Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.

Japon

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Type PI
        Brevet 10 882
        Marque 32
Juridiction
        États-Unis 7 916
        International 2 996
        Europe 2
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 96
2024 mars (MACJ) 80
2024 février 75
2024 janvier 63
2023 décembre 78
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Classe IPC
H01L 29/786 - Transistors à couche mince 3 981
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant 2 389
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) 1 557
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques 1 330
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs 1 103
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Classe NICE
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 31
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception 21
40 - Traitement de matériaux; recyclage, purification de l'air et traitement de l'eau 8
45 - Services juridiques; services de sécurité; services personnels pour individus 3
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture 2
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Statut
En Instance 1 224
Enregistré / En vigueur 9 690
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1.

DISPLAY APPARATUS, FABRICATION METHOD OF THE DISPLAY APPARATUS, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18276604
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-02
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Okazaki, Kenichi
  • Yamane, Yasumasa
  • Hodo, Ryota

Abrégé

Provided is a high-resolution or high-definition display apparatus. The display apparatus includes a first light-emitting element, a second light-emitting element, and a sidewall. The first and second light-emitting elements each include a pixel electrode, a first light-emitting layer over the pixel electrode, an intermediate layer over the first light-emitting layer, a second light-emitting layer over the intermediate layer, and a common electrode over the second light-emitting layer. That is, the first and second light-emitting elements can have tandem structures. The pixel electrode, the first light-emitting layer, the intermediate layer, and the second light-emitting layer are separately provided between the light-emitting elements. The first light-emitting element and the second light-emitting element are adjacent to each other, and the sidewall is provided between the first light-emitting element and the second light-emitting element. The sidewall is provided to cover at least part of a side surface of the pixel electrode.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
  • H10K 71/20 - Modification de la forme de la couche active dans les dispositifs, p. ex. mise en forme
  • H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes

2.

METHOD FOR SUPPORTING DOCUMENT PREPARATION AND SYSTEM FOR SUPPORTING DOCUMENT PREPARATION

      
Numéro d'application 18470752
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-20
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Momo, Junpei
  • Nakashima, Motoki
  • Takase, Natsuko

Abrégé

To support preparation of a document with consistency. First document data and second document data are received, the first document data is divided into a plurality of first blocks, the second document data is divided into a plurality of second blocks, a plurality of first combinations each including corresponding first and second blocks are determined, and of the plurality of first combinations, one or more second combinations with a difference between the corresponding first and second blocks are shown, any one of the plurality of first blocks included in the second combinations is received as a first designated block, the second block corresponding to the first designated block is received as a second designated block, and of the first combinations, a third combination in which presence or absence of establishment of textual entailment between the first designated block and the first block is different from presence or absence of establishment of textual entailment between the second designated block and the second block is shown.

Classes IPC  ?

3.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18524033
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Suzawa, Hideomi

Abrégé

A transistor that is to be provided has such a structure that a source electrode layer and a drain electrode layer between which a channel formation region is sandwiched has regions projecting in a channel length direction at lower end portions, and an insulating layer is provided, in addition to a gate insulating layer, between the source and drain electrode layers and a gate electrode layer. In the transistor, the width of the source and drain electrode layers is smaller than that of an oxide semiconductor layer in the channel width direction, so that an area where the gate electrode layer overlaps with the source and drain electrode layers can be made small. Further, the source and drain electrode layers have regions projecting in the channel length direction at lower end portions.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes

4.

DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18524077
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A display panel for displaying an image is provided with a plurality of pixels arranged in a matrix. Each pixel includes one or more units each including a purality of subunits. Each subunit includes a transistor in which an oxide semiconductor layer which is provided so as to overlap a gate electrode with a gate insulating layer interposed therebetween, a pixel electrode which drives liquid crystal connected to a source or a drain of the transistor, a counter electrode which is provided so as to face the pixel electrode, and a liquid crystal layer provided between the pixel electrode and the counter electrode. In the display panel, a transistor whose off current is lower than 10zA/μm at room termperature per micrometer of the channel width and off current of the transistor at 85° C. can be lower than 100zA/μm per micrometer in the channel width.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

5.

METHOD FOR FORMING CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18519200
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-27
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tanaka, Tetsuhiro
  • Okazaki, Yutaka

Abrégé

A miniaturized transistor is provided. A transistor with low parasitic capacitance is provided. A transistor having high frequency characteristics is provided. A transistor having a large amount of on-state current is provided. A semiconductor device including the transistor is provided. A semiconductor device with high integration is provided. A novel capacitor is provided. The capacitor includes a first conductor, a second conductor, and an insulator. The first conductor includes a region overlapping with the second conductor with the insulator provided therebetween. The first conductor includes tungsten and silicon. The insulator includes a silicon oxide film that is formed by oxidizing the first conductor.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01G 4/008 - Emploi de matériaux spécifiés
  • H01G 4/10 - Diélectriques à base d'oxydes métalliques
  • H01G 4/40 - Combinaisons structurales de condensateurs fixes avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, la structure étant principalement constituée par un condensateur, p.ex. combinaisons RC
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
  • H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés

6.

TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18519471
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-27
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Sasaki, Toshinari
  • Sakata, Junichiro
  • Tsubuku, Masashi

Abrégé

It is an object to manufacture a highly reliable display device using a thin film transistor having favorable electric characteristics and high reliability as a switching element. In a bottom gate thin film transistor including an amorphous oxide semiconductor, an oxide conductive layer having a crystal region is formed between an oxide semiconductor layer which has been dehydrated or dehydrogenated by heat treatment and each of a source electrode layer and a drain electrode layer which are formed using a metal material. Accordingly, contact resistance between the oxide semiconductor layer and each of the source electrode layer and the drain electrode layer can be reduced; thus, a thin film transistor having favorable electric characteristics and a highly reliable display device using the thin film transistor can be provided.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

7.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18531767
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-07
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Koezuka, Junichi
  • Nakazawa, Yasutaka
  • Shima, Yukinori
  • Jintyou, Masami
  • Sakakura, Masayuki
  • Nakashima, Motoki

Abrégé

The stability of a step of processing a wiring formed using copper, aluminum, gold, silver, molybdenum, or the like is increased. Moreover, the concentration of impurities in a semiconductor film is reduced. Moreover, the electrical characteristics of a semiconductor device are improved. In a transistor including an oxide semiconductor film, an oxide film in contact with the oxide semiconductor film, and a pair of conductive films being in contact with the oxide film and including copper, aluminum, gold, silver, molybdenum, or the like, the oxide film has a plurality of crystal parts and has c-axis alignment in the crystal parts, and the c-axes are aligned in a direction parallel to a normal vector of a top surface of the oxide semiconductor film or the oxide film.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

8.

Display Device And Method For Manufacturing Display Device

      
Numéro d'application 18534949
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-11
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Hirakata, Yoshiharu
  • Yoshizumi, Kensuke

Abrégé

The thickness of a display device including a touch sensor is reduced. Alternatively, the thickness of a display device having high display quality is reduced. Alternatively, a method for manufacturing a display device with high mass productivity is provided. Alternatively, a display device having high reliability is provided. Stacked substrates in each of which a sufficiently thin substrate and a relatively thick support substrate are stacked are used as substrates. One surface of the thin substrate of one of the stacked substrates is provided with a layer including a touch sensor, and one surface of the thin substrate of the other stacked substrate is provided with a layer including a display element. After the two stacked substrates are attached to each other so that the touch sensor and the display element face each other, the support substrate and the thin substrate of each stacked substrate are separated from each other.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/40 - OLED intégrées avec écrans tactiles
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
  • G06F 3/044 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
  • H01L 21/82 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H10K 50/842 - Conteneurs
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
  • H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
  • H10K 59/60 - OLED intégrées avec des éléments inorganiques sensibles à la lumière, p. ex. avec des cellules solaires inorganiques ou des photodiodes inorganiques
  • H10K 71/80 - Utilisation de substrats temporaires

9.

DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18534908
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-11
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikeda, Hisao
  • Toyotaka, Kouhei
  • Shishido, Hideaki
  • Miyake, Hiroyuki
  • Yokoyama, Kohei
  • Jinbo, Yasuhiro
  • Dozen, Yoshitaka
  • Nagata, Takaaki
  • Hirasa, Shinichi

Abrégé

Provided is a display device with extremely high resolution, a display device with higher display quality, a display device with improved viewing angle characteristics, or a flexible display device. Same-color subpixels are arranged in a zigzag pattern in a predetermined direction. In other words, when attention is paid to a subpixel, another two subpixels exhibiting the same color as the subpixel are preferably located upper right and lower right or upper left and lower left. Each pixel includes three subpixels arranged in an L shape. In addition, two pixels are combined so that pixel units including subpixel are arranged in matrix of 3×2.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
  • G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]

10.

MIXED MATERIAL

      
Numéro d'application 18528235
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-04
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshiyasu, Yui
  • Hashimoto, Naoaki
  • Takahashi, Tatsuyoshi
  • Kawakami, Sachiko
  • Seo, Satoshi

Abrégé

A novel mixed material with improved resistance is provided. The mixed material includes a first heteroaromatic compound and a second heteroaromatic compound, and the first heteroaromatic compound is represented by any one of General Formulae (G1) to (G6). The second heteroaromatic compound is not represented by the same general formula as that of the first heteroaromatic compound.

Classes IPC  ?

  • H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
  • C07D 403/10 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, comportant des atomes d'azote comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant deux hétérocycles liés par une chaîne carbonée contenant des cycles aromatiques

11.

MANUFACTURING EQUIPMENT FOR LIGHT-EMITTING DEVICE

      
Numéro d'application 18275431
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-28
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Eguchi, Shingo
  • Adachi, Hiroki
  • Okazaki, Kenichi
  • Yamane, Yasumasa
  • Kusumoto, Naoto
  • Yoshizumi, Kensuke
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

Manufacturing equipment for a light-emitting device with which steps from formation to sealing of a light-emitting element can be successively performed is provided. With the manufacturing equipment for a light-emitting device, a deposition step, a lithography step, and an etching step for forming an organic EL element and a sealing step by formation of a protective layer can be successively performed. Accordingly, a downscaled organic EL element with high luminance and high reliability can be formed. Moreover, the manufacturing equipment can have an in-line system where apparatuses are arranged in the order of process steps for the light-emitting device, resulting in high throughput manufacturing.

Classes IPC  ?

  • H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
  • C23C 14/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
  • C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche

12.

DISPLAY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18257629
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-07
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Ikeda, Takayuki
  • Hodo, Ryota
  • Yanagisawa, Yuichi

Abrégé

A display device capable of displaying high-quality images can be provided. A display device includes a first light-emitting element, a second light-emitting element, a first protective layer, a second protective layer, and a gap. The first light-emitting element includes a first lower electrode, a first EL layer over the first lower electrode, a first upper electrode over the first EL layer, and the second light-emitting element includes a second lower electrode, a second EL layer over the second lower electrode, and a second upper electrode over the second EL layer. The first light-emitting element and the second light-emitting element are adjacent to each other. The first protective layer is provided over the first light-emitting element and the second light-emitting element and includes a region in contact with the side surface of the first EL layer and the side surface of the second EL layer. The second protective layer is provided over the first protective layer. The gap is provided between the first EL layer and the second EL layer and is provided between the first protective layer and the second protective layer.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
  • H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel

13.

DISPLAY DEVICE, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18378740
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-11
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Toyotaka, Kouhei
  • Takahashi, Kei
  • Shishido, Hideaki
  • Kusunoki, Koji

Abrégé

A novel display device or the like in which a transistor connected to a scan line has small gate capacitance is provided. A novel display device or the like in which a scan line has low resistance is provided. A novel display device or the like in which pixels can be arranged with high density is provided. A novel display device or the like that can be manufactured without an increase in cost is provided. In a transistor including a first gate electrode and a second gate electrode, the first gate electrode is formed using a metal material with low resistance and the second gate electrode is formed using a metal oxide material that can reduce oxygen vacancies in an oxide semiconductor layer. The first gate electrode is connected to the scan line, and the second gate electrode is connected to a wiring to which a constant potential is supplied.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

14.

FUNCTIONAL PANEL, DISPLAY DEVICE, INPUT/OUTPUT DEVICE, AND DATA PROCESSING DEVICE

      
Numéro d'application 18533282
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-08
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Nakamura, Daiki
  • Hatsumi, Ryo
  • Sato, Rai
  • Eguchi, Shingo
  • Kusunoki, Koji

Abrégé

A novel functional panel that is highly convenient, useful, or reliable is provided. The functional panel includes a base material and a pair of pixels, and the base material covers the pair of pixels and has a light-transmitting property. The pair of pixels includes one pixel and another pixel, and the one pixel includes a light-emitting device and a first microlens. The light-emitting device emits light toward the base material, and the first microlens is interposed between the base material and the light emission and converges light. The first microlens includes a first surface and a second surface; the second surface is closer to the light-emitting device than the first surface is; and the second surface has a smaller radius of curvature than the first surface. The other pixel includes a photoelectric conversion device and a second microlens. The second microlens is interposed between the base material and the photoelectric conversion and converges external light incident from the base material side. The second microlens includes a third surface and a fourth surface; the third surface is closer to the photoelectric conversion device than the fourth surface is; and the fourth surface has a smaller radius of curvature than the third surface.

