaru, Tetsuya
  • Onda, Kohhei
  • Kurita, Shinichi
  • Sugayama, Shigeru

Abrégé

A rectifier (107) includes a rectifying MOSFET (101) that performs synchronous rectification, a control circuit (106) that inputs a voltage across a pair of a positive-side main terminal TK and a negative-side main terminal TA of the rectifying MOSFET (101) to determine an ON or OFF state of the rectifying MOSFET (101) based on the inputted voltage, and a capacitor (104) that supplies power to the control circuit (106). The control circuit (106) includes a blocking circuit (105) that inputs the voltage across the pair of main terminals of the rectifying MOSFET (101), to block power supply to the control circuit (106) when the inputted voltage across the pair of main terminals is higher than or equal to a first voltage, and to unblock power supply to the control circuit (106) when the inputted voltage across the pair of main terminals is lower than the first voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont

50.

Semiconductor device with similar impurity concentration JTE regions

      
Numéro d'application 14768173
Numéro de brevet 09478605
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-12-10
Date de la première publication 2016-01-07
Date d'octroi 2016-10-25
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mochizuki, Kazuhiro
  • Onose, Hidekatsu
  • Kameshiro, Norifumi
  • Yokoyama, Natsuki

Abrégé

−3 or lower in a case of a junction barrier Schottky diode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

51.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

      
Numéro d'application 14760166
Numéro de brevet 09825166
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-01-23
Date de la première publication 2015-12-03
Date d'octroi 2017-11-21
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tega, Naoki
  • Hisamoto, Digh
  • Akiyama, Satoru
  • Takahama, Takashi
  • Morimoto, Tadao
  • Tsuchiya, Ryuta

Abrégé

Disclosed herein is a technique for realizing a high-performance and high-reliability silicon carbide semiconductor device. A trenched MISFET with a trench formed into the drift through a p-type body layer 105 includes an n-type resistance relaxation layer 109 covering the bottom portion of the trench, and a p-type field relaxation layer 108. The p-type field relaxation layer 108 is separated from the trench bottom portion via the resistance relaxation layer 109, and is wider than the resistance relaxation layer 109. This achieves a low ON resistance, high reliability, and high voltage resistance at the same time. By forming the field relaxation layer beneath the trench, feedback capacitance can be controlled to achieve a high switching rate and high reliability.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

52.

Semiconductor switch circuit, signal processing apparatus, and ultrasound diagnostic apparatus

      
Numéro d'application 14461382
Numéro de brevet 09531368
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-08-16
Date de la première publication 2015-03-26
Date d'octroi 2016-12-27
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Honda, Hironobu
  • Yamashita, Fumiaki
  • Aizawa, Junichi

Abrégé

A semiconductor switch circuit comprises: a first switch pair including two MOSFETs having gates connected one another and sources connected to one another, and a zener diode reversely connected between the gates and sources of the MOSFETs; a second switch pair including two MOSFETs having gates connected one another and sources connected to one another, and a zener diode reversely connected between the gates and sources of the MOSFETs; and a third switch pair comprising two MOSFETs having gates connected to one another and sources connected to one another. The first switch pair and the second switch pair are connected in series between two input/output terminals through a connecting node. The third switch pair is connected to the connecting node between the first switch pair and the second switch pair.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
  • A61B 8/00 - Diagnostic utilisant des ondes ultrasonores, sonores ou infrasonores
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
  • H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande

53.

Semiconductor device and power conversion device using same

      
Numéro d'application 13928894
Numéro de brevet 08653606
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-06-27
Date de la première publication 2014-01-02
Date d'octroi 2014-02-18
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s) Shiraishi, Masaki

Abrégé

It is intended to provide a semiconductor device capable to improve a controllability of dv/dt by a gate drive circuit during a turn-on switching period, while maintaining a low loss and a high breakdown voltage. Trench gates are disposed so as to have narrow distance regions and wide distance regions, wherein each of the narrow distance regions is provided with a channel region, and each of the wide distance regions is provided with trenches, each trench having an electrode electrically connected to the emitter electrode. In this manner, even if a floating-p layer is removed, it is possible to reduce a feedback capacity and maintain a breakdown voltage.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/96 - Types de dispositifs semi-conducteurs d'un type couvert par plus d'un des groupes , , ou

54.

