Fuji Electric Co., Ltd.

Japon

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Type PI
        Brevet 4 125
        Marque 43
Juridiction
        États-Unis 2 752
        International 1 390
        Canada 22
        Europe 4
Propriétaire / Filiale
[Owner] Fuji Electric Co., Ltd. 4 168
Fuji Electric FA Components & Systems Co., Ltd. 44
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 45
2021 septembre (MACJ) 32
2021 août 23
2021 juillet 31
2021 juin 30
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Classe IPC
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée 727
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ 624
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices 616
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs 536
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus 384
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Classe NICE
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 41
07 - Machines et machines-outils 23
11 - Appareils de contrôle de l'environnement 20
12 - Véhicules; appareils de locomotion par terre, par air ou par eau; parties de véhicules 12
06 - Métaux communs et minerais; objets en métal 4
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Statut
En Instance 414
Enregistré / En vigueur 3 754
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1.

SEMICONDUCTOR MODULE AND WIRE BONDING METHOD

      
Numéro d'application 17188221
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-01
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamada, Takafumi
  • Yamauchi, Kohei
  • Asai, Tatsuhiko
  • Gohara, Hiromichi

Abrégé

A semiconductor module includes at least two semiconductor elements connected in parallel; a control circuit board placed between the at least two semiconductor elements; a control terminal for external connection; a first wiring member that connects the control terminal and the control circuit board; and a second wiring member that connects a control electrode of one of the at least two semiconductor elements and the control circuit board, wherein the second wiring member is wire-bonded from the control electrode towards the control circuit board, and has a first end on the control electrode and a second end on the control circuit board, the first end having a cut end face facing upward normal to a surface of the control electrode and the second end having a cut end face facing sideways parallel to a surface of the control circuit board.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

2.

DOOR-CLOSING DEVICE AND METHOD FOR ATTACHING DOOR-CLOSING DEVICE

      
Numéro d'application JP2021002179
Numéro de publication 2021/181908
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-22
Date de publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Saito, Izumi
  • Shiroma, Takahiro

Abrégé

This door-closing device is provided with: a drive source; and a conversion section that comprises a pinion gear and a rack section which is disposed so as to engage with the pinion gear and which moves linearly due to rotation of the pinion gear, and that converts rotational drive force from the drive source into linear movement in an opening/closing direction of a door body. The conversion section is configured so that one end section of the conversion section in the opening/closing direction and/or another end section of the conversion section in the opening/closing direction can be separated.

Classes IPC  ?

  • E05F 15/635 - Mécanismes pour battants mus par une force motrice utilisant des actionneurs électriques utilisant des électromoteurs rotatifs pour battants à coulissement horizontal manœuvrés par des mécanismes "pousser-tirer", p.ex. par des dispositifs à crémaillère souples ou rigides
  • B61D 19/00 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires
  • B61D 19/02 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires pour wagons de voyageurs
  • E05F 15/655 - Mécanismes pour battants mus par une force motrice utilisant des actionneurs électriques utilisant des électromoteurs rotatifs pour battants à coulissement horizontal spécialement adaptés aux battants de véhicule

3.

SUPERCRITICAL FLUID POWER GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020010103
Numéro de publication 2021/181483
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-09
Date de publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakamura, Jun
  • Kawahara, Yoshitaka

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a supercritical fluid power generation system capable of reducing a rapid increase in compression power in a compression device under a driving condition in which a temperature of a radiator comes close to a critical temperature. A supercritical fluid power generation system (1) uses a closed cycle in which a heat receiving facility (10), a turbine (20), a radiator (40), and a compression device (50) are connected to each other by flow paths (81 to 92) and supercritical carbon dioxide is used as a working fluid. The compression device is provided with a low-stage compression unit (52) that compresses supercritical carbon dioxide expanded by the turbine and a high-stage compression unit (53) that compresses the supercritical carbon dioxide compressed by the low-stage compression unit. The radiator cools the supercritical fluid flowing from the low-stage compression unit to the high-stage compression unit.

Classes IPC  ?

  • F01K 7/32 - Ensembles fonctionnels de machines à vapeur caractérisés par l'emploi de types particuliers de machines motrices; Ensembles fonctionnels ou machines motrices caractérisés par un circuit de vapeur, un cycle de fonctionnement ou des phases particuliers; Dispositifs de commande spécialement adaptés à ces systèmes, cycles ou phases; Utilisation de la vapeur soutirée ou de la vapeur d'évacuation pour le réchauffage de l'eau d'alimentation les machines motrices utilisant la vapeur à la pression critique ou hypercritique

4.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17186274
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohuchi, Yuki
  • Ueno, Katsunori

Abrégé

A nitride semiconductor device includes a GaN-based semiconductor layer; and an insulating film provided on a first surface of the GaN-based semiconductor layer, the insulating film containing O atoms, and other constituent atoms other than O. An interface between the GaN-based semiconductor layer and the insulating film has a terminating species which terminates a dangling bond of a Ga atom, the terminating species has an outermost electron shell in which one electron is deficient from an allowed number of outermost electrons, and is an atom or molecule having stronger bond to the Ga atom than a H atom, an amount of Ga—O bonds is greater than an amount of bonds between the Ga atoms and the other constituent atoms.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes

5.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application 17332218
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-27
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakamori, Akira

Abrégé

A power conversion device including a semiconductor switching element having a control electrode terminal and two main electrode terminals and configured to control a current flowing between the two main electrodes by a drive signal applied to the control electrode terminal; and a drive circuit configured to generate the drive signal in synchronization with an input signal and to turn on/off the semiconductor switching element by the drive signal. The drive circuit is configured to detect the current flowing between the two main electrode terminals of the semiconductor switching element at a timing at which the semiconductor switching element is turned off, and to adjust a drive capacity.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
  • H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande

6.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17158388
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-26
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tanaka, Masanori

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor device, including: preparing a power semiconductor chip, a lead frame having a die pad part and a terminal part integrally connected to the die pad part, and an insulating sheet in a semi-cured state; disposing the power semiconductor chip on a front surface of the die pad part and performing wiring; encapsulating the lead frame and the power semiconductor chip with an encapsulation raw material in a semi-cured state, to thereby form a semi-cured unit, the terminal part projecting from the semi-cured unit, and a rear surface of the die pad part being exposed from a rear surface of the semi-cured unit; pressure-bonding a front surface of the insulating sheet to the rear surface of the semi-cured unit to cover the rear surface of the die pad part; and curing the semi-cured unit and the insulating sheet by heating.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

7.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17332590
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-27
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Terashima, Kenshi

Abrégé

A semiconductor device includes a first semiconductor chip including an output electrode portion on a front surface thereof, the output electrode portion including a plurality of electrode regions, each of which is provided at a respective position of the output electrode portion, and a plurality of wires, each electrode region being connected to a different one or more wires among the plurality of wires, through which a respective amount of output current is output. A total number of the different one or more wires connected to each electrode region is set depending on the respective position of the electrode region of the output electrode portion, so that the electrode region has a respective current amount per wire that is equal to or less than a respective predetermined value.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

8.

WIRING STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17187620
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sato, Tadahiko

Abrégé

A lead frame structure for connecting a semiconductor chip to a connection target includes a conductive member electrically connecting the semiconductor chip and the connection target. The conductive member includes a first bonding part having a main surface, disposed on one side of the conductive member and being bonded to the semiconductor chip, a second bonding part having a main surface, being disposed on another side of the conductive member that is spaced from the one side in one direction and being bonded to the connection target, and a joining part having a wall section intersecting the main surface of the first bonding part and the main surface of the second bonding part, the wall section joining a portion of the first bonding part to a portion of the second bonding part.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

9.

DOOR-CLOSING DEVICE

      
Numéro d'application JP2021002061
Numéro de publication 2021/181903
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-21
Date de publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shiroma, Takahiro
  • Terasaki, Tomio

Abrégé

A regulating part of this door-closing device includes a shaft-driving part that causes a pin-holding member to move in a direction of separating from a position where a pin member and a door-body-securing part engage, and a cushioning part that cushions impact from a collision between components included in the regulating part when a locked state of a door body is released as the pin member is moved in the separation direction.

Classes IPC  ?

  • B61D 19/00 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires
  • B61D 19/02 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires pour wagons de voyageurs
  • E05B 77/38 - Bourrelets, éléments élastiques de guidage ou de maintien, p.ex. pour réduire ou amortir l’impact du pêne contre la gâche lors de la fermeture du battant
  • E05B 83/36 - Serrures pour portières passagers ou similaire
  • E05F 15/635 - Mécanismes pour battants mus par une force motrice utilisant des actionneurs électriques utilisant des électromoteurs rotatifs pour battants à coulissement horizontal manœuvrés par des mécanismes "pousser-tirer", p.ex. par des dispositifs à crémaillère souples ou rigides

10.

SUPERCRITICAL FLUID POWER GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020011142
Numéro de publication 2021/181663
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-13
Date de publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakamura, Jun
  • Kawahara, Yoshitaka

Abrégé

Provided is a supercritical fluid power generation system that can achieve both high system efficiency and the suppression of an increase in equipment cost. The supercritical fluid power generation system (1) includes: a heat source (11); a turbine (31), a supercritical fluid power generation unit (30) provided with a turbine (31), a cooler (33), and a compressor (34) and using a closed cycle using supercritical carbon dioxide as a working fluid; and an intermediate heat medium circulation unit (50) that circulates a liquid molten salt that is heated by a high-temperature gas (13) heated by a heat source. The intermediate heat medium circulation unit includes a heat recovery heat exchanger (51) that exchanges heat between the hot gas and the molten salt, and an intermediate heat exchanger (52) that exchanges heat between the molten salt and supercritical carbon dioxide.

Classes IPC  ?

  • F01K 7/32 - Ensembles fonctionnels de machines à vapeur caractérisés par l'emploi de types particuliers de machines motrices; Ensembles fonctionnels ou machines motrices caractérisés par un circuit de vapeur, un cycle de fonctionnement ou des phases particuliers; Dispositifs de commande spécialement adaptés à ces systèmes, cycles ou phases; Utilisation de la vapeur soutirée ou de la vapeur d'évacuation pour le réchauffage de l'eau d'alimentation les machines motrices utilisant la vapeur à la pression critique ou hypercritique
  • F01K 25/10 - Ensembles fonctionnels ou machines motrices caractérisés par l'emploi de fluides énergétiques particuliers non prévus ailleurs; Ensembles fonctionnant selon un cycle fermé, non prévus ailleurs utilisant des vapeurs particulières ces vapeurs étant froides, p.ex. ammoniac, gaz carbonique, éther

11.

