A novel electronic device is provided. The electronic device includes a display apparatus, an arithmetic portion, and a gaze detection portion, and the display apparatus includes a functional circuit and a display portion divided into a plurality of sub-display portions. The gaze detection portion has a function of detecting a user's gaze. The arithmetic portion has a function of dividing the plurality of sub-display portions between a first section and a second section using a detection result of the gaze detection portion. The first section includes a region overlapping with a user's gaze point. The functional circuit has a function of making a driving frequency of the second section lower than a driving frequency of the first section.
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
A display apparatus with high detection sensitivity of an image capturing function and high display quality is provided. The display apparatus includes a light-receiving device; a first light-emitting device including a first lower electrode whose end portion has a first tapered shape and a first organic compound layer having a shape along the first tapered shape; a second light-emitting device including a second lower electrode whose end portion has a second tapered shape and a second organic compound layer having a shape along the second tapered shape; a common electrode included in the first light-emitting device and the second light-emitting device; an insulating layer positioned between the first light-emitting device and the second light-emitting device and between the second light-emitting device and the light-receiving device; and an auxiliary wiring electrically connected to the common electrode. The auxiliary wiring is positioned over the common electrode and includes a region overlapping with the insulating layer.
To provide a display apparatus with a novel structure. A display portion including a first subpixel, a second subpixel, a first gate line supplied with a first selection signal to scan the first subpixel, and a second gate line supplied with a second selection signal to scan the second subpixel; and a driver control circuit including a gate line driver circuit, a switching portion that allots the first selection signal or the second selection signal output from the gate line driver circuit to the first gate line or the second gate line to be output, and a timing control circuit that controls the switching portion are included. The timing control circuit allows the gate line driver circuit to output the first selection signal of a first frame frequency and the second selection signal having a selection period longer than the first selection signal in a first operation mode, and to output the first selection signal and the second selection signal with a second frame frequency lower than the first frame frequency in a second operation mode.
G09G 3/3266 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] - Détails des circuits de commande pour les électrodes de balayage
G06F 3/042 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens opto-électroniques
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
To provide a highly secure electronic device. The electronic device includes a control portion, a detection portion, and a memory portion. The detection portion has a function of detecting touch operation and a function of obtaining first finger data on a touching finger. The memory portion has a function of retaining second finger data registered in advance. The control portion has functions of comparing the first finger data with the second finger data and executing predetermined processing when these data match. The first finger data includes first fingerprint data and first positional data, and the second finger data includes second fingerprint data and second positional data.
G06F 21/32 - Authentification de l’utilisateur par données biométriques, p.ex. empreintes digitales, balayages de l’iris ou empreintes vocales
G06F 3/04886 - Techniques d’interaction fondées sur les interfaces utilisateur graphiques [GUI] utilisant des caractéristiques spécifiques fournies par le périphérique d’entrée, p.ex. des fonctions commandées par la rotation d’une souris à deux capteurs, ou par la nature du périphérique d’entrée, p.ex. des gestes en fonction de la pression exer utilisant un écran tactile ou une tablette numérique, p.ex. entrée de commandes par des tracés gestuels par partition en zones à commande indépendante de la surface d’affichage de l’écran tactile ou de la tablette numérique, p.ex. claviers virtuels ou menus
A semiconductor device with a novel structure is provided. The semiconductor device includes a silicon substrate including a first circuit, a first element layer including a second circuit, and a second element layer including a third circuit. The first circuit includes a first transistor. The second circuit includes a second transistor. The third circuit includes a memory cell. The memory cell includes a third transistor and a capacitor. The first element layer and the second element layer constitute a stacked block stacked and provided in a direction perpendicular or substantially perpendicular to a surface of the silicon substrate. A plurality of stacked blocks are stacked and provided in the direction perpendicular or substantially perpendicular to the surface of the silicon substrate. Each of the plurality of stacked blocks includes a first wiring provided in the direction perpendicular or substantially perpendicular to the surface of the silicon substrate. The plurality of stacked blocks are electrically connected to each other through the wiring.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Provided is a novel light-emitting device that has excellent convenience, usefulness, and reliability. The light-emitting device has a first electrode, a second electrode, a first unit, and a first layer. The second electrode overlaps the first electrode, the second electrode contains metal atoms, and the second electrode contains carbon atoms at a predetermined concentration. In addition, the first unit is sandwiched between the first electrode and the second electrode, and the first unit includes a first luminescent material. The first layer is sandwiched between the second electrode and the first unit. The first layer includes a first organic compound and a second organic compound. The first organic compound has an acid dissociation constant pKa of 8 or more, and the second organic compound has a polarization term δp of a predetermined value or less with respect to a solubility parameter δ.
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
H10K 102/10 - DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L’ÉTAT SOLIDE ORGANIQUES - Détails de structure relatifs aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène
The present invention provides a secondary battery which has high safety. The secondary battery has a positive electrode and a negative electrode, wherein the positive electrode has a positive electrode active material, the positive electrode active material includes a magnesium-containing lithium cobalt oxide, the magnesium concentration in a surface layer portion of the positive electrode active material is higher than the magnesium concentration inside the positive electrode active material, the negative electrode has a negative electrode active material, the negative electrode active material includes a carbon material, and when AC impedance measurement is performed on the secondary battery charged to a voltage of 4.5 V, the AC impedance value at a frequency of 1 kHz is less than 90 milliohms.
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 4/587 - Matériau carboné, p.ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx pour insérer ou intercaler des métaux légers
H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
H01M 50/46 - Séparateurs, membranes ou diaphragmes caractérisés par leur combinaison avec des électrodes
Provided is a semiconductor device with a small occupancy area. The semiconductor device comprises a first insulation layer, a second insulation layer on the first insulation layer, and a transistor. The transistor has a semiconductor layer, a third insulation layer, a fourth insulation layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. The source electrode and the drain electrode are provided on the first insulation layer. The second insulation layer has an opening that reaches the first insulation layer and that overlaps with part of the drain electrode and the source electrode. The semiconductor layer and the third insulation layer are provided along the periphery of the opening. The semiconductor layer is provided in contact with a side surface of the second insulation layer in the opening, an upper surface of the first insulation layer in the opening, an upper surface of the source electrode, and an upper surface of the drain electrode. The third insulation layer is positioned above the semiconductor layer. The fourth insulation layer covers the third insulation layer and the semiconductor layer from above and contacts the first insulation layer. The gate electrode overlaps with the opening and is positioned above the fourth insulation layer. At least part of the semiconductor layer is opposite from the gate electrode with the third insulation layer and the fourth insulation layer therebetween.
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
One aspect of the present invention provides a secondary battery that can be used in a wide temperature range and that is not easily affected by ambient temperatures. Also provided is a highly safe secondary battery. A barrier layer is provided to a positive electrode active material, and an electrolyte that contains a fluorinated cyclic carbonate or a fluorinated chain carbonate is used. As a result of the configuration of the present embodiment, there is substantially no coating film formed on the positive electrode active material surface, and ideally there is no coating film. An aging treatment for forming a coating film on the positive electrode active material can also be eliminated.
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
10.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a transistor that has low parasitic capacitance. Also provided is a semiconductor device that has favorable electrical characteristics. This semiconductor device has: a transistor in which a source electrode and a drain electrode are positioned at different heights; and an insulating layer provided between the source electrode and the drain electrode. The insulating layer has a first opening reaching one of the source electrode and the drain electrode, and the other of the source electrode and the drain electrode is disposed on the insulating layer and has a second opening overlapping the first opening. A semiconductor layer has a region provided within the first opening, and has disposed thereon a gate insulating layer and a gate electrode in that order. The gate electrode has a two-layer structure. An end of a lower layer of the gate electrode overlaps the other of the source electrode and the drain electrode. An upper layer of the gate electrode has a first region extending to the outside from the end of the lower layer, and a gap is provided between the first region and the other of the source electrode and the drain electrode.
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]
H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes
Provided is a novel semiconductor device. A power supply management part and a data holding unit are provided to a first layer. A setting information holding unit, a power switch unit, and a backup unit are provided to a second layer above the first layer. The data holding unit has the function of holding data. The power supply management part has the function of providing, to the power switch unit, a command for controlling power gating, and the function of providing, to the setting information holding unit, setting information which indicates whether or not to cut off supply of power to the data holding unit via power gating. The setting information holding unit has the function of holding setting information provided from the power supply management part. The power switch unit has the function of switching between whether or not to cut off the supply of power to the data holding unit, on the basis of the command and the setting information held by the setting information holding unit. The backup unit has the function of storing and holding data on the basis of a signal provided by the power supply management part.
G06F 1/3287 - Gestion de l’alimentation, c. à d. passage en mode d’économie d’énergie amorcé par événements Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise par la mise hors tension d’une unité fonctionnelle individuelle dans un ordinateur
G11C 14/00 - Mémoires numériques caractérisées par des dispositions de cellules ayant des propriétés de mémoire volatile et non volatile pour sauvegarder l'information en cas de défaillance de l'alimentation
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
12.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a transistor having low parasitic capacitance. This semiconductor device comprises first to fourth electroconductive layers, an oxide semiconductor layer, and first to third insulating layers. The first insulating layer is positioned on the first electroconductive layer. The second electroconductive layer is positioned on the first insulating layer. The first insulating layer and the second electroconductive layer have a first opening that reaches the first electroconductive layer. The oxide semiconductor layer is in contact with at least the upper surface of the first electroconductive layer, a side surface of the first insulating layer, and a side surface of the second electroconductive layer within the first opening. The third electroconductive layer overlaps the oxide semiconductor layer within the first opening with the second insulating layer interposed therebetween. In a cross-sectional view, the width of the third electroconductive layer and the width of a second opening are each equal to or less than the width of the first opening in the second electroconductive layer. The third insulating layer is positioned on the second insulating layer and has a second opening that reaches the third electroconductive layer at a position overlapping the first opening. The fourth electroconductive layer is in contact with the upper surface of the third electroconductive layer within the second opening.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
13.
DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING DISPLAY APPARATUS
A display apparatus-including a first pixel, a second pixel adjacent to the first pixel, a first insulating layer, and a second insulating layer over the first insulating layer is provided. The first pixel includes a first pixel electrode, a first EL layer covering the first pixel electrode, a third insulating layer over the first EL layer, and a common electrode over the first EL layer. The common electrode is in contact with part of the top surface of the first EL layer. The first EL layer contains a first organic compound. The amount of an organic compound that includes an oxide of the first organic compound or a partial structure of the first organic compound and is contained in the first EL layer is greater than 0 and less than or equal to 1/10 of an amount of the first organic compound contained in the first EL layer.
A display apparatus with high display quality is provided. The display apparatus includes a light-emitting device, a light-receiving device, a first plano-convex lens, and a second plano-convex lens. The light-emitting device and the first plano-convex lens have an overlap region. The light-receiving device and the second plano-convex lens have an overlap region. The light-emitting device and the light-receiving device each include a pair of electrodes and an organic compound provided between the pair of electrodes. One of the pair of electrodes is a conductive film having a light-transmitting property with respect to visible light. The first plano-convex lens and the second plano-convex lens are provided so that a surface opposite to a convex surface is in contact with the conductive film. A refractive index of the plano-convex lenses is greater than a refractive index of the conductive film.
H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
H10K 59/65 - OLED intégrées avec des capteurs d'images inorganiques
15.
DISPLAY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, DISPLAY MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE
A highly reliable display device is provided. The display device includes a first light-emitting element, a second light-emitting element adjacent to the first light-emitting element, a first insulating layer provided between the first light-emitting element and the second light-emitting element, a light-blocking layer over the first insulating layer, and a second insulating layer over the light-blocking layer. The first light-emitting element includes a first pixel electrode, a first EL layer over the first pixel electrode, and a common electrode over the first EL layer; and the second light-emitting element includes a second pixel electrode, a second EL layer over the second pixel electrode, and the common electrode over the second EL layer. The common electrode is placed over the second insulating layer.
H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
A tandem light-emitting device that can be suitably used for a high-resolution display device is provided. The light-emitting device includes a first electrode, a second electrode facing the first electrode, a first light-emitting layer, a second light-emitting layer, and a first layer. The first light-emitting layer and the second light-emitting layer are between the first electrode and the second electrode. The first layer is between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer. GSP_slope (mV/nm) of the first layer and GSP_slope (mV/nm) of the first light-emitting layer are denoted by signs of opposite polarities. Note that the GSP_slope (mV/nm) is a parameter represented by V/d when a surface potential and a thickness of a film are represented by V (mV) and d (nm), respectively.
Provided is a light-emitting element which has an anode, a light-emitting layer over the anode, an electron-transport layer over and in contact with the light-emitting layer, an electron-injection layer over and in contact with the electron-transport layer, and a cathode over and in contact with the electron-injection layer. The light-emitting layer has an electron-transport property, and the electron-transport layer includes an anthracene derivative. The light-emitting layer further includes a phosphorescent substance. This device structure allows the formation of a highly efficient blue-emissive light-emitting element even though the phosphorescent substance has higher triplet energy than the anthracene derivative which directly contacts with the light-emitting layer.
An angle adjustment device capable of being kept at a desired angle is provided. The angle adjustment device can fix and keep the relative positions of the first base component and the second base component, and a support with a combination of the angle adjustment device and components such as a flat plate can keep the entire body in a shape opened on a plane, a folded shape, a shape kept at a desired angle, or the like. In addition, the angle adjustment device can make a bending movement in one direction, which prevents bending in a reverse direction. Therefore, it is possible to prevent an accidental bending movement of an apparatus including the angle adjustment device to prevent breakage or the like of the apparatus.
Provided is a semiconductor device having favorable electrical properties. The semiconductor device includes a first conductive layer, a first insulating layer on the first conductive layer, a second conductive layer on the first insulating layer, a second insulating layer on the second conductive layer, a third conductive layer on the second insulating layer, a third insulating layer and semiconductor layer on the first conductive layer, a fourth insulating layer on the semiconductor layer, and a fourth conductive layer on the fourth insulating layer. The first insulating layer, the second conductive layer, the second insulating layer, and the third conductive layer are provided with a first opening reaching the first conductive layer. The third insulating layer has a second opening in a region overlapping the first opening, and is in contact with a side surface of the second conductive layer and a side surface of the third conductive layer. The semiconductor layer is in contact with the upper surface of the third conductive layer and the upper surface of the first conductive layer through the second opening. The fourth conductive layer has a region facing the second conductive layer with the fourth insulating layer, the semiconductor layer, and the third insulating layer interposed therebetween.
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
20.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device comprising a transistor having high saturation. The semiconductor device is provided with a vertical transistor having a back gate electrode. The semiconductor device is provided with a lower electrode, a spacer, and an upper electrode in that order. The spacer has a first opening that reaches the lower electrode, and the upper electrode has a second opening having a region overlapping the first opening. The back gate electrode is provided inside the first opening and has a region that contacts the lower electrode. A back gate insulating layer, a semiconductor layer, a gate insulating layer, and a gate electrode are provided in that order so as to cover the back gate electrode. The back gate electrode can be formed by, after the first opening and the second opening are formed, forming an electroconductive film so as to cover the first opening, and subjecting the electroconductive film to anisotropic etching. Moreover, a back gate insulating layer can be formed by forming an insulating film so as to cover the back gate electrode, and subjecting the insulating film to anisotropic etching.
The present invention provides a transistor with a high on-state current. The present invention also provides a semiconductor device with good electrical characteristics. The semiconductor device includes the transistor, a first insulating layer, and a second insulating layer. The transistor has a first conductive layer, a second conductive layer, a third conductive layer, a third insulating layer, and an oxide semiconductor layer. The first conductive layer, the first insulating layer, the second conductive layer, the second insulating layer, and the third conductive layer are stacked in the above order. The first insulating layer, the second conductive layer, the second insulating layer, and the third conductive layer have an opening that reaches the first conductive layer. The third insulating layer has an area in contact with the top surface of a portion of the first conductive layer, the side surface of the first insulating layer, the side surface of the second conductive layer, the side surface of the second insulating layer, and the side surface of the third conductive layer at the opening. The oxide semiconductor layer has an area in contact with the top surface of the first conductive layer, the top and side surfaces of the third insulating layer, and the top surface of the third conductive layer.
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10B 53/20 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
Provided is a novel secondary battery. Provided is a secondary battery capable of suppressing dendritic precipitation of lithium at the negative electrode during charging. This secondary battery has a negative electrode, an electrolyte, and a separator, wherein: the negative electrode has a negative electrode active material and a coating layer covering at least a portion of the negative electrode active material; the coating layer has an area in contact with the separator; the coating layer has a titanium-containing material; and the electrolyte has a fluorinated cyclic carbonate and a fluorinated chain carbonate. Metallic titanium can be used as the titanium-containing material, for example.
H01M 4/13 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication
H01M 4/134 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants
23.
Display Device And Method For Manufacturing Display Device
A display device having a function of detecting an object that is in contact with or approaches a display portion is provided. The display device includes a light-emitting element and a light-receiving element. The light-emitting element includes a first pixel electrode, a first light-emitting layer over the first pixel electrode, an intermediate layer over the first light-emitting layer, a second light-emitting layer over the intermediate layer, and a common electrode over the second light-emitting layer. The light-receiving element includes a second pixel electrode, a light-receiving layer over the second pixel electrode, and the common electrode over the light-receiving layer. The first light-emitting layer and the second light-emitting layer have a function of emitting light of the same color.
H10K 59/60 - OLED intégrées avec des éléments inorganiques sensibles à la lumière, p. ex. avec des cellules solaires inorganiques ou des photodiodes inorganiques
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
H10K 59/123 - Connexion des électrodes de pixel aux transistors à couches minces [TFT]
H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
A light-emitting device with high emission efficiency is provided. The light-emitting device includes a first electrode, a second electrode, and an EL layer positioned between the first electrode and the second electrode. The EL layer includes at least a light-emitting layer, a first layer, a second layer, and a third layer. The first layer is positioned between the first electrode and the light-emitting layer. The third layer is positioned between the first layer and the light-emitting layer. The second layer is positioned between the first layer and the third layer. The first layer includes a first organic compound. The second layer includes a second organic compound. The third layer includes a third organic compound. The ordinary refractive index of the second organic compound is higher than the ordinary refractive index of the first organic and the ordinary refractive index of the third organic compound.