Semiconductor device and power conversion apparatus using the same

      
Numéro d'application 14015213
Numéro de brevet 08809903
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-08-30
Date de la première publication 2014-01-02
Date d'octroi 2014-08-19
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe, So
  • Mori, Mutsuhiro
  • Arai, Taiga

Abrégé

A semiconductor device provides a gate electrode formed on a lateral face of a wide trench, and thereby the gate electrode is covered by a gate insulating layer and a thick insulating layer to be an inter layer. Therefore, a parasitic capacitance of the gate becomes small, and there is no potential variation of the gate since there is no floating p-layer so that a controllability of the dv/dt can be improved. In addition, the conductive layer between the gate electrodes can relax the electric field applied to the corner of the gate electrode. In consequence, compatibility of low loss and low noise and high reliability can be achieved.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

55.

Semiconductor device and a method of manufacturing same

      
Numéro d'application 13894756
Numéro de brevet 09076774
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-05-15
Date de la première publication 2013-11-28
Date d'octroi 2015-07-07
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kumagai, Yukihiro
  • Hiyoshi, Michiaki

Abrégé

In a semiconductor device where a metal circuit layer is disposed over a main planar surface of an insulating substrate, a semiconductor chip is connected by way of a solder over the metal circuit layer, and a metal wiring is connected over the metal circuit layer, in which a solder flow prevention area comprising a linear oxide material is formed between the semiconductor chip and the ultrasonic metal bonding region over the metal circuit layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 23/488 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/047 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant parallèles à la base
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

56.

Manufacturing method of semiconductor device

      
Numéro d'application 13874468
Numéro de brevet 09449814
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-04-30
Date de la première publication 2013-09-19
Date d'octroi 2016-09-20
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yokoyama, Natsuki
  • Someya, Tomoyuki

Abrégé

A problem in the conventional technique is that metal contamination on a silicon carbide surface is not sufficiently removed in a manufacturing method of a semiconductor device using a monocrystalline silicon carbide substrate. Accordingly, there is a high possibility that the initial characteristics of a manufactured silicon carbide semiconductor device are deteriorated and the yield rate is decreased. Further, it is conceivable that the metal contamination has an adverse affect even on the long-term reliability of a semiconductor device. In a manufacturing method of a semiconductor device using a monocrystalline silicon carbide substrate, there is applied a metal contamination removal process, on a silicon carbide surface, including a step of oxidizing the silicon carbide surface and a step of removing a film primarily including silicon dioxide formed on the silicon carbide surface by the step.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/331 - Transistors
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes

57.

Power semiconductor device

      
Numéro d'application 13689299
Numéro de brevet 09013877
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-11-29
Date de la première publication 2013-05-30
Date d'octroi 2015-04-21
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Harubeppu, Yu
  • Kushima, Takayuki
  • Nemoto, Yasuhiro
  • Horiuchi, Keisuke
  • Tanie, Hisashi

Abrégé

b in a direction parallel to the base 1 surface being longer than a thickness of the base 1, thereby providing power semiconductor devices 100, 200, 300, 400 which have a light weight, high heat dissipation efficiency, and high rigidity.

Classes IPC  ?

  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 23/42 - Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides

58.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 13660276
Numéro de brevet 08890278
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-10-25
Date de la première publication 2013-05-02
Date d'octroi 2014-11-18
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kameshiro, Norifumi
  • Yokoyama, Natsuki

Abrégé

2 or more, an area of a Schottky interface at which a drift layer and a Schottky electrode are contacted can be sufficiently reduced by relatively increasing a ratio of p-type semiconductor region being a junction barrier region in an active region, and thereby deterioration in reverse voltage caused by defects existing in the drift layer is prevented.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky

59.

Power semiconductor module

      
Numéro d'application 13533273
Numéro de brevet 09000601
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-06-26
Date de la première publication 2013-01-03
Date d'octroi 2015-04-07
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Azuma, Katsunori
  • Yasuda, Kentaro
  • Fujita, Takahiro
  • Saito, Katsuaki
  • Koike, Yoshihiko
  • Hiyoshi, Michiaki

Abrégé

The respective main electrodes of the semiconductor switching elements such as IGBTs, which are respectively mounted on the plurality of insulating boards, are electrically connected to each other via the conductor member. This configuration makes it possible to suppress the occurrence of the resonant voltage due to the junction capacity and the parasitic inductance of each semiconductor switching element.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

60.

