Allegro Microsystems, LLC

États‑Unis d’Amérique

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Type PI
        Brevet 1 174
        Marque 31
Juridiction
        États-Unis 989
        International 203
        Canada 7
        Europe 6
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 3
2024 avril (MACJ) 3
2024 mars 1
2024 février 6
2024 janvier 7
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Classe IPC
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques 289
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall 249
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs 246
G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension 203
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall 86
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Classe NICE
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 25
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception 16
10 - Appareils et instruments médicaux 1
Statut
En Instance 81
Enregistré / En vigueur 1 124
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1.

CIRCUITS HAVING ENHANCED ELECTRICAL ISOLATION

      
Numéro d'application 18045528
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-11
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Mcclay, James
  • Klebanov, Maxim
  • Chetlur, Sundar
  • Chung, Thomas S.

Abrégé

Methods and apparatus for a device that includes a circuit, such as a memory cell, and an isolation structure to electrically isolate the circuit cell. The isolation structure can include a p-type substrate, a first series of p-type material extending to the p-type substrate, and a second series of p-type material extending to the p-type substrate. The first series of p-type material, the p-type substrate, and the second series of p-type material surrounds a first side, a second side, and a bottom of the circuit cell to electrically isolate the circuit cell with continuous p-type material. In some embodiments, the first series of p-type material comprises p-type well regions. In some embodiments, the first series of p-type material comprises deep trench isolation.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 27/11524 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
  • H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante

2.

SENSOR WITH ESTIMATED REAL-TIME PARAMETER DATA

      
Numéro d'application US2023064519
Numéro de publication 2024/073154
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-16
Date de publication 2024-04-04
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Casu, Emanuele, Andrea
  • Rigoni, Nicolás
  • Eisenbeis, Ross

Abrégé

Methods and apparatus receiving data at a first time from at least one sensor, determining a parameter from the received data for the first time, estimating the parameter for a future time based on the data for first time, and outputting the estimated parameter for the future time to a receiving device. In some embodiments, an IC package can process the received data to generate the estimated parameter for the future time. The IC package may transmit the estimated parameter using a particular protocol. In some embodiments, the receiving device can treat the estimated parameter as real-time data.

Classes IPC  ?

  • G01D 3/02 - Dispositions pour la mesure prévues pour les objets particuliers indiqués dans les sous-groupes du présent groupe avec dispositions pour changer ou corriger la fonction de transfert
  • G01D 5/244 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques produisant des impulsions ou des trains d'impulsions
  • G01K 1/00 - MÉTROLOGIE; TESTS ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS - Détails des thermomètres non spécialement adaptés à des types particuliers de thermomètres
  • G01P 3/00 - Mesure de la vitesse linéaire ou angulaire; Mesure des différences de vitesses linéaires ou angulaires
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
  • H04Q 9/00 - Dispositions dans les systèmes de commande à distance ou de télémétrie pour appeler sélectivement une sous-station à partir d'une station principale, sous-station dans laquelle un appareil recherché est choisi pour appliquer un signal de commande ou

3.

SENSOR WITH ESTIMATED REAL-TIME PARAMETER DATA

      
Numéro d'application 17936469
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-29
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Casu, Emanuele Andrea
  • Rigoni, Nicolás
  • Eisenbeis, Ross

Abrégé

Methods and apparatus receiving data at a first time from at least one sensor, determining a parameter from the received data for the first time, estimating the parameter for a future time based on the data for first time, and outputting the estimated parameter for the future time to a receiving device. In some embodiments, an IC package can process the received data to generate the estimated parameter for the future time. The IC package may transmit the estimated parameter using a particular protocol. In some embodiments, the receiving device can treat the estimated parameter as real-time data.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G01P 3/44 - Dispositifs caractérisés par l'utilisation de moyens électriques ou magnétiques pour mesurer la vitesse angulaire

4.

MULTI-TERMINAL DEVICES USING MAGNETORESISTANCE ELEMENTS

      
Numéro d'application 17931197
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-12
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Jaiswal, Samridh
  • Campiglio, Paolo
  • Chetlur, Sundar
  • Klebanov, Maxim
  • Liu, Yen Ting

Abrégé

In one aspect, a sensor includes a first metal layer portion and a second metal layer portion separated by an insulator material; a conductive material layer in electrical contact with the first metal layer portion and the second metal layer portion; and a tunnel magnetoresistance (TMR) element positioned on and in electrical contact with the conductive material layer. A first current is configured to flow from the first metal layer portion, through the conductive material layer, to the second metal layer portion, and a second current is configured to flow from the first metal layer portion, through the conductive material layer, through the TMR element, and exiting through a top of the TMR element.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

5.

FABRICATING AN ELECTROCONDUCTIVE CONTACT ON A TOP LAYER OF A TUNNELING MAGNETORESISTANCE ELEMENT USING TWO HARD MASKS

      
Numéro d'application 17823461
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-30
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Klebanov, Maxim
  • Liu, Yen Ting
  • Chetlur, Sundar
  • Campiglio, Paolo
  • Jaiswal, Samridh

Abrégé

In one aspect, a method includes depositing magnetoresistance (MR) layers of a MR element on a semiconductor structure; depositing a first hard mask on the MR layers; depositing and patterning a first photoresist on the first hard mask using photolithography to expose portions of the first hard mask; etching the exposed portions of the first hard mask; etching a portion of the MR layers using the first hard mask; depositing a second hard mask on a first capping layer; depositing and patterning a second photoresist on the second hard mask using photolithography to expose portions of the second hard mask; etching the exposed portions of the second hard mask; etching the MR element using the second hard mask; etching portions of the first hard mask down to a top MR layer of the MR element; and depositing a conducting material on the top MR layer to form an electroconductive contact.

Classes IPC  ?

  • H01L 43/12 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • H01F 41/34 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer un matériau conducteur, isolant ou magnétique sur une pellicule magnétique selon des configurations particulières, p.ex. par lithographie

6.

SCHOTTKY DIODE WITH TUNABLE BLOCKING VOLTAGE

      
Numéro d'application 17819957
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-16
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Li, Yu-Chun
  • Palumbo, Felix
  • Kuo, Chung C.
  • Chung, Thomas S.
  • Klebanov, Maxim

Abrégé

A Schottky diode includes a substrate having a first type dopant, a buried layer within the substrate and having a second type dopant, an epitaxial layer above the buried layer and having the second type dopant, a plurality of rings within the epitaxial layer and having the first type dopant, wherein the plurality of rings comprises an L-shaped ring, a shallow trench isolation (STI) layer at the top region of the epitaxial layer, an anode, a cathode spaced from the anode by the STI layer, and wherein the buried layer has an open region substantially vertically aligned with the anode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/40 - Electrodes

7.

LEADLESS CURRENT SENSOR PACKAGE WITH HIGH ISOLATION

      
Numéro d'application 17817796
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-05
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Briano, Robert A.
  • Doogue, Michael C.
  • Taylor, William P.

Abrégé

A sensor package comprising a lead frame, a current sensor die, and an interposer. The lead frame includes: (i) a primary conductor, (ii) a plurality of secondary leads, and (iii) a layer of dielectric material that is disposed between the primary conductor and the plurality of secondary leads. The current sensor die includes one or more sensing elements. The current sensor die is configured to measure a level of electrical current through the primary conductor of the lead frame. The interposer is disposed over the layer of dielectric material. The interposer includes a plurality of conductive traces that are configured to couple each of a plurality of terminals of the current sensor die to a respective one of the plurality of secondary leads.

Classes IPC  ?

  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • G01R 15/14 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort
  • H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
  • H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
  • H05K 3/30 - Assemblage de circuits imprimés avec des composants électriques, p.ex. avec une résistance

8.

PACKAGED CURRENT SENSOR INTEGRATED CIRCUIT

      
Numéro d'application 18490815
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-20
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Briano, Robert A.
  • Liu, Shixi Louis

Abrégé

A current sensor integrated circuit package includes a primary conductor having an input portion and an output portion, both with reduced area edges. Secondary leads each have an exposed portion and an elongated portion that is offset with respect to the exposed portion. A semiconductor die is disposed adjacent to the primary conductor on an insulator portion and at least one magnetic field sensing element is supported by the semiconductor die. A package body includes a first portion enclosing the semiconductor die and a portion of the primary conductor and a second portion enclosing the elongated portion of the plurality of secondary leads. The first package body portion has a first width configured to expose the input and output portions of the primary conductor and the second package body portion has a second width between a first and second package body side edges that is larger than the first width.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H10N 52/00 - Dispositifs à effet Hall
  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

9.

CONFIGURABLE VARIABLE-LENGTH SHIFT REGISTER CIRCUITS

      
Numéro d'application 17816758
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-02
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Hein, Matthew

Abrégé

Configurable variable-length shift register circuits include a group of flip-flops connected in a serial configuration. The plurality of flip-flops is connected to a serial data-in line and a clock line. Each flip-flop can include a data input, a clock input configured to receive a clock signal from the clock line, and a data output. The plurality of flip-flops can include a serial data-out line. The circuit includes a plurality of multiplexers connected to the plurality of flip-flops to enable a desired number of flip-flops for an application. A nonvolatile memory can be connected to the plurality of multiplexers and configured to receive a register-length indication, where the register-length indication corresponds to a selected number of flip-flops selected for enablement for a given application.

Classes IPC  ?

  • G06F 3/06 - Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
  • H03K 5/135 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés par l'utilisation de signaux de référence de temps, p.ex. des signaux d'horloge
  • G11C 16/06 - Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
  • G11C 19/00 - Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage

10.

Reduced area magnetic field sensor topology

      
Numéro d'application 18046203
Numéro de brevet 11892524
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-10-13
Date de la première publication 2024-02-06
Date d'octroi 2024-02-06
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Rubinsztain, Ezequiel
  • Alpago, Octavio H.
  • Martin Pirchio, Franco Noel

Abrégé

A magnetic field sensor includes a magnetic field sensing element to generate a magnetic field signal indicative of a sensed magnetic field, a modulator to modulate the magnetic field signal at a chopping frequency, a front end amplifier coupled to receive the magnetic field signal and generate an amplified signal, and a demodulator configured to demodulate the amplified signal at the chopping frequency. The sensor further includes a low pass filter to process the amplified signal and generate a low pass filtered signal and a Schmitt trigger circuit. The Schmitt trigger circuit includes a comparator having a first input coupled to receive the low pass filtered signal, a second input coupled to receive a reference signal, and an output at which a comparator output signal is provided. The comparator is configured to perform a plurality of comparisons within a chopping time period that is the inverse of the chopping frequency.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

11.

Rapid data transfer sensor arrays

      
Numéro d'application 17816511
Numéro de brevet 11894844
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-08-01
Date de la première publication 2024-02-01
Date d'octroi 2024-02-06
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Hein, Matthew

Abrégé

Rapid-data-transfer sensor arrays include a controller and a plurality of sensor integrated circuits (ICs) connected in series and configured to periodically take measurements and provide measurement data to the controller as serial data. A sensor IC includes a transducer, a shift register, a serial-data-in (SDI) pin, a serial-data-out (SDO) pin, a clock pin, and a bi-directional start/done (ST/DN) pin. The sensor IC includes a power regulation circuit configured to selectively supply power for a sleep mode and an active mode for recording data and an internal shift register. When finished with the measurement, the sensor IC is configured to provide measurement data to the shift register for transfer to the controller. The controller is configured to initiate serial transfer of data from each of the shift registers of the first plurality of sensor ICs to the controller. Examples include a 2D array.

Classes IPC  ?

  • H03K 19/00 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
  • H03K 19/17736 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants disposés sous forme matricielle - Détails structurels des ressources de routage
  • G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation
  • H03K 19/17784 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants disposés sous forme matricielle - Détails structurels pour l'adaptation des paramètres physiques pour la tension d'alimentation

12.

AUTO-CALIBRATION FOR CORELESS CURRENT SENSORS

      
Numéro d'application 18480573
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-04
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Vuillermet, Yannick
  • Messier, Loïc André
  • Rock, Simon E.
  • Mcnally, Maxwell
  • Latham, Alexander
  • Friedrich, Andreas P.