H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
A high-resolution light-emitting apparatus that emits blue light with a high blue index is provided. The light-emitting apparatus includes a pixel electrode A; a pixel electrode B adjacent to the pixel electrode A; a common electrode; an EL layer A sandwiched between the pixel electrode A and the common electrode; an EL layer B sandwiched between the pixel electrode B and the common electrode; and an insulating layer positioned between the common electrode and each of the EL layer A and the EL layer B. The insulating layer has an opening portion A overlapping with the pixel electrode A and an opening portion B overlapping with the pixel electrode B. The EL layer A includes a light-emitting layer A. The light-emitting layer A contains a light-emitting substance A. The light-emitting substance A emits blue light. The EL layer A is in contact with the pixel electrode A. The EL layer B is in contact with the pixel electrode B. The EL layer A is in contact with the common electrode in the opening portion A. The EL layer B is in contact with the common electrode in the opening portion B.
A metal oxide film including a crystal part and having highly stable physical properties is provided. The size of the crystal part is less than or equal to 10 nm, which allows the observation of circumferentially arranged spots in a nanobeam electron diffraction pattern of the cross section of the metal oxide film when the measurement area is greater than or equal to 5 nmφ and less than or equal to 10 nmφ.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
G01N 23/207 - Diffractométrie, p.ex. en utilisant une sonde en position centrale et un ou plusieurs détecteurs déplaçables en positions circonférentielles
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A minute transistor is provided that includes a first insulator, a second insulator, a first, conductor, a second conductor, and third conductor, in which an angle is formed between a side surface of the first insulator and a top surface of the first conductor, and a length between the first conductor and a surface of the second conductor closest to the first conductor is at least greater than a length between the first conductor and the third conductor.
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
28.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
The semiconductor device includes a driver circuit portion including a driver circuit and a pixel portion including a pixel. The pixel includes a gate electrode layer having a light-transmitting property, a gate insulating layer, a source electrode layer and a drain electrode layer each having a light-transmitting property provided over the gate insulating layer, an oxide semiconductor layer covering top surfaces and side surfaces of the source electrode layer and the drain electrode layer and provided over the gate electrode layer with the gate insulating layer therebetween, a conductive layer provided over part of the oxide semiconductor layer and having a lower resistance than the source electrode layer and the drain electrode layer, and an oxide insulating layer in contact with part of the oxide semiconductor layer.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
A display device that has a function of emitting visible light and infrared light and a function of detecting light. The display device is a display device including a first light-emitting device, a second light-emitting device, and a light-receiving device, in a display portion. The first light-emitting device includes a first pixel electrode, a first optical adjustment layer, a first light-emitting layer, a second light-emitting layer, and a common electrode. The second light-emitting device includes a second pixel electrode, a second optical adjustment layer, the first light-emitting layer, the second light-emitting layer, and the common electrode. The light-receiving device includes a third pixel electrode, an active layer, and the common electrode. The active layer includes an organic compound. The first light-emitting device emits infrared light emitted by the first light-emitting layer. The second light-emitting device emits visible light emitted by the second light-emitting layer. The light-receiving device has a function of absorbing at least part of visible light and infrared light.
H10K 59/32 - Dispositifs empilés comportant plusieurs couches, chacune émettant à des longueurs d'onde différentes
H10K 50/85 - Dispositifs pour extraire la lumière des dispositifs
H10K 102/00 - DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L’ÉTAT SOLIDE ORGANIQUES - Détails de structure relatifs aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe
Semiconductor Energy Laboratory Co., :Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
Yamazaki, Shunpei
Okazaki, Kenichi
Koezuka, Junichi
Nakayama, Tomonori
Nakashima, Motoki
Abrégé
In a transistor including an oxide semiconductor, a change in electrical characteristics is suppressed and reliability is improved. The transistor includes an oxide semiconductor film over a first insulating film; a second insulating film over the oxide semiconductor film; a metal oxide film over the second insulating film; a gate electrode over the metal oxide film; and a third insulating film over the oxide semiconductor film and the gate electrode. The oxide semiconductor film includes a channel region overlapping with the gate electrode, a source region in contact with the third insulating film, and a drain region in contact with the third insulating film. The source region and the drain region contain one or more of hydrogen, boron, carbon, nitrogen, fluorine, phosphorus, sulfur, chlorine, titanium, and a rare gas.
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
The present invention provides a semiconductor device comprising different types of memory devices in the same chip. The speed of data transfer between two memory devices is improved. The semiconductor device has a first layer, a second layer, and a third layer. The first layer has a first memory device in which a plurality of nonvolatile first memory elements are stacked in the thickness direction of the first layer. The second layer has a second memory device with a plurality of second memory elements including transistors with oxide semiconductors. The third layer has a first drive circuit for controlling the operation of the first memory device and a second drive circuit for controlling the operation of the second memory device. The first layer, the second layer, and the third layer have mutually overlapping portions.
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H10B 51/20 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
32.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated. This semiconductor device has a memory device, a sense amplifier, and a processing unit. The sense amplifier and the processing unit are disposed on a first layer, and the memory device is disposed on a second layer stacked on the first layer. The memory device has a first transistor, a second transistor, and a capacitor, and the second transistor and the capacitor are each provided overlapping on the first transistor, with the second transistor positioned obliquely above the first transistor. The first and second transistors are provided with source electrodes and drain electrodes overlapping at different heights with respect to a substrate surface. The gate electrode of the first transistor functions as one of either the source electrode or the drain electrode of the second transistor and also functions as one electrode of the capacitor. A dielectric layer of the capacitor is provided on the gate electrode of the first transistor. The other electrode of the capacitor is provided on the dielectric layer of the capacitor, with a spacing between the other electrode of the capacitor and the gate electrode of the second transistor.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H10B 41/23 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés
H10B 43/23 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés
33.
DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS
Provided is a display apparatus having a high aperture ratio. In the display apparatus, a transistor, a capacitor, and a liquid crystal element are provided in a pixel. A spacer is provided between a lower electrode which is one of the source electrode and the drain electrode of the transistor and a upper electrode which is the other one thereof. The upper electrode and the spacer have an aperture reaching the lower electrode and are provided with a semiconductor layer, a gate insulating layer, and a gate electrode in this order so as to have a region located inside the aperture. The lower electrode is used as a first wire, the gate electrode is used as a second wire, and the first wire and the second wire are orthogonal to each other. The capacitor is formed of the upper electrode, the gate insulating layer, and a third wire. The third wire is provided on the same surface on which the second wire is formed and extends in a direction parallel to the second wire. A pixel electrode of the liquid crystal element has a region overlapping the third wire.
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/35 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels à cristaux liquides
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A method of fabricating a display device with high resolution is provided. A display device having both high display quality and high resolution is provided. The method of fabricating a display device includes steps of forming a first EL film and a first sacrificial film over a first pixel electrode and a second pixel electrode; etching the first sacrificial film to form a first sacrificial layer; etching the first EL film to form a first EL layer and to expose the second pixel electrode; forming a second EL film and a second sacrificial film; etching the second sacrificial film to form a second sacrificial layer; etching the second EL film to form a second EL layer; forming an insulating film covering the first sacrificial layer, the first EL layer, the second sacrificial layer, and the second EL layer; and etching the insulating film to form an insulating layer including a region in contact with a side surface of the first EL layer and a region in contact with a side surface of the second EL layer.
The invention of the application is the invention regarding a semiconductor device and a method for driving the semiconductor device. The semiconductor device includes first and second transistors, first to fifth switches, first to third capacitors, and a display element. The first transistor (M2) comprises a back gate, a gate of the first transistor is electrically connected to the first switch (M1), the second switch (M3) and the first capacitor (C1) are positioned between the gate of the first transistor and a source of the first transistor, the back gate of the first transistor is electrically connected to the third switch (M4), the second capacitor (C2) is positioned between the back gate of the first transistor and the source of the first transistor, the source of the first transistor is electrically connected to the fourth switch (M6) and a drain of the second transistor (M5), a gate of the second transistor is electrically connected to the fifth switch (M7), the third capacitor (C3) is positioned between the gate of the second transistor and a source of the second transistor, and the source of the second transistor is electrically connected to the display element (61).
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
36.
METHOD FOR MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL
A positive electrode active material with high charge and discharge capacity is provided. Alternatively, a novel positive electrode active material is provided. A compound containing nickel, cobalt, manganese, and aluminum (also referred to as a precursor) is obtained by using a coprecipitation method, and then, a mixture in which a lithium compound and the compound containing nickel, cobalt, manganese, and aluminum are mixed is heated at a first heating temperature. After the mixture is ground or crushed, the mixture is further heated at a second heating temperature, and an additive is mixed therein. Then, a third heat treatment is performed to manufacture a positive electrode active material.
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
H01M 4/02 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
37.
DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS
A display apparatus with high display quality is provided. A display apparatus includes a first pixel, a second pixel provided adjacent to the first pixel, a first insulating layer, and a second insulating layer over the first insulating layer. The first pixel includes a first pixel electrode, a first EL layer covering the first pixel electrode, a common electrode over the first EL layer. The second pixel includes a second pixel electrode, a second EL layer covering the second pixel electrode, and the common electrode over the second EL layer. The first insulating layer covers part of a side surface and part of a top surface of the first EL layer and part of a side surface and part of a top surface of the second EL layer. At least part of the second insulating layer is provided to be sandwiched between an end portion of the side surface of the first EL layer and an end portion of the side surface of the second EL layer. The second insulating layer contains an acrylic resin, and the second insulating layer has a tapered side surface and a convex shaped top surface. A taper angle of the tapered side surface of the second insulating layer is less than 90°, and the common electrode overlaps with the second insulating layer.