Semiconductor devices and power conversion systems

      
Numéro d'application 13348021
Numéro de brevet 09082814
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-01-11
Date de la première publication 2012-07-12
Date d'octroi 2015-07-14
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shiraishi, Masaki
  • Mori, Mutsuhiro
  • Suzuki, Hiroshi
  • Watanabe, So

Abrégé

A semiconductor device includes first semiconductor layer of a first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type that is formed near a surface of the first semiconductor layer; a first main electrode that is electrically connected to the second semiconductor layer; a third semiconductor layer of the second conductivity type that neighbors the first semiconductor layer; a fourth semiconductor layer of the first conductivity type that is selectively disposed in an upper portion of the third semiconductor layer; a second main electrode that is electrically connected to the third semiconductor layer and the fourth semiconductor layer; a trench whose side face is in contact with the third semiconductor layer and the fourth semiconductor layer; a gate electrode that is formed along the side face of the trench by a sidewall of polysilicon; and a polysilicon electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

61.

Semiconductor device and ultrasonic diagnostic apparatus using the same

      
Numéro d'application 13282882
Numéro de brevet 09190992
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-10-27
Date de la première publication 2012-05-03
Date d'octroi 2015-11-17
Propriétaire Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hara, Kenji
  • Sakano, Junichi

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device of a bi-directional analog switch having a high linearity and a low electric power loss. An ultrasonic diagnostic apparatus having a high degree of detection accuracy, comprising the semiconductor device, is also provided. A semiconductor device of a bi-directional analog switch, comprising a switch circuit capable of switching ON or OFF bi-directionally, and built-in driving circuits for the switch circuit, wherein the driving circuit is connected to first and second power supplies, and a first power supply voltage is higher than a maximum voltage of a signal applied to an input/output terminal of the switch circuit, a second power supply voltage is lower than a minimum voltage of a signal applied to an input/output terminal of the switch circuit, and the driving circuit comprises a Zener diode and a p-type MOSFET connected in series between the first power supply and the switch circuit.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
  • H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
  • H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible

62.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 13082385
Numéro de brevet 08816355
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-04-07
Date de la première publication 2011-10-13
Date d'octroi 2014-08-26
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s) Onose, Hidekatsu

Abrégé

+ regions.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/73 - Transistors bipolaires à jonction
  • H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique

63.

Semiconductor device and automotive ac generator

      
Numéro d'application 13117544
Numéro de brevet 08421232
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-05-27
Date de la première publication 2011-09-15
Date d'octroi 2013-04-16
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikeda, Osamu
  • Nakamura, Masato
  • Matsuyoshi, Satoshi
  • Sasaki, Koji
  • Hiramitsu, Shinji

Abrégé

5 content greater than a eutectic content.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre

64.

Semiconductor power module, inverter/converter including the same, and method of manufacturing a cooling jacket for semiconductor power module

      
Numéro d'application 13013987
Numéro de brevet 08564953
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-01-26
Date de la première publication 2011-08-04
Date d'octroi 2013-10-22
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Horiuchi, Keisuke
  • Hiyoshi, Michiaki
  • Sasaki, Koji

Abrégé

In order to achieve reduction in loss, a semiconductor power module comprises DC terminals to be connected to a condenser module and the semiconductor power module is used in combination with a cooling jacket for cooling, and the DC terminals protrude toward the condenser module beyond the cooling jacket.

Classes IPC  ?

  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage

65.

Semiconductor device and power conversion apparatus using the same

      
Numéro d'application 12958894
Numéro de brevet 08546847
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-12-02
Date de la première publication 2011-06-09
Date d'octroi 2013-10-01
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe, So
  • Mori, Mutsuhiro
  • Arai, Taiga

Abrégé

A semiconductor device provides a gate electrode formed on a lateral face of a wide trench, and thereby the gate electrode is covered by a gate insulating layer and a thick insulating layer to be an inter layer. Therefore, a parasitic capacitance of the gate becomes small, and there is no potential variation of the gate since there is no floating p-layer so that a controllability of the dv/dt can be improved. In addition, the conductive layer between the gate electrodes can relax the electric field applied to the corner of the gate electrode. In consequence, compatibility of low loss and low noise and high reliability can be achieved.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

66.

Apparatus and method for driving synchronous motor

      
Numéro d'application 12897880
Numéro de brevet 08035330
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-10-05
Date de la première publication 2011-01-27
Date d'octroi 2011-10-11
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Maeda, Daisuke
  • Endo, Tsunehiro
  • Shirahama, Hidefumi
  • Sakurai, Kenji
  • Hasegawa, Hiroyuki
  • Mishima, Mitsuhiro

Abrégé

The synchronous motor driving apparatus including position sensors provided in the synchronous motor, a current polarity detection circuit for detecting the polarities of the currents in the respective phase windings of the synchronous motor, an inverter driving the synchronous motor, a motor speed calculation unit calculating the rotational speed of the synchronous motor depending on the output signals from the position sensors, a speed control unit outputting a first voltage adjusting component (q-axis current command value Iq*) to cause the rotational speed of the synchronous motor to approach a speed command value and a phase control unit outputting a second voltage adjusting component (d-axis current command value Id*) to cause the phase differences between the phases of the position sensor signals and of the currents in the respective phase windings of the synchronous motor to become a predetermined value.