EXHAUST GAS TREATMENT DEVICE AND LIQUID DISCHARGE UNIT

      
Numéro d'application JP2021002334
Numéro de publication 2021/176880
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-22
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe Kenji
  • Hayashi Kazuki

Abrégé

Provided is an exhaust gas treatment device provided with: a reaction tower having an exhaust gas introduction port to which an exhaust gas is introduced, an exhaust gas discharge port from which the exhaust gas is discharged, and a liquid spray part that is disposed between the exhaust gas introduction port and the exhaust gas discharge port, the reaction tower having supplied thereto a liquid for treating the exhaust gas; a discharge part which is disposed above the liquid spray part and from which the liquid is discharged; and a discharge pipe which is connected to the discharge part and from which the liquid discharged by the discharge part is discharged. At the liquid spray part, the liquid is sprayed inside the reaction tower. The discharge part has an internal tube section, an external tube section that encircles the internal tube section, and a bottom section that connects the internal tube section and the external tube section. The discharge part discharges the liquid to between the internal tube section and the external tube section and in a discharge space above the bottom section. The discharge pipe has a liquid passage part which penetrates through the external tube section to be connected to the discharge space and through which the liquid passes. At least a portion of the liquid passage part that penetrates through the external tube section is disposed below the top surface of a main portion of the bottom section.

Classes IPC  ?

  • B01D 53/50 - Oxydes de soufre
  • B01D 53/18 - Unités d'absorption; Distributeurs de liquides
  • B01D 53/78 - Procédés en phase liquide avec un contact gaz-liquide
  • B01D 53/92 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion

12.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application JP2021003936
Numéro de publication 2021/176934
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-03
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Yuji
  • Hori, Motohito
  • Toba, Akio
  • Sato, Ikuya
  • Tanaka, Yasuhito
  • Iwasaki, Masamichi
  • Ajima, Masaaki
  • Ohguri, Nobuaki

Abrégé

A power conversion device comprising: a capacitor; a substrate on which a plurality of switching elements for power conversion are mounted; a cooler that cools the plurality of switching elements; a housing that accommodates the capacitor, the substrate, and the cooler; a power-supply connector that is exposed on the housing; an output connector that is exposed on the housing; and a plurality of wires that include a plurality of power-supply wires electrically connected to the capacitor, the plurality of switching elements, and the power-supply connector, and a plurality of output wires electrically connected to the plurality of switching elements and the output connector, wherein at least one among the plurality of wires is a wire that includes a conductive pattern formed on the substrate.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

13.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFATURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER CONVERSION DEVICE EQUIPPED WITH SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2021008535
Numéro de publication 2021/177422
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-03-04
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato Yoshiharu
  • Sakurai Yosuke
  • Noguchi Seiji
  • Yoshimura Takashi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having a drift region; a buffer region disposed between the drift region and a lower surface and having a doping concentration distribution with three or more concentration peaks; and a collector region disposed between the buffer region and the lower surface. The three or more concentration peaks in the buffer region include a first concentration peak closest to the lower surface, a second concentration peak closest to the lower surface next to the first concentration peak and disposed at a distance of not less than 5 μm from the lower surface in a depth direction, the second concentration peak having a doping concentration lower than the first concentration peak and less than 1.0×1015/cm3, and a high concentration peak more spaced apart from the lower surface than the second concentration peak and having a doping concentration higher than the second concentration peak.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

14.

DUST COLLECTOR

      
Numéro d'application JP2021002341
Numéro de publication 2021/176881
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-22
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamashiro Keisuke
  • Sakuma Yoshihiro
  • Ikeda Jyun

Abrégé

This dust collector comprises: a gas pipe through which a gas to be processed flows from an upstream side to a downstream side; a plurality of collection parts which are provided to the gas pipe so as to collect target particles contained in the to-be-processed gas; and a connection electrode which is connected to the plurality of respective collection parts. Each of the plurality of collection parts has a cylindrical outer electrode, through the interior space of which the to-be-processed gas is passed, and an inner electrode which is disposed in the interior space so as to be coaxial with the outer electrode. The plurality of collection parts are arranged in parallel with each other within a cross section of the gas pipe. The connection electrode is connected to the inner electrodes of the plurality of respective collection parts, and is disposed on the downstream side of the collection parts.

Classes IPC  ?

  • B03C 3/41 - Electrodes d'ionisation
  • B03C 3/40 - Structure des électrodes
  • B03C 3/49 - Electrodes collectrices tubulaires
  • F01N 3/01 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement au moyen de séparateurs électriques ou électrostatiques

15.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application JP2021006510
Numéro de publication 2021/177064
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-19
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Yuji
  • Hori, Motohito
  • Toba, Akio
  • Sato, Ikuya
  • Tanaka, Yasuhito
  • Iwasaki, Masamichi
  • Ajima, Masaaki
  • Ohguri, Nobuaki

Abrégé

This power conversion device comprises a housing accommodating: a capacitor that has a first capacitor electrode and a second capacitor electrode; a positive-electrode busbar that is electrically connected to a positive-electrode terminal and the first capacitor electrode; a negative-electrode busbar that is electrically connected to a negative-electrode terminal and the second capacitor electrode; a plurality of output busbars that are electrically connected to a plurality of output terminals, a plurality of high-side switching elements, and a plurality of low-side switching elements; a cooler that cools the plurality of high-side switching elements, and the plurality of low-side switching elements; a supply tube that supplies refrigerant flowing therein from an inlet to the cooler; and a discharge tube that discharges refrigerant flowing out from the cooler to an outlet. The positive-electrode terminal, the negative-electrode terminal, the plurality of output terminals, the inlet, and the outlet are exposed on the housing. The inlet, the outlet, the supply tube, and the discharge tube are members separate from the housing.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

16.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17185953
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-25
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Murata, Yuma
  • Kanai, Naoyuki
  • Nakagome, Akito
  • Ikeda, Yoshinari

Abrégé

A semiconductor module includes a first semiconductor element and a second semiconductor element each having an upper-surface electrode and a lower-surface electrode, and being connected in parallel to configure an upper arm, a first conductive layer having a U-shape in planar view, having two end portions, and having an upper surface on which the first semiconductor element and the second semiconductor element are disposed in a mirror image arrangement, a positive electrode terminal having a body part and at least two positive electrode ends branched from the body part, and a negative electrode terminal having a negative electrode end disposed between the positive electrode ends. The positive electrode ends are respectively connected to one of the two end portions of the first conductive layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

17.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17187668
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Murata, Yuma
  • Kanai, Naoyuki
  • Nakagome, Akito
  • Ikeda, Yoshinari

Abrégé

A semiconductor module includes first to fourth semiconductor elements, each having an upper-surface electrode and a lower-surface electrode, first to fourth conductive layers, each extending in a first direction and being independently disposed side by side in a second direction orthogonal to the first direction, and an output terminal connected to the second and third conductive layers. The lower-surface electrodes of each of the first to fourth semiconductor elements are respectively conductively connected to the first to fourth conductive layers. The third conductive layer and the fourth conductive layer are disposed between the first conductive layer and the second conductive layer and are connected to the output terminal to have an equal potential.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

18.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17159718
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-27
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kinoshita, Akimasa

Abrégé

A semiconductor device, including a semiconductor substrate of a first conductivity type, a first semiconductor layer of the first conductivity type, provided on the semiconductor substrate and having an impurity concentration lower than that of the semiconductor substrate, a second semiconductor layer of a second conductivity type, selectively provided on the first semiconductor layer, a plurality of first semiconductor regions of the first conductivity type, selectively provided in the second semiconductor layer at a surface thereof, a plurality of gate insulating films in contact with the second semiconductor layer, a plurality of gate electrodes respectively provided on the gate insulating films, a plurality of first electrodes provided on the second semiconductor layer and the first semiconductor regions, and a second electrode provided on a back surface of the semiconductor substrate. The semiconductor substrate contains boron, a concentration of the boron therein being in a range from 5×1015/cm3 to 5×1016/cm3.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

19.

INTEGRATED CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 17329802
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-25
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sugawara, Takato

Abrégé

A power supply circuit that generates an output voltage from an AC voltage inputted thereto. The power supply circuit includes a rectifier circuit rectifying the AC voltage, an inductor receiving a rectified voltage from the rectifier circuit, a transistor controlling an inductor current flowing through the inductor, and an integrated circuit switching the transistor based on the inductor current and the output voltage. The integrated circuit includes a sample-and-hold circuit that samples-and-holds a voltage corresponding to the rectified voltage in a predetermined timing, an output circuit that outputs a limit voltage based on the voltage held by the sample-and-hold circuit, indicating a limit value for limiting the inductor current, and a signal output circuit that receives the limit voltage and a voltage corresponding to the inductor current, to thereby output a signal to turn off the transistor upon determining that a current value of the inductor current exceeds the limit value.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs

20.

TRIMMING CIRCUIT AND TRIMMING METHOD

      
Numéro d'application 17235956
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-21
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Iwamizu, Morio

Abrégé

A trimming circuit configured to output a voltage according to the presence or absence of disconnection of a fuse resistor is provided, including a fuse resistor formed by a polysilicon layer arranged on a semiconductor substrate via an insulating film, a pad for trimming connected to one end of the fuse resistor, an output terminal electrically connected to a connection point between the fuse resistor and the pad, and configured to output a voltage according to the presence or absence of disconnection of the fuse resistor, and a diode formed on the semiconductor substrate, having one end connected to the other end of the fuse resistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

21.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17161931
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-29
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device includes a first MOS structure portion that includes, as its elements, a semiconductor substrate of a first conductivity type, a first semiconductor layer of the first conductivity type, a first second-semiconductor-layer of a second conductivity type, first semiconductor regions of the first conductivity type, and first gate insulating films, and a second MOS structure portion that includes, as its elements, the substrate, the first semiconductor layer, a second second-semiconductor-layer, second first-semiconductor-regions of the first conductivity type, and second gate insulating films. First and second portions include all of the elements of the first and second MOS structure portions other than the first and second first-semiconductor-regions and the first and second gate insulating films, respectively. A structure of one of the elements of the first portion is not identical to a structure of a corresponding element of the second portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

22.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17185931
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-25
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Murata, Yuma
  • Kato, Ryoichi
  • Kanai, Naoyuki
  • Nakagome, Akito
  • Ikeda, Yoshinari

Abrégé

A semiconductor module includes a case with a side wall in a first direction in which gate and source terminals are embodied and exposed therefrom, first and second semiconductor elements each having gate and source electrodes, gate and source relay layers positioned at a center between the first and second semiconductor elements in the first direction at a side of the semiconductor elements farther from the side wall, first gate and source wires respectively connecting the gate and source terminals to the gate and source relay layers, second gate and source wires, and third gate and source wires, respectively connecting the gate and source electrodes of the first semiconductor element, and the gate and source electrode of the second semiconductor element, to the gate and source relay layers. The first to third source wires are respectively located closer to the first to third gate wires than any other gate wires.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

23.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17187646
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Murata, Yuma
  • Kanai, Naoyuki
  • Nakagome, Akito
  • Ikeda, Yoshinari

Abrégé

A semiconductor module includes an insulating substrate having a main wiring layer, positive and negative electrode terminals adjacently arranged in a first direction, a plurality of semiconductor elements forming a first column and another plurality of semiconductor elements forming a second column, each semiconductor element having gate and source electrode on an upper surface thereof, and being disposed on the main wiring layer such that corresponding ones of the gate electrodes in the first and second columns face each other in a second direction orthogonal to the first direction, a control wiring substrate between the first and second columns and having gate and source wiring layers, a gate wiring member connecting ones of the gate electrodes in the first and second columns through the gate wiring layer, and a source wiring member connecting ones of the source electrodes in the first and second columns through the source wiring layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
  • H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés

24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17331013
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-26
Date de la première publication 2021-09-09
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hokazono, Hiroaki
  • Kato, Ryoichi

Abrégé

A semiconductor device includes: a first semiconductor chip having a metal layer on a top surface; a first wiring member arranged to face the metal layer; a sintered-metal layer arranged between the metal layer and the first wiring member, having a first region and a plurality of second regions provided inside the first region, the second regions having lower tensile strength than the first region; and a metallic member arranged inside the sintered-metal layer, wherein the second regions of the sintered-metal layer have lower tensile strength than the metal layer of the first semiconductor chip.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

25.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17140757
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-04
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Nakano, Hayato

Abrégé

A semiconductor module includes a substrate on which first, second, and third circuit boards that are electrically isolated from each other are formed; a semiconductor element arranged on the first circuit board; a connecting member that bridges an upper surface electrode of the semiconductor element and the second circuit board so as to electrically connect the upper surface electrode to the second circuit board; a wire that electrically connects the third circuit board to a first electrode that is located outside of where the first, second and third circuit boards are located in a plan view; and a sealing resin that covers and seals the substrate, the semiconductor element, the connecting member, and the wire, wherein the wire is wired from the third circuit board to the first electrode so as to cross the semiconductor element at a vertical position lower than an upper surface of the connecting member.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

26.

CONTROL CIRCUIT AND POWER SOURCE CIRCUIT

      
Numéro d'application 17159053
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-26
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yaguchi, Yukihiro

Abrégé

A control circuit for controlling an output transistor for outputting power includes: a ramp terminal connected to a ramp resistance; a ramp waveform generation unit for generating a ramp waveform including a slope corresponding to a resistance value of the ramp resistance; an output control unit for controlling at least one of an ON time or an OFF time of the output transistor based on a comparison result between the ramp waveform and a comparison voltage; and a state detection unit for detecting a state of the ramp resistance connected to the ramp terminal, wherein the output control unit turns the output transistor to an OFF state regardless of the comparison result, when the state of the ramp resistance becomes a predetermined state.

Classes IPC  ?

  • G01R 27/08 - Mesure de la résistance par mesure à la fois de la tension et de l'intensité
  • G05F 3/26 - Miroirs de courant
  • H03K 4/48 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins à forme triangulaire en dents de scie utilisant comme éléments actifs des dispositifs à semi-conducteurs
  • G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

27.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17161908
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-29
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kodama, Naoko

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor device, including preparing a semiconductor wafer having first and second main surfaces opposite to each other, forming a photoresist film on the first main surface of the semiconductor wafer, forming a plurality of openings at predetermined positions in the photoresist film, cleaning the semiconductor wafer with water after the openings are formed, drying the semiconductor wafer by rotating the semiconductor wafer around a center axis that is orthogonal to the first main surface of the semiconductor wafer, to thereby generate a centrifugal force to cause the water that is left in the openings of the photoresist film to fly off the semiconductor wafer, and ion-implanting a predetermined impurity by a predetermined acceleration energy from the first main surface of the semiconductor wafer, using the photoresist film as a mask, after the drying. The drying process includes setting a rotational speed of the semiconductor wafer to be at most an upper limit value.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

28.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE

      
Numéro d'application 17162334
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-29
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Shinjiro
  • Zhu, Fengqiang
  • Takeuchi, Masaru
  • Hasegawa, Tomoki

Abrégé

Provided are an electrophotographic photoconductor being resistant to abrasion even in long-term use, having highly sensitive electric characteristics, being capable of maintaining a high retention rate, and being capable of providing a stable image without filming, a method of manufacturing the same, and an electrophotographic device. The photoconductor includes an electroconductive substrate (1), a charge generation layer (3), and a charge transport layer (4); the charge transport layer contains a hole transport material, a resin binder, an electron transport material, and an inorganic oxide; the charge generation layer contains a charge generation material; the masses of the hole transport material, the resin binder, the electron transport material, and the inorganic oxide in the charge transport layer respectively denoted by a to d satisfy 1.5≤b/a≤5.7, 0.005≤c/a≤0.35, 0.05≤d/a≤0.70, a≥c+d, and c/d≥0.01; the hole transport material contains a compound expressed by formula (A-1); and the charge generation material contains titanyl phthalocyanine having an exothermic peak at 251±5° C., a half-value width of the exothermic peak equal to or less than 15° C., and a heating value equal to or greater than 1.0 mJ/mg when a temperature rise condition is 20° C./min in differential scanning calorimetry, and having an X-ray diffraction peak at 27.2±0.3°. Provided are an electrophotographic photoconductor being resistant to abrasion even in long-term use, having highly sensitive electric characteristics, being capable of maintaining a high retention rate, and being capable of providing a stable image without filming, a method of manufacturing the same, and an electrophotographic device. The photoconductor includes an electroconductive substrate (1), a charge generation layer (3), and a charge transport layer (4); the charge transport layer contains a hole transport material, a resin binder, an electron transport material, and an inorganic oxide; the charge generation layer contains a charge generation material; the masses of the hole transport material, the resin binder, the electron transport material, and the inorganic oxide in the charge transport layer respectively denoted by a to d satisfy 1.5≤b/a≤5.7, 0.005≤c/a≤0.35, 0.05≤d/a≤0.70, a≥c+d, and c/d≥0.01; the hole transport material contains a compound expressed by formula (A-1); and the charge generation material contains titanyl phthalocyanine having an exothermic peak at 251±5° C., a half-value width of the exothermic peak equal to or less than 15° C., and a heating value equal to or greater than 1.0 mJ/mg when a temperature rise condition is 20° C./min in differential scanning calorimetry, and having an X-ray diffraction peak at 27.2±0.3°.

Classes IPC  ?

  • G03G 5/047 - Couches photoconductrices caractérisées en ce qu'elles ont plusieurs couches ou caractérisées par leur structure composite caractérisées par les couches de génération ou de transport de charges
  • G03G 5/06 - Couches photoconductrices; Couches de génération de charges ou couches de transport de charges; Additifs à cet effet; Liants à cet effet caractérisées par le fait que leur matériau photoconducteur est organique
  • G03G 5/05 - Matériaux de liaison organiques; Méthodes d'enduction d'un substrat avec une couche photoconductrice; Additifs inertes utilisables dans des couches photoconductrices

29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

      
Numéro d'application 17320115
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-13
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yoshida, Soichi

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a transistor section, a diode section, and a boundary section provided between the transistor section and the diode section in the semiconductor substrate. The transistor section has gate trench portions which are provided from an upper surface of the semiconductor substrate to a position deeper than that of an emitter region, and to each of which a gate potential is applied. An upper-surface-side lifetime reduction region is provided on the upper surface side of the semiconductor substrate in the diode section and a partial region of the boundary section, and is not provided in a region that is overlapped with the gate trench portion in the transistor section in a surface parallel to the upper surface of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes

30.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17137643
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-30
Date de la première publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device having, in a plan view thereof, an active region and a termination region that surrounds a periphery of the active region. The device includes a semiconductor substrate containing a wide bandgap semiconductor, a first-conductivity-type region provided in the semiconductor substrate, spanning from the active region to the termination region, a plurality of second-conductivity-type regions provided between the first-conductivity-type region and the first main surface of the semiconductor substrate in the active region, a first electrode provided on a first main surface of the semiconductor substrate and electrically connected to the second-conductivity-type regions, a second electrode provided on the second main surface of the semiconductor substrate and electrically connected to the first-conductivity-type region, and a lifetime killer region provided in the first-conductivity-type region and spanning from the active region to the termination region. In the active region, pn junctions between the first-conductivity-type region and the second-conductivity-type regions form a vertical semiconductor device element.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

31.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE AND RELEARNED MODEL GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020047871
Numéro de publication 2021/171762
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-22
Date de publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mochida, Yukihide
  • Erikawa, Hajime

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a beverage supply device and a relearned model generation system that make it possible to increase accuracy in determining a learned model itself for beverage information determination for determining beverage information of a cup. For this purpose, the beverage supply device is provided with: a determination unit 40a that inputs a captured image to be determined to determine beverage information of a cup C using a learned model M for beverage information determination obtained by performing supervised learning with a captured image of which the determination result of the beverage information of the cup C is known as teacher data; an output control unit 40c that, when the beverage information determined by the determination unit 40a is unclear or uncertain, stores the input captured image and associated metadata in a storage unit 41 or outputs the same to an outside, and provides the captured image and the associated metadata stored or output to the outside for relearning of the learned model M; and a beverage supply control unit 40b that, when it is determined by the determination unit 40a that the determination of the beverage information is certain, controls generation and supply of a beverage indicated by the certain beverage information.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails

32.

DUST COLLECTOR

      
Numéro d'application JP2021002344
Numéro de publication 2021/171856
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-22
Date de publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Murakami Kouhei

Abrégé

Provided is a dust collector comprising a dust collection part for collecting particles, a microwave generation part for generating microwaves to be introduced into the dust collection part and burning the particles collected in the dust collection part by the microwaves, and an intensity detection part for detecting the intensity of the microwaves unabsorbed by the particles, wherein the microwave generation part controls the intensity of the microwaves to be introduced into the dust collection part on the basis of the intensity of the microwaves detected by the intensity detection part. The intensity detection part may be provided with: a derivation part for deriving at least a portion of the microwaves unabsorbed by the particles from the dust collection part; a microwave absorber for absorbing the microwaves derived from the dust collection part; and a temperature detection part for detecting the temperature of the microwave absorber.

Classes IPC  ?

33.

COOLING APPARATUS, SEMICONDUCTOR MODULE, AND VEHICLE

      
Numéro d'application 17317776
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-11
Date de la première publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Arai, Nobuhide

Abrégé

A semiconductor module is provided, where a coolant circulation portion of a cooling apparatus has a first coolant flow channel and a second coolant flow channel arranged so as to sandwich therebetween a fin region in which a cooling fin is provided, and each having two ends in a longitudinal direction, a casing portion of the cooling apparatus includes a first opening provided on an end side corresponding to a first end of the first coolant flow channel and a second opening provided on an end side corresponding to a second end of the second coolant flow channel, the second end and the first end are arranged on the same side of the casing portion, and the first coolant flow channel and the second coolant flow channel are each at least partly provided below the cooling fin.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont

34.

DRIVE CAPABILITY SWITCHING CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND DRIVE DEVICE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT

      
Numéro d'application JP2020047684
Numéro de publication 2021/166415
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-21
Date de publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s) Terashima Kenshi

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a drive capability switching circuit for a semiconductor element and a drive device for a semiconductor element that make it possible to reduce generation loss at the time of switching of a semiconductor element and minimize radiation noise. This IGBT drive capability switching circuit (4) is provided with: a gate voltage detection unit (41) for detecting the voltage level in a mirror period of a gate voltage (Vg) based on a gate signal (Sg) input into an IGBT (22b); and a gate signal switching unit (42) that switches the voltage level of the gate signal (Sg) on the basis of the voltage level detected by the gate voltage detection unit (41).

Classes IPC  ?

  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

35.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17235954
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-21
Date de la première publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takishita, Hiroshi
  • Yoshimura, Takashi
  • Meguro, Misaki
  • Nemoto, Michio

Abrégé

Provided is a semiconductor device, comprising: a semiconductor substrate provided with an N-type region, wherein the N-type region is a region including a center position in a depth direction of the semiconductor substrate; and the N-type region includes an acceptor with a concentration that is a lower concentration than a carrier concentration, and is 0.001 times or more of a carrier concentration at the center position. A semiconductor device can be manufactured by a manufacturing method, comprising: a preparation step configured to prepare a P-type semiconductor substrate; and a first inverting step configured to form an N-type region including a center position in a depth direction of the semiconductor substrate, by implanting an N-type impurity into the P-type semiconductor substrate and performing heat treatment.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions

36.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17317785
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-11
Date de la première publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubouchi, Motoyoshi
  • Yoshida, Soichi

Abrégé

In a semiconductor device, it is preferable to suppress a variation in characteristics of a temperature sensor. The semiconductor device is provided that includes a semiconductor substrate having a first conductivity type drift region, a transistor section provided in the semiconductor substrate, a diode section provided in the semiconductor substrate, a second conductivity type well region exposed at an upper surface of the semiconductor substrate, a temperature sensing unit that is adjacent to the diode section in top view and is provided above the well region, and an upper lifetime control region that is provided in the diode section, at the upper surface side of the semiconductor substrate, and in a region not overlapping with the temperature sensing unit in top view.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

37.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17133692
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-24
Date de la première publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mitsuzuka, Kaname
  • Onozawa, Yuichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device including a semiconductor substrate; a transistor portion provided in the semiconductor substrate; a current sensing portion for detecting current flowing through the transistor portion; an emitter electrode set to an emitter potential of the transistor portion; a sense electrode electrically connected to the current sensing portion; and a Zener diode electrically connected between the emitter electrode and the sense electrode. Provided is a semiconductor device fabricating method including providing a transistor portion in a semiconductor substrate; providing a current sensing portion for detecting current flowing through the transistor portion; providing an emitter electrode set to an emitter potential of the transistor portion; providing a sense electrode electrically connected to the current sensing portion; and providing a Zener diode electrically connected between the emitter electrode and the sense electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/866 - Diodes Zener
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

38.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2021006016
Numéro de publication 2021/166980
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-17
Date de publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kubouchi Motoyoshi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate which has a top surface and a bottom surface and in which a first conductivity type bulk donor is distributed throughout the entirety thereof; a first conductivity type high-concentration region which includes a central position in a depth direction of the semiconductor substrate and where the donor concentration is greater than the doping concentration of the bulk donor; and a top surface side oxygen reduced region which is provided to be in contact with the top surface of the semiconductor substrate inside the semiconductor substrate and where the oxygen chemical concentration decreases the closer to the top surface of the semiconductor substrate. The distribution of the oxygen chemical concentration has a maximum value region where the oxygen chemical concentration is at least 50% of a maximum value, a first peak of an impurity chemical concentration is disposed at an end of the high-concentration region in the depth direction, and the first peak may be disposed inside the maximum value region or further toward the top surface of the semiconductor substrate than the maximum value region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

39.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17134742
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Uezato, Yoshinori

Abrégé

A semiconductor module, including a ceramic board, a circuit pattern metal plate formed on a principal surface of the ceramic board, an external connection terminal bonded, via a solder, to the circuit pattern metal plate, and a low linear expansion coefficient metal plate located between the circuit pattern metal plate and the external connection terminal. The circuit pattern metal plate has a first edge portion and a second edge portion, which are opposite to each other and are respectively at a first side and a second side of the circuit pattern metal plate. The low linear expansion coefficient metal plate has a linear expansion coefficient lower than a linear expansion coefficient of the circuit pattern metal plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/049 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant perpendiculaires à la base
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

40.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17307648
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-04
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fujimoto, Takumi

Abrégé

A silicon carbide semiconductor device includes a semiconductor substrate, a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a first semiconductor region, and a gate electrode. Protons are implanted in a first region spanning a predetermined distance from a surface of the semiconductor substrate facing toward the first semiconductor layer, in a second region spanning a predetermined distance from a surface of the first semiconductor layer on the second side of the first semiconductor layer facing toward the semiconductor substrate, in a third region spanning a predetermined distance from a surface of the first semiconductor layer on the first side of the first semiconductor layer facing toward the second semiconductor layer, and in a fourth region spanning a predetermined distance from a surface of the second semiconductor layer on the second side of the second semiconductor layer facing toward the first semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges

41.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application JP2020048125
Numéro de publication 2021/161668
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-23
Date de publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Imagawa Tetsutaro

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a transistor portion and a diode portion, said semiconductor device also comprising: a drift region of a first conductivity type provided to a semiconductor substrate; a storage region of the first conductivity type provided more on the front surface side of the semiconductor substrate than the drift region in the transistor portion and the diode portion; and a first lifetime control region provided on the front surface side of the semiconductor substrate in the transistor portion and the diode portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/861 - Diodes

42.

SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE

      
Numéro d'application JP2020049244
Numéro de publication 2021/161681
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-28
Date de publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

In the present invention, at least one semiconductor chip (10) of all semiconductor chips (10) mounted on an insulating substrate (80) has, on the front surface thereof, a layout of electrode pads (21a, 21b, 22, 23a, 23b) that is different from other semiconductor chips, and therefore there are at least two layout patterns. The entire layout of the semiconductor chips (10) mounted on the insulating substrate (80) and the layout of the electrode pads (21a, 21b, 22, 23a, 23b) on the front surfaces of the semiconductor chips (10) are determined such that: the length of wiring (96) connecting main semiconductor elements (11) in parallel becomes as short as possible; the resistance component and the reactance component generated by the wiring (96) becomes substantially consistent between the same type of electrode pads (21b) of the plurality of semiconductor chips (10) connected in parallel; or both of the foregoing are satisfied. Due to this configuration, it is possible to suppress vibration of current waveforms between semiconductor devices (20) fabricated on the plurality of semiconductor chips (10).

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

43.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17156787
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-25
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Taniguchi, Katsumi

Abrégé

A semiconductor device having a base circuit board, a case surrounding the base circuit board to demarcate, in a plan view, an opening area in which the base circuit board is disposed, and a sealing member that seals the base circuit board disposed in the case. The base circuit board includes a metal base substrate, a resin layer formed on the metal base substrate, and a circuit pattern formed on the resin layer. The case has an inner wall surface that faces an outer peripheral side surface of the base circuit board, and that includes a first inner wall portion which is in surface contact with an outer peripheral side surface of the metal base substrate, and a second inner wall portion that is separate from the outer peripheral side surface of the base circuit board, to thereby have a first gap therebetween filled with the sealing member.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

44.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17134857
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Uezato, Yoshinori

Abrégé

A semiconductor module includes a ceramic board, a circuit pattern metal plate on a principal surface of the ceramic board, and an external connection terminal including a bonding portion and a conductive portion. The metal plate includes a bonding area at a first surface thereof, and a stress relaxation portion disposed within the bonding area. The bonding portion has a bonding surface, and an edge that is located at a position overlapping an area in which the stress relaxation portion is disposed in a plan view. A solder is disposed between the bonding surface and the bonding area, to bond the external connection terminal to the circuit pattern metal plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/15 - Substrats en céramique ou en verre
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

45.

SEMICONDUCTOR DEVICE TEST METHOD

      
Numéro d'application 17140778
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-04
Date de la première publication 2021-08-19
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Yoshida, Mitsuru

Abrégé

A method for testing a semiconductor chip that has a pn junction constituting a parasitic diode therein includes: causing probe terminals to be in contact with front surface electrodes of the semiconductor chip; obtaining a temperature of the semiconductor chip by measuring electrical characteristics of the parasitic diode through at least one of the front surface electrodes and a back surface electrode and by referring to prescribed temperature characteristics of the parasitic diode; if the obtained temperature is not within a prescribed tolerance from the predetermined target temperature, heating up the semiconductor chip by applying voltage between one or more of the front surface electrodes and the back surface electrode; and once the obtained temperature increases and reaches the predetermined target temperature within the prescribed tolerance, testing electrical characteristics of the semiconductor chip through the front surface electrodes and the back surface electrode.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux

46.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17134972
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-08-12
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kai, Kenshi
  • Maruyama, Rikihiro

Abrégé

A semiconductor device including an insulated circuit board. The insulated circuit board includes an insulating board having an outer edge and a plurality of corners, and a plurality of circuit patterns formed on a front surface of the insulating board. The plurality of circuit patterns have a plurality of outer-edge corners facing the outer edge of the insulating board, among which outer-edge corners corresponding to the corners of the insulating board are smaller in curvature than outer-edge corners that do not correspond to the corners of the insulating board.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/05 - Substrat en métal isolé
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

47.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020047870
Numéro de publication 2021/157227
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-22
Date de publication 2021-08-12
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Mouri, Taichi

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a beverage supply device capable of enhancing cup discrimination accuracy on the basis of a captured image of a cup. For this purpose, the beverage supply device is provided with: a mounting part 29 in which a bottom part 29c on which a cup C is mounted extends to a rear wall 27 side of a beverage supply part and that has an extension part 51 not covered with the cup C; an imaging part 60 having an imaging control part that captures an image of the cup C mounted on the mounting part 29 and the extension part 51 from the rear wall 27, captures a correction image within a correction frame reflecting only the extension part 51 within the range of a captured image before capturing the image after the cup C is mounted on the mounting part 29, and performs adjustment on capturing of the image on the basis of the correction image; and a control part that determines a beverage type of the cup C to perform control of beverage supply on the basis of the image captured by the imaging part 60.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails

48.

DETECTION CIRCUIT, SWITCHING CONTROL CIRCUIT, AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020047910
Numéro de publication 2021/157229
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-22
Date de publication 2021-08-12
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Chen, Jian

Abrégé

This detection circuit is provided with: a temperature voltage generation circuit that, if a pulse voltage is at a first level, generates a detection voltage corresponding to a temperature on the basis of a prescribed current and, if the pulse signal is at a second level, stops the generation of the detection voltage; and an output circuit that, once the pulse signal has reached the first level and a prescribed length of time has elapsed, outputs a detection signal indicating whether or not the temperature is higher than a prescribed temperature on the basis of the detection voltage until the pulse signal reaches the second level.

Classes IPC  ?

  • G01K 7/01 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments semi-conducteurs à jonctions PN
  • H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire

49.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 17130647
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-22
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sugawara, Takato

Abrégé

A power supply circuit having a first capacitor, a transformer including a primary coil having a voltage of the first capacitor applied thereto, a secondary coil and an auxiliary coil, a second capacitor having a voltage from the auxiliary coil applied thereto, a transistor controlling an inductor current flowing through the primary coil, a control circuit outputting a first control signal when supply of the input voltage is unstopped, or is stopped yet a voltage of the second capacitor reaches a first level, and outputting a second control signal thereafter when the voltage of the second capacitor further reaches a second level, a first drive circuit outputting a first drive signal for switching control of the transistor in response to the first control signal, and a second drive circuit outputting a second drive signal for controlling on-resistance of the transistor to discharge the first capacitor, in response to the second control signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu

50.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17134646
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-28
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fujii, Masanari

Abrégé

A power semiconductor module includes a half-bridge circuit having a first power semiconductor element and a second power semiconductor element that are connected in series with each other. The power semiconductor module also includes first to third external terminals, a first wiring member that connects a high-potential-side main electrode of the first power semiconductor element to the first external terminal, a second wiring member that connects a low-potential-side main electrode of the second power semiconductor element to the second external terminal, a third wiring member that connects an output of the half-bridge circuit to a third external terminal, and at least one of a first corrosion sensor disposed in an installation environment of the first wiring member, a second corrosion sensor disposed in an installation environment of the second wiring member, or a third corrosion sensor disposed in an installation environment of the third wiring member.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • G01N 17/04 - Sondes de corrosion

51.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17236658
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-21
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakagawa, Sho

Abrégé

A semiconductor device, including a power supply terminal, an output terminal, a ground terminal, an N-channel main MOSFET connected between the power supply terminal and the output terminal, a drive circuit which operates to drive the main MOSFET, using a potential difference, between the power supply terminal and an internal ground, as a power supply thereof, an internal ground generation circuit which is provided between the power supply terminal and the ground terminal and which generates the internal ground, an N-channel first MOSFET provided between an output terminal of the internal ground generation circuit and the ground terminal, and a low voltage detection circuit which is provided between the power supply terminal and the ground terminal, and which turns on the first MOSFET upon detecting that a voltage between the power supply terminal and the ground terminal drops below a prescribed voltage.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

52.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

      
Numéro d'application 17238908
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-23
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Toyoda, Yoshiaki

Abrégé

A semiconductor integrated circuit includes: a semiconductor base body of a first conductivity-type; a bottom surface electrode to which a first potential is applied, the bottom surface electrode being provided on a bottom surface of the semiconductor base body; a first well of a second conductivity-type to which a second potential lower than the first potential is applied, the first well being provided on a top surface side of the semiconductor base body; a second well of the first conductivity-type provided in the first well; and an edge structure provided in the first well and configured to supply a third potential higher than the second potential to the second well.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

53.

PRODUCTION ALLOCATION DETERMINING APPARATUS AND PRODUCTION ALLOCATION DETERMINING METHOD

      
Numéro d'application 17236294
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-21
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kiryu, Satoshi
  • Tange, Yoshio

Abrégé

A production allocation determining apparatus is configured to calculate a total supply function model representing a relationship between a total supply quantity and a marginal cost; calculate, based on current supply quantities, change rate constraints, and on capacity upper and lower limits, supply quantity upper and lower limits of the respective producers at a time s; calculate an optimum price based on the total supply function model, a predicted value of a demanded quantity at the time s, and on the supply quantity upper and lower limits; and calculate, based on the supply quantity upper and lower limits, the supply function models, and on the optimum price, optimum supply quantities. Calculation of the supply quantity upper and lower limits, calculation of the optimum price, and calculation of the optimum supply quantities are repeatedly executed from the time s=T to the time s=1.

Classes IPC  ?

  • G06Q 50/06 - Fourniture d'électricité, de gaz ou d'eau
  • G06Q 10/06 - Ressources, gestion de tâches, gestion d'hommes ou de projets, p.ex. organisation, planification, ordonnancement ou affectation de ressources en temps, hommes ou machines; Planification dans l'entreprise; Modèles organisationnels

54.

SEMICONDUCTOR MODULE AND SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 17139065
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-31
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Ikeda, Yoshinari
  • Nishizawa, Tatsuo
  • Mochizuki, Eiji

Abrégé

A semiconductor module includes a laminated substrate having an insulating plate, a circuit pattern arranged on an upper surface of the insulating plate and a heat dissipating plate arranged on a lower surface of the insulating plate. The semiconductor module also includes a semiconductor device having a collector electrode arranged on its upper surface, having an emitter electrode and a gate electrode arranged on its lower surface, and bumps respectively bonding the emitter electrode and the gate electrode to an upper surface of the circuit pattern. Each of the bumps is made of a metal sintered material such that the bump is formed to be constricted in its middle portion in a thickness direction orthogonal to a surface of the insulating plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 21/50 - Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

55.

SEMICONDUCTOR MODULE AND SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 17141990
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-05
Date de la première publication 2021-08-05
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Ikeda, Yoshinari
  • Nishizawa, Tatsuo
  • Hori, Motohito
  • Mochizuki, Eiji

Abrégé

A semiconductor module includes a laminated substrate having an insulating plate, a circuit pattern on an upper surface of the insulating plate and a heat dissipating plate on a lower surface of the insulating plate. The module further includes a semiconductor device having upper and lower surfaces, and including a collector electrode on the device upper surface, an emitter electrode and a gate electrode on the device lower surface, and the emitter electrode and the gate electrode each being bonded to an upper surface of the circuit pattern via a bump, and a block electrode bonded to the collector electrode. The block electrode includes a flat plate portion covering over the semiconductor device, and a pair of projecting portions projecting toward the circuit pattern from both ends of the flat plate portion in a thickness direction orthogonal to a surface of the insulating plate, and being bonded to the circuit pattern.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

56.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17137568
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-30
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kawada, Yasuyuki

Abrégé

Before formation of gate insulating films, an oblique ion implantation of oxygen into opposing sidewalls of trenches, from a top of an oxide film mask is performed, forming oxygen ion-implanted layers in surface regions of the sidewalls. A peak position of oxygen concentration distribution of the oxygen ion-implanted layers is inside the oxide film mask. After removal of the oxide film mask, HTO films constituting the gate insulating films are formed. During deposition of the HTO films, excess carbon occurring at the start of the deposition of the HTO films and in the gate insulating films reacts with oxygen in the oxygen ion-implanted layers, thereby becoming an oxocarbon and being desorbed. The oxygen ion-implanted layers have a thickness in a direction orthogonal to the sidewalls at most half of the thickness of the gate insulating films, and an oxygen concentration higher than any other portion of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
  • H01L 21/3115 - Dopage des couches isolantes

57.

ELECTRONIC APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17141922
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-05
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takizawa, Naoki

Abrégé

An electronic device includes a first part, and a circuit plate including a circuit substrate, a plating film made of a plating material and being disposed on a front surface of the substrate. The plating film includes a first part region on which the first part is disposed via a first solder, and a liquid-repellent region extending along a periphery side of the first part region in a surface layer of the plating film, and having a liquid repellency greater than a liquid repellency of the plating film. The liquid-repellent region includes a resist region. The plating film includes a remaining portion between the liquid-repellent region and the front surface of the circuit substrate in a thickness direction of the plating film orthogonal to the front surface. The remaining portion is made of the plating material and is free of the oxidized plating material.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 21/50 - Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

58.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD

      
Numéro d'application 17210498
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-24
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yoshida, Soichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate; and an emitter electrode provided above an upper surface of the semiconductor substrate; wherein the semiconductor substrate has: a first conductive type drift region; a second conductive type base region provided between the drift region and the upper surface of the semiconductor substrate; a second conductive type contact region with a higher doping concentration than the base region, which is provided between the base region and the upper surface of the semiconductor substrate; a trench contact of a conductive material provided to connect to the emitter electrode and penetrate the contact region; and a second conductive type high-concentration plug region with a higher doping concentration than the contact region, which is provided in contact with a bottom portion of the trench contact.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes

59.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND SWITCHING CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 17211507
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-24
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Endo, Yuta
  • Shiroyama, Hironobu
  • Hiasa, Nobuyuki
  • Yamane, Hiroki

Abrégé

A switching control circuit for controlling a power supply circuit that includes an inductor to which an input voltage is applied and through which an inductor current flows, and a transistor configured to control the inductor current. The switching control circuit includes first and second error voltage output circuits that output first and second error voltages, based respectively on a feedback voltage corresponding to the output voltage and a reference voltage, and on an error signal corresponding to a difference between the level of the output voltage and a second level, when the power supply circuit is of a non-isolated type and an isolated type, respectively. The switching control circuit further includes a drive circuit that switches the transistor based on the inductor current, and on the first and second error voltage when the power supply circuit is of the non-isolated type and an isolated type, respectively.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

60.

EXHAUST GAS TREATMENT DEVICE

      
Numéro d'application JP2020045337
Numéro de publication 2021/149370
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-04
Date de publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Enami Yoshiaki
  • Takahashi Kuniyuki

Abrégé

Provided is an exhaust gas treatment device equipped with a tube reactor which has an exhaust gas intake port and an exhaust gas discharge port and to which a liquid for treating exhaust gas is supplied, and further equipped with a spinning part which has an intake end and a discharge end and spins the exhaust gas, wherein: the tube reactor has a liquid spray unit which is provided between the exhaust gas intake port and the exhaust gas discharge port and sprays a liquid inside the tube reactor; the exhaust gas travels through the interior of the tube reactor in a direction toward the exhaust gas discharge port from the exhaust gas intake port while the liquid spray unit spins in a pre-set spinning direction; the exhaust gas travels in the direction from the intake end toward the discharge end; the spinning part spins the exhaust gas in a pre-set spinning direction when viewed in the direction from the intake end toward the discharge end; and the spinning direction of the exhaust gas according to the liquid spray unit and the spinning direction of the exhaust gas according to the spinning part are the same when viewed from the exhaust gas travel direction.

Classes IPC  ?

  • B04C 3/00 - Appareils dans lesquels la direction axiale du tourbillon ne change pas
  • B04C 3/06 - Structures des entrées ou sorties de la chambre où se produit le tourbillon
  • B04C 9/00 - Combinaisons avec d'autres dispositifs, p.ex. avec des ventilateurs
  • B01D 53/18 - Unités d'absorption; Distributeurs de liquides
  • B01D 53/50 - Oxydes de soufre
  • B01D 53/78 - Procédés en phase liquide avec un contact gaz-liquide
  • B01D 53/92 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion
  • F01N 3/04 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement pour refroidir ou pour enlever les constituants solides des gaz d'échappement au moyen de liquides
  • F23J 15/00 - Aménagement des dispositifs de traitement de fumées ou de vapeurs

61.

CONTROL SYSTEM AND CONTROL DEVICE FOR ELECTRIC RAILROAD CAR END DOOR

      
Numéro d'application 17104447
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-25
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ozaki, Satoru

Abrégé

A control system for an electrically-operated railroad car end door includes, an actuator, a processor, and a memory storing program instructions that cause the processor to instruct the actuator to begin generating a braking force applied to the railroad car end door in response to an opening of the railroad car end door, and determine whether the railroad car end door is being manually opened by a person based on information related to a state of the railroad car end door while the braking force is being generated.

Classes IPC  ?

  • E05C 17/00 - Dispositifs pour tenir les battants dans une position d'ouverture; Dispositifs pour limiter l'ouverture des battants ou pour tenir les battants dans une position d'ouverture par une pièce mobile disposée entre le battant et le dormant; Dispositifs de freinage, butées ou tampons combinés avec ces dispositifs
  • B61D 19/02 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires pour wagons de voyageurs
  • B61D 19/00 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires

62.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BUFFER STRUCTURE FOR EXTERNAL TERMINALS

      
Numéro d'application 17105070
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-25
Date de la première publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyasaka, Toshiyuki
  • Hinata, Yuichiro

Abrégé

A semiconductor device, including a first board, a second board having a plurality of through holes passing therethrough, and a plurality of external terminals that are respectively press-fitted into the plurality of through holes of the second board, one end portion of each external terminal passing through the corresponding through hole and being fixed to a front surface of the first board. The second board is a printed circuit board that further includes, in a top view thereof, a plurality of support regions, each having one of the plurality of through holes formed therein, and a plurality of buffer regions respectively surrounding the plurality of support regions, each buffer region having at least one buffer hole and at least one torsion portion formed therein, the at least one torsion portion being connected to the support region surrounded by each buffer region.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
  • H05K 3/34 - Connexions soudées
  • H05K 3/28 - Application de revêtements de protection non métalliques

63.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17106974
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kojima, Takahito
  • Ohse, Naoyuki

Abrégé

In a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device that is a silicon carbide diode having a JBS structure including a mixture of a Schottky junction and a pn junction and that maintains low forward voltage through a SBD structure and enhances surge current capability, nickel silicide films are formed in an oxide film by self-alignment by causing a semiconductor substrate and a metal material film to react with one another through two sessions of heat treatment including a low-temperature heat treatment and a high-temperature heat treatment, the metal material film including sequentially a first nickel film, an aluminum film, and a second nickel film, the first nickel film being in contact with an entire area of a connecting region of a FLR and p-type regions respectively exposed in openings of the oxide film.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges

64.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17107113
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device includes an active region configured by a first MOS structure region and a second MOS structure region, a gate ring region surrounding a periphery of the active region, a first ring region surrounding a periphery of the gate ring region, a second ring region surrounding a periphery of the first ring region, and a termination region surrounding a periphery of the second ring region. The semiconductor device has first first-electrodes in the first MOS structure region, second first-electrodes in the second MOS structure region, a third first-electrode in the first ring region, and a fourth first-electrode in the second ring region. The third first-electrode has a potential equal to that of the second first-electrodes, and the fourth first-electrode has a potential equal to that of the first first-electrodes.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

65.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17148525
Statut En instance
Date de dépôt 2021-01-13
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kubouchi, Motoyoshi

Abrégé

There is provided a semiconductor device including: a semiconductor substrate that has an upper surface and a lower surface and that is provided with a drift region of a first conductivity type; a trench portion that is provided to reach the drift region from the upper surface of the semiconductor substrate; and a mesa portion that is interposed between trench portions, in which the mesa portion has a base region of a second conductivity type that is provided between the drift region and the upper surface, and a first region that has a concentration peak of a hydrogen chemical concentration at a first depth position in the mesa portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire

66.

ELECTRIC DUST COLLECTOR

      
Numéro d'application 17220950
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-02
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • SCHOOL JUDICIAL PERSON IKUTOKU GAKUEN (Japon)
Inventeur(s)
  • Inui, Takashi
  • Toyozumi, Hiroyuki
  • Zukeran, Akinori
  • Toguchi, Soma

Abrégé

Provided is an electric dust collector comprising a dust collection unit that traps charged particles; and a microwave generation unit that generates a microwave to be introduced into the dust collection unit and combusts the charged particles trapped in the dust collection unit by the microwave.

Classes IPC  ?

67.

TERMINAL PROTECTION CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR CHIP

      
Numéro d'application 17104995
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-25
Date de la première publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Maruyama, Hiroshi

Abrégé

A terminal protection circuit of a semiconductor chip, including a first pad serving as a ground terminal of the semiconductor chip, a ground line extending along an outer periphery of the semiconductor chip and being connected to the first pad, and an overcurrent sensing circuit. The overcurrent sensing circuit has a second pad, a threshold voltage generating circuit, a comparator having inverting and non-inverting input terminals respectively connected to the threshold voltage generating circuit and the second pad, the comparator comparing a current detection signal and a threshold voltage received respectively at the non-inverting and inverting input terminals, a first input protection element connected between the second pad and a first position on the chip-peripheral ground line, and a potential shift element connected between the inverting input terminal of the comparator and the first position, for shifting the threshold voltage thereat according to a potential at the first position.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
  • H01L 23/62 - Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts

68.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020044531
Numéro de publication 2021/145079
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ozaki Daisuke
  • Shirakawa Tohru
  • Agata Yasunori

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device which comprises a semiconductor substrate having a transistor part and a diode part, wherein: the transistor part has an injection suppression region which suppresses injection of carriers of a second conductivity type at the diode part-side end in a top view of the semiconductor substrate; and the diode part has a lifetime control region which contains a lifetime killer. Both the transistor part and the diode part have a base region of the second conductivity type in the surface of the semiconductor substrate; the transistor part additionally has, in the surface of the semiconductor substrate, an emitter region of a first conductivity type and a withdrawing region of the second conductivity type, said withdrawing region having a higher doping concentration than the base region; and the emitter region and the withdrawing region are not provided in the injection suppression region.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

69.

SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application JP2020044532
Numéro de publication 2021/145080
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shirakawa Tohru
  • Ozaki Daisuke
  • Agata Yasunori

Abrégé

Provided is a semiconductor apparatus comprising a semiconductor substrate having a transistor part and a diode part, the transistor part having an injection restriction area for restricting injection of a second-conductivity-type carrier in an end portion of a side of the diode part in a top view of the semiconductor substrate. Both the transistor part and the diode part have a second-conductivity-type base area on a front surface of the semiconductor substrate, the transistor part further has a first-conductivity-type emitter area and a second-conductivity-type drawing area having higher doping concentration than the base area on the front surface of the semiconductor substrate, and the injection restriction area is not provided with the emitter area and the drawing area.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

70.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2021001135
Numéro de publication 2021/145397
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-14
Date de publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubouchi Motoyoshi
  • Yoshimura Takashi

Abrégé

In the present invention, a region in which carrier lifetime is adjusted is formed easily using a method in which little damage occurs to a prescribed surface of a semiconductor substrate. Provided is a semiconductor device provided with: a semiconductor substrate which has an upper surface and a lower surface; a first region which is provided in a region on the upper surface side of the semiconductor substrate and which has a first chemical concentration peak of a first impurity at a first depth position; and a second region which is provided in a region of the semiconductor substrate differing from the first region and which has a second chemical concentration peak of the first impurity at the first depth position, wherein at the first depth position, the concentration of recombination centers in the second region is lower than the concentration of recombination centers in the first region.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

71.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANAGING THE SAME

      
Numéro d'application 17107352
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Obinata, Toshiki

Abrégé

An electrophotographic photoconductor, including a substrate of a cylindrical shape, an organic photosensitive layer formed on an outer peripheral surface of the substrate, and a two-dimensional code provided on the outer peripheral surface of the substrate between the substrate and the organic photosensitive layer, at at least one axial end of the substrate. The two-dimensional code encodes identification information, and is formed outside an image formation region of the electrophotographic photoconductor. The two-dimensional code includes a first part and a second part satisfying 15≤ΔL1≤20, wherein ΔL1 is a difference between an L-value of the first part and that of the second part in a Lab color space. The outer peripheral surface of the substrate and the organic photosensitive layer satisfy ΔL2≤60, wherein ΔL2 is a difference between an L-value of the outer peripheral surface of the substrate and an L-value of the organic photosensitive layer in the Lab color space.

Classes IPC  ?

  • G03G 5/047 - Couches photoconductrices caractérisées en ce qu'elles ont plusieurs couches ou caractérisées par leur structure composite caractérisées par les couches de génération ou de transport de charges
  • G03G 5/043 - Couches photoconductrices caractérisées en ce qu'elles ont plusieurs couches ou caractérisées par leur structure composite
  • G03G 5/14 - Couches intermédiaires ou de recouvrement inertes pour les couches recevant la charge

72.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17107628
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

A semiconductor device, comprising a first MOS structure region, a second MOS structure region, a first temperature sensing region, and a second temperature sensing region. The first temperature sensing region is provided in a region through which a main current of the semiconductor device passes when the first MOS structure region is in an ON state. The second temperature sensing region is provided in a region through which the main current of semiconductor device passes when the second MOS structure region is in the ON state.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

73.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020043901
Numéro de publication 2021/140769
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-25
Date de publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ogura, Tomoka

Abrégé

A beverage supply device comprises an extractor 37 that extracts a beverage, and a paper roller unit 375 that lets out a paper filter PF used when extracting the beverage from a filter roll FR each time the beverage is extracted. The paper roller unit 375 includes: drive rollers 3751 formed so as to be connected to a common rotation shaft 3751a with inner surfaces of the drive rollers facing each other; and driven rollers 3752 provided below the drive rollers 3751, at a distance from each other and with inner surfaces facing each other, second tooth parts 3752b1 of each driven roller partially meshing with first tooth parts 3751b of each drive roller 3751 to pinch the paper filter PF, and the driven rollers rotating in response to rotation of the drive rollers. In each driven roller 3752, peripheral holes 3752b2 are formed between the second tooth parts 3752b1 so as to face a containment part 3752a that contains a shaft part 376.

Classes IPC  ?

  • G07F 13/06 - Appareils déclenchés par pièces de monnaie pour commander la distribution de fluides, de produits semi-liquides ou de produits granuleux contenus dans des réservoirs avec distribution sélective de différents fluides ou matériaux ou de mélanges de ceux-ci
  • A47J 31/06 - Filtres ou passoires pour appareils à café et à thé
  • A47J 31/36 - Appareils à préparer le café dans lesquels l'eau chaude passe sous pression à travers le filtre avec de l'eau chaude sous pression d'un liquide avec des moyens mécaniques pour produire la pression

74.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 17215950
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-29
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Tadahiko
  • Sato, Kenichiro

Abrégé

A semiconductor module, including a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) made of a SiC semiconductor material, and an insulated gate bipolar transistor (IGBT) that is made of a Si semiconductor material and is connected in parallel with the MOSFET. The MOSFET having a body diode. The IGBT is a reverse conductive-IGBT (RC-IGBT), and includes a free wheeling diode. A forward voltage of the free wheeling diode is so set that a current in the body diode of the MOSFET, which is connected in parallel with the RC-IGBT, is equal to or below a current value that causes lattice defects to grow in the MOSFET.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

75.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17107605
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Utsumi, Makoto
  • Miyazato, Masaki

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor device provided on a semiconductor substrate and an ohmic electrode provided on a back surface of the semiconductor device and containing a nickel silicide and a molybdenum carbide, or the nickel silicide and a titanium carbide. The ohmic electrode is configured by first regions where a silicide is thick and second regions where the silicide is thin; a ratio of an arithmetic area of the second regions to an arithmetic area of the ohmic electrode is in a range from 10% to 30% in a plan view.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser

76.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17108486
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-01
Date de la première publication 2021-07-15
Propriétaire Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Nishimura, Takeyoshi

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor element having a surface electrode layer; a first wire that is electrically connected to the first main surface of the surface electrode layer at a plurality of first connecting portions and is arranged in a first direction on the first main surface; and a second wire that is electrically connected to the first main surface of the surface electrode layer at a second connecting portion and is arranged in a second direction on the first main surface, wherein a second circle equivalent diameter, which is a diameter of a circle having a same cross-sectional area as the second wire, is larger than a first circle equivalent diameter, which is a diameter of a circle having a same cross-sectional area as the first wire.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

77.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020043533
Numéro de publication 2021/140762
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-24
Date de publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakamori, Akira

Abrégé

This switching control circuit controls switching of a switching element, and is provided with: a detection circuit that detects whether or not a current passing through the switching element is in an overcurrent state; a first signal output circuit that outputs a first signal indicating whether or not the period of the overcurrent state is longer than a first period; and a driving circuit that turns on the switching element on the basis of a first input signal for turning on the switching element, when the period of the overcurrent state is shorter than the first period, turns off the switching element via a first switch on the basis of a second input signal for turning off the switching element, and when the period of the overcurrent state is longer than the first period, turns off the switching element via a second switch having higher on resistance than the first switch on the basis of the second input signal and the first signal.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

78.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2020043753
Numéro de publication 2021/140765
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-25
Date de publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tamai Yuta
  • Gohara Hiromichi
  • Yamada Takafumi

Abrégé

A semiconductor device comprising a first semiconductor chip, a second semiconductor chip, and a circuit board, wherein: the circuit board is a laminated substrate having an insulation board, a circuit layer, and a metal layer in the given order; the circuit layer includes a first mounting for mounting the first semiconductor chip, a second mounting part for mounting the second semiconductor chip, and a first upper surface slit and a second upper surface slit that are provided between the first mounting part and the second mounting part and extend in a first direction; the metal layer includes a first bottom surface slit that extends in the first direction; and, in plan view, the first mounting part, the first upper surface slit, the second upper surface slit, and the second mounting part are aligned in a second direction, and the first bottom surface slit is positioned within a range demarcated by the first upper surface slit and the second upper surface slit.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/40 - Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes

79.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020044019
Numéro de publication 2021/140771
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-26
Date de publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Terashima, Kenshi

Abrégé

The present invention prevents a change in inductance while controlling the spread of molten solder. An electrically conductive plate (12a) has a first slit (14a) formed in a gap between a first chip region (12a1) and a second chip region (12a2), a second slit (14b) formed in a gap between the first chip region (12a1) and a terminal region (12a3), and a third slit (14c) formed in a gap between the second chip region (12a2) and the terminal region (12a3). The first slit (14a) is a continuous line penetrating through the electrically conductive plate (12a), and the second and third slits (14b, 14c) are continuous lines not penetrating through the electrically conductive plate (12a).

Classes IPC  ?

  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails

80.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 17209242
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-23
Date de la première publication 2021-07-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Obata, Tomoyuki

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate containing oxygen. An oxygen concentration distribution in a depth direction of the semiconductor substrate has a high oxygen concentration part where an oxygen concentration is higher on a further upper surface-side than a center in the depth direction of the semiconductor substrate than in a lower surface of the semiconductor substrate. The high oxygen concentration part may have a concentration peak in the oxygen concentration distribution. A crystal defect density distribution in the depth direction of the semiconductor substrate has an upper surface-side density peak on the upper surface-side of the semiconductor substrate, and the upper surface-side density peak may be arranged within a depth range in which the oxygen concentration is equal to or greater than 50% of a peak value of the concentration peak.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
  • H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
  • H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques

81.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17107552
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2021-07-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato, Ryoichi
  • Ikeda, Yoshinari
  • Murata, Yuma

Abrégé

A capacitor includes a case including a capacitor element, a first connection terminal, a second connection terminal, and a second insulating sheet formed between the first connection terminal and the second connection terminal, and the first connection terminal, the second insulating sheet, and the second connection terminal extend to the outside from the case. A semiconductor module includes a multi-layer terminal portion in which a first power terminal, a first insulating sheet, and a second power terminal are sequentially stacked. The first power terminal includes a first bonding area electrically connected to the first connection terminal, and the second power terminal includes a second bonding area electrically connected to the second connection terminal. The first insulating sheet includes a terrace portion that extends in a direction from the second bonding area towards the first bonding area in a planar view.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion

82.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020041150
Numéro de publication 2021/131330
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-04
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugawara, Sho
  • Mochida, Yukihide
  • Fujii, Yuuki

Abrégé

A beverage supply device 1 for supplying a beverage to a cup C via a beverage supply path is provided with a cleaning unit 60 for cleaning the beverage supply path. The beverage supply device 1 is provided with a control unit 100 that, when given a cleaning instruction, causes hot water, which is to be supplied to the beverage supply path from a hot water tank 25 storing hot water constituting the beverage, to be supplied to the beverage supply path after adjusting the temperature of the hot water to within a prescribed proper cleaning temperature range, and intermittently supplies an undiluted cleaning liquid stored in undiluted cleaning liquid storage units 65 and 66 to the beverage supply path so that the undiluted cleaning liquid is supplied to the beverage supply path in a state of being diffused in the hot water.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails
  • B67D 1/07 - Nettoyage des appareils pour débiter des boissons

83.

FUEL CELL SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING SAME

      
Numéro d'application JP2020044499
Numéro de publication 2021/131513
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • MITSUBISHI POWER, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Murakami, Kouhei
  • Takahashi, Kuniyuki

Abrégé

Provided are a fuel cell system and a method for operating the same which make it possible to generate steam soon after stopping a solid oxide fuel cell. A fuel cell system (1) according to the present invention and having an anode gas channel (4), a cathode gas channel (5), a solid oxide fuel cell (2) which generates power as a result of an electrochemical reaction and to which fuel gas is supplied from the anode gas channel and air is supplied from the cathode gas channel, and a steam generator (3) which generates steam to be mixed with the fuel gas upon stopping the solid oxide fuel cell, the fuel cell system (1) being characterized in that the steam generator is positioned so as to be capable of exchanging heat with the gas flowing through the anode gas channel or the cathode gas channel.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/04 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides
  • H01M 8/04014 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides relatives à l’échange de chaleur Échange de chaleur par combustion des réactifs
  • H01M 8/04303 - Procédés de commande des éléments à combustible ou des systèmes d’éléments à combustible appliqués pendant des périodes spécifiques appliqués pendant l’arrêt
  • H01M 8/04701 - Température
  • H01M 8/04746 - Pression; Débit
  • H01M 8/12 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p.ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé

84.

FUEL CELL SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020044500
Numéro de publication 2021/131514
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • MITSUBISHI POWER, LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takahashi, Kuniyuki

Abrégé

The purpose of the present invention is to prevent deterioration of a solid oxide fuel cell even in cases where a blackout has occurred. The present invention is provided with an SOFC (10) which generates power by means of an electrochemical reaction between a fuel gas and an oxidant gas, a control unit (40) which controls the SOFC, a detection unit (41) for detecting a loss of control of the control unit, and a valve (61) for opening the SOFC. The valve is configured so as to open the SOFC if a loss of control of the control unit is detected by the detection unit.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/04664 - Défaillance ou fonction anormale
  • H01M 8/04 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides
  • H01M 8/04746 - Pression; Débit
  • H01M 8/12 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p.ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé
  • H01M 8/2475 - Enceintes, boîtiers ou récipients d’empilements d’éléments à combustible

85.

FUEL CELL SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020044498
Numéro de publication 2021/131512
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • MITSUBISHI POWER, LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takahashi, Kuniyuki

Abrégé

Provided is a fuel cell system that can prevent oxidative degradation of a fuel electrode even when a control unit is abnormally stopped. The fuel cell system (1) comprises: an SOFC (10) the generates power through the electrochemical reaction of reduction gas and oxidant gas; a control unit (40) that controls the supply of the reduction and the oxidant gas to the SOFC; a detection unit (45) that detects the stop of a normal signal of the control unit and an abnormal signal of the control unit transmitted from the control unit; and a maintenance unit (50) that maintains the fuel electrode of the SOFC in a reduced state according to the detection result of the detection unit. The maintenance unit includes a hydrogen supply system (51) that supplies hydrogen as the reducing gas to the fuel electrode.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/04 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides
  • H01M 8/04664 - Défaillance ou fonction anormale
  • H01M 8/04746 - Pression; Débit
  • H01M 8/12 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p.ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé

86.

FUEL CELL SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020044501
Numéro de publication 2021/131515
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • MITSUBISHI POWER, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Kuniyuki
  • Kato, Taichiro

Abrégé

According to the present invention, the rate at which fuel flows to a fuel cell cartridge is harmonized. A fuel cell system (100) in which there is used a fuel cell stack in which solid oxide fuel cells are serially connected, the solid oxide fuel cells generating electricity through an electrochemical reaction of a fuel gas and an oxidant gas, wherein the fuel cell system (100) comprises: fuel cell cartridges (3a, 3b) that, while respectively supplying the fuel gas and the oxidant gas to a plurality of the fuel cell stacks via headers, respectively discharge fuel off gas and oxidant off gas via the headers; a fuel gas supply line (40) that supplies the fuel gas to the fuel cell cartridge; a fuel off gas discharge line (41) that discharges the fuel off gas from the plurality of fuel cell cartridges; and adjustment members (AD10, AD20) that are provided to the fuel gas supply line and/or the fuel off gas discharge line, the adjustment members (AD10, AD20) adjusting the flow rate of the fuel gas or the fuel off gas. Flexible piping is provided at least at one location in the adjusting member.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/04 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides
  • H01M 8/0432 - Température; Température ambiante
  • H01M 8/04537 - Variables électriques
  • H01M 8/04746 - Pression; Débit
  • H01M 8/10 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides
  • H01M 8/12 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p.ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé

87.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CIRCUIT BOARD INTERPOSED BETWEEN TWO CONDUCTOR LAYERS

      
Numéro d'application 17084413
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-29
Date de la première publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hori, Motohito
  • Ikeda, Yoshinari
  • Hirao, Akira

Abrégé

A semiconductor device having a semiconductor module that includes a first conductor layer and a second conductor layer facing each other, a group of semiconductor elements that are formed between the first and second conductor layers, and are connected to the second conductor layer respectively via a group of conductor blocks, and a circuit board having one end portion thereof located in a space between the semiconductor elements and the second conductor layer. Each semiconductor element includes first and second main electrodes respectively formed on first and second main surfaces thereof, and a control electrode that is formed on the second main surface. The first main electrode is electrically connected to the first conductor layer. The second main electrode is electrically connected to the second conductor layer via the respective conductor block. The circuit board includes a first wiring layer electrically connected to the control electrodes of the semiconductor elements.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

88.

SEMICONDUCTOR DRIVE DEVICE AND POWER CONVERSION APPARATUS

      
Numéro d'application 17103256
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-24
Date de la première publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Morimoto, Toshimitsu

Abrégé

First and second current detection resistors connected in series are used as current detection resistors for detecting a main current of a switching element. A single-fault detection circuit divides a voltage detected from the main current by first to third resistors. A first comparator compares a voltage at a Detect terminal with a voltage at a connection point of the first and second resistors, and a second comparator compares the voltage at the Detect terminal with a voltage at a connection point of the second and third resistors. When either one of the first and second current detection resistors is short-circuited, the corresponding one of the first and second comparators outputs an L-level signal. Accordingly, an AND circuit outputs a signal indicating a single fault. Since this signal reduces a threshold voltage of the individual comparator by half, the same output voltage as before the fault is maintained.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

89.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020040615
Numéro de publication 2021/124704
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-29
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Koyama, Takahiro
  • Gohara, Hiromichi

Abrégé

The present invention ensures cooling performance while also ensuring rigidity. A semiconductor device (1) comprises: an insulating substrate (14) having a first surface, and a second surface which is on the side opposite the first surface; semiconductor elements (12, 13) mounted on the first surface of the insulating substrate; and a cooler (20) for cooling the semiconductor elements. The cooler comprises: a heat dissipating substrate (21) which has a bonding surface and a heat dissipating surface which is on the side opposite the bonding surface, the bonding surface being bonded to the second surface of the insulating substrate; a plurality of fins (22) provided on the heat dissipating surface of the heat dissipating substrate; a reinforcing plate (30) disposed so as to cover the plurality of fins, the reinforcing plate being bonded to the tips of the plurality of fins; and a cooling case (24) having a recess for accommodating the plurality of fins and the reinforcing plate. A gap (D2) between the plurality of fins is greater than a gap (D1) between the reinforcing plate and the bottom surface of the recess.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage

90.

IN-VEHICLE SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020041492
Numéro de publication 2021/124719
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-06
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishikawa Mutsuo
  • Kato Hirofumi

Abrégé

This semiconductor circuit that is connected to a load circuit and controls the supply of power to the load circuit is provided with: a power supply line to which a power supply voltage is applied; an overvoltage protection unit having an output unit for shutting off the supply of power from the power supply line to the load circuit when the power supply voltage of the power supply line is an overvoltage; and a state notification unit for notifying the outside of a state signal indicating whether or not the output unit shuts off the supply of power.

Classes IPC  ?

  • H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
  • H02H 3/24 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une baisse ou un manque de tension
  • H02H 7/00 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan

91.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020046587
Numéro de publication 2021/125140
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-14
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato Yoshiharu
  • Ajiki Toru
  • Yoshimura Takashi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, a plurality of peaks of doping concentration provided on a back surface of the semiconductor substrate, and a flat portion provided between the plurality of peaks in a depth direction of the semiconductor substrate and having a doping concentration greater than or equal to 2.5 times a substrate concentration of the semiconductor substrate. At least one of the plurality of peaks is a first peak provided closer to a front surface than the flat portion, the first peak having a doping concentration less than or equal to twice the doping concentration of the flat portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

92.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020046623
Numéro de publication 2021/125147
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-14
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kubouchi Motoyoshi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having an upper surface and a lower surface and including a bulk donor; and a hydrogen increasing section wherein the hydride concentration increases monotonally from the upper surface towards the lower surface. The hydrogen increasing section is provided across at least 30% of the thickness of the semiconductor substrate in the depth direction. The donor concentration in the hydrogen increasing section is higher than the bulk donor concentration. The semiconductor device can be produced by injecting hydrogen ions to a predetermined first injection position inside the semiconductor substrate, from the upper surface of the semiconductor substrate, grinding the underside of the semiconductor substrate, removing some of a region in which hydrogen is present, and heat-treating the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

93.

ELECTRONIC CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MODULE, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application 17085696
Statut En instance
Date de dépôt 2020-10-30
Date de la première publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Okumura, Keiji

Abrégé

An electronic circuit having a first terminal and a second terminal. The electronic circuit includes a plurality of diodes connected in parallel, the plurality of diodes including a first diode and a second diode that respectively have applied thereto a first forward voltage and a second forward voltage, the second forward voltage being higher than the first forward voltage. A first path and a second path are formed from the first terminal, respectively via the first diode and the second diode, to the second terminal. An inductance of the first path is larger than an inductance of the second path.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/08 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
  • H01L 23/64 - Dispositions relatives à l'impédance

94.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020046167
Numéro de publication 2021/125064
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-10
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida Kosuke
  • Yoshimura Takashi
  • Takishita Hiroshi
  • Uchida Misaki
  • Nemoto Michio
  • Suganuma Nao
  • Kubouchi Motoyoshi

Abrégé

Provided is a semiconductor device that comprises a semiconductor substrate which has a top surface and bottom surface and includes oxygen, a first peak of hydrogen chemical concentration which is disposed on the bottom surface side of the semiconductor substrate, and a flat part which is disposed more toward the top surface of the semiconductor substrate than the first peak, includes a hydrogen donor, and has a donor concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate that is substantially (almost) flat, wherein an oxygen contribution rate, which indicates the proportion of the oxygen chemical concentration of oxygen that contributes to the generation of a hydrogen donor, is 1×10-5to 7×10-4, the concentration of oxygen that contributes to the generation of a hydrogen donor is lower than the hydrogen chemical concentration in the flat part, and the hydrogen donor concentration in the flat part is 2×1012/cm3to 5×1014/cm3.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

95.

POWER MODULE AND LEVEL CONVERSION CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 17182806
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-23
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

A power module including a plurality of drive devices. Each drive device includes a high-side drive element and a low-side drive element that drive a load, a high-side control circuit that controls the high-side drive element, and a low-side control circuit that controls the low-side drive element. Each of the high-side and low-side control circuits includes an abnormality detection circuit that detects an abnormal state of the high-side or low-side drive element, a capability-switch-function-equipped drive circuit that switches a drive capability of the high-side or low-side drive element, responsive to the detection of the abnormal state by any one of the abnormality detection circuits in the plurality of drive devices, and a drive capability switch circuit that switches a drive capability of the capability-switch-function-equipped drive circuit, responsive to the detection of the abnormal state by the abnormality detection circuit.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT

96.

SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17186881
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (Japon)
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Kobayashi, Yusuke
  • Takei, Manabu
  • Kyogoku, Shinya
  • Harada, Shinsuke

Abrégé

A superjunction silicon carbide semiconductor device includes a silicon carbide semiconductor substrate of a first conductivity type, a first semiconductor layer of the first conductivity type, a parallel pn structure in which epitaxially grown first column regions of the first conductivity type and ion-implanted second column regions of a second conductivity type are disposed to repeatedly alternate with one another, a second semiconductor layer of the second conductivity type, first semiconductor regions of the first conductivity type, trenches, gate electrodes provided in the trenches via gate insulating films, another electrode, and a third semiconductor layer of the first conductivity type. The first column regions have an impurity concentration in a range from 1.1×1016/cm3 to 5.0×1016/cm3.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

97.

GATE DRIVE DEVICE AND SWITCHING DEVICE

      
Numéro d'application 17183387
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-24
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Matsubara, Kunio
  • Nagano, Tsuyoshi

Abrégé

Provided is a gate drive device, including: a gate drive unit for driving a gate of a switching element; a measurement unit for measuring a parameter that changes according to a current flowing through the switching element; and a switching unit for switching a changing speed of a gate voltage of the switching element by the gate driving unit after a first reference period from a start of turning off the switching element based on the parameter.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

98.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17183397
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-24
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida, Soichi
  • Sato, Kenichiro

Abrégé

A semiconductor device is provided, which includes: a semiconductor substrate; an emitter electrode including at least two partial electrodes arranged with an interval in a top plan view of the semiconductor substrate; and an active-side gate runner and an active-side dummy runner arranged to be sandwiched between two of the partial electrodes, wherein the semiconductor substrate includes: a gate trench portion connected to the active-side gate runner and having a longitudinal length in a first direction in the top plan view, and a dummy trench portion connected to the active-side dummy runner and having a longitudinal length in the first direction, wherein the entirety of one of the active-side gate runner and the active-side dummy runner in the first direction is covered by the other of the gate runner and the dummy runner.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

99.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 17183421
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-24
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsumoto, Shinji

Abrégé

A power supply circuit generating an output voltage at a target level and applying the output voltage to a load. The power supply circuit includes a transformer including a primary coil, a secondary coil and an auxiliary coil, a transistor coupled to the primary coil, and a switching control circuit configured to control switching of the transistor based on a voltage from the auxiliary coil. The switching control circuit includes a determination circuit configured to determine whether to shift to a burst mode operation based on whether the load is a light load, and a burst control circuit. The burst control circuit has a clock circuit configured to measure a stop period during which the switching of the transistor is stopped in the burst mode operation, and a control circuit configured to, upon detecting that the stop period is longer than a first time period, perform control to decrease the stop period.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

100.

DRIVE CIRCUIT

      
Numéro d'application 17185735
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-25
Date de la première publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

A drive circuit having a set-side level shift circuit and a reset-side level shift circuit each configured to shift a level of a set or reset signal, and output the level-shifted set or reset signal from a set-side or reset-side output node, a mask-signal generating circuit configured to output a mask signal in response to a change in a voltage at the set-side or reset-side output node, and a control circuit configured to output a drive signal to a power device. The mask signal is for a time period shorter than a time period during which the level-shifted set or reset signal is outputted. The drive signal remains at a same level while the control circuit is receiving the mask signal, and switches to a first level or a second level, for turning off or on the power device, in response to the control circuit receiving the level-shifted reset or set signal after receiving the mask signal.

Classes IPC  ?

  • H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
  • H03K 19/20 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p.ex. circuits ET, OU, NI, NON
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