A metal oxide film with high electrical characteristics is provided. A metal oxide film with high reliability is provided. The metal oxide film contains indium, M (M is aluminum, gallium, yttrium, or tin), and zinc. In the metal oxide film, distribution of interplanar spacings d determined by electron diffraction by electron beam irradiation from a direction perpendicular to a film surface of the metal oxide film has a first peak and a second peak. The top of the first peak is positioned at greater than or equal to 0.25 nm and less than or equal to 0.30 nm, and the top of the second peak is positioned at greater than or equal to 0.15 nm and less than or equal to 0.20 nm. The distribution of the interplanar spacings d is obtained from a plurality of electron diffraction patterns of a plurality of regions of the metal oxide film. The electron diffraction is performed using an electron beam with a beam diameter of greater than or equal to 0.3 nm and less than or equal to 10 nm.
A light-emitting element including a fluorescent material as a light-emitting material and having high emission efficiency is provided. The light-emitting element includes a pair of electrodes and an EL layer provided between the pair of electrodes. The EL layer includes a host material and a guest material. The host material is capable of exhibiting thermally activated delayed fluorescence at room temperature. The guest material is capable of exhibiting fluorescence. The second triplet excitation energy level of the guest material is higher than or equal to the lowest singlet excitation energy level of the guest material.
H10K 50/12 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des dopants
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
H10K 101/00 - Propriétés des matériaux organiques couverts par le groupe
H10K 101/10 - Propriétés des matériaux organiques couverts par le groupe Émission de triplets
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
A display device that achieves both high-accuracy sensing by a touch sensor unit and smooth input using the touch sensor unit is provided. The display device includes a display unit and the touch sensor unit. The touch sensor unit performs touch sensing operation at a different timing from display image rewriting by the display unit, whereby the high-accuracy sensing can be achieved. The display unit has a function of rewriting a display image only in a region that needs to be rewritten. In the case where the entire display region is not necessarily rewritten, the time for the sensing operation by the touch sensor unit can be lengthened, whereby the smooth input can be achieved.
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
G06F 3/044 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
Provided is a new semiconductor device. This semiconductor device comprises: a first conductive layer; a first insulating layer on the first conductive layer; a second conductive layer on the first insulating layer; a first semiconductor layer; a second insulating layer on the first semiconductor layer; a third insulating layer on the second insulating layer; and a third conductive layer on the third insulating layer. The first insulating layer and the second conductive layer are each provided with an opening reaching the first conductive layer. In the opening, the first semiconductor layer has: a region that is in contact with the upper surface of the first conductive layer; a region that is in contact with a lateral surface of the first insulating layer; and a region that is in contact with a lateral surface of the second conductive layer. The second insulating layer has barrier properties against oxygen. The third insulating layer is a ferroelectric material having hafnium, zirconium, at least one of the group 3 elements in the element periodic table, and oxygen, and the content of the at least one of the group 3 elements in the element periodic table in the third insulating layer is 0.1-5 atomic%.
H10B 51/30 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 51/20 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
42.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Provided is a transistor with low parasitic capacitance. Also provided is a semiconductor device that has favorable electrical characteristics. The semiconductor device comprises a first conducting layer, a second conducting layer, a third conducting layer, an oxide semiconductor layer, a first insulating layer, and a second insulating layer. The first insulating layer is located over the first conducting layer. The second conducting layer is located over the first insulating layer. The first insulating layer and the second conducting layer have an opening that reaches the first conducting layer. The oxide semiconductor layer, within the opening, is in contact with at least an upper surface of the first conducting layer, a side surface of the first insulating layer, and a side surface of the second conducting layer. The second insulating layer, within the opening, is located over the oxide semiconductor layer. The third conducting layer, within the opening, overlaps with the oxide semiconductor layer with the second insulating layer interposed therebetween. In a cross-sectional view, the width of the third conducting layer is equal to or less than the width of the opening in the second conducting layer.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
43.
SEMICONDUCTOR DEVICE, STORAGE DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND PROCESSING DEVICE
Provided is a processing device having high recording density. The present invention is a processing device comprising a first layer and a second layer that is located above the first layer. The first layer has a processing unit and a sense amplifier, and the second layer has a memory cell. The memory cell is included in a storage device handled as a cache memory or a main memory in the processing unit. The sense amplifier has a function for reading data held in the memory cell, and the memory cell has a transistor and a capacitive element. In particular, the transistor is configured as a vertical transistor in which a channel formation region is included in a first opening in a first insulating layer. The capacitive element has a first capacitive region inside a second opening in a second insulating layer, and a second capacitive region in a region overlapping the upper surface of the second insulating layer. The first opening has an area overlapping at least a portion of the second capacitive region.
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
Provided is a semiconductor device having a novel configuration. In this invention, first to third element layers are included. The second element layer is provided so as to be layered on the first element layer. The third element layer is provided so as to be layered on the second element layer. A first memory unit is provided in the second element layer. A second memory unit is provided in the third element layer. The first element layer has a first sense amplifier circuit unit electrically connected to the first memory unit and a second sense amplifier circuit unit electrically connected to the second memory unit. The first sense amplifier circuit unit and the second sense amplifier circuit unit have a first transistor having a first semiconductor layer with silicon in a channel-forming region. The first memory unit has a second transistor having a second semiconductor layer with an oxide semiconductor in a channel-forming region. The second memory unit has a third transistor having a third semiconductor layer with an oxide semiconductor in a channel-forming region. The third element layer provided with the second memory unit is provided by stacking a plurality of element layers.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
45.
Light-Emitting Device, Light-Emitting Apparatus, Electronic Appliance, and Lighting Device
A light-emitting device having high heat resistance in a manufacturing process is provided. Provided is a light-emitting device which includes a second electrode over a first electrode with a first EL layer therebetween and in which the first EL layer includes at least a first light-emitting layer; a second EL layer is over the first EL layer; the second EL layer includes at least a second light-emitting layer, a first electron-transport layer, and a second electron-transport layer; the first electron-transport layer is over the second light-emitting layer; an insulating layer is in contact with the side surface of the first light-emitting layer, the side surface of the second light-emitting layer, and the side surface of the first electron-transport layer; the second electron-transport layer is over the first electron-transport layer; the insulating layer is positioned between the second electron-transport layer and the side surface of the first light-emitting layer, the side surface of the second light-emitting layer, and the side surface of the first electron-transport layer; and the first electron-transport layer includes a heteroaromatic compound including at least one heteroaromatic ring and an organic compound different from the heteroaromatic compound.
A display apparatus with high display quality is provided. The display apparatus includes a first light-emitting device including a first pixel electrode, a first layer, and a common electrode; a second light-emitting device including a second pixel electrode, a second layer, and the common electrode; a first coloring layer; a second coloring layer transmitting light with a color different from a color of light transmitted by the first coloring layer; a first insulating layer; and a second coloring layer. The first layer and the second layer each contain a first light-emitting material emitting blue light and a second light-emitting material emitting light with a longer wavelength than blue light and are separated from each other. The first insulating layer covers a side surface and part of a top surface of the first layer and a side surface and part of a top surface of the second layer. The second insulating layer overlaps with the side surface and the part of the top surface of the first layer and the side surface and the part of the top surface of the second layer with the first insulating layer therebetween. The common electrode covers the second insulating layer. In a cross-sectional view, an end portion of the second insulating layer has a tapered shape with a taper angle less than 90 degrees.
A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. The semiconductor device includes a first transistor, a capacitor, and a second transistor stacked in this order. The first and second transistors each include a semiconductor layer, a first conductor over the semiconductor layer, a first insulator, and a second conductor over the first insulator. In each of the first and second transistors, a side surface of the semiconductor layer is aligned with a side surface of the first conductor; the semiconductor layer and the first conductor each have an opening; the first insulator is inside the opening; the first insulator has a depressed portion reflecting the shape of the opening; and a second conductor fills the depressed portion. The second conductor of the first transistor, one of a pair of electrodes of the capacitor, and the semiconductor layer of the second transistor are connected to each other.
A highly integrated semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a substrate, a prism-like insulator, a memory cell string including a plurality of transistors connected in series. The prism-like insulator is provided over the substrate. The memory cell string is provided on the side surface of the prism-like insulator. The plurality of transistors each include a gate insulator and a gate electrode. The gate insulator includes a first insulator, a second insulator, and a charge accumulation layer. The charge accumulation layer is positioned between the first insulator and the second insulator.
H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G11C 16/10 - Circuits de programmation ou d'entrée de données
G11C 16/26 - Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
Provided is a semiconductor device that enables miniaturization and high integration. The semiconductor device comprises a transistor and first through third insulators. The transistor comprises: a first conductor on the second insulator; a second conductor on the third insulator; an oxide semiconductor; a fourth insulator; and a third conductor. An opening that reaches the first conductor is provided in the third insulator and the second conductor. The oxide semiconductor is in contact with the upper surface of the first conductor and the upper surface and a side surface of the second conductor. The fourth insulator is disposed on the oxide semiconductor such that at least a portion of the fourth insulator is positioned at the opening. The third conductor is disposed on the fourth insulator such that at least a portion of the third conductor is positioned at the opening. The second insulator has the function of capturing or anchoring hydrogen. The second conductor has a first layer and a second layer over the first layer. The first layer has higher electrical conductivity than the second layer, and the second layer includes a metal oxide.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]
H10K 50/115 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des nanostructures inorganiques actives, p. ex. des points quantiques luminescents
Provided is a semiconductor device with a small footprint. This semiconductor device has a first transistor, a second transistor, and a first insulating layer. The first transistor has a first conductive layer, a second conductive layer, and a first semiconductor layer. The second transistor has a third conductive layer on the first insulating layer, a second insulating layer in contact with the upper and side surfaces of the third conductive layer and with the upper surface of the first insulating layer, a third insulating layer on the second insulating layer, and a second semiconductor layer on the third insulating layer. The first insulating layer is provided on the first conductive layer. The first and second insulating layers have a first opening that reaches the first conductive layer. The second conductive layer is provided on the second insulating layer. The second conductive layer has a second opening in an area overlapping the first opening. In the first and second openings, the first semiconductor layer is in contact with the upper surface of the first conductive layer, the side surface of the first insulating layer, the side surface of the second insulating layer, and the side surface of the second conductive layer.