Classes IPC  ?

  • H02P 27/04 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs

67.

Control unit and control method for permanent magnet synchronous motor

      
Numéro d'application 12827736
Numéro de brevet 08436563
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-06-30
Date de la première publication 2011-01-13
Date d'octroi 2013-05-07
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sumita, Satoshi
  • Tobari, Kazuaki
  • Aoyagi, Shigehisa
  • Maeda, Daisuke

Abrégé

If magnitude relations between the output terminal voltage based on a DC negative terminal of the inverter and a threshold voltage that is a fixed value are compared, polarity thereof is changed at a predetermined rotor phase. The magnitude relation, for example, is detected by an inexpensive and simple apparatus such as a level shift circuit and a NOT circuit. The rotor phase of the permanent magnet synchronous motor is inferred on the basis of changes in the magnitude relation and if it is differentiated, a rotation speed is inferred. If the inferred values of the rotor phase and rotation speed are fed back to synchronous operation or vector control, the free-running permanent magnet synchronous motor is restarted.

Classes IPC  ?

  • H02P 6/00 - Dispositions pour commander les moteurs synchrones ou les autres moteurs dynamo-électriques utilisant des commutateurs électroniques en fonction de la position du rotor; Commutateurs électroniques à cet effet
  • H02K 29/06 - Moteurs ou génératrices à dispositifs de commutation non mécaniques, p.ex. tubes à décharge ou dispositifs à semi-conducteurs avec des dispositifs détecteurs de la position

68.

Semiconductor power module

      
Numéro d'application 12843934
Numéro de brevet 08125090
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-07-27
Date de la première publication 2010-11-18
Date d'octroi 2012-02-28
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Soga, Tasao
  • Kawase, Daisuke
  • Suzuki, Kazuhiro
  • Morisaki, Eiichi
  • Saito, Katsuaki
  • Shimokawa, Hanae

Abrégé

Use of Pb-free solder has become essential due to the environmental problem. A power module is formed by soldering substrates with large areas. It is known that in Sn-3Ag-0.5Cu which hardly creeps and deforms with respect to large deformation followed by warpage of the substrate, life is significantly shortened with respect to the temperature cycle test, and the conventional module structure is in the situation having difficulty in securing high reliability. Thus, the present invention has an object to select compositions from which increase in life can be expected at a low strain rate. In Sn solder, by doping In by 3 to 7% and Ag by 2 to 4.5%, the effect of delaying crack development at a low strain rate is found out, and as a representative composition stable at a high temperature, Sn-3Ag-0.5Cu-5In is selected. Further, for enhancement of reliability, a method for partially coating a solder end portion with a resin is shown.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
  • H01L 29/40 - Electrodes

69.

Semiconductor power module, inverter, and method of manufacturing a power module

      
Numéro d'application 12707207
Numéro de brevet 08472188
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-02-17
Date de la première publication 2010-08-19
Date d'octroi 2013-06-25
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Horiuchi, Keisuke
  • Nishihara, Atsuo
  • Hozoji, Hiroshi
  • Hiyoshi, Michiaki
  • Yokozuka, Takehide

Abrégé

A semiconductor power module includes an insulated substrate with a plurality of power semiconductor devices mounted thereon and a heat sink for radiating heat generated from the plurality of power semiconductor devices, wherein the heat sink is integrally molded with a plurality of radiation fins on one surface of a planate base by forging work such that a metallic material filled into a female die of a predetermined shape is pressed by a male die of a predetermined shape, and the insulated substrate is bonded by metallic bonding to another surface of the base of the heat sink opposite the one surface of the base of the heat sink on which the radiation fins are formed.

Classes IPC  ?

  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
  • F28F 7/00 - Eléments non couverts par les groupes , ou

70.

Power semiconductor module and fabrication method thereof

      
Numéro d'application 12732238
Numéro de brevet 08304889
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-03-26
Date de la première publication 2010-07-15
Date d'octroi 2012-11-06
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Oyama, Kazuhiro
  • Mori, Mutsuhiro
  • Saito, Katsuaki
  • Koike, Yoshihiko

Abrégé

An elastic printed board is provided so that stress applied by the silicon gel is absorbed by the printed board. Further, the printed board is formed to be so narrow that the stress can escape. On the other hand, the wires on which a high voltage is applied are patterned on respective printed boards. This serves to prevent discharge through the surface of the same printed board serving as a current passage. This design makes it possible to hermetically close the power module, prevent intrusion of moisture or contamination as well as displacement, transformation and cracks of the cover plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

71.