Classes IPC  ?

  • H10K 50/858 - Dispositifs pour extraire la lumière des dispositifs comprenant des moyens de réfraction, p. ex. des lentilles
  • G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
  • G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
  • G06F 3/0354 - Dispositifs de pointage déplacés ou positionnés par l'utilisateur; Leurs accessoires avec détection des mouvements relatifs en deux dimensions [2D] entre le dispositif de pointage ou une partie agissante dudit dispositif, et un plan ou une surface, p.ex. souris 2D, boules traçantes, crayons ou palets
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
  • G06F 3/042 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens opto-électroniques
  • G06F 3/147 - Sortie numérique vers un dispositif de visualisation utilisant des panneaux de visualisation
  • G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
  • G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
  • H05B 33/02 - Sources lumineuses électroluminescentes - Détails
  • H10K 50/00 - Dispositifs organiques émetteurs de lumière
  • H10K 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
  • H10K 59/60 - OLED intégrées avec des éléments inorganiques sensibles à la lumière, p. ex. avec des cellules solaires inorganiques ou des photodiodes inorganiques

15.

DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application 18529130
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-05
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawashima, Susumu
  • Kusunoki, Koji
  • Watanabe, Kazunori

Abrégé

A display apparatus capable of image capturing with high sensitivity is provided. The display apparatus is configured to include first to third switches, a first transistor, a second transistor, and a light-emitting/receiving element. The first switch is electrically connected to a gate of the first transistor. The second switch is positioned between one of a source and a drain of the first transistor and one electrode of the light-emitting/receiving element. The third switch is positioned between the one electrode of the light-emitting/receiving element and a gate of the second transistor. The other of the source and the drain of the first transistor is supplied with a first potential. The other electrode of the light-emitting/receiving element is supplied with a second potential. The light-emitting/receiving element has a function of emitting light of a first color and a function of receiving light of a second color.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
  • H10K 65/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière et au moins un composant organique sensible aux rayonnements, p. ex. des optocoupleurs organiques

16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18530797
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-06
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Kimura, Hajime
  • Kunitake, Hitoshi

Abrégé

A novel semiconductor device is provided. A component extending in a first direction, and a first conductor and a second conductor extending in a second direction are provided. The component includes a third conductor, a first insulator, a first semiconductor, and a second insulator. In a first intersection portion of the component and the first conductor, the first insulator, the first semiconductor, the second insulator, a second semiconductor, and a third insulator are provided concentrically. In a second intersection portion of the component and the second conductor, the first insulator, the first semiconductor, the second insulator, a fourth conductor, and a fourth insulator are provided concentrically around the third conductor.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 27/10 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
  • H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire

17.

DISPLAY APPARATUS AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18529032
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-05
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawashima, Susumu
  • Kusunoki, Koji
  • Watanabe, Kazunori
  • Kusumoto, Naoto

Abrégé

A display apparatus with low-power consumption is provided. The display apparatus includes an inverter circuit and a pixel having a function of adding data, and the inverter circuit has a function of inverting data supplied from a source driver. The inverter circuit has a function of inverting data supplied from a source driver. The pixel has a function of adding data supplied from the source driver and the inverter circuit. Accordingly, the pixel can generate a voltage several times higher than the output voltage of the source driver and can supply the voltage to a display device. With such a structure, the output voltage of the source driver can be lowered, so that a display apparatus with low power consumption can be achieved.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes

18.

METHOD FOR DRIVING DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18528177
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-04
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kimura, Hajime

Abrégé

A low-resolution image is displayed at higher resolution and afterimages are reduced. Resolution is made higher by super-resolution processing. In this case, the super-resolution processing is performed after frame interpolation processing is performed. Further, in that case, the super-resolution processing is performed using a plurality of processing systems. Therefore, even when frame frequency is made higher, the super-resolution processing can be performed at high speed. Further, since frame rate doubling is performed by the frame interpolation processing, afterimages can be reduced.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
  • G06T 1/00 - Traitement de données d'image, d'application générale
  • G06T 3/40 - Changement d'échelle d'une image entière ou d'une partie d'image
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation

19.

Axial Growth CAAC

      
Numéro d'application 1780976
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2023-12-26
Date d'enregistrement 2023-12-26
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY Co., Ltd. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
  • 42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception

Produits et services

Solar batteries; batteries; storage batteries; lithium ion secondary batteries; telecommunication machines and apparatus; electronic communication apparatus and parts thereof; electronic control apparatus and parts thereof; semiconductor elements; electronic circuits; liquid crystal displays; liquid crystal display panels; displays using organic electroluminescence (EL) elements; memory chips; memory modules; semiconductor memories; flash memory cards; semiconductor integrated circuits including CPUs; semiconductor chips for image processing; programmable semiconductor chips; semiconductor elements for image sensors; digital cameras and accessories or parts thereof; digital video cameras and accessories thereof; CMOS cameras; CCD cameras; touch panels; measuring machines, apparatus and accessories or parts thereof; photographic machines, apparatus and accessories thereof; cinematographic machines and apparatus; electrodes for electronic components or semiconductor elements; electrodes for lithium ion secondary batteries; electrodes and parts thereof; on-board liquid crystal display devices; on-board visual display units; on-board organic electroluminescence (EL) display devices; mobile phones; smartphones; television apparatus; sound reproduction apparatus; computers and computer peripheral devices; notebook computers; laptop computers; tablet computers; personal computers; microcomputers; computer monitors; touch panels for computers; electronic communication apparatus equipped with semiconductor power elements; electronic control apparatus equipped with semiconductor power elements; electronic tags; integrated circuit cards (smart cards); card readers for integrated circuit cards or magnetic cards; card writers for integrated circuit cards or magnetic cards; radio transmitters and receivers; digital data memory devices; optical machines and apparatus; video telephones; telecommunication machines and apparatus for video telephone systems; coin counting or coin sorting machines; photo copy machines; electronic calculators; electronic desk calculators; voting machines; flat panel display screens; head mounted displays; random access memory (RAM) cards; memory card readers and memory card writers; computer memory devices; data memory devices; semiconductor memory devices; storage mediums with recorded computer programs; computer storage mediums; electronic circuits (not including those recorded with computer programs); graphic boards; computer keyboards; motherboards; electronic circuit boards; computer hardware; computer hard disks; solid state drives; liquid crystal displays with a touch sensor function; organic EL displays with a touch sensor function; navigation devices; display devices for car navigation systems; personal digital assistants in the shape of a watch; mobile computers in the shape of a watch; smartphones in the shape of a watch; electronic publications; portable terminals for displaying electronic publications; electronic control systems for automobiles; measuring machines and apparatus for detecting information relating to automobiles; applications for computer software (commercially available and downloadable via telecommunications lines); computer software (recorded); magnetic cards with recorded computer programs; computer programs (recorded); computer programs (commercially available and downloadable via telecommunications lines); computer software for cloud computing; downloadable software for cloud computing. Technical research; testing, research and development in the field of chemistry; testing, research and development relating to science; testing, research and development relating to machines and apparatus; testing, research and development of metal materials; testing, research and development in the fields of material science and electrical engineering; testing, research and development relating to electricity; testing, research and development relating to telecommunication machines and apparatus; testing, research and development relating to electronic circuits, semiconductor power elements, integrated circuits and large-scale integrated circuits; testing, research and development relating to semiconductors; testing, research and development relating to metal oxides, semiconductors, electronic appliances and telecommunication machines and apparatus; providing technical research information relating to manufacture and processing of metal oxides, semiconductors, electronic appliances and telecommunication machines and apparatus; testing, investigation or research relating to science; scientific analysis; providing information on testing, investigation or research relating to science; industrial development; providing information relating to technical research; providing information and data relating to scientific and technical research and development; providing scientific and technical information; technical consultancy relating to product development; design of electronic circuits, semiconductor elements, integrated circuits and large-scale integrated circuits; providing consultancy or information relating to design of electronic circuits, semiconductor elements, integrated circuits and large-scale integrated circuits; design, coding or maintenance of computer programs; providing non-downloadable computer programs on data networks; maintenance of computer software; design of computer software; consultancy relating to design, coding or maintenance of computer software; technological consultancy and advisory services, namely providing introduction and explanation relating to performance, operation methods of electronic calculators, automobiles or devices for which highly specialized knowledge, technique or experience is needed in accurate operation according to purposes; leasing computer software; installing computer programs; software as a service [SaaS] featuring providing application software by online; updating computer software; providing non-downloadable computer software for cloud computing; design, coding or maintenance of operating software for accessing and using cloud computing network; leasing operating software for accessing and using cloud computing network; design and development of operating software for accessing and using cloud computing network.

20.

AG CAAC

      
Numéro d'application 1780980
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2023-12-26
Date d'enregistrement 2023-12-26
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY Co., Ltd. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
  • 42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception

Produits et services

Solar batteries; batteries; storage batteries; lithium ion secondary batteries; telecommunication machines and apparatus; electronic communication apparatus and parts thereof; electronic control apparatus and parts thereof; semiconductor elements; electronic circuits; liquid crystal displays; liquid crystal display panels; displays using organic electroluminescence (EL) elements; memory chips; memory modules; semiconductor memories; flash memory cards; semiconductor integrated circuits including CPUs; semiconductor chips for image processing; programmable semiconductor chips; semiconductor elements for image sensors; digital cameras and accessories or parts thereof; digital video cameras and accessories thereof; CMOS cameras; CCD cameras; touch panels; measuring machines, apparatus and accessories or parts thereof; photographic machines, apparatus and accessories thereof; cinematographic machines and apparatus; electrodes for electronic components or semiconductor elements; electrodes for lithium ion secondary batteries; electrodes and parts thereof; on-board liquid crystal display devices; on-board visual display units; on-board organic electroluminescence (EL) display devices; mobile phones; smartphones; television apparatus; sound reproduction apparatus; computers and computer peripheral devices; notebook computers; laptop computers; tablet computers; personal computers; microcomputers; computer monitors; touch panels for computers; electronic communication apparatus equipped with semiconductor power elements; electronic control apparatus equipped with semiconductor power elements; electronic tags; integrated circuit cards (smart cards); card readers for integrated circuit cards or magnetic cards; card writers for integrated circuit cards or magnetic cards; radio transmitters and receivers; digital data memory devices; optical machines and apparatus; video telephones; telecommunication machines and apparatus for video telephone systems; coin counting or coin sorting machines; photo copy machines; electronic calculators; electronic desk calculators; voting machines; flat panel display screens; head mounted displays; random access memory (RAM) cards; memory card readers and memory card writers; computer memory devices; data memory devices; semiconductor memory devices; storage mediums with recorded computer programs; computer storage mediums; electronic circuits (not including those recorded with computer programs); graphic boards; computer keyboards; motherboards; electronic circuit boards; computer hardware; computer hard disks; solid state drives; liquid crystal displays with a touch sensor function; organic EL displays with a touch sensor function; navigation devices; display devices for car navigation systems; personal digital assistants in the shape of a watch; mobile computers in the shape of a watch; smartphones in the shape of a watch; electronic publications; portable terminals for displaying electronic publications; electronic control systems for automobiles; measuring machines and apparatus for detecting information relating to automobiles; applications for computer software (commercially available and downloadable via telecommunications lines); computer software (recorded); magnetic cards with recorded computer programs; computer programs (recorded); computer programs (commercially available and downloadable via telecommunications lines); computer software for cloud computing; downloadable software for cloud computing. Technical research; testing, research and development in the field of chemistry; testing, research and development relating to science; testing, research and development relating to machines and apparatus; testing, research and development of metal materials; testing, research and development in the fields of material science and electrical engineering; testing, research and development relating to electricity; testing, research and development relating to telecommunication machines and apparatus; testing, research and development relating to electronic circuits, semiconductor power elements, integrated circuits and large-scale integrated circuits; testing, research and development relating to semiconductors; testing, research and development relating to metal oxides, semiconductors, electronic appliances and telecommunication machines and apparatus; providing technical research information relating to manufacture and processing of metal oxides, semiconductors, electronic appliances and telecommunication machines and apparatus; testing, investigation or research relating to science; scientific analysis; providing information on testing, investigation or research relating to science; industrial development; providing information relating to technical research; providing information and data relating to scientific and technical research and development; providing scientific and technical information; technical consultancy relating to product development; design of electronic circuits, semiconductor elements, integrated circuits and large-scale integrated circuits; providing consultancy or information relating to design of electronic circuits, semiconductor elements, integrated circuits and large-scale integrated circuits; design, coding or maintenance of computer programs; providing non-downloadable computer programs on data networks; maintenance of computer software; design of computer software; consultancy relating to design, coding or maintenance of computer software; technological consultancy and advisory services, namely providing introduction and explanation relating to performance, operation methods of electronic calculators, automobiles or devices for which highly specialized knowledge, technique or experience is needed in accurate operation according to purposes; leasing computer software; installing computer programs; software as a service [SaaS] featuring providing application software by online; updating computer software; providing non-downloadable computer software for cloud computing; design, coding or maintenance of operating software for accessing and using cloud computing network; leasing operating software for accessing and using cloud computing network; design and development of operating software for accessing and using cloud computing network.