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10K 59/123 - Connexion des électrodes de pixel aux transistors à couches minces [TFT]
H10K 59/124 - Couches isolantes formées entre les éléments TFT et les éléments OLED
A semiconductor device with a small variation in transistor electrical characteristics is provided. The semiconductor device includes an oxide; a first conductor, a second conductor, and a first insulator over the oxide; a second insulator over the first conductor and the second conductor; a third insulator over the first insulator; a third conductor over the third insulator; and a fourth insulator over the second insulator and the third conductor. The fourth insulator is in contact with a top surface of the second insulator and a top surface of the third conductor. The first insulator includes regions that are in contact with a top surface of the oxide, a side surface of the first conductor, a side surface of the second conductor, and a side surface of the second insulator. The oxide includes indium, gallium, aluminum, and zinc. Each of the first insulator and the fourth insulator includes aluminum and oxygen. The fourth insulator has an amorphous structure. The oxide has a concentration gradient in which an aluminum concentration increases toward the top surface of the oxide from the bottom surface of the oxide.
The semiconductor device includes a first insulating layer, a second insulating layer, an oxide semiconductor layer, and first to third conductive layers. The first conductive layer and the second conductive layer are connected to the oxide semiconductor layer. The second insulating layer includes a region in contact with the oxide semiconductor layer, and the third conductive layer includes a region in contact with the second insulating layer. The oxide semiconductor layer includes first to third regions. The first region and the second region are separated from each other, and the third region is located between the first region and the second region. The third region and the third conductive layer overlap with each other with the second insulating layer located therebetween. The first region and the second region include a region having a higher carbon concentration than the third region.
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
To improve color reproduction areas in a display device having light-emitting elements. A display region has a plurality of picture elements. Each picture element includes: first and second pixels each including a light-emitting element which has a chromaticity whose x-coordinate in a CIE-XY chromaticity diagram is 0.50 or more; third and fourth pixels each including a light-emitting element which has a chromaticity whose y-coordinate in the diagram is 0.55 or more; and fifth and sixth pixels each including a light-emitting element which has a chromaticity whose x-coordinate and y-coordinate in the diagram are 0.20 or less and 0.25 or less, respectively. The light-emitting elements in the first and second pixels have different emission spectrums from each other; the light-emitting elements in the third and fourth pixels have different emission spectrums from each other; and the light-emitting elements in the fifth and sixth pixels have different emission spectrums from each other.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/3208 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED]
A display device having a function of sensing light is provided. The display device includes a first substrate, a second substrate, a light-receiving element, a light-emitting element, a resin layer, and a light shielding layer. The light-receiving element, the light-emitting element, the resin layer, and the light shielding layer are each positioned between the first substrate and the second substrate. The light-receiving element includes a first pixel electrode over the first substrate, an active layer over the first pixel electrode, and a common electrode over the active layer. The light-emitting element includes a second pixel electrode over the first substrate, a first light-emitting layer over the second pixel electrode, and the common electrode over the first light-emitting layer. The resin layer and the light shielding layer are each positioned between the common electrode and the second substrate. The resin layer includes a portion overlapping with the light-emitting element. The light shielding layer includes a portion positioned between the common electrode and the resin layer. The resin layer includes a portion overlapping with the light-receiving element or is provided in an island shape. At least part of light passing through the second substrate enters the light-receiving element without through the resin layer.
H10K 59/60 - OLED intégrées avec des éléments inorganiques sensibles à la lumière, p. ex. avec des cellules solaires inorganiques ou des photodiodes inorganiques
G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
G09G 3/3208 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED]
H10K 50/86 - Dispositions pour améliorer le contraste, p. ex. en empêchant la réflexion de la lumière ambiante
H10K 59/30 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore
55.
Functional Panel, Display Device, Input/Output Device, and Data Processing Device
A novel functional panel that is highly convenient or reliable is provided. A novel display device is provided. The functional panel includes an optical element, a first insulating film, and a region. The optical element has a first refractive index; the optical element is a convex lens; the optical element has a first surface and a second surface; the optical element has a first cross section on a first plane; the first surface forms a first curve in the first cross section; the first curve has a first radius of curvature; the second surface faces the first surface; the second surface is irradiated with first light; the first insulating film is interposed between the optical element and the region; the first insulating film is in contact with the second surface; the region overlaps with the second surface; the region faces the second surface; the region emits the first light; and a distance L1 is a distance between the region and the second surface. The distance L1 has a relationship with the first radius of curvature R1 and the first refractive index N1 represented by the following formula: L1≤5×R1/(N1−1).
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
An input/output device includes a first sensor electrode and a second sensor electrode. In addition, the input/output device includes a first electrode and a second electrode which are electrodes for a display element, and a substrate sandwiched between the first sensor electrode and the second sensor electrode. The second sensor electrode is formed concurrently with the first electrode using the same material. The input/output device sensors a change in capacitance of a capacitor formed between the first sensor electrode and the second sensor electrode. Furthermore, a third sensor electrode to which a floating potential is applied may be provided to overlap with the first electrode. In the input/output device, either a liquid crystal element or a light-emitting element may be used, or both the liquid crystal element and the light-emitting element may be used.
A first transistor and a second transistor are stacked. The first transistor and the second transistor have a gate electrode in common. At least one of semiconductor films used in the first transistor and the second transistor is an oxide semiconductor film. With the use of the oxide semiconductor film as the semiconductor film in the transistor, high field-effect mobility and high-speed operation can be achieved. Since the first transistor and the second transistor are stacked and have the gate electrode in common, the area of a region where the transistors are disposed can be reduced.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Provided is an optical device that is thin and that achieves high light usage efficiency. This optical device that can be used for MR electronic devices or the like has, from a light source side, a first element, a second element, and a third element, and has a first optical path and a second optical path. The first optical path has a path in which the second element is reflected after the third element has been reflected, and the second optical path has a path in which the first element is reflected after the second element has been reflected. Since the light emitted from a light source passes through the first optical path or the second optical path and can be formed into an image at the same position after being transmitted through the third element, it is possible to increase light usage efficiency more than that of the conventional optical devices that use a first optical path.
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]
H10K 50/86 - Dispositions pour améliorer le contraste, p. ex. en empêchant la réflexion de la lumière ambiante
H10K 50/856 - Dispositifs pour extraire la lumière des dispositifs comprenant des moyens réfléchissants
H10K 50/858 - Dispositifs pour extraire la lumière des dispositifs comprenant des moyens de réfraction, p. ex. des lentilles
H10K 59/50 - OLED intégrées avec des éléments de modulation de lumière, p. ex. avec des éléments électrochromes, des éléments photochromes ou des éléments à cristaux liquides
H10K 59/90 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière
H10K 59/95 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière comprenant uniquement des éléments organiques émetteurs de lumière
A display device with high resolution is provided. A display device with high display quality is provided. The display device includes a substrate, an insulating layer, a plurality of transistors, and a plurality of light-emitting diodes. The plurality of light-emitting diodes are provided in a matrix over the substrate. Each of the plurality of transistors is electrically connected to at least one of the plurality of light-emitting diodes. The plurality of light-emitting diodes are positioned closer to the substrate than the plurality of transistors are. The plurality of light-emitting diodes emit light toward the substrate. Each of the plurality of transistors includes a metal oxide layer and a gate electrode. The metal oxide layer includes a channel formation region. The top surface of the gate electrode is substantially level with the top surface of the insulating layer.
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
G06F 3/044 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
61.
Light-Emitting Device, Light-Emitting Apparatus, Electronic Device, and Lighting Device
A novel light-emitting device is provided. Alternatively, a light-emitting device having a long driving lifetime at high temperature is provided. The light-emitting device ncludes an anode, a cathode, and an EL layer positioned between the anode and the cathode. The EL layer includes a first layer, a second layer, a third layer, and a light-emitting layer in this order from the anode side. The first layer includes a first organic compound and a second organic compound. The second layer includes a third organic compound. The third layer includes a fourth organic compound. The light-emitting layer includes a fifth organic compound and an emission center substance. The first organic compound exhibits an electron-accepting property with respect to the second organic compound. A difference between HOMO levels of the fourth organic compound and the fifth organic compound is less than or equal to 0.24 eV.
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
62.
Light-Emitting Device, Light-Emitting Apparatus, Electronic Device, and Lighting Device
A light-emitting device with high outcoupling efficiency is provided. In the light-emitting device including a light-emitting layer between a pair of electrodes, a low refractive index layer containing an organic compound and an inorganic compound is provided between the light-emitting layer and an anode or between the light-emitting layer and a cathode, and the low refractive index layer has a refractive index of less than or equal to 1.80 at a wavelength of light extracted from the light-emitting layer.