Semiconductor device and power converter using the same

      
Numéro d'application 12537548
Numéro de brevet 08120098
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2009-08-07
Date de la première publication 2010-02-18
Date d'octroi 2012-02-21
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Arai, Taiga
  • Mori, Mutsuhiro

Abrégé

− layer 110 to be spaced from the trench gates.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

72.

Synchronous motor and control method of synchronous motor

      
Numéro d'application 12420154
Numéro de brevet 08421395
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2009-04-08
Date de la première publication 2009-10-15
Date d'octroi 2013-04-16
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Maeda, Daisuke
  • Sakurai, Kenji
  • Hasegawa, Hiroyuki
  • Shirahama, Hidefumi
  • Mishima, Mitsuhiro

Abrégé

A synchronous motor including therein a three-phase inverter and position sensors, having a unit for calculating a digital input current value from the analog output of an input current detection circuit that detects the input current flowing into the DC input terminal of the three-phase inverter, and a digital feedback speed control unit for adjusting the amplitudes and frequency of the AC voltages outputted from the three-phase inverter in such a manner that the motor speed calculated by a motor speed calculation unit 41 on the basis of the outputs of the position sensors approaches a speed command value received by a communication reception unit from outside the synchronous motor. The synchronous motor further includes therein a communication transmission unit for transmitting the input current value and the motor speed to outside the synchronous motor.

Classes IPC  ?

  • H02P 3/18 - Dispositions pour l'arrêt ou le ralentissement de moteurs, génératrices électriques ou de convertisseurs dynamo-électriques pour arrêter ou ralentir individuellement un moteur dynamo-électrique ou un convertisseur dynamo-électrique pour arrêter ou ralentir un moteur à courant alternatif

73.

Manufacturing method of semiconductor device

      
Numéro d'application 12268538
Numéro de brevet 08445352
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-11-11
Date de la première publication 2009-08-20
Date d'octroi 2013-05-21
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yokoyama, Natsuki
  • Someya, Tomoyuki

Abrégé

A problem in the conventional technique is that metal contamination on a silicon carbide surface is not sufficiently removed in a manufacturing method of a semiconductor device using a monocrystalline silicon carbide substrate. Accordingly, there is a high possibility that the initial characteristics of a manufactured silicon carbide semiconductor device are deteriorated and the yield rate is decreased. Further, it is conceivable that the metal contamination has an adverse affect even on the long-term reliability of a semiconductor device. In a manufacturing method of a semiconductor device using a monocrystalline silicon carbide substrate, there is applied a metal contamination removal process, on a silicon carbide surface, including a step of oxidizing the silicon carbide surface and a step of removing a film primarily including silicon dioxide formed on the silicon carbide surface by the step.

Classes IPC  ?

74.

Semiconductor device and automotive AC generator

      
Numéro d'application 12232676
Numéro de brevet 07964492
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-09-22
Date de la première publication 2009-06-25
Date d'octroi 2011-06-21
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikeda, Osamu
  • Nakamura, Masato
  • Matsuyoshi, Satoshi
  • Sasaki, Koji
  • Hiramitsu, Shinji

Abrégé

5 content greater than a eutectic content.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes

75.

Motor control apparatus and motor system

      
Numéro d'application 12255693
Numéro de brevet 08115436
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-10-22
Date de la première publication 2009-04-30
Date d'octroi 2012-02-14
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakamoto, Kiyoshi
  • Sugino, Tomohiro

Abrégé

In a motor control apparatus, apparatus all switching devices of all phases of an inverter are kept fixed at OFF in accordance with a value of an all-OFF control pulse signal Poff outputted by a pulse generator. The pulse generator generates at least twice a pulse causing an induced voltage detection signal Pdet to change to an H level. A terminal voltage of a motor is inputted in accordance with the value of the induced voltage detection signal Pdet. Data of the sampling round in which amplitude of the induced voltage signal is great and the signal is not in saturation is selected from the data so inputted and a rotor position is estimated.

Classes IPC  ?

  • H02P 6/00 - Dispositions pour commander les moteurs synchrones ou les autres moteurs dynamo-électriques utilisant des commutateurs électroniques en fonction de la position du rotor; Commutateurs électroniques à cet effet

76.