21.

Display Device, Manufacturing Method Thereof, and Vehicle

      
Numéro d'application 18038271
Statut En instance
Date de dépôt 2021-11-24
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Eguchi, Shingo
  • Kuwabara, Hideaki

Abrégé

One embodiment of the present invention provides a display device from which a driver or a fellow passenger in a mobile body such as a vehicle can easily obtain desired information. One embodiment of the present invention is a display device including a display panel. The display panel is placed inside a mobile body including window glass. A film including a light-blocking layer is provided between the window glass and the display panel of the mobile body. By providing a driving unit controlling the display panel, the positional relationship between the window glass and the display panel is changed. Alternatively, by providing a driving unit controlling the film including the light-blocking layer, the positional relationship between the window glass and the film including the light-blocking layer is changed.

Classes IPC  ?

  • G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
  • G09F 21/00 - Publicité visuelle mobile
  • H10K 59/126 - Blindage, p. ex. moyens de blocage de la lumière sur les TFT

22.

LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHT-EMITTING APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE

      
Numéro d'application 18039593
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-15
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohsawa, Nobuharu
  • Seo, Satoshi

Abrégé

A novel light-emitting device that is highly convenient, useful, or reliable is provided. The light-emitting device includes an anode over a cathode with an EL layer sandwiched therebetween. The EL layer includes at least a light-emitting layer and an oxidation-resistant layer over the light-emitting layer. The EL layer has a side surface. The light-emitting device includes a block layer in contact with a top surface and the side surface of the EL layer. The cathode is in contact with the side surface of the EL layer with the block layer therebetween. The block layer includes a heterocyclic compound. In the light-emitting device with the above structure, the oxidation-resistant layer may include any one or a plurality of oxides of metals belonging to Group 4 to Group 8 of the periodic table and an organic compound having an electron-withdrawing group.

Classes IPC  ?

23.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18276078
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-07
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Rai
  • Katayama, Masahiro
  • Goto, Naoto
  • Nakazawa, Yasutaka
  • Okazaki, Kenichi

Abrégé

A high-resolution display device is provided. A display device with both high display quality and high resolution is provided. The display device includes a first display element including a first pixel electrode, a first EL layer, and a common electrode; a second display element including a second pixel electrode, a second EL layer, and the common electrode; a first insulating layer covering an end portion of the first pixel electrode and an end portion of the second pixel electrode; a second insulating layer over the first insulating layer; and a third insulating layer over the second insulating layer. The first EL layer is placed over the first pixel electrode and the third insulating layer. The second EL layer is placed over the second pixel electrode and the third insulating layer.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]

24.

DISPLAY APPARATUS, DISPLAY MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application 18277091
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-16
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikeda, Takayuki
  • Okazaki, Kenichi
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A high-definition or high-resolution display apparatus is provided. The display apparatus includes a first insulating layer, a second insulating layer, a first conductive layer, a second conductive layer, a first light-emitting device, and a second light-emitting device. The top surfaces of the first insulating layer, the first conductive layer, and the second conductive layer are level or substantially level with one another. The first light-emitting device includes a first pixel electrode, a first light-emitting layer, and a common electrode over the first conductive layer. The second light-emitting device includes a second pixel electrode, a second light-emitting layer, and the common electrode over the second conductive layer. The second insulating layer covers a side surface of each of the first pixel electrode, the second pixel electrode, the first light-emitting layer, and the second light-emitting layer.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]

25.

Display Apparatus, Display Module, and Electronic Device

      
Numéro d'application 17768150
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-05
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubota, Daisuke
  • Kamada, Taisuke
  • Hatsumi, Ryo
  • Kusunoki, Koji
  • Watanabe, Kazunori
  • Kawashima, Susumu

Abrégé

A display apparatus having a photoelectric conversion function with high sensitivity is provided. The light extraction efficiency of the display apparatus is increased. The display apparatus includes a light-emitting device, a light-emitting and light-receiving device, a first lens, and a second lens. The light-emitting device has a function of emitting light of a first color. The light-emitting and light-receiving device has a function of emitting light of a second color and a function of receiving light of the first color and converting it into an electric signal. The light emitted by the light-emitting device is emitted to the outside of the display apparatus through the first lens. Light enters the light-emitting and light-receiving device from the outside of the display apparatus through the second lens.

Classes IPC  ?

  • H10K 39/34 - Capteurs d'images organiques intégrés avec des diodes électroluminescentes organiques [OLED]
  • H10K 50/858 - Dispositifs pour extraire la lumière des dispositifs comprenant des moyens de réfraction, p. ex. des lentilles

26.

SEPARATOR, SECONDARY BATTERY, AND A METHOD FOR MANUFACTURING SEPARATOR

      
Numéro d'application 18029779
Statut En instance
Date de dépôt 2021-10-19
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ogita, Kaori
  • Ishitani, Tetsuji
  • Yoshitomi, Shuhei
  • Tanaka, Fumiko
  • Muratsubaki, Shotaro
  • Oguni, Teppei

Abrégé

A secondary battery with little deterioration is provided. A secondary battery with high safety is provided. A separator having excellent characteristics is provided. A separator achieving the secondary battery with high safety is provided. A novel separator is provided. In the separator, a polymer porous film and a layer including a ceramic-based material containing a metal oxide microparticle are stacked, the thickness of the layer including a ceramic-based material is greater than or equal to 1 μm and less than or equal to 100 μm, and the film thickness of the polymer porous film is greater than or equal to 4 μm and less than or equal to 50 μm.

Classes IPC  ?

  • H01M 50/451 - Séparateurs, membranes ou diaphragmes caractérisés par le matériau ayant une structure en couches comprenant des couches de matériau organique uniquement et des couches comprenant un matériau inorganique
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
  • H01M 50/403 - Procédés de fabrication des séparateurs, des membranes ou des diaphragmes
  • H01M 50/434 - Céramiques
  • H01M 50/491 - Porosité

27.

METHOD FOR MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL, SECONDARY BATTERY, AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18264266
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-01
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshitani, Yusuke
  • Hirahara, Takashi
  • Miyairi, Noriko
  • Hayakawa, Masahiko
  • Momma, Yohei

Abrégé

A positive electrode active material with high charge and discharge capacity is provided. A novel positive electrode active material is provided. The positive electrode active material is manufactured in such a manner that after a cobalt compound (also referred to as a precursor) containing nickel, cobalt, and manganese is obtained by a coprecipitation method, a mixture obtained by mixing a lithium compound and the cobalt compound is heated at a first temperature; after the mixture is ground or crushed, heating at a second temperature that is a temperature higher than the first temperature is further performed; and after an additive is mixed, third heat treatment is performed. The first temperature is higher than or equal to 400° C. and lower than or equal to 700° C. The second temperature is higher than 700° C. and lower than or equal to 1050° C.

Classes IPC  ?

28.

ELECTRODE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18264264
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-31
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Kakehata, Tetsuya

Abrégé

An object of one embodiment of the present invention is to achieve a manufacturing method which can increase capacity density of a secondary battery. Another object is to provide a manufacturing method of a highly safe or reliable secondary battery. The manufacturing method of electrodes (a positive electrode and a negative electrode) of a secondary battery includes a vibration treatment step for supplying vibration to the electrode and a press step for applying pressure to the electrode to compress an active material layer in the electrode. The vibration treatment step is performed before the press step.

Classes IPC  ?

29.

TOUCH PANEL

      
Numéro d'application 18520771
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-28
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kimura, Hajime
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A touch panel which is thin, has a simple structure, or is easily incorporated into an electronic device is provided. The touch panel includes a first substrate, a second substrate, a first conductive layer, a second conductive layer, a third conductive layer, a fourth conductive layer, liquid crystal, and an FPC. The first conductive layer has a function of a pixel electrode. The second conductive layer has a function of a common electrode. The third and fourth conductive layers each have a function of an electrode of a touch sensor. The FPC is electrically connected to the fourth conductive layer. The first, second, third, and fourth conductive layers and the liquid crystal are provided between the first and second substrates. The first, second, and third conductive layers are provided over the first substrate. The FPC is provided over the first substrate.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
  • G06F 3/044 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs

30.

ELECTRONIC DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18520781
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-28
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Kimura, Hajime

Abrégé

To provide an electronic device capable of a variety of display. To provide an electronic device capable of being operated in a variety of ways. An electronic device includes a display device and first to third surfaces. The first surface includes a region in contact with the second surface, the second surface includes a region in contact with the third surface, and the first surface includes a region opposite to the third surface. The display device includes first to third display regions. The first display region includes a region overlapping with the first surface, the second display region includes a region overlapping with the second surface, and the third display region includes a region overlapping with the third surface. The first display region has a larger area than the third display region.

Classes IPC  ?

  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure
  • H04N 23/51 - Boîtiers
  • H04N 23/53 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniques; Leur commande - Détails de structure de viseurs électroniques, p. ex. rotatifs ou détachables
  • H04N 23/56 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniques; Leur commande munis de moyens d'éclairage
  • H04N 23/63 - Commande des caméras ou des modules de caméras en utilisant des viseurs électroniques

31.

ARITHMETIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18510784
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-16
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishizu, Takahiko
  • Ikeda, Takayuki
  • Isobe, Atsuo
  • Miyaguchi, Atsushi
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

An arithmetic device and an electronic device having small power consumption is provided. An arithmetic device and an electronic device capable of high-speed operation is provided. An arithmetic device and an electronic device capable of suppressing heat generation is provided. The arithmetic device includes a first arithmetic portion and a second arithmetic portion. The first arithmetic portion includes a first CPU core and a second CPU core. The second arithmetic portion includes a first GPU core and a second GPU core. The CPU cores each have a power gating function and each include a first data retention circuit electrically connected to a flip-flop. The first GPU core includes a second data retention circuit capable of retaining an analog value and reading out the analog value as digital data of two or more bits. The second GPU core includes a third data retention circuit capable of retaining a digital value and reading out the digital value as digital data of one bit. The first to third data retention circuits each include a transistor including an oxide semiconductor and a capacitor.

Classes IPC  ?

  • G06N 3/065 - Moyens analogiques
  • G06F 1/3234 - Gestion de l’alimentation, c. à d. passage en mode d’économie d’énergie amorcé par événements Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise
  • G06F 7/544 - Méthodes ou dispositions pour effectuer des calculs en utilisant exclusivement une représentation numérique codée, p.ex. en utilisant une représentation binaire, ternaire, décimale utilisant des dispositifs non spécifiés pour l'évaluation de fonctions par calcul
  • G06T 1/20 - Architectures de processeurs; Configuration de processeurs p.ex. configuration en pipeline

32.

DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18522350
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-29
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hirakata, Yoshiharu
  • Miyake, Hiroyuki
  • Inoue, Seiko
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A display device with low power consumption is provided. Furthermore, a display device in which an image is displayed in a region that can be used in a folded state is provided. The conceived display device includes a display portion that can be opened and folded, a sensing portion that senses a folded state of the display portion, and an image processing portion that generates, when the display portion is in the folded state, an image in which a black image is displayed in part of the display portion.

Classes IPC  ?

  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction

33.

Light-Emitting Device And Electronic Device

      
Numéro d'application 18524839
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor EnergyL aboratoryCo., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Eguchi, Shingo

Abrégé

A highly reliable light-emitting device is provided. Damage to an element due to externally applied physical power is suppressed. Alternatively, in a process of pressure-bonding of an FPC, damage to a resin and a wiring which are in contact with a flexible substrate due to heat is suppressed. A neutral plane at which stress-strain is not generated when a flexible light-emitting device including an organic EL element is deformed, is positioned in the vicinity of a transistor and the organic EL element. Alternatively, the hardness of the outermost surface of a light-emitting device is high. Alternatively, a substrate having a coefficient of thermal expansion of 10 ppm/K or lower is used as a substrate that overlaps with a terminal portion connected to an FPC.

Classes IPC  ?

  • H10K 50/844 - Encapsulations
  • H10K 50/84 - Passivation; Conteneurs; Encapsulations
  • H10K 50/842 - Conteneurs
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
  • H10K 59/124 - Couches isolantes formées entre les éléments TFT et les éléments OLED
  • H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
  • H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]

34.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058972
Numéro de publication 2024/057168
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-11
Date de publication 2024-03-21
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Iguchi, Takahiro
  • Sato, Rai
  • Jintyou, Masami
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device which achieves both low power consumption and high performance. This semiconductor device comprises a first conductive layer, a second conductive layer, a first semiconductor layer, a second insulating layer that is arranged on the first semiconductor layer, a third conductive layer that is arranged on the second insulating layer, and a first insulating layer that is sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer; the first insulating layer has a first opening which reaches the first conductive layer; the second conductive layer has a second opening; the first opening and the second opening overlap with each other when viewed in plan; the first semiconductor layer is in contact with the upper surface of the first conductive layer and the lateral surface of the first insulating layer in the first opening; the first semiconductor layer is in contact with the lateral surface of the second conductive layer in the second opening; the first semiconductor layer has a region which overlaps with the third conductive layer, with the second insulating layer being interposed therebetween; and the lateral surface of the first insulating layer in the first opening has a region where the angle between the lateral surface of the first insulating layer and the upper surface of the first conductive layer is not less than 10 degrees but less than 55 degrees.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H05B 45/60 - Circuits pour faire fonctionner des LED comprenant des matériaux organiques, p.ex. pour le fonctionnement de diodes électroluminescentes organiques [OLED] ou de diodes électroluminescentes à polymère [PLED]
  • H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]

35.

IONIC LIQUID, SECONDARY BATTERY, ELECTRONIC DEVICE, AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18039505
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-03
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ogita, Kaori
  • Shimada, Kazuya
  • Hirahara, Takashi
  • Tanaka, Fumiko
  • Muratsubaki, Shotaro
  • Seo, Satoshi

Abrégé

A novel ionic liquid is provided. A highly safe secondary battery with high charge and discharge capacity is provided. The ionic liquid includes a cation represented by General Formula (G1) and an anion represented by Structural Formula (200). In the formula, X1 to X3 each independently represent any one of fluorine, chlorine, bromine, and iodine. One of X1 to X3 may be hydrogen. In addition, n and m each independently represent 0 to 5. Furthermore, a secondary battery including the above-described ionic liquid is provided. A novel ionic liquid is provided. A highly safe secondary battery with high charge and discharge capacity is provided. The ionic liquid includes a cation represented by General Formula (G1) and an anion represented by Structural Formula (200). In the formula, X1 to X3 each independently represent any one of fluorine, chlorine, bromine, and iodine. One of X1 to X3 may be hydrogen. In addition, n and m each independently represent 0 to 5. Furthermore, a secondary battery including the above-described ionic liquid is provided.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
  • C01G 53/00 - Composés du nickel
  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
  • H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs

36.

DISPLAY DEVICE, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18276074
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-08
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Okazaki, Kenichi
  • Eguchi, Shingo
  • Hodo, Ryota

Abrégé

A high-resolution display device is provided. The display device includes first and second light-emitting devices, first and second coloring layers, and first, second, and third insulators; the first coloring layer is positioned to overlap with the first light-emitting device; the second coloring layer is positioned to overlap with the second light-emitting device; the first light-emitting device and the second light-emitting device have a function of emitting white light; the first coloring layer and the second coloring layer have a function of transmitting visible light of different colors; the first light-emitting device includes a first conductive layer and a first light-emitting layer over the first conductive layer; the second light-emitting device includes a second conductive layer and a second light-emitting layer over the second conductive layer; the first insulator is in contact with at least part of a side surface of the first light-emitting device; the second insulator is in contact with at least part of a side surface of the second light-emitting device; the first insulator and the second insulator are positioned over the third insulator; and the third insulator is positioned to cover an end portion of the first conductive layer and an end portion of the second conductive layer.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]

37.

METHOD FOR FORMING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND SECONDARY BATTERY AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18263740
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-21
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Yoshitani, Yusuke
  • Momma, Yohei
  • Fukushima, Kunihiro
  • Kakehata, Tetsuya

Abrégé

A novel method for forming a positive electrode active material is provided. In the method for forming a positive electrode active material, a cobalt source and an additive element source are mixed to form an acidic solution; the acidic solution and an alkaline solution are made to react to form a cobalt compound; the cobalt compound and a lithium source are mixed to form a mixture; and the mixture is heated. The additive element source is a compound containing one or more selected from gallium, aluminum, boron, nickel, and indium.

Classes IPC  ?

38.

DISPLAY PANEL AND DATA PROCESSING DEVICE

      
Numéro d'application 18515655
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-21
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Eguchi, Shingo
  • Nonaka, Taiki
  • Nakamura, Daiki
  • Sugisawa, Nozomu
  • Fujita, Kazuhiko
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A novel display panel that is highly convenient, useful, or reliable is provided. The display panel includes a display region, a first support, and a second support, the display region includes a first region, a second region, and a third region, the first region and the second region each have a belt-like shape extending in one direction, and the third region is sandwiched between the first region and the second region. The first support overlaps with the first region and is less likely to be warped than the third region, and the second support overlaps with the second region and is less likely to be warped than the third region. The second support can pivot on an axis extending in the one direction with respect to the first support.

Classes IPC  ?

  • G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure
  • H05K 5/00 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques
  • H05K 5/02 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques - Détails
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
  • H10K 77/10 - Substrats, p. ex. substrats flexibles

39.

TOUCH PANEL

      
Numéro d'application 18524248
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shishido, Hideaki
  • Kubota, Daisuke
  • Kubota, Yusuke

Abrégé

To provide a thin touch panel, a touch panel having a simple structure, a touch panel which can be easily incorporated into an electronic device, or a touch panel with a small number of components. The touch panel includes pixel electrodes arranged in a matrix, a plurality of signal lines, a plurality of scan lines, a plurality of first wirings extending in a direction parallel to the signal lines, and a plurality of second wirings extending in a direction parallel to the scan line. Part of the first wiring and part of the second wiring function as a pair of electrodes included in a touch sensor. The first wiring and the second wiring each have a stripe shape or form a mesh shape and are each provided between two adjacent pixel electrodes in a plan view.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction

40.

STORAGE DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058969
Numéro de publication 2024/057165
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-11
Date de publication 2024-03-21
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyairi, Hidekazu
  • Matsuki, Mitsuhiro

Abrégé

Provided is a storage device which can be micro-fabricated or highly integrated. This storage device has a plurality of memory cells, a first insulator, and a second insulator disposed on the first insulator. Each of the memory cells has a capacitance element and a transistor disposed on the capacitance element. At least a part of the capacitance element is disposed in a first opening provided in the first insulator. At least a part of the transistor is disposed in a second opening provided on the second insulator. The first opening has a region overlapping with the second opening. The diameter of the first opening is larger than the diameter of the second opening. In the adjacent memory cells, the interval at which capacitance elements are arranged coincides with the interval at which transistors are arranged.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

41.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058970
Numéro de publication 2024/057166
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-11
Date de publication 2024-03-21
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Kunitake, Hitoshi
  • Matsuzaki, Takanori

Abrégé

Provided is a semiconductor device configured to allow miniaturization or an advanced degree of integration. This semiconductor device has a first transistor, a connection part, a first insulator, a second insulator, and first wiring. The connection part has a first electrode and a second electrode. The first transistor has second and third electrodes, a first semiconductor, a gate insulator, and a first gate electrode. The first insulator has a first opening that reaches the first wiring. The first electrode is in contact with a side surface in the first opening and an upper surface of the first wiring. The second electrode is in contact with the first electrode in the first opening. The second insulator has a second opening that reaches the second electrode. The third electrode is provided on the second insulator. The first semiconductor is in contact with the third electrode, a side surface in the second opening in the second insulator, and an upper surface of the second electrode. The gate insulator is in contact with the first semiconductor in the second opening. The first gate electrode faces the first semiconductor via the gate insulator.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
  • H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS

42.

STORAGE DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058971
Numéro de publication 2024/057167
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-11
Date de publication 2024-03-21
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Matsuzaki, Takanori
  • Inoue, Hiroki
  • Kunitake, Hitoshi

Abrégé

Provided is a storage device that enables high integration. The storage device comprises a first transistor and a second transistor on the first transistor. The first transistor has a first oxide semiconductor that is on a substrate, a first conductor and second conductor that are on the first oxide semiconductor and separate from each other, a first insulator that is disposed on the first conductor and the second conductor and that has an opening which overlaps with a region between the first conductor and the second conductor, a second insulator that is disposed in the opening of the first insulator and on the first oxide semiconductor, and a third conductor that is disposed on the second insulator in the opening. The second transistor has a third insulator that is disposed on the first insulator and the third conductor and that has an opening, a fourth conductor that is disposed on the third insulator and that has an opening overlapping with the opening of the third insulator, a second oxide semiconductor that is disposed in the openings of the third insulator and the fourth conductor, a fourth insulator that is disposed on the second oxide semiconductor in the opening, and a fifth conductor that is disposed on the fourth insulator in the opening. Part of the second oxide semiconductor passes through the third insulator and is electrically connected with the third conductor.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

43.

CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18232413
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-10
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Yuichi
  • Hodo, Ryota
  • Iida, Yuta
  • Moriwaka, Tomoaki

Abrégé

A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. The semiconductor device includes a transistor and a capacitor. The transistor includes a metal oxide and a first conductor that is electrically connected to the metal oxide. The capacitor includes a first insulator which is provided over the metal oxide and which the first conductor penetrates; a second insulator provided over the first insulator and including an opening reaching the first insulator and the first conductor; a second conductor in contact with an inner wall of the opening, the first insulator, and the first conductor; a third insulator provided over the second conductor; and a fourth conductor provided over the third insulator. The first insulator has higher capability of inhibiting the passage of hydrogen than the second insulator.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
  • H01L 21/321 - Post-traitement
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux

44.

POWER STORAGE DEVICE, BATTERY MANAGEMENT UNIT, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18237584
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-24
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Goto, Junya
  • Nakagawa, Ai
  • Sato, Yuika

Abrégé

A repeatedly bendable power storage device. A highly reliable power storage device. A long-life power storage device. A repeatedly bendable electronic device. A flexible electronic device. The power storage device includes a film, a positive electrode, and a negative electrode. The film includes a plurality of projections. A difference between the maximum height and the minimum height of a surface of the film is greater than or equal to 0.15 mm and less than 0.8 mm. The modulus of rigidity of the film is less than 6.5×109 N. The film includes a metal layer. The thickness of the metal layer is greater than or equal to 5 μm and less than or equal to 200 μm. The positive electrode and the negative electrode are surrounded by the film.

Classes IPC  ?

  • H01G 11/78 - Caisses; Boîtiers; Capsulations; Fixations
  • H01G 11/80 - Joints; Garnitures
  • H01G 11/82 - Fixation ou assemblage d’un élément capacitif dans un boîtier, p.ex. montage d’électrodes, de collecteurs de courant ou de bornes dans des récipients ou capsulations
  • H01M 50/119 - Métaux
  • H01M 50/133 - Boîtiers, fourreaux ou enveloppes primaires d’une seule cellule ou d’une seule batterie caractérisés par les propriétés physiques, p.ex. perméabilité au gaz ou dimensions Épaisseur

45.

DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application 18273079
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-17
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubota, Daisuke
  • Hatsumi, Ryo
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A display apparatus having both a personal authentication function and a high resolution is provided. The display apparatus includes a display portion and a sensor portion. The display portion includes a first light-emitting element and a second light-emitting element. The first light-emitting element includes a first EL layer. The second light-emitting element includes a second EL layer. The sensor portion includes a light-receiving element. The first light-emitting element has a function of emitting infrared light. The light-receiving element has a function of detecting infrared light. A distance between the first EL layer and the second EL layer is less than or equal to 6 μm.

Classes IPC  ?

  • H10K 39/34 - Capteurs d'images organiques intégrés avec des diodes électroluminescentes organiques [OLED]
  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]

46.

DISPLAY APPARATUS, DISPLAY MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application 18273084
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-17
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Okazaki, Kenichi
  • Kusunoki, Koji
  • Eguchi, Shingo
  • Kubota, Daisuke
  • Niikura, Yasuhiro

Abrégé

A high-resolution display apparatus having a function of sensing light is provided. A high-definition display apparatus having a function of sensing light is provided. The display apparatus includes a first light-emitting device, a second light-emitting device, a third light-emitting device, a first light-receiving device, and a second light-receiving device in a first pixel. The first light-emitting device has a function of emitting red light. The second light-emitting device has a function of emitting green light. The third light-emitting device has a function of emitting blue light. The first light-receiving device has a function of sensing light emitted from at least one of the three light-emitting devices. The second light-receiving device has a function of sensing infrared light.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/65 - OLED intégrées avec des capteurs d'images inorganiques
  • G06V 40/13 - Capteurs à cet effet
  • H10K 59/40 - OLED intégrées avec écrans tactiles
  • H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes

47.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18273085
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-18
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubota, Daisuke
  • Hatsumi, Ryo
  • Niikura, Yasuhiro
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A display device having a function of detecting an object that is in contact with or approaches a display portion is provided. The display device includes a light-emitting element and a light-receiving element. The light-emitting element includes a first pixel electrode, a first functional layer, a light-emitting layer, a common layer, and a common electrode. The light-receiving element includes a second pixel electrode, a second functional layer, a light-receiving layer, the common layer, and the common electrode. The first functional layer includes one of a hole-injection layer and an electron-injection layer. The second functional layer includes one of a hole-transport layer and an electron-transport layer. The common layer has a function of the other of the hole-injection layer and the electron-injection layer in the light-emitting element and has a function of the other of the hole-transport layer and the electron-transport layer in the light-receiving element.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe
  • H10K 39/34 - Capteurs d'images organiques intégrés avec des diodes électroluminescentes organiques [OLED]
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]

48.

DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18273122
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-14
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Ikeda, Takayuki
  • Okazaki, Kenichi
  • Yamane, Yasumasa

Abrégé

A high-resolution display device is provided. A display device having both high display quality and high resolution is provided. The display device includes a first light-emitting element and a second light-emitting element. The first light-emitting element includes a first pixel electrode, a first EL layer, and a common electrode. The second light-emitting element includes a second pixel electrode, a second EL layer, and the common electrode. An insulating layer containing an inorganic insulating material is provided between the first pixel electrode and the second pixel electrode. The insulating layer includes a first region overlapping with the first EL layer, a second region overlapping with the second EL layer, and a third region positioned between the first region and the second region. A side surface of the first EL layer and a side surface of the second EL layer are positioned over the insulating layer to face each other. The common electrode is provided along the side surface of the first EL layer, the side surface of the second EL layer, and a top surface of the insulating layer. A width of the insulating layer is larger than or equal to 2 times and smaller than or equal to 4 times a distance between the first pixel electrode and the second pixel electrode.

Classes IPC  ?

  • H10K 50/13 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] spécialement adaptées à l'émission de lumière multicolore, p. ex. à l'émission de lumière blanche comprenant des couches EL empilées dans une unité EL

49.

DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18371552
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-22
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Hirakata, Yoshiharu

Abrégé

A display device includes a display panel mounted on a curved surface, and driver circuits including circuit elements which are mounted on a plurality of plane surfaces provided on the back of the curved surface in a stepwise shape along the curved surface.

Classes IPC  ?

  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure

50.

Display Device and Electronic Device

      
Numéro d'application 18511166
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-16
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubota, Daisuke
  • Hatsumi, Ryo
  • Kamada, Taisuke

Abrégé

A display device having a biometric authentication function is provided. A highly convenient display device is provided. The display device includes a first substrate, a light guide plate, a plurality of first light-emitting elements, a second light-emitting element, and a plurality of light-receiving elements. The light guide plate includes a first portion having a first surface and a second portion having a second surface that connects with the first surface and has a different normal direction from the first surface. The first light-emitting elements and the light-receiving elements are provided between the first substrate and the light guide plate. The first light-emitting elements have a function of emitting first light through the light guide plate, and the second light-emitting element has a function of emitting second light to a side surface of the light guide plate. The light-receiving elements have a function of receiving the second light and converting the second light to an electric signal. The first light includes visible light, and the second light includes infrared light.

Classes IPC  ?

  • H10K 65/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière et au moins un composant organique sensible aux rayonnements, p. ex. des optocoupleurs organiques
  • F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
  • G06V 40/12 - Empreintes digitales ou palmaires
  • G06V 40/13 - Capteurs à cet effet

51.

DISPLAY DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18512392
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-17
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Hirakata, Yoshiharu
  • Hamada, Takashi
  • Yokoyama, Kohei
  • Jinbo, Yasuhiro
  • Ishitani, Tetsuji
  • Kubota, Daisuke

Abrégé

A display device in which a peripheral circuit portion has high operation stability is provided. The display device includes a first substrate and a second substrate. A first insulating layer is provided over a first surface of the first substrate. A second insulating layer is provided over a first surface of the second substrate. The first surface of the first substrate and the first surface of the second substrate face each other. An adhesive layer is provided between the first insulating layer and the second insulating layer. A protective film in contact with the first substrate, the first insulating layer, the adhesive layer, the second insulating layer, and the second substrate is formed in the vicinity of a peripheral portion of the first substrate and the second substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H10K 50/842 - Conteneurs

52.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18513803
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-20
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakazawa, Yasutaka
  • Koezuka, Junichi
  • Hamochi, Takashi

Abrégé

A semiconductor device including an oxide semiconductor film that includes a transistor with excellent electrical characteristics is provided. It is a semiconductor device including a transistor. The transistor includes a gate electrode, a first insulating film, an oxide semiconductor film, a source electrode, a drain electrode, and a second insulating film. The source electrode and the drain electrode each include a first conductive film, a second conductive film over and in contact with the first conductive film, and a third conductive film over and in contact with the second conductive film. The second conductive film contains copper, the first conductive film and the third conductive film include a material that inhibits diffusion of copper, and an end portion of the second conductive film includes a region containing copper and silicon.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]

53.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC COMPONENT, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18519294
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-27
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Kato, Kiyoshi
  • Atsumi, Tomoaki

Abrégé

A novel semiconductor device formed with single-polarity circuits using OS transistors is provided. Thus, connection between different layers in a memory circuit is unnecessary. This can reduce the number of connection portions and improve the flexibility of circuit layout and the reliability of the OS transistors. In particular, many memory cells are provided; thus, the memory cells are formed with single-polarity circuits, whereby the number of connection portions can be significantly reduced. Further, by providing a driver circuit in the same layer as the cell array, many wirings for connecting the driver circuit and the cell array can be prevented from being provided between layers, and the number of connection portions can be further reduced. An interposer provided with a plurality of integrated circuits can function as one electronic component.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]

54.

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058644
Numéro de publication 2024/052774
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-01
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyairi, Hidekazu
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device which enables the achievement of miniaturization or high integration. According to the present invention, a second layer, a mask and a first resist mask are sequentially formed on a first layer; the first resist mask is provided with a first opening part; the size of the first opening part in a plan view is reduced; the mask is provided with a second opening part in a position where the second opening part overlaps with the first opening part; the first resist mask is removed; a second resist mask is formed on the mask, which has been provided with the second opening part; the second resist mask is provided with a third opening part; the size of the third opening part in a plan view is reduced; the mask is provided with a fourth opening part in a position where the fourth opening part overlaps with the third opening part but does not overlap with the second opening part; the second resist mask is removed; the second layer is provided with fifth opening parts in positions where the fifth opening parts respectively overlap with the second opening part and the fourth opening part; the mask is removed; and an oxide semiconductor, which is in contact with the lateral surface of the second layer and the upper surface of the first layer, is formed within the fifth opening parts.

Classes IPC  ?

  • H10B 53/20 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

55.

BATTERY, ELECTRONIC DEVICE, AND VEHICLE

      
Numéro d'application IB2023058715
Numéro de publication 2024/052785
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-04
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Saito, Jo
  • Kawatsuki, Atsushi
  • Fukushima, Kunihiro
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

Provided is a highly safe high-capacity secondary battery. This battery comprises a positive electrode having a positive electrode active material and a conductive material. The positive electrode active material has cobalt, oxygen, magnesium, and nickel, has a median diameter of 1-12 μm inclusive, and in depth-direction EDX-ray analysis of a region having a surface other than the (00l) surface of the positive electrode active material, has a portion where the distribution of magnesium overlaps with the distribution of nickel. The conductive material is stuck to a portion of the surface other than the (00l) surface of the positive electrode active material.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
  • C01G 53/00 - Composés du nickel
  • H01M 4/1391 - Procédés de fabrication d'électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p.ex. LiCoOx
  • H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p.ex. liants, charges

56.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18263159
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-18
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Tsukamoto, Yosuke
  • Kusunoki, Koji
  • Ikeda, Hisao
  • Endo, Akio
  • Oikawa, Yoshiaki
  • Uochi, Hideki

Abrégé

A semiconductor device having favorable display quality is provided. The semiconductor device is provided with a display portion, a line-of-sight sensor portion, a control portion, and an arithmetic portion. The line-of-sight sensor portion has a function of obtaining first information showing a direction of a user's line of sight. The arithmetic portion has a function of determining a first region including a gaze point of the user on the display portion with use of the first information and a function of increasing a definition of an image displayed on the first region. Light emitted from the display portion may be used to obtain the first information showing the direction of the line of sight.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
  • G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
  • G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
  • G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent

57.

DISPLAY APPARATUS, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18273067
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-19
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Ikeda, Takayuki
  • Okazaki, Kenichi
  • Kusunoki, Koji

Abrégé

A multifunctional display apparatus with high resolution is provided. The display apparatus includes a first pixel; the first pixel includes a first light-emitting device, a second light-emitting device, and a first light-receiving device; the first light-emitting device includes a first light-emitting layer; the second light-emitting device includes a second light-emitting layer; the second light-emitting device has a function of emitting white light; the first light-emitting device has a function of emitting visible light of a color different from that of the second light-emitting device; the first light-receiving device has a function of sensing light emitted from the first light-emitting device; a side surface of the first light-emitting layer faces a side surface of the second light-emitting layer; and the distance between the side surface of the first light-emitting layer and the side surface of the second light-emitting layer is less than or equal to 8 μm.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
  • H04M 1/02 - Caractéristiques de structure des appareils téléphoniques
  • H10K 50/19 - OLED en tandem

58.

DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18273095
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-17
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kozuma, Munehiro
  • Onuki, Tatsuya
  • Ikeda, Takayuki
  • Matsuzaki, Takanori

Abrégé

A high-resolution display device in which delay of input signals to pixels is reduced is provided. In the display device, a first layer, a second layer, and a third layer are formed in this order from the bottom. The first layer includes a driver circuit and a plurality of first wirings, the second layer includes a plurality of first contact portions, and the third layer includes a pixel array and a plurality of second wirings. The pixel array includes a plurality of pixel circuits. The plurality of second wirings are parallel to each other and extended in the column direction of the pixel array, and the plurality of pixel circuits are electrically connected to the plurality of second wirings. The driver circuit includes a plurality of output terminals positioned along a first direction. The plurality of first wirings are extended perpendicular to the first direction, and the plurality of output terminals are electrically connected to the plurality of first wirings. The plurality of first wirings are electrically connected to the plurality of second wirings through the plurality of first contact portions.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
  • G09G 3/3258 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander la tension aux bornes de l'élément électroluminescent
  • H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel

59.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18517115
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-22
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nei, Kosei
  • Murakawa, Tsutomu
  • Takeuchi, Toshihiko
  • Sugaya, Kentaro

Abrégé

A semiconductor device that can be scaled down or highly integrated is provided. The semiconductor device includes a first layer and a second layer over the first layer. The first layer and the second layer each include a transistor. The transistor in the first layer and the transistor in the second layer each include a first oxide, a first conductor and a second conductor over the first oxide, a first insulator placed to cover the first conductor, the second conductor, and the first oxide, a second insulator over the first insulator, a second oxide placed between the first conductor and the second conductor over the first oxide, a third insulator over the second oxide, a third conductor over the third insulator, and a fourth insulator in contact with a top surface of the second insulator, a top surface of the second oxide, a top surface of the third insulator, and a top surface of the third conductor. The first insulator and the fourth insulator are less likely than the second insulator to allow oxygen to pass through.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]

60.

Functional Panel, Display Device, Input/Output Device, and Data Processing Device

      
Numéro d'application 18517929
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-22
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubota, Daisuke
  • Kamada, Taisuke

Abrégé

A novel functional panel that is highly convenient, useful, or reliable is provided. The functional panel includes a first element and a second element. The first element includes a first electrode, a second electrode, and a first optical functional layer. The first optical functional layer includes a region interposed between the first electrode and the second electrode. The first optical functional layer includes a first layer and a layer containing a first light-emitting material. The second element includes a third electrode, the second electrode, and a second optical functional layer. The second optical functional layer includes a region interposed between the third electrode and the second electrode. The second optical functional layer includes the first layer and a layer containing a photoelectric conversion material. The first layer includes a region interposed between the layer containing the first light-emitting material and the second electrode and a region interposed between the layer containing the photoelectric conversion material and the second electrode. The layer containing the photoelectric conversion material contains an organic high molecular material.

Classes IPC  ?

  • H10K 39/32 - Capteurs d'images organiques
  • G06F 3/042 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens opto-électroniques
  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
  • H10K 59/123 - Connexion des électrodes de pixel aux transistors à couches minces [TFT]
  • H10K 59/40 - OLED intégrées avec écrans tactiles

61.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

      
Numéro d'application IB2023058642
Numéro de publication 2024/052772
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-01
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kimura, Hajime
  • Inoue, Tatsunori

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device with stable operation. This semiconductor device has a first transistor, a second transistor, a third transistor, and a first capacitance element. One among the source and drain of the third transistor is electrically connected to one among the source and drain of the second transistor. The other among the source and drain of the third transistor is electrically connected to a gate of the first transistor and a first terminal of the first capacitance element. One among the source and drain of the first transistor is electrically connected to a gate of the second transistor and a second terminal of the first capacitance element. The semiconductor device can be provided to a drive circuit having a function for transmitting, to a display device, signals for causing an image to be displayed.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
  • G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H05B 33/02 - Sources lumineuses électroluminescentes - Détails
  • H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
  • H10K 59/129 - Micropuces
  • H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes

62.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application IB2023058643
Numéro de publication 2024/052773
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-01
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Jintyou, Masami
  • Shima, Yukinori
  • Nakada, Masataka
  • Yoshizumi, Kensuke

Abrégé

The present invention provides a transistor which enables the achievement of miniaturization. The present invention also provides a transistor which has good electrical characteristics. This semiconductor device comprises first to third conductive layers, first to third semiconductor layers, and first and second insulating layers. The second semiconductor layer is arranged on the first conductive layer; the first insulating layer is arranged on the second semiconductor layer; the second conductive layer is arranged on the first insulating layer; and the third semiconductor layer is arranged on the second conductive layer. The first insulating layer has an opening which reaches the second semiconductor layer. The first semiconductor layer has a portion that is in contact with the third semiconductor layer, a portion that is in contact with the lateral surface of the first insulating layer within the opening, and a portion that is in contact with the second semiconductor layer. The second insulating layer covers the first semiconductor layer. The third conductive layer overlaps with the first semiconductor layer, with the second insulating layer being interposed therebetween. The first to third semiconductor layers contain silicon. The second and third semiconductor layers contain a same impurity element. The first insulating layer contains hydrogen, nitrogen and silicon.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]

63.

DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058714
Numéro de publication 2024/052784
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-04
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kimura, Hajime
  • Hayashi, Kentaro

Abrégé

Provided is a display device having a high display quality. This display device has pixels, a scanning line driving circuit, and a power supply circuit. The pixels each have first and second transistors, and the second transistor has a semiconductor layer provided in a first opening formed in an interlayer insulating layer on a substrate. A first conductive layer that functions as a gate electrode of the first transistor has a region that extends in a first direction, and is electrically connected to the scanning line driving circuit. A second conductive layer that functions as a source electrode or a drain electrode of the second transistor is provided on the interlayer insulating layer and has a second opening overlapping with the first opening. The second conductive layer has a region that extends in a second direction perpendicular to the first direction, and is electrically connected to the power supply circuit. The first conductive layer and the second conductive layer have regions that overlap with each other having therebetween an insulating layer that is provided in a layer between the first conductive layer, and the second conductive layer and the semiconductor layer, and that functions as a gate insulating layer for the first and second transistors.

Classes IPC  ?

  • G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
  • H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]
  • H10K 59/123 - Connexion des électrodes de pixel aux transistors à couches minces [TFT]
  • H10K 59/124 - Couches isolantes formées entre les éléments TFT et les éléments OLED
  • H10K 77/10 - Substrats, p. ex. substrats flexibles

64.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application IB2023058716
Numéro de publication 2024/052786
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-04
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Watabe, Takeyoshi
  • Yamawaki, Hayato
  • Ohsawa, Nobuharu
  • Seo, Satoshi

Abrégé

Provided is a high-definition and highly reliable organic semiconductor device. Provided is a light-emitting device that is one among a plurality of light-emitting devices formed on an insulating layer, wherein: when a film having a similar composition to a light-emitting layer that includes a first substance and a light-emitting substance has been irradiated in an air atmosphere with a daylight color LED at an illuminance of 300 lux for 60 minutes, the concentration of an oxygen adduct in the first substance is at least 15 ppm; and the interval between first electrodes of adjacent light-emitting devices is 2-5 µm, inclusive.

Classes IPC  ?

  • H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
  • H10K 50/12 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des dopants
  • H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel

65.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058718
Numéro de publication 2024/052787
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-04
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Matsuzaki, Takanori
  • Miyaguchi, Atsushi

Abrégé

Provided is a semiconductor device having a novel configuration. This semiconductor device has: a first element layer on which a readout circuit is provided; a second element layer on which an amplification circuit is provided; and a third element layer on which a memory cell is provided. The second element layer is provided so as to be layered on the first element layer. The third element layer is provided so as to be layered on the second element layer. The memory cell and the amplification circuit are electrically connected via a first bit line. The amplification circuit and the readout circuit are electrically connected via a second bit line. The amplification circuit has the function of transmitting a signal corresponding to the electric potential of the first bit line to the second bit line. The amplification circuit has a first transistor in which a first semiconductor layer having a channel forming region has an oxide semiconductor. The memory cell has: a second transistor in which a second semiconductor layer having a channel forming region has an oxide semiconductor; and a capacitive element. The first semiconductor layer is provided in a direction horizontal to the surface of a substrate to which the first element layer is provided. The second semiconductor layer is provided in a direction perpendicular to the surface of the substrate to which the first element layer is provided.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

66.

LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHT-EMITTING APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE

      
Numéro d'application 18229808
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-03
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagasaka, Akira
  • Suzuki, Kunihiko
  • Narukawa, Ryo

Abrégé

The reliability of a light-emitting device is improved. Provided is a light-emitting device including a light-emitting layer between a first electrode and a second electrode. The light-emitting layer contains a light-emitting substance and a first organic compound. A difference between a sum of energy of the first organic compound in a ground state and energy of an oxygen molecule in a ground state and energy of a transition state formed by the first organic compound and the oxygen molecule is greater than or equal to 1.84 eV. A difference between the energy of the transition state formed by the first organic compound and the oxygen molecule and energy of an oxygen adduct of the first organic compound in a ground state is less than or equal to 0.87 eV.

Classes IPC  ?

  • H10K 50/16 - Couches de transport d'électrons
  • H10K 50/15 - Couches de transport de trous
  • H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
  • H10K 59/40 - OLED intégrées avec écrans tactiles
  • H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire

67.

DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18243987
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-08
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hirose, Atsushi

Abrégé

To provide a display device in which parasitic capacitance between wirings can be reduced while preventing increase in wiring resistance. To provide a display device with improved display quality. To provide a display device with low power consumption. A pixel of the liquid crystal display device includes a signal line, a scan line intersecting with the signal line, a first electrode projected from the signal line, a second electrode facing the first electrode, and a pixel electrode connected to the second electrode. Part of the scan line has a loop shape, and part of the first electrode is located in a region overlapped with an opening of the scan line. In other words, part of the first electrode is not overlapped with the scan line.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

68.

OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18381668
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-19
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Masahiro
  • Akimoto, Kengo
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

To provide an oxide semiconductor film having stable electric conductivity and a highly reliable semiconductor device having stable electric characteristics by using the oxide semiconductor film. The oxide semiconductor film contains indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) and includes a c-axis-aligned crystalline region aligned in the direction parallel to a normal vector of a surface where the oxide semiconductor film is formed. Further, the composition of the c-axis-aligned crystalline region is represented by In1+δGa1−δO3(ZnO)m (0<δ<1 and m=1 to 3 are satisfied), and the composition of the entire oxide semiconductor film including the c-axis-aligned crystalline region is represented by InxGayO3(ZnO)m (0

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • C01G 15/00 - Composés du gallium, de l'indium ou du thallium
  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
  • H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

69.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18388883
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-13
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Koezuka, Junichi
  • Shima, Yukinori
  • Tokunaga, Hajime
  • Sasaki, Toshinari
  • Murayama, Keisuke
  • Matsubayashi, Daisuke

Abrégé

To reduce defects in an oxide semiconductor film in a semiconductor device. To improve the electrical characteristics and the reliability of a semiconductor device including an oxide semiconductor film. In a semiconductor device including a transistor including a gate electrode formed over a substrate, a gate insulating film covering the gate electrode, a multilayer film overlapping with the gate electrode with the gate insulating film provided therebetween, and a pair of electrodes in contact with the multilayer film, a first oxide insulating film covering the transistor, and a second oxide insulating film formed over the first oxide insulating film, the multilayer film includes an oxide semiconductor film and an oxide film containing In or Ga, the first oxide insulating film is an oxide insulating film through which oxygen is permeated, and the second oxide insulating film is an oxide insulating film containing more oxygen than that in the stoichiometric composition.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

70.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058423
Numéro de publication 2024/047488
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-25
Date de publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Koezuka, Junichi
  • Jintyou, Masami
  • Shima, Yukinori

Abrégé

Provided is a semiconductor device that occupies a small area. The semiconductor device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a third semiconductor layer, a first conductive layer, a second conductive layer, and a first insulation layer. The first insulation layer is provided on the first conductive layer. The second conductive layer is provided on the first insulation layer. The first insulation layer and the second conductive layer include an opening that reaches the first conductive layer. The first semiconductor layer contacts an upper surface of the first conductive layer, a side surface of the first insulation layer, and an upper surface and a side surface of the second conductive layer. The second semiconductor layer is provided on the first semiconductor layer. The third semiconductor layer is provided on the second semiconductor layer. The first semiconductor layer includes a first material. The second semiconductor layer includes a second material. The third semiconductor layer includes a third material. A band gap of the first material is greater than a band gap of the second material. A band gap of the third material is greater than the band gap of the second material.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H05B 33/02 - Sources lumineuses électroluminescentes - Détails
  • H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]

71.

ENERGY STORAGE SYSTEM

      
Numéro d'application IB2023058465
Numéro de publication 2024/047499
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-28
Date de publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakao, Taisuke
  • Mikami, Mayumi
  • Tajima, Ryota
  • Osada, Takeshi

Abrégé

The present invention provides a novel energy storage system. The energy storage system includes a secondary battery, a current measurement circuit, a voltage measurement circuit, and a control circuit, wherein the secondary battery has a negative electrode, the negative electrode contains graphite and silicon, the current measurement circuit and the voltage measurement circuit are each electrically connected to the control circuit, the control circuit has a function that starts charging of the secondary battery, the control circuit has a function that uses a current value detected by the current measurement circuit and a voltage value detected by the voltage measurement circuit to perform a first operation for calculating the voltage derivative of the quantity of electricity in the charging current of the secondary battery and a second operation for detecting an extreme value of the voltage derivative, and the control circuit has a function that stops charging when a predetermined time has elapsed since the detection of the extreme value in the second operation.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/10 - Régulation du courant ou de la tension de charge utilisant des tubes à décharge ou des dispositifs à semi-conducteurs utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H01M 10/48 - Accumulateurs combinés à des dispositions pour mesurer, tester ou indiquer l'état des éléments, p.ex. le niveau ou la densité de l'électrolyte

72.

STORAGE DEVICE AND STORAGE DEVICE PRODUCTION METHOD

      
Numéro d'application IB2023058468
Numéro de publication 2024/047500
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-28
Date de publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Matsuzaki, Takanori
  • Kunitake, Hitoshi
  • Isaka, Fumito

Abrégé

Provided is a storage device which can be micro-fabricated or highly integrated. This storage device has a memory cell on a first transistor including silicon in a semiconductor layer. The memory cell has a capacitance element and a second transistor on the capacitance element. The capacitance element has a first conductor, a first insulator, and a second conductor, laminated in the stated order. The second conductor serves as one of a source and a drain of the second transistor. A third conductor serves as the other of the source and the drain of the second transistor, and is located on a second insulator. The second insulator and the third conductor are each provided with an opening which reaches the second conductor. An oxide semiconductor, a third insulator, and a fourth conductor are laminated in the stated order so as to overlap with the opening. The fourth conductor is electrically connected to a source or a drain of the first transistor.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
  • H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H10B 53/00 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire

73.

FORMATION METHOD OF POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL

      
Numéro d'application 18262126
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-13
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimada, Kazuya
  • Sasaki, Kousuke
  • Hirahara, Takashi
  • Yoshitani, Yusuke
  • Mikami, Mayumi
  • Momma, Yohei

Abrégé

A novel method for forming a positive electrode active material is provided. The method for forming a positive electrode active material includes causing a reaction between a cobalt aqueous solution and an alkaline aqueous solution to form a cobalt compound; mixing the cobalt compound and a lithium compound and performing a first heat treatment to form a first composite oxide; mixing the first composite oxide and a compound containing a first additive element and performing a second heat treatment to form a second composite oxide; and mixing the second composite oxide and a compound containing a second additive element and performing a third heat treatment. The first heat treatment is performed at a temperature higher than or equal to 700° C. and lower than or equal to 1100° C. The second heat treatment is performed at a temperature higher than or equal to 700° C. and lower than or equal to 1000° C. The third heat treatment is performed at a temperature equal to the temperature of the second heat treatment or at a temperature lower than the temperature of the second heat treatment.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
  • C01G 51/00 - Composés du cobalt

74.

DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18273805
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-25
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Eguchi, Shingo
  • Okazaki, Kenichi
  • Adachi, Hiroki

Abrégé

A display device with high display quality is provided. A highly reliable display device is provided. A display device with low power consumption is provided. A display device that can easily achieve higher resolution is provided. A display device with both high display quality and high resolution is provided. A display device with high contrast is provided. The display device includes a first conductive layer, a first insulating layer over the first conductive layer, a second conductive layer including a first region over the first insulating layer and a second region in an opening provided in the first insulating layer, a second insulating layer over the first insulating layer, a third insulating layer over the second region, an EL layer including a third region over the first region, a fourth region over the second insulating layer, and a fifth region over the third insulating layer, and a third conductive layer over the EL layer. The opening is provided in the first insulating layer so as to reach a top surface of the first conductive layer. A top surface of the first region, a top surface of the second insulating layer, and a top surface of the third insulating layer are substantially level with each other.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
  • H10K 50/13 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] spécialement adaptées à l'émission de lumière multicolore, p. ex. à l'émission de lumière blanche comprenant des couches EL empilées dans une unité EL
  • H10K 59/124 - Couches isolantes formées entre les éléments TFT et les éléments OLED

75.

ELECTRONIC DEVICE, STORAGE MEDIUM, PROGRAM, AND DISPLAYING METHOD

      
Numéro d'application 18388357
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-09
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hosoya, Kunio

Abrégé

An electronic device is provided which displays an object (body) on a flexible display screen in accordance with a three-dimensional shape of the display screen by utilizing the flexibility of the display screen. An electronic device including a display portion which includes a flexible display device displaying an object on a display screen; a detection portion detecting positional data of a given part of the display screen; and an arithmetic portion calculating a three-dimensional shape of the display screen on the basis of the positional data and computing motion of the object to make the object move according to a given law in accordance with the calculated three-dimensional shape of the display screen.

Classes IPC  ?

  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure
  • G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
  • G06F 3/0484 - Techniques d’interaction fondées sur les interfaces utilisateur graphiques [GUI] pour la commande de fonctions ou d’opérations spécifiques, p.ex. sélection ou transformation d’un objet, d’une image ou d’un élément de texte affiché, détermination d’une valeur de paramètre ou sélection d’une plage de valeurs
  • G06T 13/20 - Animation tridimensionnelle [3D]
  • G06T 15/00 - Rendu d'images tridimensionnelles [3D]
  • H04M 1/02 - Caractéristiques de structure des appareils téléphoniques

76.

IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18388893
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-13
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kurokawa, Yoshiyuki

Abrégé

A highly sensitive imaging device that can perform imaging even under a low illuminance condition is provided. One electrode of a photoelectric conversion element is electrically connected to one of a source electrode and a drain electrode of a first transistor and one of a source electrode and a drain electrode of a third transistor. The other of the source electrode and the drain electrode of the first transistor is electrically connected to a gate electrode of the second transistor. The other electrode of the photoelectric conversion element is electrically connected to a first wiring. A gate electrode of the first transistor is electrically connected to a second wiring. When a potential supplied to the first wiring is HVDD, the highest value of a potential supplied to the second wiring is lower than HVDD.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

77.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18505562
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-09
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Koezuka, Junichi
  • Okazaki, Kenichi
  • Shima, Yukinori
  • Nakazawa, Yasutaka
  • Hosaka, Yasuharu
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A semiconductor device with favorable electrical characteristics is to be provided. A highly reliable semiconductor device is to be provided. A semiconductor device with lower power consumption is to be provided. The semiconductor device includes a gate electrode, a first insulating layer over the gate electrode, a metal oxide layer over the first insulating layer, a pair of electrodes over the metal oxide layer, and a second insulating layer over the pair of electrodes. The first insulating layer includes a first region and a second region. The first region has a region being in contact with the metal oxide layer and containing more oxygen than the second region. The second region has a region containing more nitrogen than the first region. The metal oxide layer has at least a concentration gradient of oxygen in a thickness direction, and the concentration gradient becomes high on a first region side and on a second region side.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
  • G06F 3/044 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

78.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058240
Numéro de publication 2024/047454
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-17
Date de publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Inoue, Hiroki
  • Matsuzaki, Takanori
  • Kobayashi, Hidetomo
  • Okamoto, Yuki

Abrégé

The present invention provides a highly integrated and reliable semiconductor device. A back gate of a second transistor is electrically connected to a control signal line that provides a control signal for controlling the threshold voltage of the second transistor. One of the source or the drain of the second transistor is electrically connected to a readout word line that provides a readout word signal. The other of the source or the drain of the second transistor is electrically connected to a readout bit line that reads out a potential corresponding to data. In a memory cell that is selected in a data readout period, a low level is provided as the readout word signal and a high level is provided as the control signal. In a memory cell that is unselected in a data readout period, a high level is provided as the readout word signal and a low level is provided as the control signal.

Classes IPC  ?

  • G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule
  • G11C 11/4091 - Amplificateurs de lecture ou de lecture/rafraîchissement, ou circuits de lecture associés, p.ex. pour la précharge, la compensation ou l'isolation des lignes de bits couplées

79.

STORAGE DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058421
Numéro de publication 2024/047486
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-25
Date de publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Kunitake, Hitoshi
  • Matsuzaki, Takanori

Abrégé

Provided is a storage device which allows for miniaturization and high integration. The present invention comprises: a first insulator on a substrate; an oxide semiconductor covering the first insulator; a first conductor and a second conductor on the oxide semiconductor; a second insulator on the first conductor; a third insulator on the second conductor; a third conductor on the second insulator; a fourth conductor on the third insulator; a fourth insulator which is disposed on the third conductor and the fourth conductor and which has a first opening overlapping the region between the first conductor, second insulator and third conductor and the second conductor, third insulator and fourth conductor; a fifth insulator disposed inside the first opening and disposed on the oxide semiconductor; a fifth conductor disposed on the fifth insulator inside the first opening; a sixth conductor which is disposed inside a second opening formed in the fourth insulator, and which is in contact with the top surface of the third conductor; and a seventh conductor which is disposed inside a third opening formed in the fourth insulator, the third insulator and the fourth conductor, and which is in contact with the top surface of the second conductor. The height of the first insulator is greater than the width of the first insulator.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
  • H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
  • H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments

80.

STORAGE DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058422
Numéro de publication 2024/047487
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-25
Date de publication 2024-03-07
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Kunitake, Hitoshi
  • Matsuzaki, Takanori

Abrégé

Provided is a storage device which can be micro-fabricated or highly integrated. The storage device includes a memory cell, a first insulator, and a second insulator. The memory cell includes a capacitor element and a transistor on the capacitor element. The capacitor element includes a second conductor, a third insulator on the second conductor, and a third conductor on the third insulator. A portion of the second conductor, a portion of the third insulator, and a portion of the third conductor are disposed in an opening part provided to the first insulator. The transistor includes the third conductor, a fourth conductor on the second insulator, an oxide semiconductor, a fourth insulator on the oxide semiconductor, and a fifth conductor on the fourth insulator. A portion of the oxide semiconductor is disposed in an opening part provided to the second insulator and the fourth conductor. The oxide semiconductor has a region in contact with the upper surface of the third conductor, a region in contact with a side surface of the fourth conductor, and a region in contact with a portion of the upper surface of the fourth conductor. The oxide semiconductor has a lamination structure.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
  • H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

81.

DISPLAY APPARATUS, DISPLAY MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application 18280287
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-28
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Okazaki, Kenichi
  • Nakazawa, Yasutaka
  • Sato, Rai

Abrégé

A high-resolution or high-definition display apparatus is provided. The display apparatus includes a first light-emitting device and a second light-emitting device. The first light-emitting device includes a first conductive layer, a second conductive layer over the first conductive layer, a first light-emitting layer over the second conductive layer, and a common electrode over the first light-emitting layer. The second light-emitting device includes a third conductive layer, a fourth conductive layer over the third conductive layer, a second light-emitting layer over the fourth conductive layer, and the common electrode over the second light-emitting layer. The second conductive layer covers a side surface of the first conductive layer, the fourth conductive layer covers a side surface of the third conductive layer, an end portion of the first light-emitting layer is aligned or substantially aligned with an end portion of the second conductive layer, and an end portion of the second light-emitting layer is aligned or substantially aligned with an end portion of the fourth conductive layer.

Classes IPC  ?

  • H10K 50/13 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] spécialement adaptées à l'émission de lumière multicolore, p. ex. à l'émission de lumière blanche comprenant des couches EL empilées dans une unité EL
  • H10K 50/19 - OLED en tandem
  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]

82.

DISPLAY DEVICE, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18387146
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-06
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Okazaki, Kenichi
  • Kurosaki, Daisuke
  • Nakazawa, Yasutaka
  • Watanabe, Kazunori
  • Kusunoki, Koji

Abrégé

A display device includes a liquid crystal element, a transistor, a scan line, and a signal line. The liquid crystal element includes a pixel electrode, a liquid crystal layer, and a common electrode. The scan line and the signal line are each electrically connected to the transistor. The scan line and the signal line each include a metal layer. The transistor is electrically connected to the pixel electrode. A semiconductor layer of the transistor includes a stack of a first metal oxide layer and a second metal oxide layer. The first metal oxide layer includes a region with lower crystallinity than the second metal oxide layer. The transistor includes a first region connected to the pixel electrode. The pixel electrode, the common electrode, and the first region are each configured to transmit visible light. Visible light passes through the first region and the liquid crystal element and exits from the display device.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
  • G06F 3/044 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

83.

LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND CELLULAR PHONE

      
Numéro d'application 18387574
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-07
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hatano, Kaoru
  • Seo, Satoshi
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

The invention relates to: a light-emitting device which includes a first flexible substrate having a first electrode, a light-emitting layer over the first electrode, and a second electrode with a projecting portion over the light-emitting layer and a second flexible substrate having a semiconductor circuit and a third electrode electrically connected to the semiconductor circuit, in which the projecting portion of the second electrode and the third electrode are electrically connected to each other; a method for manufacturing the light-emitting device; and a cellular phone which includes a housing incorporating the light-emitting device and having a longitudinal direction and a lateral direction, in which the light-emitting device is disposed on a front side and in an upper portion in the longitudinal direction of the housing.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/127 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] comprenant deux substrats, p. ex. un affichage comprenant une matrice OLED et un circuit de commande de TFT sur des substrats différents
  • H04M 1/02 - Caractéristiques de structure des appareils téléphoniques
  • H10K 50/84 - Passivation; Conteneurs; Encapsulations
  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 59/124 - Couches isolantes formées entre les éléments TFT et les éléments OLED
  • H10K 71/50 - Formation de dispositifs par l'assemblage de deux substrats, p. ex. par des techniques de laminage
  • H10K 77/10 - Substrats, p. ex. substrats flexibles

84.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18500380
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-02
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Hayakawa, Masahiko
  • Honda, Tatsuya

Abrégé

When a semiconductor device including a transistor in which a gate electrode layer, a gate insulating film, and an oxide semiconductor film are stacked and a source and drain electrode layers are provided in contact with the oxide semiconductor film is manufactured, after the formation of the gate electrode layer or the source and drain electrode layers by an etching step, a step of removing a residue remaining by the etching step and existing on a surface of the gate electrode layer or a surface of the oxide semiconductor film and in the vicinity of the surface is performed. The surface density of the residue on the surface of the oxide semiconductor film or the gate electrode layer can be 1×1013 atoms/cm2 or lower.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

85.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application IB2023057887
Numéro de publication 2024/042404
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-04
Date de publication 2024-02-29
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Kunitake, Hitoshi
  • Matsuzaki, Takanori

Abrégé

Provided is a novel semiconductor device. A vertical channel transistor is provided overlapping a capacitive element. A ferroelectric body is used as a dielectric layer of the capacitive element. It is preferable that the ferroelectric body contains hafnium, zirconium, or at least one element that is selected from among group 13 to 15 elements. Using an oxide semiconductor for a semiconductor layer of the vertical channel transistor makes it possible to raise the dielectric breakdown voltage between the source and drain and to reduce the channel length.

Classes IPC  ?

  • H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H10B 53/20 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur

86.

STORAGE DEVICE

      
Numéro d'application IB2023058080
Numéro de publication 2024/042419
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-10
Date de publication 2024-02-29
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kunitake, Hitoshi
  • Matsuzaki, Takanori
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

Provided is a storage device which can be micro-fabricated or highly integrated. This storage device comprises a memory cell and a first insulator. The memory cell comprises a capacitive element and a transistor disposed on the capacitive element. The capacitive element comprises a first conductor, a second insulator disposed on the first conductor, and a second conductor disposed on the second insulator. The first insulator is disposed on the second conductor. The transistor comprises the second conductor, a third conductor disposed on the first insulator, an oxide semiconductor, a third insulator disposed on the oxide semiconductor, and a fourth conductor disposed on the third insulator. An opening part reaching the second conductor is formed in the first insulator and the third conductor. A portion of the oxide semiconductor is disposed in the opening part. The oxide semiconductor comprises a region in contact with an upper surface of the second conductor, a region in contact with a side surface of the third conductor, and a region in contact with a portion of the upper surface of the third conductor. An angle formed by the side surface of the first insulator at the opening part and the upper surface of the first conductor is 45 degrees to less than 90 degrees.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
  • H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
  • H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire

87.

PROOFREADING SYSTEM AND PROOFREADING METHOD

      
Numéro d'application 18038763
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-02
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Momo, Junpei
  • Saito, Shoko

Abrégé

A proofreading system that allows a user to easily judge whether or not there is an error in writing or the like. A proofreading method using a comparison image group obtained by dividing a sentence included in a comparison document group into a plurality of first terms and converting the first terms into images is provided. Specifically, first, a sentence included in a designated document is divided into a plurality of second terms, and the appearance frequency in the comparison document group of the plurality of second terms are obtained. Next, the second term with the appearance frequency lower than or equal to a threshold value of the plurality of second terms are imaged to obtain a verification image. After that, similarity degrees between the verification image and comparison images included in the comparison image group are obtained, and the first term represented by the comparison image with the highest similarity degree of the comparison images is presented. The presentation is performed by displaying that the second term represented by the verification image can be an error in writing of the first term represented by the comparison image having a high similarity degree with the verification image.

Classes IPC  ?

  • G06V 30/19 - Reconnaissance utilisant des moyens électroniques
  • G06V 10/82 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant les réseaux neuronaux
  • G06V 30/242 - Division des suites de caractères en groupes avant la reconnaissance; Sélection des dictionnaires

88.

Organic Compound, Light-Emitting Device, Display Device, Electronic Device, Light-Emitting Apparatus, and Lighting Device

      
Numéro d'application 18228150
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-31
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takeda, Kyoko
  • Osaka, Harue
  • Hashimoto, Naoaki
  • Suzuki, Tsunenori

Abrégé

A novel organic compound that is highly convenient, useful, or reliable is to be provided. The organic compound is represented by General Formula (G0). A novel organic compound that is highly convenient, useful, or reliable is to be provided. The organic compound is represented by General Formula (G0). A novel organic compound that is highly convenient, useful, or reliable is to be provided. The organic compound is represented by General Formula (G0). In General Formula (G0), X and Y each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. Ar1 to Ar4 each independently represent an aromatic ring or a nitrogen-containing heteroaromatic ring, the aromatic ring contains 6 to 10 carbon atoms, and the nitrogen-containing heteroaromatic ring is composed only of one or more six-membered rings and contains 4 to 9 carbon atoms. R, R11, R21, R21, R22, R31, R32, R41, and R42 each independently represent hydrogen, a straight-chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a branched alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms, substituted or unsubstituted diarylamine having 6 to 13 carbon atoms, or substituted or unsubstituted heteroarylamine having 3 to 18 carbon atoms.

Classes IPC  ?

  • C07F 5/02 - Composés du bore
  • H10K 50/30 - Transistors organiques émetteurs de lumière
  • H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire

89.

Display Panel, Display Device, Input/Output Device, and Data Processing Device

      
Numéro d'application 18244676
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-11
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Adachi, Hiroki
  • Eguchi, Shingo

Abrégé

A novel display panel that is highly convenient or reliable is provided. The display panel includes a first region and a second region. The second region is provided with a first component, and the second region can be bent with the first component facing outward. The first component includes a first elastic body and a second elastic body. The second elastic body includes an end portion part or the whole of which is covered with the first elastic body. The second elastic body has a higher elastic modulus than the first elastic body.

Classes IPC  ?

90.

METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18273082
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-18
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hodo, Ryota
  • Sasagawa, Shinya
  • Hiura, Yoshikazu
  • Fujie, Takahiro
  • Yamazaki, Shunpei

Abrégé

A high-resolution or high-definition display device is provided. The display device is manufactured by forming a conductive film, a first layer, and a first sacrificial layer; processing the first layer and the first sacrificial layer to expose part of the conductive film; forming a second layer over the first sacrificial layer and the conductive film; forming a second sacrificial layer; processing the second layer and the second sacrificial layer to expose part of the conductive film; processing the conductive film to form a first pixel electrode overlapping with the first sacrificial layer and a second pixel electrode overlapping with the second sacrificial layer; forming an insulating film covering at least side surfaces of the first pixel electrode, the second pixel electrode, the first layer, and the second layer, side and top surfaces of the first sacrificial layer, and side and top surfaces of the second sacrificial layer; processing the insulating film to form a sidewall covering at least the side surfaces of the first pixel electrode, the second pixel electrode, the first layer, and the second layer; removing the first sacrificial layer and the second sacrificial layer; and forming a common electrode over the first layer and the second layer.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]

91.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Semiconductor Device

      
Numéro d'application 18387691
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-07
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Lid. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shima, Yukinori
  • Okazaki, Kenichi

Abrégé

A semiconductor device having favorable electrical characteristics is provided. A highly reliable semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a first transistor, a second transistor, a first insulating layer, and a second insulating layer. The first transistor includes a first semiconductor layer, a first gate insulating layer, and a first gate electrode. The first semiconductor layer includes a metal oxide. The second transistor includes a second semiconductor layer, a second gate insulating layer, and a second gate electrode. The second semiconductor layer includes crystalline silicon. The first insulating layer includes a region overlapping with the first transistor with the second insulating layer therebetween. The second insulating layer includes a region overlapping with the second transistor with the first insulating layer therebetween. The second insulating layer has higher film density than the first insulating layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

92.

DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application 18387871
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-08
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Miyaguchi, Atsushi

Abrégé

To provide a display device including a flexible panel that can be handled without seriously damaging a driver circuit or a connecting portion between circuits. The display device includes a bent portion obtained by bending an element substrate. A circuit for driving the display device is provided in the bent portion and a wiring extends from the circuit, whereby the strength of a portion including the circuit for driving the display device is increased and failure of the circuit is reduced. Furthermore, the element substrate is bent in a connecting portion between an external terminal electrode and an external connecting wiring (FPC) so that the element substrate provided with the external terminal electrode fits the external connecting wiring, whereby the strength of the connecting portion is increased.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02B 26/02 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander l'intensité de la lumière
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
  • H05K 5/00 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques

93.

Display Apparatus

      
Numéro d'application 18388288
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-09
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Kei
  • Kawashima, Susumu
  • Kusunoki, Koji
  • Toyotaka, Kouhei
  • Watanabe, Kazunori

Abrégé

A display apparatus includes a data generation circuit, a source driver circuit, and a pixel. The source driver circuit is electrically connected to the pixel through first and second wirings. The pixel includes a display device that is a liquid crystal device, a potential of one electrode of the display device can be a potential of the first wiring, and a potential of the other electrode of the display device can be a potential of the second wiring. The image data generation circuit has a function of generating digital image data including first and second data. One of the first and second wirings is made to have a potential corresponding to first data, and the other of the first and second wirings is made to have a potential corresponding to the second_data. The potential of the first wiring and the potential of the second wiring are interchanged.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G02F 1/137 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides caractérisés par l'effet électro-optique ou magnéto-optique, p.ex. transition de phase induite par un champ, effet d'orientation, interaction entre milieu récepteur et matière additive ou diffusion dynamique
  • G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

94.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18504297
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-08
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Sakata, Junichiro
  • Koyama, Jun

Abrégé

A semiconductor device which includes a thin film transistor having an oxide semiconductor layer and excellent electrical characteristics is provided. Further, a method for manufacturing a semiconductor device in which plural kinds of thin film transistors of different structures are formed over one substrate to form plural kinds of circuits and in which the number of steps is not greatly increased is provided. After a metal thin film is formed over an insulating surface, an oxide semiconductor layer is formed thereover. Then, oxidation treatment such as heat treatment is performed to oxidize the metal thin film partly or entirely. Further, structures of thin film transistors are different between a circuit in which emphasis is placed on the speed of operation, such as a logic circuit, and a matrix circuit.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

95.

Display Apparatus, Display Module, and Electronic Device

      
Numéro d'application 17766859
Statut En instance
Date de dépôt 2020-09-30
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubota, Daisuke
  • Hatsumi, Ryo
  • Kamada, Taisuke

Abrégé

A display apparatus having a light detection function is provided. The display apparatus includes a first pixel and a second pixel. The first pixel includes a first subpixel and a second subpixel. The second pixel includes a third subpixel. The first subpixel is a subpixel that emits light with the shortest wavelength (e.g., blue light or light with a shorter wavelength than blue light) in subpixels included in the first pixel. The second subpixel has a function of receiving the light emitted by the first subpixel. The third subpixel is a subpixel that emits light with the shortest wavelength in subpixels included in the second pixel. The wavelength of the light emitted by the first subpixel is shorter than the wavelength of the light emitted by the third subpixel.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
  • H10K 59/40 - OLED intégrées avec écrans tactiles
  • H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure

96.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application IB2023057980
Numéro de publication 2024/042408
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-08
Date de publication 2024-02-29
Propriétaire SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Jintyou, Masami
  • Iguchi, Takahiro
  • Misawa, Chieko
  • Sato, Ami
  • Koezuka, Junichi

Abrégé

Provided is a semiconductor having a small occupied area. This semiconductor device has a first conductive layer, a second conductive layer on the first conductive layer, a first insulating layer on the second conductive layer, a semiconductor layer and a third conductive layer on the first insulating layer, a second insulating layer on the semiconductor layer and the third conductive layer, and a fourth conductive layer on the second insulating layer. At least a portion of the second conductive layer is in contact with the upper surface of the first conductive layer; the semiconductor layer is in contact with the upper surface of the first conductive layer, the side surface of the second conductive layer, the third conductive layer, and the side surface of the first insulating layer; and the fourth conductive layer overlaps the semiconductor layer with the second insulating layer interposed therebetween.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H05B 33/02 - Sources lumineuses électroluminescentes - Détails
  • H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]

97.

Manufacturing Method Of Semiconductor Device

      
Numéro d'application 18022625
Statut En instance
Date de dépôt 2021-08-12
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Ito, Shunichi
  • Kamatsu, Yoshihiro
  • Kawaguchi, Shinobu
  • Sasagawa, Shinya

Abrégé

A semiconductor device in which variation in characteristics is small is provided. A first insulator is formed; a first insulator is formed; a conductor is formed over the first insulator; a second insulator is formed over the conductor; a third insulator is formed over the second insulator; an oxide is formed over the third insulator; first heat treatment is performed; and second heat treatment following the first heat treatment is performed. The temperature of the first heat treatment is lower than the temperature of the second heat treatment.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/477 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

98.

LIGHT-EMITTING DEVICE

      
Numéro d'application 18226360
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-26
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sasaki, Toshiki
  • Ohsawa, Nobuharu

Abrégé

A light-emitting device with a high resolution and high efficiency is provided. The light-emitting device includes a first EL layer, an intermediate layer, and a second EL layer between first and second electrodes. The first EL layer is provided between the first electrode and the intermediate layer, and the second EL layer is provided between the second electrode and the intermediate layer. Side surfaces of the first EL layer, the intermediate layer, and the second EL layer are substantially aligned. The first EL layer includes a layer having an electron-transport property. The intermediate layer is provided in contact with the layer having an electron-transport property. The intermediate layer includes a first organic compound and an alkali metal or a compound of an alkali metal. The layer having an electron-transport property includes a second organic compound. The second organic compound has a higher glass transition temperature than the first organic compound.

Classes IPC  ?

  • H10K 50/13 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] spécialement adaptées à l'émission de lumière multicolore, p. ex. à l'émission de lumière blanche comprenant des couches EL empilées dans une unité EL

99.

Display Device, Manufacturing Method of Display Device, and Electronic Device

      
Numéro d'application 18270770
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-28
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Jinbo, Yasuhiro
  • Yanagisawa, Yuichi

Abrégé

A display device capable of displaying a high-quality image is provided. The display device includes a first light-emitting element, a second light-emitting element, and a gap. The first light-emitting element includes a first lower electrode, a first light-emitting layer over the first lower electrode, and a first upper electrode over the first light-emitting layer. The second light-emitting element includes a second lower electrode, a second light-emitting layer over the second lower electrode, and a second upper electrode over the second light-emitting layer. The first light-emitting element is adjacent to the second light-emitting element. The gap is between the first upper electrode and first light-emitting layer and the second upper electrode and second light-emitting layer. The first upper electrode includes a region projecting from a side surface of the first light-emitting layer. The second upper electrode includes a region projecting from a side surface of the second light-emitting layer.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
  • H10K 59/123 - Connexion des électrodes de pixel aux transistors à couches minces [TFT]
  • H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
  • H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes

100.

METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18270773
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-05
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamazaki, Shunpei
  • Ohsawa, Nobuharu
  • Okazaki, Kenichi

Abrégé

A high-resolution or high-definition display device is provided. The display device includes a first light-emitting device and a second light-emitting device. The first light-emitting device includes a first pixel electrode, a first hole-injection layer, a first hole-transport layer, a first light-emitting layer, a first electron-transport layer, a second electron-transport layer, and a common electrode that are stacked in this order. The second light-emitting device includes a second pixel electrode, a second hole-injection layer, a second hole-transport layer, a second light-emitting layer, a third electron-transport layer, a second electron-transport layer, and a common electrode that are stacked in this order. The first light-emitting device and the second light-emitting device have a function of emitting light of different colors from each other. The second electron-transport layer covers at least a side surface of the first pixel electrode, a side surface of the second pixel electrode, a side surface of the first light-emitting layer, and a side surface of the second light-emitting layer.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe
  • H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
  • H10K 50/16 - Couches de transport d'électrons
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