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
H10K 50/115 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des nanostructures inorganiques actives, p. ex. des points quantiques luminescents
H10K 101/10 - Propriétés des matériaux organiques couverts par le groupe Émission de triplets
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
An object of one embodiment of the present invention is to provide a novel organic compound. The organic compound is a triarylamine derivative. The triarylamine derivative has an aryl group including a skeleton in which a naphthyl group is bonded to a naphthylene group. The other two aryl groups are each independently a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group. These groups may each have a substituent. As the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms can be selected.
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
C07C 211/54 - Composés contenant des groupes amino liés à un squelette carboné ayant des groupes amino liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons du squelette carboné ayant des groupes amino liés à deux ou trois cycles aromatiques à six chaînons
C07C 211/58 - Naphtylamines; Leurs dérivés N-substitués
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
H10K 71/00 - Fabrication ou traitement spécialement adaptés aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe
H10K 71/13 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt liquide, p. ex. revêtement par centrifugation en utilisant des techniques d'impression, p. ex. l’impression par jet d'encre ou la sérigraphie
H10K 101/10 - Propriétés des matériaux organiques couverts par le groupe Émission de triplets
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
H10K 102/00 - DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L’ÉTAT SOLIDE ORGANIQUES - Détails de structure relatifs aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe
64.
Light-Emitting Element, Display Device, Electronic Device, and Lighting Device
A light-emitting element having low driving voltage and high emission efficiency is provided. In the light-emitting element, a combination of a guest material and a host material forms an exciplex. The guest material is capable of converting triplet excitation energy into light emission. Light emission from the light-emitting layer includes light emission from the guest material and light emission from the exciplex. The percentage of the light emission from the exciplex to the light emission from the light-emitting layer is greater than 0 percent and less than or equal to 60 percent. The energy after subtracting the energy of light emission from the exciplex from the energy of light emission from the guest material is greater than 0 eV and less than or equal to 0.23 eV.
H10K 50/852 - Dispositifs pour extraire la lumière des dispositifs comprenant une structure de cavité résonante, p. ex. une paire de réflecteurs de Bragg
H10K 59/30 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore
H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
H10K 101/00 - Propriétés des matériaux organiques couverts par le groupe
H10K 101/10 - Propriétés des matériaux organiques couverts par le groupe Émission de triplets
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
Provided is a display device having a high display quality. This display device has a pixel portion, a dummy pixel portion, and a peripheral region. A pixel includes a first pixel electrode, and a common electrode and a first layer on the first pixel electrode. The first layer has a light-emitting layer. A dummy pixel includes a second pixel electrode, and a common electrode and a second layer on the second pixel electrode. The peripheral region has a third layer. The second layer and the third layer comprise the same material as the light-emitting layer. A first insulating layer includes a region in contact with the side surface of the first layer, a region in contact with the side surface of the second layer, and a region covering the third layer. The common electrodes are disposed so as to cover the first insulating layer. In the first insulating layer, a first opening is provided in a region overlapping with the first pixel electrode, and a second opening is provided in a region overlapping with the second pixel electrode.
H10K 59/88 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure Éléments factices, c. à d. éléments ayant des caractéristiques non fonctionnelles
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
Provided is a novel light-emitting element. The light-emitting element includes an anode, an EL layer over the anode, and a cathode over the EL layer; a first layer is adjacent to a side surface of the EL layer, and a first portion is adjacent to the side surface of the first layer. The EL layer and the first portion are adjacent to each other with the first layer therebetween. A refractive index of the first portion is lower than a refractive index of the first layer. An angle θ between a bottom surface and the side surface of the EL layer is larger than 90°.
H10K 50/858 - Dispositifs pour extraire la lumière des dispositifs comprenant des moyens de réfraction, p. ex. des lentilles
H10K 50/115 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des nanostructures inorganiques actives, p. ex. des points quantiques luminescents
H10K 50/826 - Multicouches, p. ex. multicouches opaques
67.
Display Device, Manufacturing Method Of Display Device, And Electronic Device
A display device capable of displaying a high-quality image is provided. The display device includes a first light-emitting element, a second light-emitting element, and a gap. The first light-emitting element includes a first lower electrode, a first EL layer over the first lower electrode, and an upper electrode over the first EL layer. The second light-emitting element includes a second lower electrode, a second EL layer over the second lower electrode, and the upper electrode over the second EL layer. The first light-emitting element is adjacent to the second light-emitting element. The gap is provided between the first lower electrode and first EL layer and the second lower electrode and second EL layer.
H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
H10K 59/123 - Connexion des électrodes de pixel aux transistors à couches minces [TFT]
H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes
The semiconductor device includes a first conductor and a second conductor; a first insulator to a third insulator; and a first oxide to a third oxide. The first conductor is disposed to be exposed from a top surface of the first insulator. The first oxide is disposed over the first insulator and the first conductor. A first opening reaching the first conductor is provided in the first oxide. The second oxide is disposed over the first oxide. The second oxide comprises a first region, a second region, and a third region positioned between the first region and the second region. The third oxide is disposed over the second oxide. The second insulator is disposed over the third oxide. The second conductor is disposed over the second insulator. The third insulator is disposed to cover the first region and the second region and to be in contact with the top surface of the first insulator.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
A memory device having long data retention time and high reliability is provided. The memory device includes a driver circuit and a plurality of memory cells, the memory cell includes a transistor and a capacitor, and the transistor includes a metal oxide in a channel formation region. The transistor includes a first gate and a second gate, and in a period during which the memory cell retains data, negative potentials are applied to the first gate and the second gate of the transistor.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
An object is to provide a display device that performs accurate display. A circuit is formed using a transistor that includes an oxide semiconductor and has a low off-state current. A precharge circuit or an inspection circuit is formed in addition to a pixel circuit. The off-state current is low because the oxide semiconductor is used. Thus, it is not likely that a signal or voltage is leaked in the precharge circuit or the inspection circuit to cause defective display. As a result, a display device that performs accurate display can be provided.
G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G02F 1/167 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur le mouvement de translation des particules dans un fluide sous l’influence de l’application d’un champ caractérisés par l’effet électro-optique ou magnéto-optique par électrophorèse
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
An object of the invention is to improve the reliability of a light-emitting device. Another object of the invention is to provide flexibility to a light-emitting device having a thin film transistor using an oxide semiconductor film. A light-emitting device has, over one flexible substrate, a driving circuit portion including a thin film transistor for a driving circuit and a pixel portion including a thin film transistor for a pixel. The thin film transistor for a driving circuit and the thin film transistor for a pixel are inverted staggered thin film transistors including an oxide semiconductor layer which is in contact with a part of an oxide insulating layer.
H10K 50/11 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL]
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Provided is a semiconductor device including a sequential circuit including a first transistor and a capacitor. The first transistor includes a semiconductor layer including indium, zinc, and oxygen to form a channel formation region. A node electrically connected to a source or a drain of the first transistor and a capacitor becomes a floating state when the first transistor turns off, so that a potential of the node can be maintained for a long period. A power-gating control circuit may be provided to control supply of power supply potential to the sequential circuit. The potential of the node still can be maintained while supply of the power supply potential is stopped.
G11C 8/04 - Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique utilisant un dispositif d'adressage séquentiel, p.ex. registre à décalage, compteur
H01L 21/8258 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes , , ou
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
An imaging device having a function of processing an image is provided. The imaging device has an additional function such as image processing, can hold analog data obtained by an image capturing operation in a pixel, and can extract data obtained by multiplying the analog data by a predetermined weight coefficient. Difference data between adjacent light-receiving devices can be obtained in a pixel, and data on luminance gradient can be obtained. When the data is taken in a neural network or the like, inference of distance data or the like can be performed. Since enormous volume of image data in the state of analog data can be held in pixels, processing can be performed efficiently.
Provided is a new semiconductor device. The semiconductor device has a first circuit, a second circuit, and a third circuit. The first circuit has a function of outputting a second signal, which corresponds to a first signal that has been inputted thereto, in synchronization with a clock signal. The second circuit has a function of retaining a third signal corresponding to the second signal even in the event of power supply stoppage. The third circuit has a function of supplying the first circuit with a signal corresponding to the third signal in accordance with a selection signal. The second circuit includes an OS transistor.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
Provided is a novel positive electrode active material. Also provided is a secondary battery having excellent charge and discharge characteristics. This battery has a positive electrode. The positive electrode contains lithium cobalt oxide. The lithium cobalt oxide has magnesium, titanium, aluminum and nickel in a surface layer and the surface layer is a region within 50 nm from the surface of the lithium cobalt oxide. In STEM-EDX analysis of the surface layer in the depth direction, magnesium has a peak on the surface side of the lithium cobalt oxide than aluminum.
H01M 4/131 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p.ex. LiCoOx
H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
An optical device with less influence of stray light is provided. The optical device is thin and includes a half mirror, a first lens, a retardation plate, a reflective polarizing plate, and a second lens. In the optical device, a geometric phase lens which has negative and positive refractive power is used as the first lens, whereby images can be focused after magnified optically. Thus, the optical device can have a wide viewing angle. In the case where stray light occurs due to birefringence of an optical material, negative refractive power of the first lens can prevent the stray light from being focused on the eye direction. Accordingly, image degradation recognized due to stray light can be prevented.