Semiconductor device and electrical circuit device using thereof

      
Numéro d'application 12179549
Numéro de brevet 07768066
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-07-24
Date de la première publication 2009-02-05
Date d'octroi 2010-08-03
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Onose, Hidekatsu
  • Takazawa, Hiroyuki

Abrégé

− type drift layer and lower than that of the P type body layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS

77.

Power semiconductor module

      
Numéro d'application 12105553
Numéro de brevet 07928587
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-04-18
Date de la première publication 2008-10-23
Date d'octroi 2011-04-19
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tamba, Akihiro
  • Suzuki, Kazuhiro
  • Sasaki, Koji
  • Hiramitsu, Shinji
  • Inoue, Hirokazu

Abrégé

A power semiconductor module having a surface of the power semiconductor chip and an external circuit pattern connected by an aluminum wire, and sealed with an epoxy resin, wherein wire diameter of the aluminum wire is 0.4±0.05 mmφ, and coefficient of linear expansion of the epoxy resin in a rated temperature range of a module is from 15 to 20 ppm/K.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
  • H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau

78.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, composite metal body and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 12019789
Numéro de brevet 08008772
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-01-25
Date de la première publication 2008-10-02
Date d'octroi 2011-08-30
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Morita, Toshiaki
  • Yasuda, Yusuke
  • Ide, Eiichi

Abrégé

A semiconductor device having a structure in which a semiconductor element and a Cu or Ni electrode are connected by way of a bonding layer comprising Cu, and the Cu bonding layer and the Cu or Ni electrode are diffusion-bonded to each other. The bonding layer is formed by conducting bonding in a reducing atmosphere by using a bonding material containing particles of Cu oxide with an average particle size of 1 nm to 50 μm and a reducing agent comprising an organic material, thereby providing excellent bonding strength to Ni or Cu electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes

79.

Semiconductor device for driving motor, three-phase motor and motor driving apparatus with the semiconductor device and fan motor

      
Numéro d'application 12024145
Numéro de brevet 07859210
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-02-01
Date de la première publication 2008-09-18
Date d'octroi 2010-12-28
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakurai, Kenji
  • Hasegawa, Hiroyuki
  • Utsumi, Tomoyuki
  • Ohozeki, Shoichi
  • Maeda, Daisuke
  • Mishima, Mitsuhiro

Abrégé

In order to prevent a short circuit of top and bottom arms of a motor driving IC when noise is added to six control signals for controlling six switching elements, there is provided a semiconductor device for driving a motor, being sealed with resin as one package and comprising: six switching elements for driving a three-phase motor; three output terminals for outputting voltages to the three-phase motor; at least one driving circuit for driving the six switching elements; three control signal input terminals; and a function) of generating six control signals for control of the six switching elements based on three control signals inputted through the three control signal input terminals.

Classes IPC  ?

  • H02P 27/04 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs

80.

Apparatus and method for driving synchronous motor

      
Numéro d'application 12019736
Numéro de brevet 07839113
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-01-25
Date de la première publication 2008-08-28
Date d'octroi 2010-11-23
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Maeda, Daisuke
  • Endo, Tsunehiro
  • Shirahama, Hidefumi
  • Sakurai, Kenji
  • Hasegawa, Hiroyuki
  • Mishima, Mitsuhiro

Abrégé

The synchronous motor driving apparatus including position sensors provided in the synchronous motor, a current polarity detection circuit for detecting the polarities of the currents in the respective phase windings of the synchronous motor, an inverter driving the synchronous motor, a motor speed calculation unit calculating the rotational speed of the synchronous motor depending on the output signals from the position sensors, a speed control unit outputting a first voltage adjusting component (q-axis current command value Iq*) to cause the rotational speed of the synchronous motor to approach a speed command value and a phase control unit outputting a second voltage adjusting component (d-axis current command value Id*) to cause the phase differences between the phases of the position sensor signals and of the currents in the respective phase windings of the synchronous motor to become a predetermined value.

Classes IPC  ?

  • H02P 1/46 - Dispositions de démarrage de moteurs électriques ou de convertisseurs dynamo-électriques pour faire démarrer des machines dynamo- électriques ou des convertisseurs dynamo-électriques pour faire démarrer individuellement un moteur synchrone

81.