Abrégé

Auto-calibrating current sensor integrated circuits (ICs) are configured for mounting at a position relative to a conductor. The auto-calibrating current sensor ICs can include a plurality of magnetic field sensing elements disposed at different locations within the integrated circuit, respectively, and can be configured to measure a magnetic field produced by a current carried by the conductor. The auto-calibrating sensors can include an electromagnetic model of the IC and the conductor. The model can be operative to determine a magnetic field at points in space due to a given current in the conductor at a known location of the conductor from the IC, and also the inverse situation of determining an unknown current and/or location of the conductor based on measurements of a magnetic field at known locations in space due to an unknown current in the conductor. Related auto-calibration methods are also described.

Classes IPC  ?

  • G01R 35/00 - Test ou étalonnage des appareils couverts par les autres groupes de la présente sous-classe
  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

13.

MAGNETORESISTIVE ELEMENT FOR SENSING A MAGNETIC FIELD IN A Z-AXIS

      
Numéro d'application 18256494
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-09
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Childress, Jeffrey
  • Strelkov, Nikita

Abrégé

Magnetoresistive element including a reference layer having a fixed reference magnetization, a sense layer having a free sense magnetization and a tunnel barrier layer between the reference layer and the sense layer; the magnetoresistive element being configured to measure an external magnetic field oriented substantially perpendicular to the plane of the layers. The reference magnetization being oriented substantially perpendicular to the plane of the reference layer. The sense magnetization including a vortex configuration in the absence of an external magnetic field, the vortex configuration being substantially parallel to the plane of the sense layer and having a vortex core magnetization along an out-of-plane axis substantially perpendicular to the plane of the sense layer.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

14.

CONTROLLING OUT-OF-PLANE ANISOTROPY IN AN MR SENSOR WITH FREE LAYER DUSTING

      
Numéro d'application 17813412
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-19
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Jaiswal, Samridh
  • Campiglio, Paolo

Abrégé

Methods and apparatus for a magnetoresistive (MR) sensor a free layer with a thickness of the CoFeB material to produce out-of-plane sensing for the sensor and a reference layer magnetically coupled to the free layer. A dusting layer of an oxide material is disposed on the free layer to achieve perpendicular magnetic anisotropy for an interface of the oxide layer and the free layer for a desired sensitivity for the sensor.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
  • H01L 43/10 - Emploi de matériaux spécifiés
  • H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique

15.

MAGNETORESISTIVE SENSOR ELEMENT HAVING A WIDE LINEAR RESPONSE AND ROBUST NOMINAL PERFORMANCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18251296
Statut En instance
Date de dépôt 2021-10-28
Date de la première publication 2024-01-18
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Childress, Jeffrey
  • Strelkov, Nikita
  • Timopheev, Andrey

Abrégé

A magnetoresistive element for a magnetic sensor, the magnetoresistive element including a tunnel barrier layer between a reference layer having a fixed reference magnetization and a sense layer having a free sense magnetization, wherein the sense magnetization includes a stable vortex configuration. The magnetoresistive element further includes a reference pinning layer in contact with the reference layer and pining the reference magnetization by exchange-bias at a first blocking temperature. The magnetoresistive element further includes a sense pinning layer in contact with the sense layer and pining the sense magnetization by exchange-bias at a second blocking temperature lower that the first blocking temperature. Additionally, a method for manufacturing the magnetoresistive element.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • H01F 1/00 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriés; Emploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques

16.

Auto-calibration for coreless current sensors

      
Numéro d'application 17804647
Numéro de brevet 11885866
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-05-31
Date de la première publication 2024-01-04
Date d'octroi 2024-01-30
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Vuillermet, Yannick
  • Messier, Loïc André
  • Rock, Simon E.
  • Mcnally, Maxwell
  • Latham, Alexander
  • Friedrich, Andreas P.

Abrégé

Auto-calibrating current sensor integrated circuits (ICs) are configured for mounting at a position relative to a conductor. The auto-calibrating current sensor ICs can include a plurality of magnetic field sensing elements disposed at different locations within the integrated circuit, respectively, and can be configured to measure a magnetic field produced by a current carried by the conductor. The auto-calibrating sensors can include an electromagnetic model of the IC and the conductor. The model can be operative to determine a magnetic field at points in space due to a given current in the conductor at a known location of the conductor from the IC, and also the inverse situation of determining an unknown current and/or location of the conductor based on measurements of a magnetic field at known locations in space due to an unknown current in the conductor. Related auto-calibration methods are also described.

Classes IPC  ?

  • G01R 35/00 - Test ou étalonnage des appareils couverts par les autres groupes de la présente sous-classe
  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

17.

SENSOR PACKAGE AND SYSTEM

      
Numéro d'application 17810353
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-01
Date de la première publication 2024-01-04
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Rock, Simon E.
  • El Bacha, Georges
  • Milano, Shaun D.
  • Messier, Loïc André
  • Latham, Alexander
  • Mcnally, Maxwell
  • Liu, Shixi Louis

Abrégé

A current sensor IC includes a lead frame having a die attach pad and elongated leads extending in a single direction with respect to the die attach pad, a semiconductor die having a first surface attached to the die attach pad and a second, opposing surface supporting magnetic field sensing elements, and a non-conductive mold material. A first portion of the mold material encloses the semiconductor die and the die attach pad, a second portion of the mold material encloses a portion of the elongated leads, and the mold material further includes a wing structure between the first portion and the second portion. In assembly, the first portion of the mold material extends into a cutout through a current conductor and the wing structure abuts a surface of the conductor. The current sensor can implement differential sensing based on signals from at least two magnetic field sensing elements.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/06 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
  • H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés

18.

PHOTODETECTOR CURRENT SENSING

      
Numéro d'application 17809990
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-30
Date de la première publication 2024-01-04
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Quirk, John
  • Barter, Archie

Abrégé

Methods and apparatus for a photodetector system including a photodetector having first and second terminals, wherein the photodetector is configured to generate a current in response to light. A first amplifier has a first input coupled to the first terminal of the photodetector to generate a first output voltage signal corresponding to the current generated by the photodetector. A second amplifier has a first input coupled to the second terminal of the photodetector to generate a second output voltage signal corresponding to the current generated by the photodetector. The first and second amplifiers can have different linear ranges to improve the total linear range of the detector system.

Classes IPC  ?

  • H03F 3/08 - Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs commandés par la lumière
  • H03F 1/18 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage réparti

19.

MAGNETIC TAMPER DETECTION AND DIAGNOSTICS FOR SMART SECURITY SYSTEMS

      
Numéro d'application 17808564
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-24
Date de la première publication 2023-12-28
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Hollins, Joseph D.

Abrégé

Magnetic field tampering detection and diagnostic systems are configured to detect a tampering event for an electronic security system or device. The magnetic field tampering detection system can include a memory; and a processor coupled to the memory and configured to receive a magnetic field measurement signal from one or more magnetic field sensors configured to detect a magnetic field incident on the security system or device, where the processor is configured to determine when the magnetic field measurement signal corresponds to a tampering event outside of a normal range of operation, and where the processor is configured to generate a response when a tampering event is determined to have occurred. The systems can perform remedial actions in response to detected tampering events.

Classes IPC  ?

  • G08B 13/14 - Déclenchement mécanique par l'enlèvement ou les essais de déplacement d'articles portatifs
  • G06F 21/86 - Boîtiers fiables ou inviolables

20.

POSITION SENSING METHOD

      
Numéro d'application 17809382
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-28
Date de la première publication 2023-12-28
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Latham, Alexander
  • Lassalle-Balier, Rémy

Abrégé

A system, comprising a target, a first receiving coil array, and a second receiving coil array. The target includes: (i) a first array of conductive features that are arranged in a line or arc and separated from one another by voids, and (ii) a second array of conductive features that are arranged in a line or arc and separated from one another by voids, the conductive features in the first array being staggered with respect to the conductive features in the second array.; The first receiving coil array is configured to sense a first magnetic field that is associated with the first array of conductive features. The second receiving coil array is configured to sense a second magnetic field that is associated with the second array of conductive features.

Classes IPC  ?

  • G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p.ex. une armature mobile

21.

METHODS AND APPARATUS FOR SENSOR DATA CONSISTENCY

      
Numéro d'application 17846455
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-22
Date de la première publication 2023-12-28
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Scheinkerman, Ricardo

Abrégé

A sensor system includes a signal sensing block including at least two sensing elements. Each of the at least two sensing elements is configured to generate an output that represents a first parameter associated with the sensor system. The sensor system also includes a data acquisition block configured to convert the outputs of the at least two sensing elements into digital data to be retrieved by a data retrieval block. The digital data is stored in one or more data registers of the data acquisition block. The sensor system also includes a data freeze block configured to cause the one or more data registers to refrain from updating with new data while the data retrieval block is retrieving the stored digital data.

Classes IPC  ?

  • G06F 9/52 - Synchronisation de programmes; Exclusion mutuelle, p.ex. au moyen de sémaphores
  • G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension

22.

PRINTED CIRCUIT BOARD GROUND PLANE OPTIMIZATION FOR CORELESS CURRENT SENSORS

      
Numéro d'application 17850152
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-27
Date de la première publication 2023-12-28
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Vuillermet, Yannick
  • Messier, Loïc André

Abrégé

A current sensor system includes a current sensor integrated circuit (IC) and a printed circuit board (PCB) having a ground plane with a feature configured to reduce an eddy current. The current sensor IC includes a lead frame comprising a die attach pad and at least one lead, a semiconductor die having a first surface attached to the die attach pad and a second, opposing surface, at least one magnetic field sensing element supported by the semiconductor die and configured to sense a current in a proximate primary conductor, and a non-conductive mold material enclosing the semiconductor die and a portion of the at least one lead. The PCB ground plane feature can take various forms such as a hole of a dimension larger than the current sensor IC, elongated cuts, or x-shaped cuts.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

23.

FABRICATING AN ELECTROCONDUCTIVE CONTACT ON A TOP SURFACE OF A TUNNELING MAGNETORESISTANCE ELEMENT

      
Numéro d'application 17804680
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-31
Date de la première publication 2023-12-21
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chetlur, Sundar
  • Klebanov, Maxim
  • Liu, Yen Ting
  • Campiglio, Paolo

Abrégé

In one aspect, a method includes depositing a capping layer on a semiconductor device structure. The semiconductor device includes a plurality of tunneling magnetoresistance (TMR) elements, a corresponding one hard mask on each TMR element, a metal layer, and a plurality of electroconductive vias directing connecting the TMR elements to the metal layer. The method further includes depositing an insulator on the capping layer, depositing a first photoresist on the insulator, patterning the first photoresist using photolithography to expose portions of the insulator, etching the exposed portions of the insulator and the hard masks to expose top surfaces of the TMR elements, stripping the first photoresist, and depositing a conducting material on the top surfaces of the TMR elements to form an electroconductive contact.

Classes IPC  ?

  • H01L 43/12 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

24.

HALL EFFECT DEVICE WITH TRENCH ABOUT A MICRON OR GREATER IN DEPTH

      
Numéro d'application 17807196
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-16
Date de la première publication 2023-12-21
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chung, Thomas S.
  • Klebanov, Maxim
  • Chetlur, Sundar

Abrégé

In one aspect, a Hall effect device includes an implantation layer; an epitaxial layer located above the implantation layer; a trench filled with a dielectric material and extending from a top surface of the epitaxial layer into the implantation layer and defining an enclosed region; a buried layer the epitaxial layer from the implantation layer within the enclosed region; and a contact pad located on the epitaxial layer. The trench reduces a current from the contact pad from traveling in a lateral direction orthogonal to a vertical direction and enables the current to travel in the vertical direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 43/04 - Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails de dispositifs à effet Hall
  • H01L 43/06 - Dispositifs à effet Hall
  • H01L 43/10 - Emploi de matériaux spécifiés
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

25.

MOTOR CONTROLLER HAVING BEMF COMPENSATION FOR NOISE AND/OR VIBRATION REDUCTION

      
Numéro d'application 17807203
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-16
Date de la première publication 2023-12-21
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Korol, Serhii
  • Babushkin, Anton
  • Khudobets, Vadym
  • Dudnyk, Oleksii

Abrégé

Methods and apparatus for compensating for non-sinusoidal BEMF signals in an electrical motor using amplitudes, phases and orders of BEMF harmonic components and amplitude of 1st harmonic of BEMF of the electrical motor. First and second corrective components for vd and vq of the d-q coordinate system for the motor can be generated from amplitudes of the BEMF harmonic components and the angles of the BEMF harmonic components orders of the BEMF harmonic components and amplitude of 1st harmonic of BEMF.

Classes IPC  ?

  • G05B 19/4155 - Commande numérique (CN), c.à d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p.ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'u caractérisée par le déroulement du programme, c.à d. le déroulement d'un programme de pièce ou le déroulement d'une fonction machine, p.ex. choix d'un programme
  • H02P 23/14 - Estimation ou adaptation des paramètres des moteurs, p.ex. constante de temps du rotor, flux, vitesse, courant ou tension

26.

HIGH RESOLUTION SENSING PROTOCOL

      
Numéro d'application 17663930
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-18
Date de la première publication 2023-12-14
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Friedrich, Andreas P.
  • Bastien, Solène
  • Messier, Loïc André

Abrégé

Electronic circuits and methods sense an electromagnetic property of a target, and transmit data packets that encode the property along with diagnostic messages while avoiding data loss due to truncation at high sensing speeds. Data address bits may be used to split messages across multiple data packets. Data bits may be combined into a unified header that takes less time to transmit than in prior communication protocols. The transmission duration of each data bit may be lowered, thereby increasing throughput. The receiving system may synchronize its own operation against these shortened data bits, increasing its speed. Error packets may be sent between data packets, thereby reducing time to respond to faults in safety-critical systems. And additional current levels may be used to increase the data information rate.

Classes IPC  ?

  • G01P 3/489 - Circuits numériques à cet effet
  • B60R 16/023 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour la transmission de signaux entre des parties ou des sous-systèmes du véhicule
  • H04L 41/0681 - Configuration des conditions de déclenchement
  • H04L 67/12 - Protocoles spécialement adaptés aux environnements propriétaires ou de mise en réseau pour un usage spécial, p.ex. les réseaux médicaux, les réseaux de capteurs, les réseaux dans les véhicules ou les réseaux de mesure à distance

27.

MAGNETIC FIELD CURRENT SENSOR TO REDUCE STRAY MAGNETIC FIELDS

      
Numéro d'application 17806336
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-10
Date de la première publication 2023-12-14
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Lassalle-Balier, Rémy
  • Latham, Alexander

Abrégé

In one aspect, a magnetic field current sensor includes an annihilation detector. The annihilation detector includes an annihilation bridge that includes magnetoresistance elements. The annihilation detector also includes a current bridge that includes at least two of the magnetoresistance elements, a first comparator configured to compare an output signal from the annihilation bridge and a second comparator configured to compare an output signal from the current bridge. An output of the annihilation detector indicates whether an annihilation exists in one or more of the magnetoresistance elements using at least one of the outputs signals of the first and second comparators.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall

28.

MAGNETIC FIELD CURRENT SENSOR TO REDUCE STRAY MAGNETIC FIELDS

      
Numéro d'application US2023064522
Numéro de publication 2023/239976
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-16
Date de publication 2023-12-14
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Lassalle-Balier, Rémy
  • Latham, Alexander

Abrégé

In one aspect, a magnetic field current sensor includes an annihilation detector. The annihilation detector includes an annihilation bridge that includes magnetoresistance elements. The annihilation detector also includes a current bridge that includes at least two of the magnetoresistance elements, a first comparator configured to compare an output signal from the annihilation bridge and a second comparator configured to compare an output signal from the current bridge. An output of the annihilation detector indicates whether an annihilation exists in one or more of the magnetoresistance elements using at least one of the outputs signals of the first and second comparators.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

29.

Current sensor system

      
Numéro d'application 17804654
Numéro de brevet 11940470
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-05-31
Date de la première publication 2023-11-30
Date d'octroi 2024-03-26
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Messier, Loïc André
  • Rock, Simon E.
  • Vuillermet, Yannick

Abrégé

A substrate, comprising one or more first conductive layers, one or more second conductive layers, and a dielectric material that is arranged to encapsulate, at least in part, the first conductive layers and the second conductive layers. The one or more second conductive layers are electrically coupled to the first conductive layers. The first conductive layers and the second conductive layers are arranged to form a conductor. The first conductive layers are arranged to define a first rift in the conductor.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • H02K 11/27 - Dispositifs pour détecter le courant ou actionnés par des valeurs de cette variable

30.

METHOD AND APPARATUS FOR TRANSMITTING DATA CONCURRENTLY WITH A PULSE-ENCODED SIGNAL

      
Numéro d'application 18355623
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-20
Date de la première publication 2023-11-23
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Bastien, Solène
  • Friedrich, Andreas P.

Abrégé

A method is provided for transmitting a message concurrently with a pulse-encoded signal, the method comprising: assigning an identifier to the message; transmitting an identifier of the message between every two consecutive pulses of the pulse-encoded signal until the whole message is transmitted; transmitting a first portion of a payload of the message between every two consecutive pulses of the pulse-encoded signal until the whole message is transmitted; and transmitting a different part of a second portion of the payload of the message between every two consecutive pulses of the pulse-encoded signal until the whole message is transmitted, wherein the pulse-encoded signal encodes information by varying a frequency of pulses of the pulse-encoded signal, and the message is transmitted over a plurality of transmission periods that are delimited by respective consecutive pulses of the pulse-encoded signal.

Classes IPC  ?

  • H03M 13/09 - Détection d'erreurs uniquement, p.ex. utilisant des codes de contrôle à redondance cyclique [CRC] ou un seul bit de parité
  • H04L 67/12 - Protocoles spécialement adaptés aux environnements propriétaires ou de mise en réseau pour un usage spécial, p.ex. les réseaux médicaux, les réseaux de capteurs, les réseaux dans les véhicules ou les réseaux de mesure à distance

31.

PHOTORECEIVER HAVING THRESHOLDED DETECTION

      
Numéro d'application 17663896
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-18
Date de la première publication 2023-11-23
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Cadugan, Bryan
  • Lee, Adam
  • Williams, George

Abrégé

Methods and apparatus for processing signal return of photons reflected by a target illuminated by laser energy using at least one threshold. Parameters of pulses in the signal return exceeding one or more thresholds can be stored in memory. Example parameters include time of flight (ToF) and a time over threshold (ToT).

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
  • G01S 17/32 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes continues, soit modulées en amplitude, en fréquence ou en phase, soit non modulées

32.

COIL ACTUATED SENSOR WITH SENSITIVITY DETECTION

      
Numéro d'application 18366148
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-07
Date de la première publication 2023-11-23
Propriétaire
  • Allegro MicroSystems, LLC (USA)
  • Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (France)
Inventeur(s)
  • Latham, Alexander
  • Fermon, Claude
  • Boudreau, Jason
  • Pannetier-Lecoeur, Myriam
  • Cadugan, Bryan
  • Romero, Hernán D.

Abrégé

A magnetic field sensor includes a first coil responsive to a first AC coil drive signal having a first frequency, a magnetic field sensing element responsive to a sensing element drive signal and configured to simultaneously detect a directly coupled magnetic field generated by the first coil and a reflected magnetic field generated by an eddy current induced in a conductive target by the first coil, the conductive target disposed proximate to the magnetic field sensing element, the magnetic field sensing element further configured to generate a magnetic field signal, a second coil responsive to a second AC coil drive signal having a second frequency that is the same as the first frequency and current sensing circuitry configured to measure a magnitude of the second AC coil drive signal that causes the magnetic field signal to be approximately zero.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • G01B 7/00 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques
  • G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

33.

SNAPBACK ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE WITH TUNABLE PARAMETERS

      
Numéro d'application 17662101
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-05
Date de la première publication 2023-11-09
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Saxena, Sagar
  • Lamar, Washington
  • Klebanov, Maxim
  • Kuo, Chung C.
  • Courtney, Sebastian
  • Chetlur, Sundar

Abrégé

In one aspect, a diode includes a substrate having a first type dopant; a buried layer having a second type dopant and formed within the substrate; an epitaxial layer having the second type dopant and formed above the buried layer; and a plurality of regions having the first type dopant within the epitaxial layer. The plurality of regions includes a first region, a second region, and a third region. The diode also includes a base well having the first type dopant and located within the epitaxial layer and in contact with the third and fourth regions. In a reverse-bias mode, the diode is an electrostatic discharge (ESD) clamp and forms parasitic transistors comprising a first bipolar junction transistor (BJT), a second BJT and a third BJT.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/87 - Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

34.

SEMICONDUCTOR DEVICE TO REDUCE SIGNAL LOSS IN A TRANSMISSION LINE

      
Numéro d'application 17661763
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-03
Date de la première publication 2023-11-09
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Gardella, Pablo Jesús
  • Mariani, Eduardo
  • Rossi, Brenda

Abrégé

A semiconductor device that includes an epitaxial layer having a first-type dopant, a first well having a second-type dopant, a base layer having the second-type dopant, a first metal layer comprising a first base terminal and an inner conductor, and a first via connecting the first base terminal to the first well. The base layer is formed within the epitaxial layer and in contact with the first well and at least one dielectric separates the inner conductor from the first base terminal, and the base layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
  • H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
  • H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
  • H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p.ex. la lumière

35.

LOW-LATENCY SWITCH DRIVE CIRCUIT WITH POWER TRANSFER

      
Numéro d'application 18351760
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-13
Date de la première publication 2023-11-02
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Rinne, Karl
  • Duigan, Joseph

Abrégé

The present application relates to electronics and in particular to switch drive circuits and more particularly to galvanically isolated switch circuits with power transfer from the switch driver input side to the switch side. More specifically, the present application provides a switch drive circuit using a single transformer to transfer control signals to a secondary side for control of the switch along with power to a secondary side circuit to drive the switch in response to the control signals. By detecting the control signal first before drawing current, the effects of leakage inductance in the transformer are reduced.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

36.

DYNAMIC OFFSET AND AMPLITUDE TRACKER

      
Numéro d'application 18342041
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-27
Date de la première publication 2023-10-26
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Lutz, Christophe

Abrégé

A method for use in a sensor, comprising: generating a signal that is indicative of an angular position of a rotating target, the signal being generated by at least one magnetic field sensing element; adjusting the signal to produce an adjusted signal, the signal being adjusted based on a current value of a first adjustment coefficient and a current value of a second adjustment coefficient, the first adjustment coefficient including a gain adjustment coefficient, and the second adjustment coefficient including an offset adjustment coefficient; generating an output signal based on the adjusted signal; and updating the first adjustment coefficient, the updating including replacing the current value of the first adjustment coefficient with a new value of the first adjustment coefficient, the updating being performed by minimizing a function that is based on the current value of the first adjustment coefficient and the current value of the second adjustment coefficient.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p.ex. une armature mobile
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

37.

ANGLE SENSOR WITH A SINGLE DIE USING A SINGLE TARGET

      
Numéro d'application 18337829
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-20
Date de la première publication 2023-10-19
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Lassalle-Balier, Rémy
  • Bastien, Solène
  • David, Paul A.
  • Rioult, Maxime
  • Latham, Alexander
  • Veilleux, Shaun

Abrégé

In one aspect, an angle sensor includes a first plurality of magnetoresistance elements located at a first location on an axis and a second plurality of magnetoresistance elements located at a second location on the axis. The first plurality of magnetoresistance elements includes a first one or more magnetoresistance elements each having a reference direction in a first direction; and a second one or more magnetoresistance elements each having a reference direction in a second direction. The second plurality of magnetoresistance elements includes a third one or more magnetoresistance elements each having a reference direction in the first direction, and a fourth one or more magnetoresistance elements each having a reference direction in the second direction. The angle sensor senses movement of a magnetic target, and the magnetic target is a ring magnet or a single pole magnet.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

38.

DETECTOR HAVING PARALLAX COMPENSATION

      
Numéro d'application 17659035
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-13
Date de la première publication 2023-10-19
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Cadugan, Bryan
  • Huntington, Andrew S.
  • Mukherjee, Sapna S.
  • Lee, Adam
  • Williams, George
  • Migliaccio, Richard
  • Taylor, William P.

Abrégé

Methods and apparatus for a system including an optic to receive light from near objects and far objects and a photoreceiver optically coupled to the optic, the photoreceiver including a photodetector array. A light scattering structure is positioned a distance from the photodetector array to compensate for parallax effects for the received energy from the near objects and the far objects. The light scattering structure is configured to scatter light onto pixels of the photodetector array.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge

39.

CURRENT SENSOR ASSEMBLIES FOR LOW CURRENTS

      
Numéro d'application 17659385
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-15
Date de la première publication 2023-10-19
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Messier, Loïc André
  • Vuillermet, Yannick
  • Friedrich, Andreas P.

Abrégé

A current sensor assembly can include: a coil structure having a first coil and a second coil connected in series, the coil structure configured to generate a differential magnetic field responsive to an electrical current passing through the first and second coils; a first magnetic field sensing element disposed proximate to the first coil and operable to generate a first signal responsive to the differential magnetic field passing through the first magnetic field sensing element in a first direction; a second magnetic field sensing element disposed proximate to the second coil and operable to generate a second signal responsive to the differential magnetic field passing through the second magnetic field sensing element in a second direction; and a circuit operable to subtract the first and second signals to generate a differential signal proportional to the electrical current.

Classes IPC  ?

  • G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
  • G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés

40.

PHOTOSENSOR HAVING RANGE PARALLAX COMPENSATION

      
Numéro d'application US2023064526
Numéro de publication 2023/201159
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-16
Date de publication 2023-10-19
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Cadugan, Bryan
  • Huntington, Andrew S.
  • Mukherjee, Sapna S.
  • Lee, Adam
  • Williams, George
  • Migliaccio, Richard
  • Taylor, William P.

Abrégé

Methods and apparatus for photo detection having parallax compensation for near and far object signal return. In embodiment, a photoreceiver comprising a at least one light-sensitive pixel to transduce light to electrical signals has at least a first one of the pixels including a first subpixel region having a first light response characteristic and a second subpixel region having a second light response characteristic, wherein the first and second light characteristics are configured to correspond to variations in intensity of reflected light from objects at different distances when the portion of the reflected light reaching the first one of the pixels imaged onto the first and second subpixel regions.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 7/486 - Récepteurs
  • G01S 7/4912 - Récepteurs
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques

41.

DETECTOR HAVING PARALLAX COMPENSATION

      
Numéro d'application US2023064528
Numéro de publication 2023/201160
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-16
Date de publication 2023-10-19
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Cadugan, Bryan
  • Huntington, Andrew S.
  • Mukherjee, Sapna S.
  • Lee, Adam
  • Williams, George
  • Migliaccio, Richard
  • Taylor, William P.

Abrégé

Methods and apparatus for a system including an optic to receive light from near objects and far objects and a photoreceiver optically coupled to the optic having range parallax compensation. A photodetector array (800), in a cross-sectional side-view, has photosensitive areas (802), such as pixels, a transparent substrate (804), and a light scattering feature (806), such as a ridge. Signal return, such as rays, can be incident on the substrate (804). Some rays (808) are directly incident on a photosensitive area (802) and some rays (810) are incident outside of the photosensitive areas (802). A ray (810) outside of any of the photosensitive areas (802) may strike the light scattering structure (806). At least some of the light (812) scattered by the scattering feature (806) falls on a nearby photosensitive area (802). The light scattering structure (806) is positioned a distance from the photodetector array to compensate for parallax effects for the received energy from the near objects and the far objects. The scattering efficiency will typically be relatively low, such that only a fraction of the incident energy is conveyed to the detector active area. In this way, an attenuated portion of a strong signal that is not directly imaged onto the detector's sensitive area can be detected. This preserves the sensor's ability to detect close objects while helping to prevent saturation or damage from optical overload and avoid the complexity of providing additional circuit channels for the segmented array approach.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 17/931 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres

42.

PHOTOSENSOR HAVING RANGE PARALLAX COMPENSATION

      
Numéro d'application 17659033
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-13
Date de la première publication 2023-10-19
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Cadugan, Bryan
  • Huntington, Andrew S.
  • Mukherjee, Sapna S.
  • Lee, Adam
  • Williams, George
  • Migliaccio, Richard
  • Taylor, William P.

Abrégé

Methods and apparatus for photodetection having parallax compensation for near and far object signal return. In embodiment, a photoreceiver comprising a at least one light-sensitive pixel to transduce light to electrical signals has at least a first one of the pixels including a first subpixel region having a first light response characteristic and a second subpixel region having a second light response characteristic, wherein the first and second light characteristics are configured to correspond to variations in intensity of reflected light from objects at different distances when the portion of the reflected light reaching the first one of the pixels imaged onto the first and second subpixel regions.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G02B 5/02 - Diffuseurs; Eléments afocaux
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G02B 1/10 - Revêtements optiques obtenus par application sur les éléments optiques ou par traitement de la surface de ceux-ci
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic

43.

Heterogeneous Magnetic and Inductive Sensors

      
Numéro d'application 17659224
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-14
Date de la première publication 2023-10-19
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Casu, Emanuele Andrea
  • Vuillermet, Yannick
  • Friedrich, Andreas P.

Abrégé

A heterogeneous sensor system includes a magnetic field sensor and an inductive sensor. A checker is configured to receive the magnetic field sensor output signal and the inductive sensor output signal and determine whether an error has occurred based on a comparison of the magnetic field sensor output signal and the inductive sensor output signal. Targets include at least a portion that is conductive and may include a ferromagnetic portion for back biased magnetic sensing. Additional features include on axis and off axis positioning of the sensors with respect to the target, multi-track targets for absolute position sensing, angle sensing and torque sensing configurations.

Classes IPC  ?

  • G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication
  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p.ex. une armature mobile

44.

SENSOR SIGNALING OF ABSOLUTE AND INCREMENTAL DATA

      
Numéro d'application US2023062254
Numéro de publication 2023/201130
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-02-09
Date de publication 2023-10-19
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Casu, Emanuele, Andrea
  • Gillet, Cédric
  • Rigoni, Nicolás
  • Ferrer, Florencia
  • Friedrich, Andreas, P.
  • Pavlov, Emil

Abrégé

A sensor integrated circuit (IC) includes a sensing element configured to sense a parameter associated with a target, a processor coupled to the sensing element and configured to generate a sensed signal indicative of the parameter associated with the target, and an output module coupled to receive the sensed signal. The output module is configured to transmit absolute data on a message line at a first rate and transmit incremental data on one or more index lines at a second rate, wherein the second rate is faster than the first rate, wherein the incremental data comprises data associated with changes in the absolute data and wherein an edge or a pulse is used to indicate an incremental change has occurred in the absolute data.

Classes IPC  ?

  • G05B 13/02 - Systèmes de commande adaptatifs, c. à d. systèmes se réglant eux-mêmes automatiquement pour obtenir un rendement optimal suivant un critère prédéterminé électriques
  • G05B 13/04 - Systèmes de commande adaptatifs, c. à d. systèmes se réglant eux-mêmes automatiquement pour obtenir un rendement optimal suivant un critère prédéterminé électriques impliquant l'usage de modèles ou de simulateurs
  • G05B 19/19 - Commande numérique (CN), c.à d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p.ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'u caractérisée par systèmes de commande de positionnement ou de commande de contournage, p.ex. pour commander la position à partir d'un point programmé vers un autre point ou pour commander un mouvement le long d'un parcours continu programmé
  • G06F 13/38 - Transfert d'informations, p.ex. sur un bus
  • G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation
  • H04L 12/40 - Réseaux à ligne bus
  • H04L 12/403 - Réseaux à ligne bus avec commande centralisée, p.ex. interrogation
  • H04L 67/12 - Protocoles spécialement adaptés aux environnements propriétaires ou de mise en réseau pour un usage spécial, p.ex. les réseaux médicaux, les réseaux de capteurs, les réseaux dans les véhicules ou les réseaux de mesure à distance

45.

DATA STREAM WATCHDOG INJECTION

      
Numéro d'application 17657140
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-30
Date de la première publication 2023-10-05
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Myers, Charles

Abrégé

Systems, methods, and circuits utilize one or multiple data-stream watchdog codes for verifying a temporal state of data from a sensor system. A data-stream watchdog system can includes a sensor system configured to detect physical phenomena and produce corresponding output signals; a memory structure configured to store the output signals as sequential data on a repeating cycle, a watchdog code generator configured to insert a watchdog code into the stored sequential data and update the watchdog code periodically, and a data transmitter configured to receive the sequential data with included watchdog code from the memory structure and transmit the sequential data with the included watchdog code over a physical data channel each cycle of the repeating cycle. An application system receives the data and a watchdog code checker checks whether the watchdog code in the sequential data is correct and produces an error indication when the watchdog code is incorrect.

Classes IPC  ?

  • G06F 11/07 - Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts

46.

Electronic circuit to communicate information as an electrical current on two wires such that the electrical current is stabilized by measuring a voltage on a transistor within the electronic circuit

      
Numéro d'application 17661311
Numéro de brevet 11770322
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-29
Date de la première publication 2023-09-26
Date d'octroi 2023-09-26
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Fuentes, Leandro
  • Rivas, Manuel
  • Rubinsztain, Ezequiel

Abrégé

A two-wire electronic circuit can sense a voltage across terminals of a transistor and control an electrical current of the two-wire electronic circuit in accordance with the sensed voltage.

Classes IPC  ?

  • H04L 43/50 - Disposition de test
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/06 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques

47.

Current sensor integrated circuit with a dual gauge lead frame

      
Numéro d'application 17657135
Numéro de brevet 11768230
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-03-30
Date de la première publication 2023-09-26
Date d'octroi 2023-09-26
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Liu, Shixi Louis
  • Mcnally, Maxwell
  • Latham, Alexander

Abrégé

A current sensor IC includes a unitary lead frame having a primary conductor with a first thickness and a secondary lead having a second thickness less than the first thickness. A semiconductor die adjacent to the primary conductor includes a magnetic field sensing circuit to sense a magnetic field associated with the current and generate a secondary signal indicative of the current. An insulation structure is disposed between the primary conductor and the die. A mold material encloses a first portion of the secondary lead and a second portion of the secondary lead that is exposed outside of the package has the second thickness. A method of manufacturing a current sensor IC includes providing a unitary lead frame sheet having a first thickness, decreasing a thickness of a portion of the sheet to provide a first portion with the first thickness and a second portion with a smaller thickness, and stamping the sheet to form a repeating lead frame pattern, with each pattern including a primary conductor formed from the first portion and secondary leads formed from the second portion.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • H10N 52/01 - Fabrication ou traitement
  • H10N 52/80 - Dispositifs à effet Hall - Détails de structure
  • H10N 52/00 - Dispositifs à effet Hall

48.

Multichannel magnetic field sensor with multiplexed signal path

      
Numéro d'application 17930463
Numéro de brevet 11768259
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-09-08
Date de la première publication 2023-09-26
Date d'octroi 2023-09-26
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Rubinsztain, Ezequiel
  • Bolsinger, Pablo Javier

Abrégé

A multichannel magnetic field sensor including a plurality of magnetic field sensing elements includes a multiplexed signal path. A front end amplifier is coupled to receive a first magnetic field signal during a first time interval and a second magnetic field signal during a second time interval. A first low pass filter processes the amplified signal during the first time interval and a second low pass filter processes the amplified signal during the second time interval. A sinc filter is coupled to receive the first low pass filtered signal during the first time interval and the second low pass filtered signal during the second time interval. A Schmitt trigger circuit includes a comparator to process the sinc filter output signal and to generate a first comparator output signal during the first time interval and a second comparator output signal is provided during the second time interval.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques

49.

MAGNETORESISTIVE ELEMENT FOR A 2D MAGNETIC SENSOR HAVING A REDUCED HYSTERESIS RESPONSE

      
Numéro d'application 18245380
Statut En instance
Date de dépôt 2021-09-14
Date de la première publication 2023-09-21
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Timopheev, Andrey
  • Strelkov, Nikita
  • Childress, Jeffrey

Abrégé

A magnetoresistive element for a 2D magnetic sensor, the magnetoresistive element including a tunnel barrier layer included between a reference layer having a reference magnetization and a sense layer having a sense magnetization. The sense layer includes a sense synthetic antiferromagnetic structure including a first sense sublayer in contact with the tunnel barrier layer and separated from a second sense sublayer by a first non-magnetic spacer layer such that the first sense sublayer is antiferromagnetically coupled to the second sense sublayer. The sense layer is configured such that a sense magnetic ratio ΔM defined as: A magnetoresistive element for a 2D magnetic sensor, the magnetoresistive element including a tunnel barrier layer included between a reference layer having a reference magnetization and a sense layer having a sense magnetization. The sense layer includes a sense synthetic antiferromagnetic structure including a first sense sublayer in contact with the tunnel barrier layer and separated from a second sense sublayer by a first non-magnetic spacer layer such that the first sense sublayer is antiferromagnetically coupled to the second sense sublayer. The sense layer is configured such that a sense magnetic ratio ΔM defined as: Δ M = M s F M 2 t F M 2 − M s F M 1 t F M 1 M s F M 2 t F M 2 + M s F M 1 t F M 1 A magnetoresistive element for a 2D magnetic sensor, the magnetoresistive element including a tunnel barrier layer included between a reference layer having a reference magnetization and a sense layer having a sense magnetization. The sense layer includes a sense synthetic antiferromagnetic structure including a first sense sublayer in contact with the tunnel barrier layer and separated from a second sense sublayer by a first non-magnetic spacer layer such that the first sense sublayer is antiferromagnetically coupled to the second sense sublayer. The sense layer is configured such that a sense magnetic ratio ΔM defined as: Δ M = M s F M 2 t F M 2 − M s F M 1 t F M 1 M s F M 2 t F M 2 + M s F M 1 t F M 1 wherein MSFM1 and MSFM2 are the spontaneous magnetizations of the first and second sense sublayers and tFM1 and tFM2 are the thicknesses of the first and second sense sublayers; and wherein the sense magnetic ratio is between 0.1 and 0.25.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

50.

Magnetic field differential linear torque sensor

      
Numéro d'application 17655469
Numéro de brevet 11953395
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-03-18
Date de la première publication 2023-09-21
Date d'octroi 2024-04-09
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Latham, Alexander

Abrégé

Differential magnetic field torque sensors include first and second magnetic field concentrators that guide magnetic flux to a magnetic field sensor from first and second magnetic field directors and a target, such as a multipole magnet assembly configured as a ring magnet. The magnetic field concentrators have pairs of sections that are interdigitated and configured adjacent to magnetic field sensing elements of the magnetic field sensor. The magnetic field directors can each have a plurality of teeth, which can be interdigitated and adjacent or proximate to the target. The magnetic field directors can be configured to be mounted as a unit to a rotatable shaft while the target can be configured to be mounted to a different rotatable shaft. The magnetic field concentrators and magnetic field sensor can be fixed while the magnetic field directors and target can rotate with respect to each other about a twist axis.

Classes IPC  ?

  • G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication

51.

MAGNETIC FIELD DIFFERENTIAL LINEAR TORQUE SENSOR

      
Numéro d'application US2023060802
Numéro de publication 2023/177932
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-01-18
Date de publication 2023-09-21
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s) Latham, Alexander

Abrégé

Differential magnetic field torque sensors include first and second magnetic field concentrators that guide magnetic flux to a magnetic field sensor from first and second magnetic field directors and a target, such as a multipole magnet assembly configured as a ring magnet. The magnetic field concentrators have pairs of sections that are interdigitated and configured adjacent to magnetic field sensing elements of the magnetic field sensor. The magnetic field directors can each have a plurality of teeth, which can be interdigitated and adjacent or proximate to the target. The magnetic field directors can be configured to be mounted as a unit to a rotatable shaft while the target can be configured to be mounted to a different rotatable shaft. The magnetic field concentrators and magnetic field sensor can be fixed while the magnetic field directors and target can rotate with respect to each other about a twist axis.

Classes IPC  ?

  • G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication
  • G01L 5/22 - Appareils ou procédés pour la mesure des forces, du travail, de la puissance mécanique ou du couple, spécialement adaptés à des fins spécifiques pour la mesure de la force appliquée aux organes de commande, p.ex. organes de commande des véhicules, détentes

52.

DOUBLE-DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR INCLUDING A RECESSED DIELECTRIC

      
Numéro d'application 17695029
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-15
Date de la première publication 2023-09-21
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chung, Thomas S.
  • Kuo, Chung C.
  • Klebanov, Maxim
  • Chetlur, Sundar

Abrégé

In one aspect, a double-diffused metal oxide semiconductor (DMOS) includes a region of a semiconductor having a first region of a semiconductor having a first-type dopant, a first well having a second-type dopant, a dielectric within the first well, the dielectric having a bottom surface and a top surface opposite the bottom surface, a gate disposed on the top surface of the dielectric. The gate, the dielectric and the first well are configured to form a first reduced surface field (RESURF). The bottom surface of the dielectric has a first portion and a second portion, and the first portion of the bottom surface of the dielectric is closer to the top surface of the dielectric than the second portion of the bottom surface of the dielectric.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

53.

MULTIPLE BRANCH BUS BAR FOR CORELESS CURRENT SENSING APPLICATION

      
Numéro d'application 17695193
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-15
Date de la première publication 2023-09-21
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Messier, Loïc André
  • Vuillermet, Yannick
  • Shorman, Evan
  • Rock, Simon E.
  • Friedrich, Andreas P.

Abrégé

A system, comprising a bus bar having a first through-hole formed therein and a first current sensor that is disposed adjacent to the first branch. The first through-hole is arranged to define, at least in part, a first branch of the bus bar and a second branch of the bus bar. The first branch has different length and/or thickness than the second branch. The first current sensor is arranged to measure an electrical current through the bus bar.

Classes IPC  ?

  • H01B 5/02 - Barres, barreaux, fils ou rubans simples; Barres omnibus
  • H02G 5/00 - Installations de barres omnibus
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

54.

MAGNETIC SENSOR COMPRISING MAGNETORESISTIVE ELEMENTS AND SYSTEM FOR PROGRAMMING SUCH MAGNETIC SENSOR

      
Numéro d'application 17999578
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-27
Date de la première publication 2023-09-14
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Timopheev, Andrey
  • Strelkov, Nikita
  • Childress, Jeffrey

Abrégé

A magnetic sensor including a plurality of magnetoresistive elements; each magnetoresistive element including a ferromagnetic layer having a magnetization that is orientable at or above a threshold temperature; the magnetic sensor further includes a plasmonic structure destined to be irradiated by electromagnetic radiation and including a spatially periodic plasmonic array of metallic structures. The period of the plasmonic array and the lateral dimension of the metallic structures are adjusted to obtain plasmon resonance of the plasmonic structure for a given wavelength of the electromagnetic radiation. The plasmonic array is arranged in the magnetic sensor such as to heat the first ferromagnetic layer at or above the threshold temperature, from the enhanced absorption of the electromagnetic radiation by plasmon resonance. The present disclosure further concerns a system including the sensor and an emitting device configured to emit electromagnetic radiation.

Classes IPC  ?

  • H10N 50/10 - Dispositifs magnéto-résistifs
  • H10N 50/80 - Dispositifs galvanomagnétiques - Détails de structure

55.

DETECTOR HAVING QUANTUM DOT PN JUNCTION PHOTODIODE

      
Numéro d'application 17653881
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-08
Date de la première publication 2023-09-14
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Keuleyan, Sean
  • Huntington, Andrew S.
  • Dissanayake, Nanditha
  • Yi, Chao
  • Williams, George

Abrégé

Methods and apparatus for a sensor having a photodetector array having photodetectors comprising a colloidal quantum dot (CQD) structure formed on an integrated circuit. The sensor may comprise a LIDAR time of flight sensor.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 7/484 - Emetteurs
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic

56.

PACKAGED CURRENT SENSOR INTEGRATED CIRCUIT

      
Numéro d'application US2022051968
Numéro de publication 2023/172314
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-12-06
Date de publication 2023-09-14
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Boden, Bradley
  • Nikam, Rishikesh
  • Briano, Robert, A.

Abrégé

A packaged current sensor integrated circuit (300) includes a primary conductor (330) having an input portion (332) and an output portion (334) configured to carry a current to be measured by a magnetic sensing element (309a, 309b) supported by a semiconductor die (308) adjacent to the primary conductor. The primary current path contains a mechanical locking feature (355a, 355b). The thickness of the molded body of the package is reduced to improve vibration immunity.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs

57.

COMMON MODE TRANSIENT SUPPRESSION

      
Numéro d'application 17653487
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-04
Date de la première publication 2023-09-07
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Uberti, Bruno Luis
  • Salaya Velazquez, Juan Guido
  • Milesi, Alejandro Gabriel

Abrégé

Methods and apparatus for a signal isolator that mitigates the effects of CMTI strikes. In embodiments, a first die comprises a transmit module and the first die has a first voltage domain; and a second die comprises a receive module including a receive amplifier configured to receive from the transmit module a transmit signal that includes a differential signal and a common mode current. The second die may have a second voltage domain with the first and second die being separated by an isolation barrier. In embodiment, the receive amplifier includes a differential amplifier to receive the differential input signal from the transmit module; and a common mode module configured to sense the common mode current and sink or source the common mode current and minimize changes to an input impedance of the receive amplifier.

Classes IPC  ?

  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
  • H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

58.

COMMON MODE TRANSIENT SUPPRESSION

      
Numéro d'application US2023061711
Numéro de publication 2023/168149
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-02-01
Date de publication 2023-09-07
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Uberti, Bruno, L.
  • Salaya Velazquez, Juan, G.
  • Milesi, Alejandro, G.

Abrégé

Methods and apparatus for a signal isolator that mitigates the effects of CMTI strikes. In embodiments, a first die comprises a transmit module and the first die has a first voltage domain; and a second die comprises a receive module including a receive amplifier configured to receive from the transmit module a transmit signal that includes a differential signal and a common mode current. The second die may have a second voltage domain with the first and second die being separated by an isolation barrier. In embodiment, the receive amplifier includes a differential amplifier to receive the differential input signal from the transmit module; and a common mode module configured to sense the common mode current and sink or source the common mode current and minimize changes to an input impedance of the receive amplifier.

Classes IPC  ?

  • H03F 3/347 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels

59.

Adaptive angle sensor

      
Numéro d'application 17588383
Numéro de brevet 11740070
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-31
Date de la première publication 2023-08-29
Date d'octroi 2023-08-29
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Rubinsztain, Ezequiel
  • Alpago, Octavio H.

Abrégé

A method comprising: obtaining at least three sampled values m, each of the sampled values m including a respective first component that is obtained based on a first signal and a respective second component that is obtained based on a second signal and solving a system of equations to yield at least one of (i) an offset adjustment vector k, (ii) a sensitivity mismatch coefficient γ, and (iii) a non-orthogonality coefficient s, the system of equations being arranged to model each of the sampled values m as a function of: a respective one of a plurality of number arrays, a magnetic field, and the at least one of (i) the offset adjustment vector k, (ii) the sensitivity mismatch coefficient γ, and (iii) the non-orthogonality coefficient s.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

60.

MAGNETIC FIELD DIFFERENTIAL TORQUE SENSOR

      
Numéro d'application US2023010556
Numéro de publication 2023/158529
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-01-11
Date de publication 2023-08-24
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ostermann, Till-Jonas
  • Latham, Alexander

Abrégé

Systems, methods, and apparatus for differential magnetic field torque sensors that include first and second magnetic targets for coupling to one or more rotatable shafts. The magnetic targets can include multipole ring magnets having a plurality of alternating magnetic domains. First and second differential magnetic field angular position sensors positioned proximate to the magnetic targets produce angular position of the targets and a processing unit is operative to receive an angular position from each of the first and second differential magnetic field angular position sensors and determine a difference between the angular positions. The difference corresponds to an angle between the targets, and the processing unit is operative to calculate, based on the angle, a torque applied to the one or more rotatable shafts.

Classes IPC  ?

  • G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication

61.

Current sensor package

      
Numéro d'application 17651080
Numéro de brevet 11892476
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-02-15
Date de la première publication 2023-08-17
Date d'octroi 2024-02-06
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Rock, Simon E.
  • Kerdraon, Thomas
  • Vuillermet, Yannick
  • Messier, Loïc André
  • Friedrich, Andreas P.

Abrégé

Current sensor packages are described including a leadframe configured to carry a current to be sensed and a current sensor that is electrically isolated from the leadframe. The current sensor is disposed adjacent to a first portion of the leadframe that includes a plurality of notches. An encapsulating material is configured to encapsulate the current sensor and at least a part of the first portion of the leadframe that is adjacent to the current sensor and includes the plurality of notches. The current sensor includes a substrate, a first magnetic field sensing element that is formed on the substrate, and a second magnetic field sensing element that is formed on the substrate. The first magnetic field sensing element and the second magnetic field sensing element are disposed on opposite sides of a central axis of the first portion of the leadframe.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

62.

MAGNETIC FIELD DIFFERENTIAL TORQUE SENSOR

      
Numéro d'application 17651265
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-16
Date de la première publication 2023-08-17
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ostermann, Till-Jonas
  • Latham, Alexander

Abrégé

Systems, methods, and apparatus for differential magnetic field torque sensors that include first and second magnetic targets for coupling to one or more rotatable shafts. The magnetic targets can include multipole ring magnets having a plurality of alternating magnetic domains. First and second differential magnetic field angular position sensors positioned proximate to the magnetic targets produce angular position of the targets and a processing unit is operative to receive an angular position from each of the first and second differential magnetic field angular position sensors and determine a difference between the angular positions. The difference corresponds to an angle between the targets, and the processing unit is operative to calculate, based on the angle, a torque applied to the one or more rotatable shafts.

Classes IPC  ?

  • G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication
  • G01L 5/22 - Appareils ou procédés pour la mesure des forces, du travail, de la puissance mécanique ou du couple, spécialement adaptés à des fins spécifiques pour la mesure de la force appliquée aux organes de commande, p.ex. organes de commande des véhicules, détentes

63.

Optical system for improved reliability and performance

      
Numéro d'application 17651250
Numéro de brevet 11933669
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-02-16
Date de la première publication 2023-08-17
Date d'octroi 2024-03-19
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Marshall, Stephen A.
  • Stewart, Logan G.
  • Munroe, Michael

Abrégé

Described herein is a method and apparatus for an optical system configured to output redundant outputs, where the optical system includes at least one optical device configured to receive an optical signal; at least one optical transducer, wherein each at least one optical transducer is configured to receive the optical signal from the at least one optical device and convert the optical signal to an electrical signal; and at least one electronic device configured to receive each electrical signal and output the redundant outputs.

Classes IPC  ?

  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière

64.

Integrated circuit package with magnet having a channel

      
Numéro d'application 18307057
Numéro de brevet 11961920
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-04-26
Date de la première publication 2023-08-17
Date d'octroi 2024-04-16
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Vig, Ravi
  • Taylor, William P.
  • David, Paul A.
  • Scheller, P. Karl
  • Friedrich, Andreas P.

Abrégé

An integrated circuit package and method of fabrication are described. The integrated circuit package includes a lead frame having a first surface and a second opposing surface and a semiconductor die having a first, active surface in which circuitry is disposed and a second opposing surface attached to the first surface of the lead frame. A magnet attached to the second surface of the lead frame has a non-contiguous central region and at least one channel extending laterally from the central region. An overmold material forms an enclosure surrounding the magnet, semiconductor die, and a portion of the lead frame.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/06 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
  • G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • H01L 29/82 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif

65.

CURRENT SENSOR SYSTEM

      
Numéro d'application 18300776
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-14
Date de la première publication 2023-08-10
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Vuillermet, Yannick
  • Lassalle-Balier, Rémy

Abrégé

A system, comprising: a printed circuit board; a first conductor having a first central longitudinal axis, the first conductor having a first through-hole that is formed therein; a second conductor having a second central longitudinal axis; and a first current sensor that is mounted on the printed circuit board, the first current sensor being disposed at least partially inside the first through-hole, the first current sensor including a first pair of magnetic field sensing elements, the magnetic field sensing elements in the first pair being aligned with a first alignment axis that is arranged at a first angle relative to the second central longitudinal axis, the first angle being less than 75 degrees.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

66.

FLASH MEMORY CELL STRUCTURE HAVING SEPARATE PROGRAM AND ERASE ELECTRON PATHS

      
Numéro d'application 17650418
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-09
Date de la première publication 2023-08-10
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chung, Thomas S.
  • Klebanov, Maxim
  • Chetlur, Sundar
  • Mcclay, James

Abrégé

In one aspect, a flash memory cell includes a well having a first-type dopant, a source having a second-type dopant and formed within the well, a drain having the second-type dopant and formed within the well, a floating gate above the well, a control gate above the floating gate, an oxide compound disposed between the floating gate and the control gate, and a tunnel oxide disposed between the floating gate and the well. The flash memory cell is configured, in one of a program mode or an erase mode, to move an electron from the source to the floating gate. The flash memory cell is configured, in the other one of the program or the erase mode, to move an electron is from the floating gate to the drain.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • G11C 16/10 - Circuits de programmation ou d'entrée de données
  • G11C 16/14 - Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement

67.

Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression

      
Numéro d'application 17805054
Numéro de brevet 11719771
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-06-02
Date de la première publication 2023-08-08
Date d'octroi 2023-08-08
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Campiglio, Paolo
  • Jaiswal, Samridh
  • Liu, Yen Ting
  • Klebanov, Maxim
  • Chetlur, Sundar

Abrégé

Methods and apparatus for a magnetoresistive (MR) sensor including a seed layer having a CoFe layer for canceling hysteresis in the MR sensor. The MR stackup can include a free layer and a reference layer. The seed layer having CoFe provides a desired texturing of the stackup to cancel hysteresis effects.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • H10N 50/80 - Dispositifs galvanomagnétiques - Détails de structure
  • H10N 50/85 - Matériaux actifs magnétiques

68.

Method and apparatus for sensor signal path diagnostics

      
Numéro d'application 17806759
Numéro de brevet 11719769
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-06-14
Date de la première publication 2023-08-08
Date d'octroi 2023-08-08
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Drinovsky, Martin
  • Thomas, Matthieu
  • Bily, Petr

Abrégé

A sensor includes a first sensing element configured to sense a parameter and generate a first sensing element output signal indicative of the parameter, a first front end element configured to receive the first sensing element output signal and to generate a first front end signal, a second sensing element configured to sense the parameter and generate a second sensing element output signal indicative of the parameter, a second front end element configured to receive the second sensing element output signal and to generate a second front end signal, a difference block configured to receive the first and second front end signals and generate a difference signal indicative of a difference between the first and second front end signals, an absolute value block configured to receive the difference signal and generate an absolute difference signal indicative of an absolute value of the difference signal, and an offset comparator configured to compare the absolute difference signal to an offset threshold to detect whether a difference between an offset associated with the first front end signal and an offset associated with the second front end signal is within a predetermined tolerance.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

69.

Delay-locked-loop timing error mitigation

      
Numéro d'application 17660221
Numéro de brevet 11722141
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-22
Date de la première publication 2023-08-08
Date d'octroi 2023-08-08
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Filippini, Leo
  • Myers, Charles
  • Lee, Adam

Abrégé

Systems, methods, and circuits provide delay-locked loop (DLL) timing error mitigation. A DLL false-lock detection system can include DLL circuitry configured to receive a reference clock signal having a time period. The system can include shift register circuitry and latched comparison circuitry which can determine a time period of a locked condition of the DLL delay line with respect to the reference clock signal time period. The system can determine whether the system is correctly locked to the base time period or incorrectly locked to a multiple of the base time period. A further system can operate to cause a phase detector circuitry in a DLL to ignore the first edge of a reference clock signal presented to the phase detector circuitry and thereby avoid stuck-lock conditions.

Classes IPC  ?

  • H03L 7/095 - Commande automatique de fréquence ou de phase; Synchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie utilisant un détecteur de verrouillage
  • H03L 7/081 - Commande automatique de fréquence ou de phase; Synchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase - Détails de la boucle verrouillée en phase avec un déphaseur commandé additionnel

70.

MAGNET STRUCTURE FOR BACK-BIASED SENSORS

      
Numéro d'application 17648601
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-21
Date de la première publication 2023-07-27
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Lassalle-Balier, Rémy
  • Eagen, Jeffrey
  • Dehu, Damien

Abrégé

According to an embodiment, a magnetic field sensor includes: one or more magnetic field sensing elements; and a magnet structure to provide a bias magnetic field about the one or more magnetic field sensing elements, the magnet structure includes alternating magnetic layers and non-magnetic layers with at least three magnetic layers.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

71.

EFFICIENT LASER ILLUMINATION FOR SCANNED LIDAR

      
Numéro d'application 17566763
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-31
Date de la première publication 2023-07-20
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Huntington, Andrew S.
  • Cadugan, Bryan

Abrégé

Lidar transmission optics and systems project more laser pulse energy per pixel instantaneous field-of-view (IFOV) to a portion of a sensor field of view (FOV), e.g., a portion that would be expected to have both close and distant objects of interest, and proportionally less pulse energy per pixel IFOV to other portions of the sensor FOV, e.g., those that would be expected to have or see only close objects of interest. Optics such as diffractive optical elements (DOEs), gradient-index (GRIN) lenses, and/or compound lens systems can be used for producing desired irradiance distributions having multiple parts or regions. The optics and systems improve range performance by providing for more efficient use of the total available laser pulse energy than transmit optics that project uniform pulse energy per pixel IFOV across the sensor FOV.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
  • G02B 5/18 - Grilles de diffraction

72.

Fabricating planarized coil layer in contact with magnetoresistance element

      
Numéro d'application 17648151
Numéro de brevet 11782105
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-17
Date de la première publication 2023-07-20
Date d'octroi 2023-10-10
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Klebanov, Maxim
  • Liu, Yen Ting
  • Campiglio, Paolo
  • Chetlur, Sundar
  • Wong, Harianto

Abrégé

In one aspect, a method includes forming a coil in a coil layer, performing planarization on the coil layer, and depositing a magnetoresistance (MR) element on the planarized coil layer. No dielectric material is between the planarized coil layer and the MR element. In another aspect, a magnetic field sensor includes a substrate, a planarized coil layer comprising a coil on the substrate, a magnetoresistance (MR) element in contact with the planarized coil layer, and a capping layer deposited over the MR element and the planarized coil layer. No dielectric material is between the planarized coil layer and the MR element.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • G01R 3/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des appareils de mesure

73.

Diagnostic circuits and methods for analog-to-digital converters

      
Numéro d'application 17647639
Numéro de brevet 11848682
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-11
Date de la première publication 2023-07-13
Date d'octroi 2023-12-19
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Rubinsztain, Ezequiel
  • Bolsinger, Pablo Javier
  • Cesaretti, Juan Manuel

Abrégé

Apparatus includes an ADC configured to convert an analog signal to a digital signal, a comparator having a first input responsive to the analog signal, a second input responsive to the digital signal, and an output at which a comparison signal is provided, and an output checker configured to process the comparison signal to generate a fault signal indicative of whether a fault has occurred in the ADC. The comparator can be an analog comparator in which case the digital signal is converted to an analog signal for the comparison or a digital comparator in which case an additional ADC is provided to convert the analog signal into a digital signal for the comparison. Embodiments include more than one ADC in which case summation elements are provided to sum the analog signals and the digital signals for the comparison.

Classes IPC  ?

  • H03M 1/10 - Calibrage ou tests
  • H03M 1/18 - Commande automatique pour modifier la plage des signaux que le convertisseur peut traiter, p.ex. réglage de la plage de gain
  • H03M 1/12 - Convertisseurs analogiques/numériques
  • H03M 1/06 - Compensation ou prévention continue de l'influence indésirable de paramètres physiques

74.

PACKAGED CURRENT SENSOR INTEGRATED CIRCUIT

      
Numéro d'application 18182434
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-13
Date de la première publication 2023-07-13
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Liu, Shixi Louis

Abrégé

A current sensor circuit package includes a primary conductor having an input portion into which a current flows, an output portion from which the current flows, and an exposed portion, wherein the input and output portions have a reduced area edge. A secondary lead has an elongated portion that is offset with respect to the exposed portion of the secondary lead. A semiconductor die is disposed adjacent to the primary conductor on an insulator portion and at least one magnetic field sensing element is supported by the semiconductor die. A package body enclosing the semiconductor die and a portion of the primary conductor includes a first cutout in a first side edge configured to expose the reduced area edge of the input portion of the primary conductor and a second cutout on a second side edge configured to expose the reduced area edge of the output portion of the primary conductor, wherein the first side edge of the package body is substantially parallel with respect to the second side edge of the package body.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall

75.

MAGNETIC SENSOR ELEMENT AND DEVICE HAVING IMPROVED ACCURACY UNDER HIGH MAGNETIC FIELDS

      
Numéro d'application 17998984
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-10
Date de la première publication 2023-07-06
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Timopheev, Andrey
  • Childress, Jeffrey
  • Strelkov, Nikita

Abrégé

Magnetic angular sensor element destined to sense an external magnetic field, including a magnetic tunnel junction containing a ferromagnetic pinned layer having a pinned magnetization, a ferromagnetic sensing layer, and a tunnel magnetoresistance barrier layer; the ferromagnetic sensing layer including a first sensing layer being in direct contact with the barrier layer and having a first sensing magnetization, a second sensing layer having a second sense magnetization, and a metallic spacer between the first sensing layer and the second sensing layer; wherein the metallic spacer is configured to provide an antiferromagnetic coupling between the first sensing magnetization and the second sensing magnetization such that the first sensing magnetization is oriented substantially antiparallel to the second sensing magnetization; the second sensing magnetization being larger than the first sensing magnetization, such that the second sensing magnetization is oriented in accordance with the direction of the external magnetic field.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

76.

Linear sensor with dual spin valve element having reference layers with magnetization directions different from an external magnetic field direction

      
Numéro d'application 18175829
Numéro de brevet 11852699
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-02-28
Date de la première publication 2023-06-29
Date d'octroi 2023-12-26
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Lassalle-Balier, Rémy
  • Rioult, Maxime

Abrégé

In one aspect, a linear sensor includes at least one magnetoresistance element that includes a first spin valve and a second spin valve positioned on the first spin valve. The first spin valve includes a first set of reference layers having a magnetization direction in a first direction and a first set of free layers having a magnetization direction in a second direction orthogonal to the first direction. The second spin valve includes a second set of reference layers having a magnetization direction in the first direction and a second set of free layers having a magnetization direction in a third direction orthogonal to the first direction and antiparallel to the second direction. The first direction is neither parallel nor antiparallel to a direction of an expected magnetic field.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • H10N 50/10 - Dispositifs magnéto-résistifs
  • H10N 50/80 - Dispositifs galvanomagnétiques - Détails de structure
  • H10N 50/85 - Matériaux actifs magnétiques
  • G11B 5/39 - Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux utilisant des dispositifs magnétorésistifs

77.

MAGNETIC FIELD CLOSED LOOP SENSORS WITH OFFSET REDUCTION

      
Numéro d'application 18176745
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-01
Date de la première publication 2023-06-29
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Romero, Hernán D.

Abrégé

Magnetic field closed loop sensors including offset reduction circuitry to reduce undesired baseband components attributable to offset associated with magnetoresistance elements are described. A superimposed signal including a main signal portion indicative of a parameter of a target and an offset reduced signal portion is coupled to feedback circuitry. The feedback circuitry generates a feedback signal to drive a feedback coil. Main processing circuitry is operative to extract the main signal portion from the superimposed signal and produce a sensor output signal based on the main signal portion. Example offset reduction circuitry can take the form of AC coupling circuitry or a ripple reduction loop.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques

78.

ACTIVE/PASSIVE PIXEL CURRENT INJECTION AND BIAS TESTING

      
Numéro d'application 17648702
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-24
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Lee, Adam
  • Myers, Charles

Abrégé

Systems, methods, and circuits for electrical pixel background current injection tests for lidar systems are described. Systems, methods, and circuits for electrical pixel timing pulse current injection tests for lidar systems are further described. Systems, methods, and circuits for or pixel photodiode health checking/testing using on-chip bias adjustment and passive photo-current imaging circuitry for lidar systems are also described. Embodiments can be used for specification of an Application Safety Integration Level (ASIL) in compliance with a safety standard such as ISO 26262 or the like.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/497 - Moyens de contrôle ou de calibrage
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie

79.

Level shifter with immunity to state changes in response to high slew rate signals

      
Numéro d'application 17662672
Numéro de brevet 11671080
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-05-10
Date de la première publication 2023-06-06
Date d'octroi 2023-06-06
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ross, Thomas
  • Mcintosh, James

Abrégé

An integrated circuit (IC) includes a level shifter coupled to receive a first supply voltage and a second supply voltage and configured to generate a first output signal and a second output signal in response to an input command signal and an edge detector configured to detect an edge on the second supply voltage and to sink a current from the level shifter in response to detection of the edge in order to prevent a change in logic state of the first output signal or the second output signal. The edge detector can include a positive edge detector configured to generate a positive edge signal in response to detection of a positive going edge of greater than a first predetermined slew rate and a negative edge detector configured to generate a negative edge signal in response to detection of a negative going edge of greater than a second predetermined slew rate.

Classes IPC  ?

  • H03K 19/00 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
  • H03K 3/037 - Circuits bistables
  • H03K 5/1534 - Détecteurs de transition ou de front
  • H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ

80.

Single-shunt current measurement

      
Numéro d'application 17645118
Numéro de brevet 11658597
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-12-20
Date de la première publication 2023-05-23
Date d'octroi 2023-05-23
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Babushkin, Anton
  • Korol, Serhii
  • Smirnov, Yaroslav
  • Sakharov, Dmytro
  • Kurihara, Masahira
  • Khosravi, Kamyar
  • Khudobets, Vadym

Abrégé

A method comprising: receiving a first current measurement that is taken at a first predetermined time instant; receiving a second current measurement that is taken at a second predetermined time instant; classifying the first current measurement as corresponding to one of a plurality of electrical signals, the first current measurement being classified based, at least in part, on a duty cycle pattern of the plurality of electrical signals; classifying the second current measurement as corresponding to another one of the plurality of electrical signals, the second current measurement being classified based, at least in part, on the duty cycle pattern of the plurality of electrical signals; and adjusting a duty cycle of at least one of the electrical signals based on the first current measurement, the classification of the first current measurement, the second current measurement, and the classification of the second current measurement.

Classes IPC  ?

  • H02P 23/14 - Estimation ou adaptation des paramètres des moteurs, p.ex. constante de temps du rotor, flux, vitesse, courant ou tension
  • G01R 29/02 - Mesure des caractéristiques d'impulsions individuelles, p.ex. de la pente de l'impulsion, du temps de montée ou de la durée
  • H02P 29/00 - Dispositions pour la régulation ou la commande des moteurs électriques, adaptées à des moteurs à courant alternatif et à courant continu

81.

Detector system having type of laser discrimination

      
Numéro d'application 18152994
Numéro de brevet 11791604
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-01-11
Date de la première publication 2023-05-18
Date d'octroi 2023-10-17
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Taylor, William P.
  • Cadugan, Bryan

Abrégé

Methods and apparatus for receiving a return laser pulse at a detector system having pixels in a pixel array and analyzing a response of the pixels in the pixel array including comparing the response to at least one threshold corresponding to decay of photonic energy of the laser pulse over distance and target reflectivity, wherein the at least one threshold comprises a first threshold corresponding to a low trigger for a pulse generated by a first type of laser and a second threshold corresponding to a high trigger for the pulse generated by the first type of laser. Embodiments can further include generating an alert signal based on the response of the pixels in the pixel array.

Classes IPC  ?

  • H01S 3/10 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p.ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
  • H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
  • H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser
  • H01S 5/50 - Structures amplificatrices non prévues dans les groupes
  • H01S 3/0915 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière incohérente
  • H01S 3/0941 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente produite par un laser à semi-conducteur, p.ex. par une diode laser
  • H01S 3/30 - Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet utilisant des effets de diffusion, p.ex. l'effet Brillouin ou Raman stimulé
  • H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
  • H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes

82.

ADAPTIVE SWITCHING FREQUENCY SELECTION

      
Numéro d'application 17525224
Statut En instance
Date de dépôt 2021-11-12
Date de la première publication 2023-05-18
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Haas, David J.
  • Romero, Hernán D.

Abrégé

A method is provided for use in a sensor, the method comprising: selecting a switching cycle for the sensor; transitioning the sensor into a state in which at least one component of the sensor is periodically turned on and off in accordance with the switching cycle; sampling an analog signal to generate a sampled signal, the analog signal being generated by at least one sensing element, the analog signal being sampled only during periods in which the at least one component of the sensor is turned on; and generating an output signal based, at least in part, on the sampled signal and outputting the output signal.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • G01D 9/00 - Enregistrement de valeurs mesurées

83.

Angle sensor with a single die using a single target

      
Numéro d'application 17453577
Numéro de brevet 11719527
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-11-04
Date de la première publication 2023-05-04
Date d'octroi 2023-08-08
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Lassalle-Balier, Rémy

Abrégé

In one aspect, an angle sensor includes magnetic-field sensing elements that include a first pair, a second pair, a third pair and a fourth pair of magnetic-field sensing elements; and processing circuitry configured to determine an angle of a rotating ring magnetic having a plurality of North-South pole pairs each having a unique period length. The processing circuitry includes a first bridge formed from the first and second pairs of magnetic-field sensing elements and a second bridge formed from the third and fourth pairs of magnetic-field sensing elements. The angle includes a value from 0° to 360°. The first, second, third and fourth pairs of magnetic-field sensing elements are each disposed on a first axis. The first, second, third and fourth pairs of magnetic-field sensing elements each have a sensitivity in a first direction along the first axis. The angle sensor is formed on a single die.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

84.

MAGNETIC SENSOR FOR MEASURING AN EXTERNAL MAGNETIC FIELD ANGLE IN A TWO-DIMENSIONAL PLANE AND METHOD FOR MEASURING SAID ANGLE USING THE MAGNETIC SENSOR

      
Numéro d'application 17905278
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-22
Date de la première publication 2023-05-04
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Zucker, Robert
  • Fritz, Scott

Abrégé

Magnetic sensor for measuring an external magnetic field angle in a two-dimensional plane, including: a first and second sensing unit outputting, respectively, a first signal sin(θ) and a second signal cos(θ); a first multiplying DAC receiving the first signal and a first digital input sin(f*t) and outputting a first modulated output signal; a second multiplying DAC receiving the second signal and a second digital input cos(f*t) and outputting a second modulated output signal; a first RC filter receiving the first modulated output signal and outputting a first filtered signal sin(θ)*sin(f*t+RCd); a second RC filter receiving the second modulated output signal and outputting a second filtered signal sin(θ)*sin(f*t+RCd); an adder adding the first and second filtered signals and outputting a summed signal cos(f*t+RCd+θ); and an angle extracting unit for measuring the phase delay between the summed signal and a synchronization signal and determining the angle from the phase delay.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension

85.

MAGNETORESISTIVE SENSOR ELEMENT FOR SENSING A TWO-DIMENSIONAL MAGNETIC FIELD WITH LOW HIGH-FIELD ERROR

      
Numéro d'application 17905352
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-02
Date de la première publication 2023-04-27
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Ducruet, Clarisse
  • Cuchet, Léa
  • Childress, Jeffrey

Abrégé

A magnetoresistive element for a two-dimensional magnetic field sensor, including: a ferromagnetic reference layer having a fixed reference magnetization, a ferromagnetic sense layer having a sense magnetization that can be freely oriented relative to the reference magnetization in the presence of an external magnetic field, and a tunnel barrier layer between the reference and sense ferromagnetic layers; the reference layer including a reference coupling layer between a reference pinned layer and a reference coupled layer; the reference coupled layer including a first coupled sublayer in contact with the reference coupling layer, a second coupled sublayer, a third coupled sublayer and a insert layer between the second and third coupled sublayers; the insert layer comprising a transition metal and has a thickness between about 0.1 and about 0.5 nm, and the thickness of the reference coupled layer is between about 1 nm and about 5 nm.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • H10N 50/85 - Matériaux actifs magnétiques
  • H10N 50/10 - Dispositifs magnéto-résistifs
  • H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique

86.

Commonly controlled buck-boost converter

      
Numéro d'application 17510759
Numéro de brevet 11770072
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-10-26
Date de la première publication 2023-04-27
Date d'octroi 2023-09-26
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Suraci, Michele
  • Oddone, Giorgio

Abrégé

A method for controlling a buck-boost converter includes generating a first threshold voltage with a decreasing voltage level, generating a second threshold voltage with an increasing voltage level, and sensing an inductor current. A signal indicative of the sensed inductor current is compared to the first threshold voltage to control an on time of the high side buck switch and is compared to the second threshold voltage to control an off time of the high side boost switch. Also described is a controller including a compensator responsive to an output voltage feedback signal to generate a compensation voltage and a modulator having a buck signal path coupled to receive the compensation voltage and configured to control an on time of the high side buck switch and a boost signal path coupled to receive the compensation voltage and configured to control an off time of the high side boost switch.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

87.

Magnitude Calculation in a Magnetic Field Angle Tracking System

      
Numéro d'application 17505715
Statut En instance
Date de dépôt 2021-10-20
Date de la première publication 2023-04-20
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Trinidad, Cristian
  • Rigoni, Nicolás

Abrégé

A magnetic field sensor configured to sense an angle of a magnetic field associated with a rotatable target includes a first magnetic field sensing structure configured to generate a first signal indicative of the magnetic field and a second magnetic field sensing structure configured to generate a second signal indicative of the magnetic field, wherein the first and second magnetic field sensing structures are configured to detect quadrature components of the magnetic field. A controller responsive to the first and second signals includes an angle tracking observer having a sine block and a cosine block operatively coupled to compute the angular position of the target using a control loop based in part on a non-orthogonality error term and a magnitude calculator that uses the sine block and the cosine block to compute a magnitude of the magnetic field.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G06F 7/544 - Méthodes ou dispositions pour effectuer des calculs en utilisant exclusivement une représentation numérique codée, p.ex. en utilisant une représentation binaire, ternaire, décimale utilisant des dispositifs non spécifiés pour l'évaluation de fonctions par calcul
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

88.

TEMPERATURE COMPENSATED MTJ-BASED SENSING CIRCUIT FOR MEASURING AN EXTERNAL MAGNETIC FIELD

      
Numéro d'application 17905214
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-22
Date de la première publication 2023-04-20
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Mohan, Anuraag
  • Zucker, Robert

Abrégé

Disclosed is a MTJ sensing circuit for measuring an external magnetic field and including a plurality of MTJ sensor elements connected in a bridge configuration, the MTJ sensing circuit having an input for inputting a bias voltage and generating an output voltage proportional to the external magnetic field multiplied by the bias voltage and a gain sensitivity of the MTJ sensing circuit, wherein the gain sensitivity and the output voltage vary with temperature; the MTJ sensing circuit further including a temperature compensation circuit configured to provide a modulated bias voltage that varies as a function of temperature over a temperature range, such that the output voltage is substantially constant as a function of temperature. Also disclosed is a method for compensating the output voltage for temperature.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques

89.

Dynamic offset and amplitude tracker

      
Numéro d'application 17501120
Numéro de brevet 11733025
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-10-14
Date de la première publication 2023-04-20
Date d'octroi 2023-08-22
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s) Lutz, Christophe

Abrégé

A method for use in a sensor, comprising: generating a signal that is indicative of an angular position of a rotating target, the signal being generated by at least one magnetic field sensing element; adjusting the signal to produce an adjusted signal, the signal being adjusted based on a current value of a first adjustment coefficient; generating an output signal based on the adjusted signal; and updating the first adjustment coefficient, the updating including replacing the current value of the first adjustment coefficient with a new value of the first adjustment coefficient, the updating being performed by minimizing a function that is based on the current value of the first adjustment coefficient.

Classes IPC  ?

  • G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
  • G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p.ex. une armature mobile
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

90.

Fabricating a coil above and below a magnetoresistance element

      
Numéro d'application 17648154
Numéro de brevet 11630169
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-17
Date de la première publication 2023-04-18
Date d'octroi 2023-04-18
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Liu, Yen Ting
  • Klebanov, Maxim
  • Campiglio, Paolo
  • Chetlur, Sundar
  • Wong, Harianto

Abrégé

In one aspect, a method includes forming a metal layer on a substrate, wherein the metal layer comprises a first coil, forming a planarized insulator layer on the metal layer, forming at least one via in the planarized insulator layer, depositing a magnetoresistance (MR) element on the planarized insulator layer, and forming a second coil extending above the MR element. The at least one via electrically connects to the metal layer on one end and to MR element on the other end.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
  • H01F 41/12 - Isolement d'enroulements
  • H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments

91.

Current sensor integrated circuits

      
Numéro d'application 17495879
Numéro de brevet 11644485
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-10-07
Date de la première publication 2023-04-13
Date d'octroi 2023-05-09
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Liu, Shixi Louis
  • David, Paul A.
  • Healey, Natasha

Abrégé

A current sensor integrated circuit configured to sense a current through a current conductor includes a lead frame at least one signal lead, a fan out wafer level package (FOWLP), and a mold material enclosing the FOWLP and a portion of the lead frame. The FOWLP includes a semiconductor die configured to support at least one magnetic field sensing element to sense a magnetic field associated with the current, wherein the semiconductor die has a first surface on which at least one connection pad is accessible, a redistribution layer in contact with the at least one connection pad, and an insulating layer in contact with the redistribution layer, wherein the insulating layer is configured to extend beyond a periphery of the semiconductor die by a minimum distance. The die connection pad is configured to be electrically coupled to the at least one signal lead.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs

92.

Current sense calibration in a motor control system

      
Numéro d'application 17648165
Numéro de brevet 11621657
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-17
Date de la première publication 2023-04-04
Date d'octroi 2023-04-04
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Foletto, Andrea
  • Jacques, Daniel

Abrégé

A motor control system includes a gate driver motor controller and a microcontroller configured to generate a commutation command signal for coupling to the gate driver motor controller. The gate driver motor controller includes a current measurement circuit to measure current in each of three current paths corresponding to three motor windings, an interface to transmit a first subset of the measured currents corresponding to a first subset of the current paths, and a calibrator to calibrate a current path that is not part of the first subset of current paths when the first subset of the measured currents is transmitted. The microcontroller includes an interface to receive the first subset of measured currents and a processor to compute the current in the current path that is not part of the first subset of current paths based on the first subset of measured currents.

Classes IPC  ?

  • H02P 6/28 - Dispositions pour la commande du courant
  • H02P 27/08 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs avec modulation de largeur d'impulsions

93.

DUAL CIRCUIT DIGITAL ISOLATOR

      
Numéro d'application 18051151
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-31
Date de la première publication 2023-03-16
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chetlur, Sundar
  • Klebanov, Maxim
  • Voisine, Cory
  • Snowdon, Kenneth
  • Wu, Hsuan-Jung

Abrégé

An apparatus including; a substrate; an isolator that is formed over the substrate, the isolator including a silicon shield layer that is formed between a first buried oxide (BOX) layer and a second BOX layer; a silicon layer having an oxide trench structure formed therein, the oxide trench structure being arranged to define a first silicon island and a second silicon island; a first electronic circuit that is formed over the first silicon island; and a second electronic circuit that is formed over the second silicon island, the first electronic circuit being electrically coupled to the first electronic circuit.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS

94.

CURRENT SENSOR SYSTEM

      
Numéro d'application US2022038329
Numéro de publication 2023/038725
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-26
Date de publication 2023-03-16
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Vuillermet, Yannick
  • Messier, Loïc, André

Abrégé

A current sensor system, includes: a plurality of conductors that are integrated into a substrate, each of the plurality of conductors having a respective first through-hole formed therein and a plurality of current sensors, each of the plurality of current sensors being disposed on the substrate. Each of the plurality of current sensors is disposed above or below the respective first through-hole of a different one of the plurality of conductors, and the substrate includes a plurality of conductive traces, each coupled to at least one of the plurality of current sensors.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall

95.

Linear inductive torque sensor

      
Numéro d'application 17466202
Numéro de brevet 11662260
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-09-03
Date de la première publication 2023-03-09
Date d'octroi 2023-05-30
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Latham, Alexander
  • Romero, Hernán D.

Abrégé

Methods and apparatus for linear inductive torque sensing that may include transmitting an AC magnetic field with a transmit coil toward a conductive target and receiving a field reflected by the conductive target with a receive coil, wherein the conductive target comprises first and second targets positioned with respect to each other and each shaped to linearly increase or decrease an amount of conductive area of the conductive target due to relative movement of the first and second targets which changes an amount of the field reflected by the conductive target. A signal from the receive coil can be processed to determine a relative position of the first and second targets corresponding to an amount of torque on an elongate member connected to the first and second targets. In other embodiments, a change in inductance of the transmit coil is measured to determine relative target position.

Classes IPC  ?

  • G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication
  • G01L 5/22 - Appareils ou procédés pour la mesure des forces, du travail, de la puissance mécanique ou du couple, spécialement adaptés à des fins spécifiques pour la mesure de la force appliquée aux organes de commande, p.ex. organes de commande des véhicules, détentes

96.

Current sensor system

      
Numéro d'application 17467713
Numéro de brevet 11656250
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-09-07
Date de la première publication 2023-03-09
Date d'octroi 2023-05-23
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Vuillermet, Yannick
  • Messier, Loïc André

Abrégé

A current sensor system, includes: a plurality of conductors that are integrated into a substrate, each of the plurality of conductors having a respective first through-hole formed therein and a plurality of current sensors, each of the plurality of current sensors being disposed on the substrate. Each of the plurality of current sensors is disposed above or below the respective first through-hole of a different one of the plurality of conductors, and the substrate includes a plurality of conductive traces, each coupled to at least one of the plurality of current sensors.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

97.

LINEAR INDUCTIVE TORQUE SENSOR

      
Numéro d'application US2022033577
Numéro de publication 2023/033897
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-06-15
Date de publication 2023-03-09
Propriétaire ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Latham, Alexander
  • Romero, Hernán D.

Abrégé

Methods and apparatus for linear inductive torque sensing that may include transmitting an AC magnetic field with a transmit coil toward a conductive target and receiving a field reflected by the conductive target with a receive coil, wherein the conductive target comprises first and second targets positioned with respect to each other and each shaped to linearly increase or decrease an amount of conductive area of the conductive target due to relative movement of the first and second targets which changes an amount of the field reflected by the conductive target. A signal from the receive coil can be processed to determine a relative position of the first and second targets corresponding to an amount of torque on an elongate member connected to the first and second targets. In other embodiments, a change in inductance of the transmit coil is measured to determine relative target position.

Classes IPC  ?

  • G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication
  • G01L 5/22 - Appareils ou procédés pour la mesure des forces, du travail, de la puissance mécanique ou du couple, spécialement adaptés à des fins spécifiques pour la mesure de la force appliquée aux organes de commande, p.ex. organes de commande des véhicules, détentes

98.

TMR assembly having a heat sink

      
Numéro d'application 17653484
Numéro de brevet 11598830
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-03-04
Date de la première publication 2023-03-07
Date d'octroi 2023-03-07
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Chetlur, Sundar
  • Klebanov, Maxim
  • Liu, Yen Ting
  • Campiglio, Paolo

Abrégé

Methods and apparatus for a sensor including a series of tunneling magnetoresistance (TMR) pillars and a heatsink adjacent to at least one of the TMR pillars, where the heatsink comprises Titanium Nitride (TiN).

Classes IPC  ?

  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

99.

MAGNETORESISTIVE SENSOR ELEMENT HAVING COMPENSATED TEMPERATURE COEFFICIENT OF SENSITIVITY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID ELEMENT

      
Numéro d'application 17760109
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-29
Date de la première publication 2023-03-02
Propriétaire
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Cuchet, Léa
  • Timopheev, Andrey
  • Childress, Jeffrey

Abrégé

A magnetoresistive sensor element including: a reference layer having a pinned reference magnetization; a sense layer having a free sense magnetization comprising a stable vortex configuration reversibly movable in accordance to an external magnetic field to be measured; a tunnel barrier layer between the reference layer and the sense layer; wherein the sense layer includes a first ferromagnetic sense portion in contact with the tunnel barrier layer and a second ferromagnetic sense portion in contact with the first ferromagnetic sense portion; the second ferromagnetic sense portion including a dilution element in a proportion such that a temperature dependence of a magnetic susceptibility of the sense layer substantially compensates a temperature dependence of a tunnel magnetoresistance of the magnetoresistive sensor element. Also, a method for manufacturing the magnetoresistive sensor element.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
  • G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs

100.

PACKAGED CURRENT SENSOR INTEGRATED CIRCUIT

      
Numéro d'application 18053480
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-08
Date de la première publication 2023-03-02
Propriétaire Allegro MicroSystems, LLC (USA)
Inventeur(s)
  • Liu, Shixi Louis
  • Briano, Robert A.
  • Healey, Natasha

Abrégé

A packaged current sensor integrated circuit includes a primary conductor having an input portion and an output portion configured to carry a current to be measured by one or more magnetic sensing elements supported by a semiconductor die adjacent to the primary conductor. A method of fabricating the packaged current sensor integrated circuit includes partially encasing the lead frame in a first mold material, applying an insulator to one or more die attach pads, attaching a die to the insulator, electrically connecting the die to secondary leads, and providing a second mold to the subassembly. The package is configured to provide increased voltage isolation.

Classes IPC  ?

  • G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
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