Provided is a semiconductor device in which a circuit area is reduced and power consumption is reduced. The semiconductor device comprises a first layer, a second layer, and a third layer. The second layer is located above the first layer, and the third layer is located above the second layer. Additionally, the first layer has a first circuit, a second circuit, and a third circuit. The second layer has a first calculation cell. The third layer has a second calculation cell. The first circuit has a function of generating a first current according to first data and a function of generating a second current according to second data. The second circuit has a function of generating a third current according to third data and a function of generating a fourth current according to fourth data. The first calculation cell calculates the product of the first data and the third data by using the first current and the third current. The second calculation cell calculates the product of the second data and the fourth data by using the second current and the fourth current. The third circuit has a function of performing calculation of an activation function by using, as an input value, the sum of a calculation result of the first and second calculation cells.
G06G 7/14 - Dispositions pour l'exécution d'opérations de calcul, p.ex. amplificateurs spécialement adaptés à cet effet pour l'addition ou la soustraction
G06G 7/16 - Dispositions pour l'exécution d'opérations de calcul, p.ex. amplificateurs spécialement adaptés à cet effet pour la multiplication ou la division
G06G 7/60 - Calculateurs analogiques pour des procédés, des systèmes ou des dispositifs spécifiques, p.ex. simulateurs d'êtres vivants, p.ex. leur système nerveux
G06G 7/184 - Dispositions pour l'exécution d'opérations de calcul, p.ex. amplificateurs spécialement adaptés à cet effet pour l'intégration ou la différentiation utilisant des éléments capacitifs
Provided is a semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated. The semiconductor device has a memory device, a sense amplifier, and a processing unit. The sense amplifier and the processing unit are disposed on a first layer, and the memory device is disposed on a second layer stacked on the first layer. The memory device has a first transistor, a second transistor, and a capacitor, and the second transistor and the capacitor are each provided overlapping on the first transistor. The first and second transistors are provided with source electrodes and drain electrodes overlapping at different heights with respect to the substrate surface. The gate electrode of the first transistor functions as one of the source electrode or drain electrode of the second transistor and also functions as one electrode of the capacitor. A dielectric layer of the capacitor is provided on the gate electrode of the first transistor. The other electrode of the capacitor is provided on the dielectric layer of the capacitor, with a gap between the electrode and the gate electrode of the second transistor.
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 53/20 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
A novel organic compound is provided. A novel organic compound having a carrier-transport property is provided. A novel organic compound having a hole-transport property is provided. An organic compound having a low refractive index is provided. An organic compound having a low refractive index and a carrier-transport property is provided. An organic compound having a low refractive index and a hole-transport property is provided. An organic compound represented by the following general formula (G1) is provided.
A novel organic compound is provided. A novel organic compound having a carrier-transport property is provided. A novel organic compound having a hole-transport property is provided. An organic compound having a low refractive index is provided. An organic compound having a low refractive index and a carrier-transport property is provided. An organic compound having a low refractive index and a hole-transport property is provided. An organic compound represented by the following general formula (G1) is provided.
C07C 211/54 - Composés contenant des groupes amino liés à un squelette carboné ayant des groupes amino liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons du squelette carboné ayant des groupes amino liés à deux ou trois cycles aromatiques à six chaînons
H10K 50/17 - Couches d'injection des porteurs de charge
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
80.
Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device
The semiconductor device includes a first memory cell, and a second memory cell thereover. The first memory cell includes first and second transistors, and a first capacitor. The second memory cell includes third and fourth transistors, and a second capacitor. A gate of the first transistor is electrically connected to one of a source and a drain of the second transistor and the first capacitor. A gate of the third transistor is electrically connected to one of a source and a drain of the fourth transistor and the second capacitor. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to one of a source and a drain of the third transistor. The second and fourth transistors include an oxide semiconductor. A channel length direction of the first and third transistors is substantially perpendicular to a channel length direction of the second and fourth transistors.
G11C 11/4094 - Circuits de commande ou de gestion de lignes de bits
G11C 11/401 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
G11C 11/4096 - Circuits de commande ou de gestion d'entrée/sortie [E/S, I/O] de données, p.ex. circuits pour la lecture ou l'écriture, circuits d'attaque d'entrée/sortie ou commutateurs de lignes de bits
G11C 11/4097 - Organisation de lignes de bits, p.ex. configuration de lignes de bits, lignes de bits repliées
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
81.
SEMICONDUCTOR DEVICE, DRIVING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
A novel semiconductor device is provided. A memory string, which extends in the Z direction and includes a conductor and an oxide semiconductor, intersects with a plurality of wirings CG extending in the Y direction. The conductor is placed along a center axis of the memory string, and the oxide semiconductor is concentrically placed outside the conductor. The conductor is electrically connected to the oxide semiconductor. An intersection portion of the memory string and the wiring CG functions as a transistor. In addition, the intersection portion functions as a memory cell.
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G11C 16/08 - Circuits d'adressage; Décodeurs; Circuits de commande de lignes de mots
H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. The semiconductor device includes a first conductor, a metal oxide over the first conductor, a second conductor over the metal oxide, a first insulator, a second insulator over the first insulator, and a third conductor over the second insulator. The first conductor includes a region overlapping with the metal oxide. The metal oxide has a first opening. The second conductor has a second opening. The first opening and the second opening overlap with each other. The first insulator is placed on the inner side of each of the first opening and the second opening. The second insulator is placed in a depressed portion of the first insulator. The third conductor is placed in a depressed portion of the second insulator.
A light-emitting device having high emission efficiency, reliability, and color purity is provided. The light-emitting device includes a first electrode, a second electrode, and an organic compound layer; the organic compound layer is positioned between the first electrode and the second electrode; the organic compound layer includes a light-emitting layer; the light-emitting layer includes a first substance and a second substance; the first substance emits light from a doublet excited state; a doublet excited level of the first substance is lower than a singlet excited level of the second substance and higher than a triplet excited level of the second substance; and the first substance emits light.
An object is to provide a semiconductor device with large memory capacity. The semiconductor device includes first to seventh insulators, a first conductor, and a first semiconductor. The first conductor is positioned on a first top surface of the first insulator and a first bottom surface of the second insulator. The third insulator is positioned in a region including a side surface and a second top surface of the first insulator, a side surface of the first conductor, and a second bottom surface and a side surface of the second insulator. The fourth insulator, the fifth insulator, and the first semiconductor are sequentially stacked on the third insulator. The sixth insulator is in contact with the fifth insulator in a region overlapping the first conductor. The seventh insulator is positioned in a region including the first semiconductor and the sixth insulator.
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H10B 41/41 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique de régions de mémoire comprenant un transistor de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
A novel correction method of a display apparatus is provided. One embodiment of the present invention is a correction method of a display apparatus. The correction method includes processing in which a voltage correcting a threshold voltage of the transistor is obtained and the voltage is held in the capacitor; processing in which current flowing through the pixel is measured and a second signal based on the current is generated in the first circuit; processing in which the first signal correcting image data using the second signal is generated in the second circuit; and processing in which the first signal is supplied to the pixel.
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
A high-resolution or high-definition display apparatus is provided. The display apparatus includes a first light-emitting element and a second light-emitting element, in which the first light-emitting element and the second light-emitting element have a function of emitting light of different colors; the first light-emitting element includes a first pixel electrode, a first EL layer over the first pixel electrode, and a common electrode over the first EL layer; the second light-emitting element includes a second pixel electrode, a second EL layer over the second pixel electrode, and the common electrode over the second EL layer; the first EL layer includes a first layer over the first pixel electrode, and a first light-emitting layer over the first layer; the first layer includes a hole-injection layer; a region where an angle between a side surface of the first pixel electrode and a bottom surface of the first pixel electrode is greater than or equal to 60° and less than or equal to 140° is included; and a ratio (T1/T2) of a thickness T1 of the first pixel electrode with respect to a thickness T2 of a first layer is greater than or equal to 0.5.
Alight-emitting device with high emission efficiency is provided. Alight-emitting device with a high blue index (BI) is provided. A light-emitting device with low power consumption is provided. A light-emitting device including a first electrode and a second electrode which are a reflective electrode and a semi-transmissive and semi-reflective electrode, and an EL layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, where the EL layer contains an emission center substance, where when the emission center substance in the EL layer includes only one kind of substance, photon energy of a peak wavelength of light emitted from the light-emitting device is designed from an average value of photon energy of light emitted by the emission center substance in a solution state and emission edge energy on a short wavelength side of an emission spectrum of the emission center substance in the solution state.
A novel light-emitting device is provided. A light-emitting device with high emission efficiency is provided. A light-emitting device with a long lifetime is provided. A light-emitting device with low driving voltage is provided. The light-emitting device includes an anode, a cathode, and an EL layer between the anode and the cathode. The EL layer includes a hole-injection layer, a light-emitting layer, and an electron-transport layer. The hole-injection layer is positioned between the anode and the light-emitting layer. The electron-transport layer is positioned between the light-emitting layer and the cathode. The hole-injection layer contains a first substance and a second substance. The first substance is an organic compound which has a hole-transport property and a HOMO level higher than or equal to −5.7 eV and lower than or equal to −5.4 eV. The second substance exhibits an electron-accepting property with respect to the first substance. The electron-transport layer contains a material whose resistance decreases with current flowing therethrough.
H10K 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
89.