Vector controller for a permanent magnet motor and inverter module

      
Numéro d'application 11769802
Numéro de brevet 07821223
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2007-06-28
Date de la première publication 2008-02-28
Date d'octroi 2010-10-26
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tobari, Kazuaki
  • Endo, Tsunehiro
  • Sakamoto, Kiyoshi
  • Maeda, Daisuke
  • Aoyagi, Shigehisa

Abrégé

In a system in which current is detected in an inexpensive manner or in a system in which a position detector is omitted, the present invention provides a high-efficiency vector controller for a permanent magnet motor that can minimize current at the same torque even when there is setting error (R−R*) in resistance. Even when a current value commanded for the d-axis is set to zero, a virtual inductance value calculated from a detected q-axis current value is used for output voltage value calculation and phase error estimation calculation; so even if there is setting error (R−R*) in resistance, current can be minimized at the same torque and thereby the present invention can provide a high-efficiency vector controller for a permanent magnet motor.

Classes IPC  ?

  • H02P 27/04 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs

82.

Power semiconductor module and fabrication method thereof

      
Numéro d'application 11762276
Numéro de brevet 08283763
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2007-06-13
Date de la première publication 2007-12-20
Date d'octroi 2012-10-09
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Oyama, Kazuhiro
  • Mori, Mutsuhiro
  • Saito, Katsuaki
  • Koike, Yoshihiko

Abrégé

An elastic printed board is provided so that stress applied by the silicon gel is absorbed by the printed board. Further, the printed board is formed to be so narrow that the stress may be escaped. On the other hand, the wires on which a high voltage is applied are patterned on respective printed boards. This serves to prevent discharge through the surface of the same printed board served as current passage. This design makes it possible to hermetically close the power module, prevent intrusion of moisture or contamination as well as displacement, transformation and crack of the cover plate.

Classes IPC  ?

83.

Semiconductor device for motor driving and motor having the same, motor driving apparatus and air conditioner

      
Numéro d'application 11751747
Numéro de brevet 07710064
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2007-05-22
Date de la première publication 2007-11-29
Date d'octroi 2010-05-04
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakurai, Kenji
  • Hasegawa, Hiroyuki

Abrégé

A motor driving semiconductor device has: six switching elements for driving a three-phase motor; three output terminals for applying output voltages to three terminals of coils of the three-phase motor; drive circuits for driving the six switching elements; and six control signal input terminals for receiving six control signals for on/off control of the six switching elements, wherein the motor driving semiconductor device is formed by sealing at least one semiconductor chip in one package with resin, and further includes a dead time generation function of generating a dead time relative to the six control signals.

Classes IPC  ?

  • H02P 27/04 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs

84.

Semiconductor power module including epoxy resin coating

      
Numéro d'application 11739122
Numéro de brevet 08004075
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2007-04-24
Date de la première publication 2007-10-25
Date d'octroi 2011-08-23
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Soga, Tasao
  • Kawase, Daisuke
  • Suzuki, Kazuhiro
  • Morisaki, Eiichi
  • Saito, Katsuaki
  • Shimokawa, Hanae

Abrégé

Use of Pb-free solder has become essential due to the environmental problem. A power module is formed by soldering substrates with large areas. It is known that in Sn-3Ag-0.5Cu which hardly creeps and deforms with respect to large deformation followed by warpage of the substrate, life is significantly shortened with respect to the temperature cycle test, and the conventional module structure is in the situation having difficulty in securing high reliability. Thus, the present invention has an object to select compositions from which increase in life can be expected at a low strain rate. In Sn solder, by doping In by 3 to 7% and Ag by 2 to 4.5%, the effect of delaying crack development at a low strain rate is found out, and as a representative composition stable at a high temperature, Sn-3Ag-0.5Cu-5In is selected. Further, for enhancement of reliability, a method for partially coating a solder end portion with a resin is shown.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/22 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet liquide à la température normale de fonctionnement du dispositif
  • H01L 23/24 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif

85.

Dielectric material separated-type, high breakdown voltage semiconductor circuit device, and production method thereof

      
Numéro d'application 11684032
Numéro de brevet 07982266
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2007-03-09
Date de la première publication 2007-09-13
Date d'octroi 2011-07-19
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe, Atsuo
  • Honda, Mitsutoshi
  • Ishitsuka, Norio
  • Ito, Masahiro
  • Tabata, Toshihito
  • Kurita, Shinichi
  • Kamioka, Hidekazu

Abrégé

A dielectrically isolated semiconductor device of high reliability is provided by realizing a fine and deep element isolating region which can prevent dislocation of an oxide film as an insulation layer by oxidation-induced stress. The dielectrically isolated semiconductor device includes an SOI substrate supporting an active element layer deeper than an expanded distance of a depletion layer subjected to the highest voltage applied to the device, and an element isolating region which encloses the active element layer. The element isolating region contains a deep trench which comes into contact with the insulation layer, and which is filled with n heavily doped layers on both side walls, second insulation films each adjacent to the n heavily doped layer and a polycrystalline semiconductor layer formed between the second insulation films.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

86.

System and method for driving synchronous motor

      
Numéro d'application 11505320
Numéro de brevet 07342378
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2006-08-17
Date de la première publication 2007-05-31
Date d'octroi 2008-03-11
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakamoto, Kiyoshi
  • Endo, Tsunehiro
  • Shirahama, Hidefumi
  • Ajima, Yoshiaki

Abrégé

A driving apparatus of a synchronous motor fixes all the switching devices of an inverter at OFF in accordance with a value of an all-OFF control pulse signal outputted by a pulse generator. A motor current keeps flowing through free wheel diodes for a predetermined period even after all the switching devices shift to the OFF state. Therefore, pulse generator changes an induced voltage detection signal to an H (high) level after the passage of the time in which a motor current drops down to zero. A terminal voltage of the motor is taken in to acquire an induced voltage and a rotor position is estimated.

Classes IPC  ?

  • H02P 1/46 - Dispositions de démarrage de moteurs électriques ou de convertisseurs dynamo-électriques pour faire démarrer des machines dynamo- électriques ou des convertisseurs dynamo-électriques pour faire démarrer individuellement un moteur synchrone

87.

Motor controller, washing machine, air conditioner and electric oil pump

      
Numéro d'application 11494601
Numéro de brevet 07619385
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2006-07-28
Date de la première publication 2007-02-01
Date d'octroi 2009-11-17
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Takahiro
  • Endo, Tsunehiro
  • Tobari, Kazuaki
  • Kaneko, Daigo
  • Maeda, Daisuke
  • Yamazaki, Akira

Abrégé

A motor controller capable of suppressing a large speed change generated at the time of changeover from a synchronous operation mode to a position feedback operation mode and implementing even acceleration characteristics regardless of the load torque by estimating a torque of a permanent magnet motor in the synchronous operation mode for driving the permanent magnet motor and setting an initial value of a current command value in a position sensor-less operation mode on the basis of information of the torque estimated value.

Classes IPC  ?

  • H02P 6/08 - Dispositions pour commander la vitesse ou le couple d'un seul moteur

88.

Control system for permanent magnet synchronous motor and module

      
Numéro d'application 11205907
Numéro de brevet 07388341
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2005-08-17
Date de la première publication 2006-03-16
Date d'octroi 2008-06-17
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tobari, Kazuaki
  • Sakamoto, Kiyoshi
  • Endo, Tsunehiro
  • Iwaji, Yoshitaka
  • Kawabata, Yukio
  • Aoyagi, Shigehisa

Abrégé

A vector control system for a permanent magnet synchronous motor, using a current control equivalent output value, a frequency instruction value, a current detection value, an inference phase error value, and a motor constant, identifies a motor resistance equivalent or a resistance setting error equivalent. Next, the vector control unit, using the identified value, corrects a set value R* equivalent of a voltage instruction calculation unit and a n inference phase error calculation unit. Thereby, a vector control system for a permanent magnet synchronous motor can realize a robust control characteristic for changing of a resistance constant of a motor in a low rotation speed area under position sensor-less control. Further, a vector control system for a permanent magnet synchronous motor can be applied in common in a system performing inexpensive current detection.

Classes IPC  ?

  • H02P 6/08 - Dispositions pour commander la vitesse ou le couple d'un seul moteur

89.

Control apparatus, dual chip inverter and single chip inverter of AC motors

      
Numéro d'application 11057615
Numéro de brevet 07224133
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2005-02-15
Date de la première publication 2005-09-15
Date d'octroi 2007-05-29
Propriétaire HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakatsugawa, Junnosuke
  • Tanaka, Tsuyoshi
  • Sakurai, Kenji
  • Endo, Tunehiro

Abrégé

A control apparatus and a semiconductor apparatus of AC motors capable of reducing torque ripple with a comparatively simple circuit corresponding to a high withstand voltage and capable of driving a motor at high efficiency even when the rotational speed or load has changed. The control apparatus detects first phase signals fixed in relative phase to induced voltages of the motor and current polarity signals, recognizes phase differences between them, generates second phase signals so as to make the phase differences approach zero to drive the motor at high efficiency, generates modulation wave signals having quasi-sinusoidal waveforms or trapezoidal waveforms on the basis of the second phase signals, compares the modulation wave signals with a carrier wave signal, and conducts PWM control on an inverter.

Classes IPC  ?

  • H02P 6/10 - Dispositions pour commander l'ondulation du couple, p.ex. en assurant une ondulation réduite du couple