Light-Emitting Element, Display Device, Electronic Device, and Lighting Device
A light-emitting element with high emission efficiency. The light-emitting element includes a first organic compound, a second organic compound, and a guest material. The LUMO level of the first organic compound is lower than the LUMO level of the second organic compound. The HOMO level of the first organic compound is lower than the HOMO level of the second organic compound. The HOMO level of the guest material is higher than the HOMO level of the second organic compound. The energy difference between the LUMO level of the guest material and the HOMO level of the guest material is larger than the energy difference between the LUMO level of the first organic compound and the HOMO level of the second organic compound. The guest material has a function of converting triplet excitation energy into light emission. The first organic compound and the second organic compound form an exciplex.
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire
H10K 101/00 - Propriétés des matériaux organiques couverts par le groupe
H10K 101/10 - Propriétés des matériaux organiques couverts par le groupe Émission de triplets
H10K 101/30 - Valeurs d'énergie de la plus haute orbitale moléculaire occupée [HOMO], de la plus basse orbitale moléculaire inoccupée [LUMO] ou de Fermi
H10K 101/40 - Interrelation des paramètres entre plusieurs couches ou sous-couches actives constitutives, p. ex. valeurs HOMO dans des couches adjacentes
A display device in which a voltage drop is inhibited adequately is provided. The display device includes a first light-emitting device including a first light-emitting layer, a first charge-generation layer over the first light-emitting layer, and a second light-emitting layer over the first charge-generation layer; a first color filter overlapping with the first light-emitting device; a second light-emitting device including a third light-emitting layer, a second charge-generation layer over the third light-emitting layer, and a fourth light-emitting layer over the second charge-generation layer; a second color filter overlapping with the second light-emitting device; a common electrode included in the first light-emitting device and the second light-emitting device; and an auxiliary wiring electrically connected to the common electrode. The auxiliary wiring includes a first wiring layer and a second wiring layer, the second wiring layer is electrically connected to the first wiring layer through a contact hole of an insulating layer, and the second wiring layer has a lattice shape in a top view.
H10K 59/32 - Dispositifs empilés comportant plusieurs couches, chacune émettant à des longueurs d'onde différentes
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
H10K 59/38 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des filtres de couleur ou des supports changeant de couleur [CCM]
H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
91.
ORGANIC COMPOUND, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
Provided is an organic compound with low water solubility, the organic compound having electron injection properties. Provided is an organic compound represented by general formula (G1). In general formula (G1): Ar is an aromatic skeleton represented by general formula (Ar-1); L represents an alkylene group, arylene group, or a heteroarylene group; n represents an integer of 0-3; m represents an integer of 1-6; and R1 to R12 each independently represent hydrogen or an alkyl group. In general formula (Ar-1): ring A represents a benzene ring or a naphthalene ring; Ar1 to Ar3 each independently represent an aryl group or a heteroaryl group; m carbon atoms among carbon atoms of ring A and Ar1 to Ar3 have m bonds in general formula (G1); k represents an integer of 1-3; and p represents an integer of 2-6.
Provided is a semiconductor device having a novel configuration. In this invention, a first element layer is provided with a calculation unit. A second element layer is provided with a storage unit. The calculation unit comprises a first transistor including a silicon first semiconductor having a channel formation region . The storage unit includes the first transistor and a second transistor including an oxide semiconductor second semiconductor having a channel formation region. The calculation unit includes an instruction decode unit. The storage unit includes an instruction cache. The second element layer includes a plurality of layers each including the second transistor and the layers each including the second transistor are provided in a laminate form. The instruction cache is provided in a region included in the second element layer existing above the instruction decode unit provided in the first element layer.
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
G06F 12/0893 - Mémoires cache caractérisées par leur organisation ou leur structure
G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
Provided is a metal oxide film having high carrier mobility. In the metal oxide film, the sum of indium content and zinc content is 95 percent or greater. The metal oxide film has crystals. The crystal has a layered crystal structure. The value of the ratio of the number of zinc atoms to the number of indium atoms in the crystal is greater than 0 and less than 1.5. The effective mass of the electrons of the crystal is smaller than the effective mass of the electrons of an indium oxide having a cubic system crystal structure. The metal oxide film may also have tin. The tin content is 0.1-3 percent, inclusive.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
H10K 50/10 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED]
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
This invention provides a semiconductor device for which some processing steps are cut down. This semiconductor device has a first transistor and a second transistor in a memory cell. The two transistors are formed from vertical transistors, which occupy a small area and have a channel formation region on a side surface of an opening provided in an insulating layer. While tolerating part of unevenness resulting from components of the first transistor, the second transistor is disposed obliquely above such that the unevenness does not cause a defect, whereby processing steps such as a planarization step are cut down.
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
95.
ORGANIC COMPOUND, LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
Provided is an organic compound that has an electron-injecting property and low solubility in water. Provided is an organic compound represented by general formula (G1). Where, in general formula (G1), Ar is an aromatic skeleton represented by general formula (Ar-1), L represents an alkylene group, an arylene group, or a heteroarylene group, n represents an integer of 0-3, m represents an integer of 1-4, and R1-R12 each independently represent a hydrogen or an alkyl group. In general formula (Ar-1), ring A represents a benzene ring or a naphthalene ring, ring B represents a naphthalene ring, an anthracene ring, or a phenanthrene ring, α represents oxygen, sulfur, carbon having substituents, silica having substituents, or germanium having substituents, and any m number of carbons in general formula (Ar-1) have m number of bonds in general formula (G1).
A display device with high display quality is provided. The display device includes a first subpixel including a first light-emitting device and a first coloring layer transmitting blue light in a display portion. The first light-emitting device includes a first pixel electrode, a first EL layer, and a common electrode. The first EL layer includes a first light-emitting material emitting blue light and a second light-emitting material emitting light with a longer wavelength than blue light. The first EL layer includes a first light-emitting unit over the first pixel electrode, a charge-generation layer over the first light-emitting unit, and a second light-emitting unit over the charge-generation layer. In an emission spectrum of blue display by the display portion at a low luminance, the intensity of a first emission peak at a wavelength longer than or equal to 400 nm and shorter than 500 nm is assumed to be 1; in this case, the intensity of a second emission peak at a wavelength longer than or equal to 500 nm and shorter than or equal to 700 nm in the emission spectrum is lower than or equal to 0.5.
H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
97.
DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS
A display apparatus having high display quality is provided. The display apparatus includes a first pixel, a second pixel, a first insulating layer, and a second insulating layer over the first insulating layer; the first pixel includes a first pixel electrode, a first EL layer covering the first pixel electrode, a third insulating layer over the first EL layer, and a common electrode over the first EL layer and the third insulating layer; the second pixel includes a second pixel electrode, a second EL layer covering the second pixel electrode, a fourth insulating layer over the second EL layer, and the common electrode over the second EL layer and the fourth insulating layer; the first insulating layer and the third insulating layer each include a first protruding portion over the first pixel electrode; the first protruding portion is positioned outward from an end portion of the second insulating layer; the first insulating layer and the fourth insulating layer each include a second protruding portion over the second pixel electrode; the second protruding portion is positioned outward from an end portion of the second insulating layer; a side surface of the first protruding portion and a side surface of the second protruding portion each have a tapered shape in a cross-sectional view of the display apparatus.
A display apparatus having a wide range of threshold voltage compensation function is provided. In the display apparatus, a p-channel transistor is used as a driving transistor of the light-emitting device. Discharging is performed through a source-drain path while constant voltage is supplied to a gate so that Vth is extracted between the gate and the source. In addition, when a drain potential is set to the sum of forward voltage and a cathode potential of the light-emitting device or a potential sufficiently lower than the sum, it is possible to continue the discharging even when Vth is positive voltage. That is, compensation can be performed even in the case where Vth variation occurs from positive voltage to negative voltage.
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
Provided is a display system that has low power consumption. Provided is a display system that can reduce how much data is transmitted. According to the present invention, a display module of a display system has a circuit unit and a display unit that is divided into a plurality of blocks. A line of sight detection unit captures an image of the eyes of a user or the vicinity thereof, and a coordinate detection unit generates coordinate information for a point of fixation. A posture detection unit detects the orientation of the head of the user. An image generation unit generates first image data on the basis of posture information and generates resolution information for each block on the basis of the coordinate information. A data generation unit generates second image data obtained by performing thinning processing on the first image data block by block on the basis of the resolution information and transmits the second image data to the display module. The circuit unit generates third data obtained by performing interpolation processing that interpolates missing data for blocks of the second data on which the thinning processing was performed, and the display unit displays an image on the basis of the third data.
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
Provided is a small-sized semiconductor device. The semiconductor device has a CPU, a switch circuit, and a plurality of memory cell arrays. The CPU has a resistor circuit. The resistor circuit has a volatile flipflop circuit and a non-volatile backup circuit. The flipflop circuit and circuits other than the backup circuit included in the CPU are provided on a first layer, and have transistors each having silicon in a channel formation region. The switch circuit and the backup circuit are provided on a second layer on the first layer, and have transistors each having a metal oxide in a channel formation region. A memory cell array to which data is written or a memory cell array from which data is read can be selected by the switch circuit. In addition, a result of the selection between the memory cell array to which data is written and the memory cell array from which data is read can be retained in the switch circuit.
H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
G06F 12/00 - Accès à, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoires
G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H03K 19/094 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors à effet de champ
H10B 41/70 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments
