Fuji Electric Co., Ltd.

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[Owner] Fuji Electric Co., Ltd. 1 373
Fuji Electric FA Components & Systems Co., Ltd. 40
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 15
2021 septembre (MACJ) 11
2021 août 6
2021 juillet 13
2021 juin 9
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Classe IPC
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée 281
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée 199
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ 183
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe 148
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes 146
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1.

DOOR-CLOSING DEVICE AND METHOD FOR ATTACHING DOOR-CLOSING DEVICE

      
Numéro d'application JP2021002179
Numéro de publication 2021/181908
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-22
Date de publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Saito, Izumi
  • Shiroma, Takahiro

Abrégé

This door-closing device is provided with: a drive source; and a conversion section that comprises a pinion gear and a rack section which is disposed so as to engage with the pinion gear and which moves linearly due to rotation of the pinion gear, and that converts rotational drive force from the drive source into linear movement in an opening/closing direction of a door body. The conversion section is configured so that one end section of the conversion section in the opening/closing direction and/or another end section of the conversion section in the opening/closing direction can be separated.

Classes IPC  ?

  • E05F 15/635 - Mécanismes pour battants mus par une force motrice utilisant des actionneurs électriques utilisant des électromoteurs rotatifs pour battants à coulissement horizontal manœuvrés par des mécanismes "pousser-tirer", p.ex. par des dispositifs à crémaillère souples ou rigides
  • B61D 19/00 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires
  • B61D 19/02 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires pour wagons de voyageurs
  • E05F 15/655 - Mécanismes pour battants mus par une force motrice utilisant des actionneurs électriques utilisant des électromoteurs rotatifs pour battants à coulissement horizontal spécialement adaptés aux battants de véhicule

2.

SUPERCRITICAL FLUID POWER GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020010103
Numéro de publication 2021/181483
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-09
Date de publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakamura, Jun
  • Kawahara, Yoshitaka

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a supercritical fluid power generation system capable of reducing a rapid increase in compression power in a compression device under a driving condition in which a temperature of a radiator comes close to a critical temperature. A supercritical fluid power generation system (1) uses a closed cycle in which a heat receiving facility (10), a turbine (20), a radiator (40), and a compression device (50) are connected to each other by flow paths (81 to 92) and supercritical carbon dioxide is used as a working fluid. The compression device is provided with a low-stage compression unit (52) that compresses supercritical carbon dioxide expanded by the turbine and a high-stage compression unit (53) that compresses the supercritical carbon dioxide compressed by the low-stage compression unit. The radiator cools the supercritical fluid flowing from the low-stage compression unit to the high-stage compression unit.

Classes IPC  ?

  • F01K 7/32 - Ensembles fonctionnels de machines à vapeur caractérisés par l'emploi de types particuliers de machines motrices; Ensembles fonctionnels ou machines motrices caractérisés par un circuit de vapeur, un cycle de fonctionnement ou des phases particuliers; Dispositifs de commande spécialement adaptés à ces systèmes, cycles ou phases; Utilisation de la vapeur soutirée ou de la vapeur d'évacuation pour le réchauffage de l'eau d'alimentation les machines motrices utilisant la vapeur à la pression critique ou hypercritique

3.

DOOR-CLOSING DEVICE

      
Numéro d'application JP2021002061
Numéro de publication 2021/181903
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-21
Date de publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shiroma, Takahiro
  • Terasaki, Tomio

Abrégé

A regulating part of this door-closing device includes a shaft-driving part that causes a pin-holding member to move in a direction of separating from a position where a pin member and a door-body-securing part engage, and a cushioning part that cushions impact from a collision between components included in the regulating part when a locked state of a door body is released as the pin member is moved in the separation direction.

Classes IPC  ?

  • B61D 19/00 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires
  • B61D 19/02 - Aménagements des portes spécialement adaptés aux véhicules ferroviaires pour wagons de voyageurs
  • E05B 77/38 - Bourrelets, éléments élastiques de guidage ou de maintien, p.ex. pour réduire ou amortir l’impact du pêne contre la gâche lors de la fermeture du battant
  • E05B 83/36 - Serrures pour portières passagers ou similaire
  • E05F 15/635 - Mécanismes pour battants mus par une force motrice utilisant des actionneurs électriques utilisant des électromoteurs rotatifs pour battants à coulissement horizontal manœuvrés par des mécanismes "pousser-tirer", p.ex. par des dispositifs à crémaillère souples ou rigides

4.

SUPERCRITICAL FLUID POWER GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020011142
Numéro de publication 2021/181663
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-13
Date de publication 2021-09-16
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakamura, Jun
  • Kawahara, Yoshitaka

Abrégé

Provided is a supercritical fluid power generation system that can achieve both high system efficiency and the suppression of an increase in equipment cost. The supercritical fluid power generation system (1) includes: a heat source (11); a turbine (31), a supercritical fluid power generation unit (30) provided with a turbine (31), a cooler (33), and a compressor (34) and using a closed cycle using supercritical carbon dioxide as a working fluid; and an intermediate heat medium circulation unit (50) that circulates a liquid molten salt that is heated by a high-temperature gas (13) heated by a heat source. The intermediate heat medium circulation unit includes a heat recovery heat exchanger (51) that exchanges heat between the hot gas and the molten salt, and an intermediate heat exchanger (52) that exchanges heat between the molten salt and supercritical carbon dioxide.

Classes IPC  ?

  • F01K 7/32 - Ensembles fonctionnels de machines à vapeur caractérisés par l'emploi de types particuliers de machines motrices; Ensembles fonctionnels ou machines motrices caractérisés par un circuit de vapeur, un cycle de fonctionnement ou des phases particuliers; Dispositifs de commande spécialement adaptés à ces systèmes, cycles ou phases; Utilisation de la vapeur soutirée ou de la vapeur d'évacuation pour le réchauffage de l'eau d'alimentation les machines motrices utilisant la vapeur à la pression critique ou hypercritique
  • F01K 25/10 - Ensembles fonctionnels ou machines motrices caractérisés par l'emploi de fluides énergétiques particuliers non prévus ailleurs; Ensembles fonctionnant selon un cycle fermé, non prévus ailleurs utilisant des vapeurs particulières ces vapeurs étant froides, p.ex. ammoniac, gaz carbonique, éther

5.

EXHAUST GAS TREATMENT DEVICE AND LIQUID DISCHARGE UNIT

      
Numéro d'application JP2021002334
Numéro de publication 2021/176880
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-22
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe Kenji
  • Hayashi Kazuki

Abrégé

Provided is an exhaust gas treatment device provided with: a reaction tower having an exhaust gas introduction port to which an exhaust gas is introduced, an exhaust gas discharge port from which the exhaust gas is discharged, and a liquid spray part that is disposed between the exhaust gas introduction port and the exhaust gas discharge port, the reaction tower having supplied thereto a liquid for treating the exhaust gas; a discharge part which is disposed above the liquid spray part and from which the liquid is discharged; and a discharge pipe which is connected to the discharge part and from which the liquid discharged by the discharge part is discharged. At the liquid spray part, the liquid is sprayed inside the reaction tower. The discharge part has an internal tube section, an external tube section that encircles the internal tube section, and a bottom section that connects the internal tube section and the external tube section. The discharge part discharges the liquid to between the internal tube section and the external tube section and in a discharge space above the bottom section. The discharge pipe has a liquid passage part which penetrates through the external tube section to be connected to the discharge space and through which the liquid passes. At least a portion of the liquid passage part that penetrates through the external tube section is disposed below the top surface of a main portion of the bottom section.

Classes IPC  ?

  • B01D 53/50 - Oxydes de soufre
  • B01D 53/18 - Unités d'absorption; Distributeurs de liquides
  • B01D 53/78 - Procédés en phase liquide avec un contact gaz-liquide
  • B01D 53/92 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion

6.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application JP2021003936
Numéro de publication 2021/176934
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-03
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Yuji
  • Hori, Motohito
  • Toba, Akio
  • Sato, Ikuya
  • Tanaka, Yasuhito
  • Iwasaki, Masamichi
  • Ajima, Masaaki
  • Ohguri, Nobuaki

Abrégé

A power conversion device comprising: a capacitor; a substrate on which a plurality of switching elements for power conversion are mounted; a cooler that cools the plurality of switching elements; a housing that accommodates the capacitor, the substrate, and the cooler; a power-supply connector that is exposed on the housing; an output connector that is exposed on the housing; and a plurality of wires that include a plurality of power-supply wires electrically connected to the capacitor, the plurality of switching elements, and the power-supply connector, and a plurality of output wires electrically connected to the plurality of switching elements and the output connector, wherein at least one among the plurality of wires is a wire that includes a conductive pattern formed on the substrate.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

7.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFATURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER CONVERSION DEVICE EQUIPPED WITH SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2021008535
Numéro de publication 2021/177422
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-03-04
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato Yoshiharu
  • Sakurai Yosuke
  • Noguchi Seiji
  • Yoshimura Takashi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having a drift region; a buffer region disposed between the drift region and a lower surface and having a doping concentration distribution with three or more concentration peaks; and a collector region disposed between the buffer region and the lower surface. The three or more concentration peaks in the buffer region include a first concentration peak closest to the lower surface, a second concentration peak closest to the lower surface next to the first concentration peak and disposed at a distance of not less than 5 μm from the lower surface in a depth direction, the second concentration peak having a doping concentration lower than the first concentration peak and less than 1.0×1015/cm3, and a high concentration peak more spaced apart from the lower surface than the second concentration peak and having a doping concentration higher than the second concentration peak.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

8.

DUST COLLECTOR

      
Numéro d'application JP2021002341
Numéro de publication 2021/176881
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-22
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamashiro Keisuke
  • Sakuma Yoshihiro
  • Ikeda Jyun

Abrégé

This dust collector comprises: a gas pipe through which a gas to be processed flows from an upstream side to a downstream side; a plurality of collection parts which are provided to the gas pipe so as to collect target particles contained in the to-be-processed gas; and a connection electrode which is connected to the plurality of respective collection parts. Each of the plurality of collection parts has a cylindrical outer electrode, through the interior space of which the to-be-processed gas is passed, and an inner electrode which is disposed in the interior space so as to be coaxial with the outer electrode. The plurality of collection parts are arranged in parallel with each other within a cross section of the gas pipe. The connection electrode is connected to the inner electrodes of the plurality of respective collection parts, and is disposed on the downstream side of the collection parts.

Classes IPC  ?

  • B03C 3/41 - Electrodes d'ionisation
  • B03C 3/40 - Structure des électrodes
  • B03C 3/49 - Electrodes collectrices tubulaires
  • F01N 3/01 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement au moyen de séparateurs électriques ou électrostatiques

9.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application JP2021006510
Numéro de publication 2021/177064
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-19
Date de publication 2021-09-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Yuji
  • Hori, Motohito
  • Toba, Akio
  • Sato, Ikuya
  • Tanaka, Yasuhito
  • Iwasaki, Masamichi
  • Ajima, Masaaki
  • Ohguri, Nobuaki

Abrégé

This power conversion device comprises a housing accommodating: a capacitor that has a first capacitor electrode and a second capacitor electrode; a positive-electrode busbar that is electrically connected to a positive-electrode terminal and the first capacitor electrode; a negative-electrode busbar that is electrically connected to a negative-electrode terminal and the second capacitor electrode; a plurality of output busbars that are electrically connected to a plurality of output terminals, a plurality of high-side switching elements, and a plurality of low-side switching elements; a cooler that cools the plurality of high-side switching elements, and the plurality of low-side switching elements; a supply tube that supplies refrigerant flowing therein from an inlet to the cooler; and a discharge tube that discharges refrigerant flowing out from the cooler to an outlet. The positive-electrode terminal, the negative-electrode terminal, the plurality of output terminals, the inlet, and the outlet are exposed on the housing. The inlet, the outlet, the supply tube, and the discharge tube are members separate from the housing.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

10.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE AND RELEARNED MODEL GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020047871
Numéro de publication 2021/171762
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-22
Date de publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mochida, Yukihide
  • Erikawa, Hajime

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a beverage supply device and a relearned model generation system that make it possible to increase accuracy in determining a learned model itself for beverage information determination for determining beverage information of a cup. For this purpose, the beverage supply device is provided with: a determination unit 40a that inputs a captured image to be determined to determine beverage information of a cup C using a learned model M for beverage information determination obtained by performing supervised learning with a captured image of which the determination result of the beverage information of the cup C is known as teacher data; an output control unit 40c that, when the beverage information determined by the determination unit 40a is unclear or uncertain, stores the input captured image and associated metadata in a storage unit 41 or outputs the same to an outside, and provides the captured image and the associated metadata stored or output to the outside for relearning of the learned model M; and a beverage supply control unit 40b that, when it is determined by the determination unit 40a that the determination of the beverage information is certain, controls generation and supply of a beverage indicated by the certain beverage information.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails

11.

DUST COLLECTOR

      
Numéro d'application JP2021002344
Numéro de publication 2021/171856
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-22
Date de publication 2021-09-02
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Murakami Kouhei

Abrégé

Provided is a dust collector comprising a dust collection part for collecting particles, a microwave generation part for generating microwaves to be introduced into the dust collection part and burning the particles collected in the dust collection part by the microwaves, and an intensity detection part for detecting the intensity of the microwaves unabsorbed by the particles, wherein the microwave generation part controls the intensity of the microwaves to be introduced into the dust collection part on the basis of the intensity of the microwaves detected by the intensity detection part. The intensity detection part may be provided with: a derivation part for deriving at least a portion of the microwaves unabsorbed by the particles from the dust collection part; a microwave absorber for absorbing the microwaves derived from the dust collection part; and a temperature detection part for detecting the temperature of the microwave absorber.

Classes IPC  ?

12.

DRIVE CAPABILITY SWITCHING CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND DRIVE DEVICE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT

      
Numéro d'application JP2020047684
Numéro de publication 2021/166415
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-21
Date de publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s) Terashima Kenshi

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a drive capability switching circuit for a semiconductor element and a drive device for a semiconductor element that make it possible to reduce generation loss at the time of switching of a semiconductor element and minimize radiation noise. This IGBT drive capability switching circuit (4) is provided with: a gate voltage detection unit (41) for detecting the voltage level in a mirror period of a gate voltage (Vg) based on a gate signal (Sg) input into an IGBT (22b); and a gate signal switching unit (42) that switches the voltage level of the gate signal (Sg) on the basis of the voltage level detected by the gate voltage detection unit (41).

Classes IPC  ?

  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

13.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2021006016
Numéro de publication 2021/166980
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-17
Date de publication 2021-08-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kubouchi Motoyoshi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate which has a top surface and a bottom surface and in which a first conductivity type bulk donor is distributed throughout the entirety thereof; a first conductivity type high-concentration region which includes a central position in a depth direction of the semiconductor substrate and where the donor concentration is greater than the doping concentration of the bulk donor; and a top surface side oxygen reduced region which is provided to be in contact with the top surface of the semiconductor substrate inside the semiconductor substrate and where the oxygen chemical concentration decreases the closer to the top surface of the semiconductor substrate. The distribution of the oxygen chemical concentration has a maximum value region where the oxygen chemical concentration is at least 50% of a maximum value, a first peak of an impurity chemical concentration is disposed at an end of the high-concentration region in the depth direction, and the first peak may be disposed inside the maximum value region or further toward the top surface of the semiconductor substrate than the maximum value region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application JP2020048125
Numéro de publication 2021/161668
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-23
Date de publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Imagawa Tetsutaro

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a transistor portion and a diode portion, said semiconductor device also comprising: a drift region of a first conductivity type provided to a semiconductor substrate; a storage region of the first conductivity type provided more on the front surface side of the semiconductor substrate than the drift region in the transistor portion and the diode portion; and a first lifetime control region provided on the front surface side of the semiconductor substrate in the transistor portion and the diode portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/861 - Diodes

15.

SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE

      
Numéro d'application JP2020049244
Numéro de publication 2021/161681
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-28
Date de publication 2021-08-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hoshi, Yasuyuki

Abrégé

In the present invention, at least one semiconductor chip (10) of all semiconductor chips (10) mounted on an insulating substrate (80) has, on the front surface thereof, a layout of electrode pads (21a, 21b, 22, 23a, 23b) that is different from other semiconductor chips, and therefore there are at least two layout patterns. The entire layout of the semiconductor chips (10) mounted on the insulating substrate (80) and the layout of the electrode pads (21a, 21b, 22, 23a, 23b) on the front surfaces of the semiconductor chips (10) are determined such that: the length of wiring (96) connecting main semiconductor elements (11) in parallel becomes as short as possible; the resistance component and the reactance component generated by the wiring (96) becomes substantially consistent between the same type of electrode pads (21b) of the plurality of semiconductor chips (10) connected in parallel; or both of the foregoing are satisfied. Due to this configuration, it is possible to suppress vibration of current waveforms between semiconductor devices (20) fabricated on the plurality of semiconductor chips (10).

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

16.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020047870
Numéro de publication 2021/157227
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-22
Date de publication 2021-08-12
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Mouri, Taichi

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a beverage supply device capable of enhancing cup discrimination accuracy on the basis of a captured image of a cup. For this purpose, the beverage supply device is provided with: a mounting part 29 in which a bottom part 29c on which a cup C is mounted extends to a rear wall 27 side of a beverage supply part and that has an extension part 51 not covered with the cup C; an imaging part 60 having an imaging control part that captures an image of the cup C mounted on the mounting part 29 and the extension part 51 from the rear wall 27, captures a correction image within a correction frame reflecting only the extension part 51 within the range of a captured image before capturing the image after the cup C is mounted on the mounting part 29, and performs adjustment on capturing of the image on the basis of the correction image; and a control part that determines a beverage type of the cup C to perform control of beverage supply on the basis of the image captured by the imaging part 60.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails

17.

DETECTION CIRCUIT, SWITCHING CONTROL CIRCUIT, AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020047910
Numéro de publication 2021/157229
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-22
Date de publication 2021-08-12
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Chen, Jian

Abrégé

This detection circuit is provided with: a temperature voltage generation circuit that, if a pulse voltage is at a first level, generates a detection voltage corresponding to a temperature on the basis of a prescribed current and, if the pulse signal is at a second level, stops the generation of the detection voltage; and an output circuit that, once the pulse signal has reached the first level and a prescribed length of time has elapsed, outputs a detection signal indicating whether or not the temperature is higher than a prescribed temperature on the basis of the detection voltage until the pulse signal reaches the second level.

Classes IPC  ?

  • G01K 7/01 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments semi-conducteurs à jonctions PN
  • H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire

18.

EXHAUST GAS TREATMENT DEVICE

      
Numéro d'application JP2020045337
Numéro de publication 2021/149370
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-04
Date de publication 2021-07-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Enami Yoshiaki
  • Takahashi Kuniyuki

Abrégé

Provided is an exhaust gas treatment device equipped with a tube reactor which has an exhaust gas intake port and an exhaust gas discharge port and to which a liquid for treating exhaust gas is supplied, and further equipped with a spinning part which has an intake end and a discharge end and spins the exhaust gas, wherein: the tube reactor has a liquid spray unit which is provided between the exhaust gas intake port and the exhaust gas discharge port and sprays a liquid inside the tube reactor; the exhaust gas travels through the interior of the tube reactor in a direction toward the exhaust gas discharge port from the exhaust gas intake port while the liquid spray unit spins in a pre-set spinning direction; the exhaust gas travels in the direction from the intake end toward the discharge end; the spinning part spins the exhaust gas in a pre-set spinning direction when viewed in the direction from the intake end toward the discharge end; and the spinning direction of the exhaust gas according to the liquid spray unit and the spinning direction of the exhaust gas according to the spinning part are the same when viewed from the exhaust gas travel direction.

Classes IPC  ?

  • B04C 3/00 - Appareils dans lesquels la direction axiale du tourbillon ne change pas
  • B04C 3/06 - Structures des entrées ou sorties de la chambre où se produit le tourbillon
  • B04C 9/00 - Combinaisons avec d'autres dispositifs, p.ex. avec des ventilateurs
  • B01D 53/18 - Unités d'absorption; Distributeurs de liquides
  • B01D 53/50 - Oxydes de soufre
  • B01D 53/78 - Procédés en phase liquide avec un contact gaz-liquide
  • B01D 53/92 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion
  • F01N 3/04 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement pour refroidir ou pour enlever les constituants solides des gaz d'échappement au moyen de liquides
  • F23J 15/00 - Aménagement des dispositifs de traitement de fumées ou de vapeurs

19.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020044531
Numéro de publication 2021/145079
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ozaki Daisuke
  • Shirakawa Tohru
  • Agata Yasunori

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device which comprises a semiconductor substrate having a transistor part and a diode part, wherein: the transistor part has an injection suppression region which suppresses injection of carriers of a second conductivity type at the diode part-side end in a top view of the semiconductor substrate; and the diode part has a lifetime control region which contains a lifetime killer. Both the transistor part and the diode part have a base region of the second conductivity type in the surface of the semiconductor substrate; the transistor part additionally has, in the surface of the semiconductor substrate, an emitter region of a first conductivity type and a withdrawing region of the second conductivity type, said withdrawing region having a higher doping concentration than the base region; and the emitter region and the withdrawing region are not provided in the injection suppression region.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

20.

SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application JP2020044532
Numéro de publication 2021/145080
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shirakawa Tohru
  • Ozaki Daisuke
  • Agata Yasunori

Abrégé

Provided is a semiconductor apparatus comprising a semiconductor substrate having a transistor part and a diode part, the transistor part having an injection restriction area for restricting injection of a second-conductivity-type carrier in an end portion of a side of the diode part in a top view of the semiconductor substrate. Both the transistor part and the diode part have a second-conductivity-type base area on a front surface of the semiconductor substrate, the transistor part further has a first-conductivity-type emitter area and a second-conductivity-type drawing area having higher doping concentration than the base area on the front surface of the semiconductor substrate, and the injection restriction area is not provided with the emitter area and the drawing area.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2021001135
Numéro de publication 2021/145397
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-14
Date de publication 2021-07-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubouchi Motoyoshi
  • Yoshimura Takashi

Abrégé

In the present invention, a region in which carrier lifetime is adjusted is formed easily using a method in which little damage occurs to a prescribed surface of a semiconductor substrate. Provided is a semiconductor device provided with: a semiconductor substrate which has an upper surface and a lower surface; a first region which is provided in a region on the upper surface side of the semiconductor substrate and which has a first chemical concentration peak of a first impurity at a first depth position; and a second region which is provided in a region of the semiconductor substrate differing from the first region and which has a second chemical concentration peak of the first impurity at the first depth position, wherein at the first depth position, the concentration of recombination centers in the second region is lower than the concentration of recombination centers in the first region.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

22.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020043901
Numéro de publication 2021/140769
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-25
Date de publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ogura, Tomoka

Abrégé

A beverage supply device comprises an extractor 37 that extracts a beverage, and a paper roller unit 375 that lets out a paper filter PF used when extracting the beverage from a filter roll FR each time the beverage is extracted. The paper roller unit 375 includes: drive rollers 3751 formed so as to be connected to a common rotation shaft 3751a with inner surfaces of the drive rollers facing each other; and driven rollers 3752 provided below the drive rollers 3751, at a distance from each other and with inner surfaces facing each other, second tooth parts 3752b1 of each driven roller partially meshing with first tooth parts 3751b of each drive roller 3751 to pinch the paper filter PF, and the driven rollers rotating in response to rotation of the drive rollers. In each driven roller 3752, peripheral holes 3752b2 are formed between the second tooth parts 3752b1 so as to face a containment part 3752a that contains a shaft part 376.

Classes IPC  ?

  • G07F 13/06 - Appareils déclenchés par pièces de monnaie pour commander la distribution de fluides, de produits semi-liquides ou de produits granuleux contenus dans des réservoirs avec distribution sélective de différents fluides ou matériaux ou de mélanges de ceux-ci
  • A47J 31/06 - Filtres ou passoires pour appareils à café et à thé
  • A47J 31/36 - Appareils à préparer le café dans lesquels l'eau chaude passe sous pression à travers le filtre avec de l'eau chaude sous pression d'un liquide avec des moyens mécaniques pour produire la pression

23.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020043533
Numéro de publication 2021/140762
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-24
Date de publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakamori, Akira

Abrégé

This switching control circuit controls switching of a switching element, and is provided with: a detection circuit that detects whether or not a current passing through the switching element is in an overcurrent state; a first signal output circuit that outputs a first signal indicating whether or not the period of the overcurrent state is longer than a first period; and a driving circuit that turns on the switching element on the basis of a first input signal for turning on the switching element, when the period of the overcurrent state is shorter than the first period, turns off the switching element via a first switch on the basis of a second input signal for turning off the switching element, and when the period of the overcurrent state is longer than the first period, turns off the switching element via a second switch having higher on resistance than the first switch on the basis of the second input signal and the first signal.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2020043753
Numéro de publication 2021/140765
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-25
Date de publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tamai Yuta
  • Gohara Hiromichi
  • Yamada Takafumi

Abrégé

A semiconductor device comprising a first semiconductor chip, a second semiconductor chip, and a circuit board, wherein: the circuit board is a laminated substrate having an insulation board, a circuit layer, and a metal layer in the given order; the circuit layer includes a first mounting for mounting the first semiconductor chip, a second mounting part for mounting the second semiconductor chip, and a first upper surface slit and a second upper surface slit that are provided between the first mounting part and the second mounting part and extend in a first direction; the metal layer includes a first bottom surface slit that extends in the first direction; and, in plan view, the first mounting part, the first upper surface slit, the second upper surface slit, and the second mounting part are aligned in a second direction, and the first bottom surface slit is positioned within a range demarcated by the first upper surface slit and the second upper surface slit.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/40 - Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes

25.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020044019
Numéro de publication 2021/140771
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-26
Date de publication 2021-07-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Terashima, Kenshi

Abrégé

The present invention prevents a change in inductance while controlling the spread of molten solder. An electrically conductive plate (12a) has a first slit (14a) formed in a gap between a first chip region (12a1) and a second chip region (12a2), a second slit (14b) formed in a gap between the first chip region (12a1) and a terminal region (12a3), and a third slit (14c) formed in a gap between the second chip region (12a2) and the terminal region (12a3). The first slit (14a) is a continuous line penetrating through the electrically conductive plate (12a), and the second and third slits (14b, 14c) are continuous lines not penetrating through the electrically conductive plate (12a).

Classes IPC  ?

  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails

26.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020041150
Numéro de publication 2021/131330
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-04
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugawara, Sho
  • Mochida, Yukihide
  • Fujii, Yuuki

Abrégé

A beverage supply device 1 for supplying a beverage to a cup C via a beverage supply path is provided with a cleaning unit 60 for cleaning the beverage supply path. The beverage supply device 1 is provided with a control unit 100 that, when given a cleaning instruction, causes hot water, which is to be supplied to the beverage supply path from a hot water tank 25 storing hot water constituting the beverage, to be supplied to the beverage supply path after adjusting the temperature of the hot water to within a prescribed proper cleaning temperature range, and intermittently supplies an undiluted cleaning liquid stored in undiluted cleaning liquid storage units 65 and 66 to the beverage supply path so that the undiluted cleaning liquid is supplied to the beverage supply path in a state of being diffused in the hot water.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails
  • B67D 1/07 - Nettoyage des appareils pour débiter des boissons

27.

FUEL CELL SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING SAME

      
Numéro d'application JP2020044499
Numéro de publication 2021/131513
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • MITSUBISHI POWER, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Murakami, Kouhei
  • Takahashi, Kuniyuki

Abrégé

Provided are a fuel cell system and a method for operating the same which make it possible to generate steam soon after stopping a solid oxide fuel cell. A fuel cell system (1) according to the present invention and having an anode gas channel (4), a cathode gas channel (5), a solid oxide fuel cell (2) which generates power as a result of an electrochemical reaction and to which fuel gas is supplied from the anode gas channel and air is supplied from the cathode gas channel, and a steam generator (3) which generates steam to be mixed with the fuel gas upon stopping the solid oxide fuel cell, the fuel cell system (1) being characterized in that the steam generator is positioned so as to be capable of exchanging heat with the gas flowing through the anode gas channel or the cathode gas channel.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/04 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides
  • H01M 8/04014 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides relatives à l’échange de chaleur Échange de chaleur par combustion des réactifs
  • H01M 8/04303 - Procédés de commande des éléments à combustible ou des systèmes d’éléments à combustible appliqués pendant des périodes spécifiques appliqués pendant l’arrêt
  • H01M 8/04701 - Température
  • H01M 8/04746 - Pression; Débit
  • H01M 8/12 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p.ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé

28.

FUEL CELL SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020044500
Numéro de publication 2021/131514
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • MITSUBISHI POWER, LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takahashi, Kuniyuki

Abrégé

The purpose of the present invention is to prevent deterioration of a solid oxide fuel cell even in cases where a blackout has occurred. The present invention is provided with an SOFC (10) which generates power by means of an electrochemical reaction between a fuel gas and an oxidant gas, a control unit (40) which controls the SOFC, a detection unit (41) for detecting a loss of control of the control unit, and a valve (61) for opening the SOFC. The valve is configured so as to open the SOFC if a loss of control of the control unit is detected by the detection unit.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/04664 - Défaillance ou fonction anormale
  • H01M 8/04 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides
  • H01M 8/04746 - Pression; Débit
  • H01M 8/12 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p.ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé
  • H01M 8/2475 - Enceintes, boîtiers ou récipients d’empilements d’éléments à combustible

29.

FUEL CELL SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020044498
Numéro de publication 2021/131512
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • MITSUBISHI POWER, LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takahashi, Kuniyuki

Abrégé

Provided is a fuel cell system that can prevent oxidative degradation of a fuel electrode even when a control unit is abnormally stopped. The fuel cell system (1) comprises: an SOFC (10) the generates power through the electrochemical reaction of reduction gas and oxidant gas; a control unit (40) that controls the supply of the reduction and the oxidant gas to the SOFC; a detection unit (45) that detects the stop of a normal signal of the control unit and an abnormal signal of the control unit transmitted from the control unit; and a maintenance unit (50) that maintains the fuel electrode of the SOFC in a reduced state according to the detection result of the detection unit. The maintenance unit includes a hydrogen supply system (51) that supplies hydrogen as the reducing gas to the fuel electrode.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/04 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides
  • H01M 8/04664 - Défaillance ou fonction anormale
  • H01M 8/04746 - Pression; Débit
  • H01M 8/12 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p.ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé

30.

FUEL CELL SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020044501
Numéro de publication 2021/131515
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de publication 2021-07-01
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • MITSUBISHI POWER, LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Kuniyuki
  • Kato, Taichiro

Abrégé

According to the present invention, the rate at which fuel flows to a fuel cell cartridge is harmonized. A fuel cell system (100) in which there is used a fuel cell stack in which solid oxide fuel cells are serially connected, the solid oxide fuel cells generating electricity through an electrochemical reaction of a fuel gas and an oxidant gas, wherein the fuel cell system (100) comprises: fuel cell cartridges (3a, 3b) that, while respectively supplying the fuel gas and the oxidant gas to a plurality of the fuel cell stacks via headers, respectively discharge fuel off gas and oxidant off gas via the headers; a fuel gas supply line (40) that supplies the fuel gas to the fuel cell cartridge; a fuel off gas discharge line (41) that discharges the fuel off gas from the plurality of fuel cell cartridges; and adjustment members (AD10, AD20) that are provided to the fuel gas supply line and/or the fuel off gas discharge line, the adjustment members (AD10, AD20) adjusting the flow rate of the fuel gas or the fuel off gas. Flexible piping is provided at least at one location in the adjusting member.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/04 - Dispositions auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression ou pour la circulation des fluides
  • H01M 8/0432 - Température; Température ambiante
  • H01M 8/04537 - Variables électriques
  • H01M 8/04746 - Pression; Débit
  • H01M 8/10 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides
  • H01M 8/12 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p.ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé

31.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020040615
Numéro de publication 2021/124704
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-29
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Koyama, Takahiro
  • Gohara, Hiromichi

Abrégé

The present invention ensures cooling performance while also ensuring rigidity. A semiconductor device (1) comprises: an insulating substrate (14) having a first surface, and a second surface which is on the side opposite the first surface; semiconductor elements (12, 13) mounted on the first surface of the insulating substrate; and a cooler (20) for cooling the semiconductor elements. The cooler comprises: a heat dissipating substrate (21) which has a bonding surface and a heat dissipating surface which is on the side opposite the bonding surface, the bonding surface being bonded to the second surface of the insulating substrate; a plurality of fins (22) provided on the heat dissipating surface of the heat dissipating substrate; a reinforcing plate (30) disposed so as to cover the plurality of fins, the reinforcing plate being bonded to the tips of the plurality of fins; and a cooling case (24) having a recess for accommodating the plurality of fins and the reinforcing plate. A gap (D2) between the plurality of fins is greater than a gap (D1) between the reinforcing plate and the bottom surface of the recess.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
  • H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage

32.

IN-VEHICLE SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020041492
Numéro de publication 2021/124719
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-06
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishikawa Mutsuo
  • Kato Hirofumi

Abrégé

This semiconductor circuit that is connected to a load circuit and controls the supply of power to the load circuit is provided with: a power supply line to which a power supply voltage is applied; an overvoltage protection unit having an output unit for shutting off the supply of power from the power supply line to the load circuit when the power supply voltage of the power supply line is an overvoltage; and a state notification unit for notifying the outside of a state signal indicating whether or not the output unit shuts off the supply of power.

Classes IPC  ?

  • H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
  • H02H 3/24 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une baisse ou un manque de tension
  • H02H 7/00 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan

33.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020046587
Numéro de publication 2021/125140
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-14
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato Yoshiharu
  • Ajiki Toru
  • Yoshimura Takashi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, a plurality of peaks of doping concentration provided on a back surface of the semiconductor substrate, and a flat portion provided between the plurality of peaks in a depth direction of the semiconductor substrate and having a doping concentration greater than or equal to 2.5 times a substrate concentration of the semiconductor substrate. At least one of the plurality of peaks is a first peak provided closer to a front surface than the flat portion, the first peak having a doping concentration less than or equal to twice the doping concentration of the flat portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

34.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020046623
Numéro de publication 2021/125147
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-14
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kubouchi Motoyoshi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having an upper surface and a lower surface and including a bulk donor; and a hydrogen increasing section wherein the hydride concentration increases monotonally from the upper surface towards the lower surface. The hydrogen increasing section is provided across at least 30% of the thickness of the semiconductor substrate in the depth direction. The donor concentration in the hydrogen increasing section is higher than the bulk donor concentration. The semiconductor device can be produced by injecting hydrogen ions to a predetermined first injection position inside the semiconductor substrate, from the upper surface of the semiconductor substrate, grinding the underside of the semiconductor substrate, removing some of a region in which hydrogen is present, and heat-treating the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

35.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020046167
Numéro de publication 2021/125064
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-10
Date de publication 2021-06-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida Kosuke
  • Yoshimura Takashi
  • Takishita Hiroshi
  • Uchida Misaki
  • Nemoto Michio
  • Suganuma Nao
  • Kubouchi Motoyoshi

Abrégé

Provided is a semiconductor device that comprises a semiconductor substrate which has a top surface and bottom surface and includes oxygen, a first peak of hydrogen chemical concentration which is disposed on the bottom surface side of the semiconductor substrate, and a flat part which is disposed more toward the top surface of the semiconductor substrate than the first peak, includes a hydrogen donor, and has a donor concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate that is substantially (almost) flat, wherein an oxygen contribution rate, which indicates the proportion of the oxygen chemical concentration of oxygen that contributes to the generation of a hydrogen donor, is 1×10-5to 7×10-4, the concentration of oxygen that contributes to the generation of a hydrogen donor is lower than the hydrogen chemical concentration in the flat part, and the hydrogen donor concentration in the flat part is 2×1012/cm3to 5×1014/cm3.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

36.

VENDING MACHINE AND VENDING MACHINE PAYMENT METHOD

      
Numéro d'application JP2020045645
Numéro de publication 2021/117712
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-08
Date de publication 2021-06-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakajima, Yusuke
  • Kotte, Yoshinobu
  • Taira, Kanako

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a vending machine and a vending machine payment method which enable costs to be lowered without causing discomfort for a customer, if payment using graphic code information is performed. To that end, the present invention is provided with a payment control unit 10c that: upon receiving pressing down of an article selection button 15 for selecting an article to sell, displays a list of one or more payment brands available for payment, in a predetermined priority order D1, on a display unit 16; repeats processing for transitioning a selection state of the payment brand in the predetermined priority order D1 every time the same article selection button 15 is pressed; initiates a payment standby state with a payment brand being currently selected in response to a long press of the same article selection button 15; and acquires graphic code information 17 of the payment brand from a payment server of the payment brand currently in the payment standby state and causes the graphic code information 17 to be displayed on the display unit 16 along with a name of the payment brand.

Classes IPC  ?

  • G07F 7/02 - Mécanismes actionnés par des objets autres que des pièces de monnaie pour déclencher ou actionner des appareils de vente, de location, de distribution de pièces de monnaie ou de papier-monnaie, ou de remboursement par des clés ou d'autres dispositifs enregistrant un crédit
  • G06K 19/06 - Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques caractérisés par le genre de marque numérique, p.ex. forme, nature, code
  • G06Q 20/18 - Architectures de paiement impliquant des terminaux en libre service, des distributeurs automatiques, des bornes ou des terminaux multimédia

37.

EXHAUST GAS PROCESSING DEVICE

      
Numéro d'application JP2020043907
Numéro de publication 2021/111957
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-25
Date de publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi Kuniyuki
  • Noda Naohiro

Abrégé

Provided is an exhaust gas processing device comprising: a reaction tower into which exhaust gas is introduced, a liquid for processing the exhaust gas being supplied to the reaction tower; a first jet unit that jets the liquid into the reaction tower; a flow rate control unit that controls the flow rate of the liquid supplied to the reaction tower; an exhaust gas introduction tube that introduces the exhaust gas into the reaction tower; and a spray unit that sprays the liquid that has processed the exhaust gas into the exhaust gas inside the exhaust gas introduction tube or near the exhaust gas introduction tube inside the reaction tower, the flow rate control unit controlling the flow rate of the liquid supplied to the reaction tower on the basis of the pH and/or the total alkalinity of the exhaust liquid.

Classes IPC  ?

  • B01D 53/14 - SÉPARATION Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par absorption
  • B01D 53/18 - Unités d'absorption; Distributeurs de liquides
  • B01D 53/50 - Oxydes de soufre
  • B01D 53/78 - Procédés en phase liquide avec un contact gaz-liquide
  • B01D 53/92 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion
  • F01N 3/04 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement pour refroidir ou pour enlever les constituants solides des gaz d'échappement au moyen de liquides
  • F01N 3/08 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement pour rendre les gaz d'échappement inoffensifs
  • B63H 21/32 - Aménagements relatifs aux conduits d'échappement pour appareils de propulsion; Cheminées propres aux navires

38.

COMPARATOR CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020040385
Numéro de publication 2021/111772
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-28
Date de publication 2021-06-10
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

This comparator circuit outputs an output voltage at a first logic level if an input voltage exceeds a first threshold voltage, and outputs the output voltage at a second logic level if the input voltage falls below a second threshold voltage lower than the first threshold voltage, and is provided with: a converting circuit which converts the input voltage to a first voltage and to a second voltage lower than the first voltage; and a logic circuit which outputs the output voltage at the first logic level if the first voltage exceeds a third threshold voltage, and outputs the output voltage at the second logic level if the second voltage falls below a fourth threshold voltage lower than the third threshold voltage.

Classes IPC  ?

  • H03K 3/027 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation de circuits logiques, avec réaction positive interne ou externe
  • H03K 3/353 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation, comme éléments actifs, de transistors à effet de champ avec réaction positive interne ou externe
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H03K 5/08 - Mise en forme d'impulsions par limitation, par application d'un seuil, par découpage, c. à d. par application combinée d'une limitation et d'un seuil

39.

STEAM TURBINE MEMBER

      
Numéro d'application JP2020044606
Numéro de publication 2021/112064
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-01
Date de publication 2021-06-10
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIGHER EDUCATION AND RESEARCH SYSTEM (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakashima, Yuya
  • Umehara, Noritsugu
  • Miyachi, Takaaki
  • Murashima, Motoyuki
  • Lee, Woo-Young
  • Tokoroyama, Takayuki
  • Kousaka, Hiroyuki
  • Furuhashi, Miyu

Abrégé

Provided is a steam turbine member in which the adhesion of scales is minimized without compromising the corrosion resistance, etc., of the turbine. A steam turbine member comprising an amorphous carbon vapor deposition film at a site on a parent material where scaling readily occurs, a steam turbine comprising said steam turbine member, and a method for manufacturing said steam turbine member.

Classes IPC  ?

  • F01D 25/00 - "MACHINES" OU MACHINES MOTRICES À DÉPLACEMENT NON POSITIF, p.ex. TURBINES À VAPEUR - Parties constitutives, détails ou accessoires non couverts dans les autres groupes ou d'un intérêt non traité dans ces groupes
  • C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
  • C23C 16/27 - Le diamant uniquement
  • C23C 26/00 - Revêtements non prévus par les groupes
  • F01D 9/02 - Injecteurs; Logement des injecteurs; Aubes de stator; Tuyères de guidage

40.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020038772
Numéro de publication 2021/100365
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-14
Date de publication 2021-05-27
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagayoshi, Kenya
  • Mochida, Yukihide
  • Kato, Keisuke
  • Mouri, Taichi

Abrégé

A beverage supply device that ejects and supplies a beverage generated by a beverage generation unit 11 from a nozzle 232 constituting a beverage supply unit 23 to a bottomed cylindrical cup C arranged in the beverage supply unit 23 is provided with: an adjustment means for displacing the posture of at least one of the nozzle 232 and the cup C so as to be brought into a first state in which a central axis C1 of the cup C is inclined with respect to an ejecting direction H of the nozzle 232 to allow the beverage ejected from the nozzle 232 to contact an arbitrary spot of an inner peripheral wall part of the cup C when the cup C is empty and brought into a second state in which the central axis C1 of the cup C becomes parallel to the ejecting direction H of the nozzle 232 in accordance with an increase in a putting amount of the beverage when the beverage is put into the cup C.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails
  • A47J 31/44 - Eléments ou parties constitutives des appareils à préparer des boissons

41.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020042240
Numéro de publication 2021/100599
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-12
Date de publication 2021-05-27
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagayoshi, Kenya
  • Mochida, Yukihide
  • Kato, Keisuke
  • Mouri, Taichi

Abrégé

A beverage supply device that ejects and supplies a beverage generated by a beverage generation unit 11 from a nozzle 232 constituting a beverage supply unit 23 to a bottomed cylindrical cup C arranged in the beverage supply unit 23 is provided with: a placing unit 236 that places the cup C so as to be brought into a first state when the cup C is empty and brought into a second state when the weight of the cup C becomes a prescribed size or more; a posture detection unit 32 that detects whether the placing unit 236 is brought into the first state or the second state; and a determination unit 40a that determines the type of the cup C by determining that an ice is not put in the cup C when it is detected by the posture detection unit 32 that the placing unit 236 is brought into the first state and determining that an ice is put in the cup C when it is detected by the posture detection unit 32 that the placing unit 236 is brought into the second state.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails
  • A47J 31/44 - Eléments ou parties constitutives des appareils à préparer des boissons

42.

SEMICONDUCTOR OSCILLATION SUPPRESSION CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020038022
Numéro de publication 2021/100347
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-07
Date de publication 2021-05-27
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yukawa Fumio
  • Igarashi Seiki

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a semiconductor oscillation suppression circuit capable of suppressing the voltage oscillation of a switching element with low loss. The semiconductor oscillation suppression circuit (1) is provided with a wide-bandgap semiconductor element (111a) and a capacitor(13) having a larger capacitance than the junction capacitance of the wide-bandgap semiconductor element (111a) and connected in parallel with the wide-bandgap semiconductor element (111a).

Classes IPC  ?

  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

43.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020038761
Numéro de publication 2021/100364
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-14
Date de publication 2021-05-27
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokunaga, Yuki
  • Matsumoto, Masahiro
  • Shinfutsukaichi, Yuki

Abrégé

A beverage supply device 1 for supplying a beverage to a cup C placed on a supply stage 20 comprises a display operation unit 13 that displays various information and to which an input operation is performed through touch operation, wherein a control unit 50, which causes a plurality of types of selectable beverages to be displayed in the display operation unit 13, performs arrangement display of displaying, in the display operation unit 13, a selected beverage that has been selected and a mixable beverage that can be mixed with the selected beverage,if an input operation for selecting any of the beverages has been performed.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails

44.

VENDING MACHINE

      
Numéro d'application JP2020038629
Numéro de publication 2021/090647
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-13
Date de publication 2021-05-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsufuji, Hiroshi

Abrégé

This vending machine comprises: a currency reception unit that receives a currency input from a currency input slot; a product dispensing unit that dispenses a product on the basis of the reception of the currency; a control unit that controls the currency reception unit and the product dispensing unit; and a power conversion unit that converts electric power input from the outside and supplies the converted electric power to the currency reception unit and the control unit, wherein the control unit is configured such that when the input of electric power to the power conversion unit from the outside is stopped due to a power failure, the control unit controls the currency reception unit to stop receiving the currency until the supply of the electric power to the control unit is stopped.

Classes IPC  ?

  • F25D 11/00 - Dispositifs autonomes déplaçables associés à des machines frigorifiques, p.ex. réfrigérateurs ménagers
  • G07F 9/00 - APPAREILS DÉCLENCHÉS PAR DES PIÈCES DE MONNAIE OU APPAREILS SIMILAIRES - Parties constitutives autres que celles particulières à des genres ou types particuliers d'appareils

45.

ELECTROSTATIC PRECIPITATOR

      
Numéro d'application JP2020036141
Numéro de publication 2021/090595
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-24
Date de publication 2021-05-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamashiro Keisuke

Abrégé

Provided is an electrostatic precipitator comprising: a tubular outer electrode in which a gas to be processed passes through the internal space thereof; and an inner electrode disposed in the internal space, the inner electrode being arranged coaxially with the outer electrode. The ratio between the outer diameter Ra of the inner electrode to the inner diameter Rb of the outer electrode, Ra/Rb, is smaller than 1/e (where e is the base of a natural logarithm). The ratio Ra/Rb may be smaller and 1/2e. The outer diameter Ra of the inner electrode may be 1-10 mm, inclusive, and the inner diameter Rb of the outer electrode may be 10-100 mm, inclusive.

Classes IPC  ?

  • B03C 3/40 - Structure des électrodes
  • B03C 3/41 - Electrodes d'ionisation
  • B03C 3/49 - Electrodes collectrices tubulaires
  • H01T 19/00 - Dispositifs prévus pour la décharge corona
  • H01T 23/00 - Appareils pour la production d'ions destinés à être introduits dans des gaz à l'état libre, p.ex. dans l'atmosphère

46.

CLEANING DEVICE

      
Numéro d'application JP2020038749
Numéro de publication 2021/079800
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-14
Date de publication 2021-04-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mochida, Yukihide
  • Sugawara, Sho

Abrégé

A cleaning unit (cleaning device) 60 is used in a beverage supply device 1 that supplies a beverage to a cup C via a beverage supply passage 27, etc., the cleaning unit serving to clean the beverage supply passage 27, etc. The cleaning unit has a control unit 100 that is configured to: upon receipt of a wash instruction, supply hot water from a hot water tank 25 that stores hot water to be used to produce the beverage, to the beverage supply passage 27, etc.; and intermittently supply an undiluted cleaning liquid stored in undiluted cleaning liquid storage units 65, 66 so that the cleaning liquid is supplied to the beverage supply passage 27 in a state of having been dispersed in the hot water.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/07 - Nettoyage des appareils pour débiter des boissons

47.

CLEANING DEVICE

      
Numéro d'application JP2020038763
Numéro de publication 2021/079801
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-14
Date de publication 2021-04-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mochida, Yukihide
  • Sugawara, Sho

Abrégé

A cleaning unit (cleaning device) (60) is applied to a beverage supply device (1) that supplies a beverage to a cup (C) through a beverage supply channel (27), etc., and when a cleaning command has been issued, the cleaning unit (60) cleans the beverage supply channel (27), etc., by supplying, separately and together with hot water, an alkaline cleaning stock solution and an acidic cleaning stock solution stored in cleaning stock solution storage sections (65, 66). The cleaning unit (60) comprises a cleaning stock solution supply pipe (62) for supplying the alkaline cleaning stock solution and the acidic cleaning stock solution, a switching valve (62a) that allows either one of the alkaline cleaning stock solution and the acidic cleaning stock solution to pass through the cleaning stock solution supply pipe (62), a cleaning stock solution supply pump (62b) that, when driven, supplies the cleaning stock solution selected by the switching valve (62a) to the beverage supply channel (27), etc., and a control unit (100) that controls the open/closed state of the switching valve (62a) to restrict the alkaline cleaning stock solution from remaining in the cleaning stock solution supply pump (62b) when the cleaning command has been issued.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/07 - Nettoyage des appareils pour débiter des boissons
  • A47J 31/60 - Dispositifs de nettoyage

48.

FILTER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020031733
Numéro de publication 2021/075150
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-21
Date de publication 2021-04-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane Masashi

Abrégé

The present invention provides a filter circuit capable of preventing, by a simple configuration, the circuit from malfunctioning even when power-supply voltage has changed, and a semiconductor device. This filter circuit is provided with a latch circuit and a rise adjustment unit. The latch circuit latches a set signal to be inputted to a first input terminal and a reset signal to be inputted to a second input terminal. The rise adjustment unit makes the rise time of the set signal or the reset signal at the time of power-on shorter than a time defined by a time constant circuit disposed at a stage prior to the latch circuit.

Classes IPC  ?

  • H03K 3/037 - Circuits bistables
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/22 - Modifications pour assurer un état initial prédéterminé quand la tension d'alimentation a été appliquée

49.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

      
Numéro d'application JP2020032447
Numéro de publication 2021/075162
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-27
Date de publication 2021-04-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamaji Masaharu
  • Karino Taichi
  • Sumida Hitoshi
  • Ito Hideaki

Abrégé

Provided is a semiconductor device capable of preventing, inter alia, the decomposition reaction of an antireflection film provided on a semiconductor substrate and the corrosion of a wiring layer, and capable of improving reliability. The semiconductor device comprises: a wiring layer (11); a titanium nitride layer (21) provided on the wiring layer (11); a titanium oxynitride layer (22) provided on the titanium nitride layer (21); a titanium oxide layer (23) provided on the titanium oxynitride layer (22); and surface protective films (31, 32) provided on the titanium oxide layer (23). The semiconductor device also has an opening (11b) that passes through the titanium nitride layer (21), the titanium oxynitride layer (22), the titanium oxide layer (23), and the surface protective films (31, 32) to expose a part of the wiring layer (11), and the exposed part of the wiring layer (11) constitutes a pad (11a).

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
  • H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux

50.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020038015
Numéro de publication 2021/075330
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-07
Date de publication 2021-04-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tamura Takahiro
  • Onozawa Yuichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate containing a bulk donor; and a first buffer area of a first conduction type provided to the undersurface side of the semiconductor substrate and having one or more doping concentration peaks and one or more hydrogen concentration peaks in the depth direction of the semiconductor substrate, wherein, of the doping concentration peaks of the first buffer area, the doping concentration at the shallowest concentration peak located closest to the undersurface of the semiconductor substrate is not more than 50 times the concentration of the bulk donor in the semiconductor substrate. The doping concentration at the shallowest concentration peak may be lower than a reference carrier concentration when a current that is one tenth of a rated current is applied to between the top surface and the undersurface of the semiconductor substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

51.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application JP2020036034
Numéro de publication 2021/075220
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-24
Date de publication 2021-04-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamada, Toru
  • Yamada, Takafumi

Abrégé

The purpose of the present invention is to suppress stress concentration between a chip and a lead frame while ensuring thickness of solder. Provided is a semiconductor module (1) comprising: a semiconductor element (3) having a gate runner (31) formed in an upper surface thereof to extend in a predetermined direction; and a metal wiring plate (4) disposed on the upper surface of the semiconductor element. The metal wiring plate has a first junction (40) joined to the upper surface of the semiconductor element through a first joining member. The first junction has at least one first protrusion (45) protruding toward the semiconductor element. The first protrusion is provided in a position not overlapping the gate runner in planar view. The gate runner and the first protrusion are 0.4 mm or more distant from each other.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

52.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT, DRIVE CONTROL DEVICE, AND SWITCHING CONTROL METHOD

      
Numéro d'application JP2020032077
Numéro de publication 2021/070495
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-25
Date de publication 2021-04-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Okayama, Kenichi

Abrégé

This switching control circuit controls switching of a first switching element in a bridge circuit including the first switching element on a power supply side and a second switching element on a ground side connected in series to the first switching element via a load, and comprises: an output circuit that when the current of the first and second switching elements becomes an overcurrent and the second switching element is turned off, delays a first drive signal for turning off the first switching element for a predetermined period and outputs the delayed first drive signal, and when the current does not become the overcurrent, outputs a second drive signal for switching the first switching element; and a drive circuit for driving the first switching element on the basis of the output of the output circuit.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

53.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020034982
Numéro de publication 2021/070584
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-15
Date de publication 2021-04-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Agata Yasunori
  • Yoshimura Takashi
  • Takishita Hiroshi
  • Meguro Misaki
  • Nemoto Michio
  • Ajiki Toru
  • Onozawa Yuichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device provided with a semiconductor substrate that has an upper surface and a bottom surface and that includes a bulk donor, wherein: a hydrogen chemical concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate is flat and, monotonically increases, or monotonically decreases from the bottom surface to the upper surface except for a portion to which a local hydrogen concentration peak is provided; and the donor concentration of the semiconductor substrate is higher than the bulk donor concentration, across the entirety from the upper surface to the bottom surface. Hydrogen ion irradiation may be performed to penetrate, from the upper surface or the bottom surface of the semiconductor substrate, through the semiconductor substrate in the depth direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

54.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020034016
Numéro de publication 2021/070539
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-08
Date de publication 2021-04-15
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Agata Yasunori

Abrégé

Provided is a semiconductor device provided with a semiconductor substrate having an upper surface and a lower surface, wherein: a hydrogen chemical concentration distribution of the semiconductor substrate in the depth direction has a first hydrogen concentration peak and a second hydrogen concentration peak disposed closer to the lower surface side of the semiconductor substrate than the first hydrogen concentration peak; and an intermediate donor concentration between the first hydrogen concentration peak and the second hydrogen concentration peak is different from both the upper surface side donor concentration between the first hydrogen concentration peak and the upper surface of the semiconductor substrate, and the lower surface side donor concentration between the second hydrogen concentration peak and the lower surface of the semiconductor substrate. The intermediate donor concentration may be higher than either the upper surface side donor concentration or the lower surface side donor concentration.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

55.

BEVERAGE DISPENSING NOZZLE

      
Numéro d'application JP2020037007
Numéro de publication 2021/065947
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-29
Date de publication 2021-04-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kowase, Shunsuke

Abrégé

Provided is a beverage dispensing nozzle NZ through which high-pressure carbonated water is discharged after the pressure thereof is reduced by means of a multi-structure resistive body 2 disposed inside a tube-like body 1. In order to prevent the resistive body 2 from moving downward due to the action of the high-pressure carbonated water introduced from a carbonated water introduction member 3, a stopper 1a is disposed between the hollow tube-like body 1 and the radially outermost resistive body portion (outer resistive body portion 21) of the multi-structure resistive body 2 as a downward movement prevention means for preventing downward movement of said resistive body portion (outer resistive body portion 21), and downward movement of the resistive body 2 is prevented by the stopper 1a.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/08 - Appareils ou dispositifs pour débiter des boissons à la pression - Détails

56.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020032956
Numéro de publication 2021/059881
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-31
Date de publication 2021-04-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato Shigeki
  • Araki Ryu
  • Miyata Hiroshi
  • Yoshida Soichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; a temperature sense unit provided on the front surface of the semiconductor substrate; a cathode pad and an anode pad electrically connected to the temperature sense unit; a front surface electrode that is set to have a predetermined reference potential; and a bidirectional diode unit electrically connected between the cathode pad and the front surface electrode in a serial bidirectional way. The bidirectional diode unit may be disposed, on the front surface, between the anode pad and the cathode pad.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/866 - Diodes Zener

57.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020036480
Numéro de publication 2021/060545
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-25
Date de publication 2021-04-01
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato Shigeki
  • Matsui Toshiyuki
  • Araki Ryu
  • Miyata Hiroshi
  • Yoshida Soichi

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device that is provided with: a semiconductor substrate; a temperature sensing unit which is provided on a front surface of the semiconductor substrate; an anode pad and a cathode pad, which are electrically connected to the temperature sensing unit; a front surface electrode which is set to a predetermined reference potential; and a bidirectional diode unit which is electrically connected in series between the cathode pad and the front surface electrode in a bidirectional manner. An output comparison diode unit may be arranged between the anode pad and the cathode pad. The temperature sensing unit comprises a temperature sensing diode; and the output comparison diode unit may comprise a diode that is connected in inverse parallel with the temperature sensing diode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/866 - Diodes Zener

58.

CONTROL DEVICE, SYSTEM, CONTROL METHOD, AND PROGRAM

      
Numéro d'application JP2020032376
Numéro de publication 2021/054074
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-27
Date de publication 2021-03-25
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Maruyama Koji
  • Fujita Satoru
  • Nagano Tsuyoshi

Abrégé

With conventional technology there is a risk of an overvoltage occurring between a DC/DC converter and an inverter as a result of a system malfunction or the like. Provided is a control device provided with a direct-current bus which is maintained at a reference voltage by means of the exchange of electric power with an inverter, a first control unit which controls at least one of a plurality of DC/DC converters provided respectively between the direct-current bus and a plurality of direct-current power sources that supply direct-current power to the direct-current bus, and a voltage measuring unit which measures the voltage of the direct-current bus, wherein the first control unit reduces the output power of only some of the plurality of DC/DC converters if the voltage of the direct-current bus exceeds a threshold voltage that is higher than the reference voltage.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/35 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p.ex. batterie tampon avec des cellules sensibles à la lumière
  • H02J 1/00 - Circuits pour réseaux principaux ou de distribution, à courant continu
  • H02J 3/32 - Dispositions pour l'équilibrage de charge dans un réseau par emmagasinage d'énergie utilisant des batteries avec moyens de conversion
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l'alimentation en parallèle d'un seul réseau, par deux ou plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs

59.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020032871
Numéro de publication 2021/049351
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-31
Date de publication 2021-03-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakurai Yosuke
  • Onozawa Yuichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a first conductivity type drift region provided in a semiconductor substrate; a second conductivity type base region provided over the drift region; a first conductivity type accumulation region provided between the base region and the drift region and having a doping concentration higher than that of the drift region; and a field relief region provided between the base region and the accumulation region and having a doping concentration lower than a peak of the doping concentration of the accumulation region. The boundary between the field relief region and the accumulation region is the half-value position of a peak of the accumulation region. The field relief region has an integrated concentration of greater than or equal to 5E14 cm-2and less than or equal to 5E15 cm-2.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

60.

CURRENT GENERATING CIRCUIT, DRIVE CIRCUIT, AND CURRENT ADJUSTING METHOD

      
Numéro d'application JP2020033616
Numéro de publication 2021/049434
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-04
Date de publication 2021-03-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Mori, Takahiro

Abrégé

This current generating circuit is provided with: a MOS transistor to which one line among a power supply line and a ground line, and a source terminal are connected; a voltage generating circuit which generates a first voltage corresponding to the resistance value of a wire between said one line and the source terminal; and a control circuit which causes the MOS transistor to generate a prescribed current on the basis of the first voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT

61.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application JP2020034015
Numéro de publication 2021/049499
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-08
Date de publication 2021-03-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshikawa Koh
  • Momose Masayuki
  • Matsui Toshiyuki

Abrégé

Provided is a semiconductor device, comprising: a semiconductor substrate including a bulk donor; an active part provided on the semiconductor substrate; and, on an upper surface of the semiconductor substrate, an edge terminating structure provided between the active part and an edge of the semiconductor substrate. The active part includes a first high-concentration region that includes hydrogen and that has a donor concentration higher than the concentration of the bulk donor, and the edge terminating structure includes a second high-concentration region that is provided in a wider range in a depth direction of the semiconductor substrate than the first high concentration region, includes hydrogen, and has a donor concentration higher than the concentration of the bulk donor.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

62.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020030634
Numéro de publication 2021/044814
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-11
Date de publication 2021-03-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kodama, Naoko
  • Kubouchi, Motoyoshi

Abrégé

According to the present invention, a resist film (52), which is used as a shielding film for introducing impurity defects into an overlapping region (33) of an IGBT region (31) and an FWD region (32) by means of helium irradiation, is formed on a polysilicon protection film (21) on the front surface of a semiconductor wafer (10') and a dummy pattern that is composed of a polyimide film (22) for dummy pattern. The polyimide film (22) for dummy pattern (a first polyimide film (22a)) is arranged at a position where the distance (w1) from the polyimide protection film (21) is less than 1 mm, while being completely covered by the resist film (52). The polyimide film (22) for dummy pattern is arranged at a distance from an adjacent overlapping region (33). The distance (w3) between polyimide films (22) for dummy pattern adjacent to each other is less than 1 mm. Consequently, a predetermined impurity is able to be introduced into a predetermined region with high positional accuracy by using the resist film (52) as a shielding film, while preventing an increase in the cost.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

63.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020025468
Numéro de publication 2021/029150
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-29
Date de publication 2021-02-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Inokuchi, Hisato

Abrégé

According to the present invention, the occurrence of a short circuit can be suppressed. A wiring unit (70) has: a first lead frame (71) that includes a first wiring part (71a) electrically connected to a conductive pattern (23b3) and wired in parallel to the main surface of a ceramic circuit board (20b); a second lead frame (72) that includes a second wiring part (72a) electrically connected to a conductive pattern (23a3), superimposed on the surface of the first wiring part (71a) with a gap provided therebetween, and wired along a wiring direction of the first wiring part (71a); and a wiring holding part (73) that includes the first and second lead frames (71, 72). The wiring holding part (73) includes a wiring gap portion that fills the gap in the overlapping region where the first and second wiring parts (71a, 72a) overlap with each other, and a wiring surface portion that covers the surface of the second wiring part (72a).

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes

64.

EXHAUST GAS TREATMENT DEVICE FOR SHIPS

      
Numéro d'application JP2020025431
Numéro de publication 2021/029149
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-29
Date de publication 2021-02-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mochida Toshiharu
  • Kaneko Takayuki
  • Hayashi Kazuki
  • Uchida Yukiko
  • Sugimoto Tatsunori

Abrégé

Provided is an exhaust gas treatment device for ships that comprises a reactor column which receives exhaust gas introduced thereto and is supplied with a liquid for treating the exhaust gas. The reactor column has an exhaust gas introduction pipe for introducing exhaust gas from the outside of the reactor column to the inside and one or more wastewater pipes for discharging the liquid supplied to the inside of the reactor column to the outside of the reactor column. At least one of the one or more wastewater pipes is provided below the exhaust gas introduction pipe. The reactor column may also have a sensor that detects liquid and that is installed at a predetermined height from the bottom of the reactor column, the exhaust gas introduction pipe may be installed on a side wall of the reactor column, and the sensor may be installed below the exhaust gas introduction pipe.

Classes IPC  ?

  • B01D 53/50 - Oxydes de soufre
  • B01D 53/14 - SÉPARATION Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par absorption
  • B01D 53/78 - Procédés en phase liquide avec un contact gaz-liquide
  • B01D 53/92 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion

65.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020029879
Numéro de publication 2021/029285
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-04
Date de publication 2021-02-18
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohi Kota
  • Ikura Yoshihiro
  • Sakurai Yosuke
  • Kitamura Mutsumi
  • Onozawa Yuichi
  • Kato Yoshiharu
  • Ajiki Toru

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a first-electroconductivity-type drift region provided to a semiconductor substrate, and a first-electroconductivity-type buffer region provided between the drift region and the bottom surface of the semiconductor substrate, the buffer region having, in the depth direction of the semiconductor substrate, three or more density peaks for which the doping density is higher than the draft region, the three or more density peaks including: a shallowest peak that is nearest to the bottom surface of the semiconductor substrate; a high-density peak disposed in a position separated farther than the shallowest peak from the bottom surface of the semiconductor substrate; and a low-density peak disposed in a position farther separated than the high-density peak from the bottom surface of the semiconductor substrate, the doping density of the low-density peak being 1/5 or less the doping density of the high-density peak.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

66.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020025212
Numéro de publication 2021/024643
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-26
Date de publication 2021-02-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Saito, Isao

Abrégé

This semiconductor device comprises: first and second MOS transistors of which drain electrodes are connected in series between a first line to which a power supply voltage is applied and a second line to which a load is connected; a third line connected to the gate electrode of the first MOS transistor; and a fourth line connected to the gate electrode of the second MOS transistor and electrically separated from the third line.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/04 - Modifications pour accélérer la commutation
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

67.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application JP2019030563
Numéro de publication 2021/024321
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-02
Date de publication 2021-02-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ikegami, Akira

Abrégé

Provided is a power conversion device, the assembly workload of which can be reduced. The power conversion device is provided with: a housing (50) for housing a capacitor; a first power conversion module (10) having a first positive electrode and a first negative electrode and positioned on a second outer surface side with respect to the housing (50); a second power conversion module (20) having a second positive electrode and a second negative electrode and positioned on a third outer surface side with respect to the housing (50); a first positive electrode bus bar for connecting a first electrode of the capacitor to the first positive electrode; a first negative electrode bus bar for connecting a second electrode of the capacitor to the second negative electrode; a second positive electrode bus bar (80) fixed to the first positive electrode together with the first positive electrode bus bar and fixed to the second positive electrode; and a second negative electrode bus bar (90) fixed to the first negative electrode and fixed to the second negative electrode together with the first negative electrode bus bar.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

68.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application JP2020024723
Numéro de publication 2021/024636
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-24
Date de publication 2021-02-11
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sugiyama, Takanori

Abrégé

The present invention deters the occurrence of cracks and vacant spaces (voids) during resin molding of a case of a semiconductor module. A semiconductor module (1) comprising a semiconductor element (3), wherein the semiconductor module (1) is provided with a case (13) for accommodating the semiconductor element (3), an attaching hole (17) for attaching a printed-circuit board (4) to an upper surface of the case (13) by means of a tapping screw (18) being formed integrally with the case by resin molding, the attaching hole (17) being entirely cylindrical in shape, and the distal end of the attaching hole (17) being hemispherical.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes

69.

BEVERAGE SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020008037
Numéro de publication 2021/019813
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-02-27
Date de publication 2021-02-04
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ito, Shuichi
  • Kowase, Shunsuke

Abrégé

A beverage supply device in which multiple tube pumps 30 are provided to a BIB 33, each of the tube pumps 30 being attached to a tube 32 connected to a BIB 33 in which a bag-shaped container in which syrup is enclosed is accommodated in a box-shaped container, each tube pump 30 discharging syrup from an open end 32a of the tube 32 when driven, a beverage being supplied to a cup 1 placed on a supply stage 20, the beverage containing the syrup discharged by driving any of the tube pumps 30, wherein the beverage supply device comprises a dilution water discharge unit 40 that discharges common dilution water for diluting the syrup discharged from the plurality of tube pumps 30, the dilution water being mixed with the syrup discharged by driving any of the tube pumps 30, and put into the cup 1.

Classes IPC  ?

  • B67D 1/04 - Appareils utilisant l'air comprimé ou un autre gaz agissant directement ou indirectement sur les boissons dans les récipients de stockage

70.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020020523
Numéro de publication 2021/019882
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-25
Date de publication 2021-02-04
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Harada Yuichi
  • Noguchi Seiji
  • Komiyama Norihiro
  • Ikura Yoshihiro
  • Sakurai Yosuke

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a plurality of gate trench units electrically connected to a gate electrode; and a plurality of dummy trench units electrically connected to an emitter electrode. The semiconductor device comprises: a first trench group including one gate trench unit and two dummy trench units adjacent to the gate trench unit and adjacent to each other; and a second trench group including two gate trench units adjacent to each other.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

71.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020020807
Numéro de publication 2021/019888
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-26
Date de publication 2021-02-04
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohse, Naoyuki
  • Kojima, Takahito

Abrégé

According to the present invention, a p-type region (13) constituting a JBS structure is exposed in an opening (17a') of an interlayer insulating film (17), and an aluminum film and a nickel film are sequentially laminated in this order as a metal laminated film (52) which becomes a material film and makes a contact with the p-type region (13) in the opening (17a') of the interlayer insulating film (17). Then, through heat treatment, aluminum atoms in the aluminum film are thermally diffused to form a p+ type contact region (14) in the surface region of the p-type region (13) in a self-aligned manner. Then, after removing the metal laminated film (52), a titanium film (31) that is Schottky-bonded to the n-type drift region (12) in the contact hole formed in the interlayer insulating film (17) and is ohmic-bonded to the p+ type contact region (14) is formed. Thus, in a silicon carbide diode having a JBS structure in which a Schottky junction and a pn junction are mixed, a low forward voltage due to an SBD structure can be maintained and the surge current withstand capability can be improved.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky
  • H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/861 - Diodes

72.

AUTOMATIC VENDING MACHINE SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020020251
Numéro de publication 2021/010018
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-22
Date de publication 2021-01-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakajima, Yusuke
  • Kotte, Yoshinobu

Abrégé

This automatic vending machine system is provided with an automatic vending machine and a settlement server. The automatic vending machine comprises a control unit for canceling sales and is configured to: store, as refund object list information, a transaction in which no merchandise has been dispensed because of the automatic vending machine not being able to verify settlement; and compare the refund object list information with settlement log information stored in the settlement server so as to cause the settlement server to process a refund.

Classes IPC  ?

  • G06Q 20/18 - Architectures de paiement impliquant des terminaux en libre service, des distributeurs automatiques, des bornes ou des terminaux multimédia
  • G06Q 30/06 - Transactions d'achat, de vente ou de crédit-bail
  • G07F 7/02 - Mécanismes actionnés par des objets autres que des pièces de monnaie pour déclencher ou actionner des appareils de vente, de location, de distribution de pièces de monnaie ou de papier-monnaie, ou de remboursement par des clés ou d'autres dispositifs enregistrant un crédit
  • G07F 9/00 - APPAREILS DÉCLENCHÉS PAR DES PIÈCES DE MONNAIE OU APPAREILS SIMILAIRES - Parties constitutives autres que celles particulières à des genres ou types particuliers d'appareils

73.

PHOTOSENSITIVE BODY FOR ELECTROPHOTOGRAPHY, METHOD FOR PRODUCING SAME AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE

      
Numéro d'application JP2019028090
Numéro de publication 2021/009872
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-17
Date de publication 2021-01-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki Shinjiro
  • Hasegawa Tomoki
  • Zhu Fengqiang

Abrégé

The present invention provides: a photosensitive body for electrophotography, which enables the achievement of a stable image with high sensitivity, while undergoing less wear even during long-term use and having excellent contamination resistance; a method for producing this photosensitive body for electrophotography; and an electrophotographic device. A photosensitive body for electrophotography, which is provided with a conductive base material and a photosensitive layer that is formed on the conductive base material, wherein the photosensitive layer has a crosslinked structure that is derived from a first hole transport material represented by general formula (1). In the formula, Za represents a polymerizable functional group represented by one of formulae (2) to (4); Zb represents a divalent group represented by one of formulae (5) to (7) (wherein s represents an integer from 1 to 6, and t represents an integer from 1 to 6); each of *1 and *2 in formulae (5) to (7) represents a bonding position; Zb is bonded with a phenyl group at the *2 side; and each of Ra to Rd represents an alkyl group, an alkoxy group, a phenyl group or a styryl group; l represents an integer of 0 or 1; m represents an integer from 0 to 5; each of n, o and p represents an integer from 0 to 4; and q represents an integer from 1 to 3.

Classes IPC  ?

  • G03G 5/06 - Couches photoconductrices; Couches de génération de charges ou couches de transport de charges; Additifs à cet effet; Liants à cet effet caractérisées par le fait que leur matériau photoconducteur est organique
  • G03G 5/05 - Matériaux de liaison organiques; Méthodes d'enduction d'un substrat avec une couche photoconductrice; Additifs inertes utilisables dans des couches photoconductrices

74.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020018838
Numéro de publication 2021/010000
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-11
Date de publication 2021-01-21
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kubouchi Motoyoshi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having a first conductivity-type drift region; an inner region including a second conductivity-type base region provided between an upper surface of the semiconductor substrate and the drift region; and a well region which has a doping concentration higher than that of the base region, is provided from the upper surface of the semiconductor substrate to a position deeper than a lower end of the base region, and is disposed sandwiching the inner region on the upper surface of the semiconductor substrate. The inner region has a length in a lengthwise direction defined in advance on the upper surface of the semiconductor substrate, and includes a plurality of trench portions reaching from the upper surface of the semiconductor substrate to the drift region. At least one of the trench portions is separated into two or more partial trenches in the lengthwise direction in a region not overlapping the well region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

75.

GRID INTERCONNECTION DEVICE AND SERVER

      
Numéro d'application JP2020026573
Numéro de publication 2021/006274
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-07-07
Date de publication 2021-01-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yin Songhao
  • Nagakura Takayuki

Abrégé

The present invention improves the voltage control accuracy of a grid interconnection device that supplies electrical power produced by a distributed power supply to an interconnection point. Provided is a grid interconnection device that supplies electrical power produced by a distributed power supply to an interconnection point, the grid interconnection device comprising: a calculation unit that calculates a voltage at the interconnection point on the basis of an output voltage of the grid interconnection device, an output current of the grid interconnection device, and an impedance component between the grid interconnection device and the interconnection point; and a control unit that controls output power from the grid interconnection device on the basis of the voltage at the interconnection point calculated by the calculation unit.

Classes IPC  ?

  • H02J 3/16 - Circuits pour réseaux principaux ou de distribution, à courant alternatif pour règler la tension dans des réseaux à courant alternatif par changement d'une caractéristique de la charge du réseau par réglage de puissance réactive
  • H02J 3/38 - Dispositions pour l'alimentation en parallèle d'un seul réseau, par deux ou plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

76.

DC POWER SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2020027063
Numéro de publication 2021/006340
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-07-10
Date de publication 2021-01-14
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kitano, Akihiro
  • Nagamitsu, Yoshinori

Abrégé

A control unit of this DC power supply device is configured to either simultaneously perform control to turn off a serial switching element and a conduction switch element, and then perform control to turn off a semiconductor switching element, or else perform control to turn off the serial switching element, the conduction switch element, and the semiconductor switching element in the given order.

Classes IPC  ?

  • H01H 33/59 - Circuits non adaptés à une application particulière de l'interrupteur et non prévus ailleurs, p.ex. pour assurer le fonctionnement de l'interrupteur en un point déterminé de la période du courant alternatif
  • H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
  • H02M 7/06 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge sans électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs sans éléctrode de commande

77.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020020808
Numéro de publication 2021/005903
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-26
Date de publication 2021-01-14
Propriétaire
  • FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY (Japon)
  • MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tawara, Takeshi
  • Mizushima, Tomonori
  • Matsunaga, Shinichiro
  • Takenaka, Kensuke
  • Takei, Manabu
  • Tsuchida, Hidekazu
  • Murata, Kouichi
  • Koyama, Akihiro
  • Nakayama, Koji
  • Sometani, Mitsuru
  • Yonezawa, Yoshiyuki
  • Kiuchi, Yuji

Abrégé

Provided is a silicon carbide semiconductor device (60) comprising: an active region (51); and a terminal structure (52) arranged outside the active region (51). The silicon carbide semiconductor device (60) comprises: a second conductive-type semiconductor substrate (1); a second conductive-type first semiconductor layer (2); a first conductive-type second semiconductor layer (4); a second conductive-type first semiconductor region (6); a first conductive-type second semiconductor layer (7); a gate insulating film (9); a gate electrode (10); a first electrode (11); and a second electrode (12). The second semiconductor layer (4) in the terminal structure (52) has an end part (T). Out of electron density and hole density of the end part (T) when being energized, the lesser density is 1×1015/cm3 or less.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

78.

UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2019026741
Numéro de publication 2021/002020
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-04
Date de publication 2021-01-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tamai, Yasuhiro

Abrégé

An uninterruptible power supply device 100 is provided with: a first detection unit 31a which is provided on an input side of a power conversion unit 5 and detects a first detection value Vba, which is the value of a voltage or a current; and a second detection unit 24 which is provided closer to an AC power supply 101 than the first detection unit 31a is, and which detects a second detection value Va, which is the value of a voltage or a current inputted to an uninterruptible power supply module 1a.

Classes IPC  ?

  • H02J 9/06 - Circuits pour alimentation de puissance de secours ou de réserve, p.ex. pour éclairage de secours dans lesquels le système de distribution est déconnecté de la source normale et connecté à une source de réserve avec commutation automatique
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

79.

SEMICONDUCTOR MODULE CIRCUIT STRUCTURE

      
Numéro d'application JP2020021619
Numéro de publication 2021/002132
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-01
Date de publication 2021-01-07
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Isozaki, Makoto
  • Takahashi, Seiichi

Abrégé

The purpose of the present invention is to suppress abnormal overheating of a circuit pattern while increasing current ratings. A semiconductor module (1) circuit structure is provided with: an insulating circuit board (3) comprising an insulating plate (30) with a circuit pattern (31) formed on an upper surface thereof; and a semiconductor element (4) disposed on an upper surface of the circuit pattern. The circuit pattern includes a straight portion (35a) extending in a predetermined direction, and a corner portion (35b) bent in a direction different from an extending direction of the straight portion. On an upper surface of the straight portion, a wiring member (W6) extending along the extending direction of the straight portion is disposed deviating toward an outer peripheral side of the corner portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails

80.

EXHAUST GAS TREATMENT APPARATUS AND SCRUBBER NOZZLE

      
Numéro d'application JP2020024825
Numéro de publication 2020/262459
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-24
Date de publication 2020-12-30
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hayashi Kazuki

Abrégé

Provided is an exhaust gas treatment apparatus provided with: a reaction tower to which exhaust gas is introduced and a liquid for treating the exhaust gas is supplied; and at least one jetting part which is provided inside the reaction tower and which jets the liquid, wherein the top of the jetting part has at least one groove or at least one projection. The at least one groove may be provided to extend from one end to the other end of the top of the jetting part.

Classes IPC  ?

  • B01D 53/18 - Unités d'absorption; Distributeurs de liquides
  • B01D 53/50 - Oxydes de soufre
  • B01D 53/78 - Procédés en phase liquide avec un contact gaz-liquide
  • B01D 53/92 - Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires des gaz d'échappement des moteurs à combustion
  • F01N 3/04 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement pour refroidir ou pour enlever les constituants solides des gaz d'échappement au moyen de liquides
  • F01N 3/08 - Silencieux ou dispositifs d'échappement comportant des moyens pour purifier, rendre inoffensifs ou traiter les gaz d'échappement pour rendre les gaz d'échappement inoffensifs
  • B05B 1/14 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage avec des filtres placés dans ou à l'extérieur de l'orifice de sortie

81.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application JP2020020635
Numéro de publication 2020/255640
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-25
Date de publication 2020-12-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakamori, Akira

Abrégé

This power conversion device is provided with: a semiconductor switching element that has a control electrode terminal and two main electrode terminals and controls a current flowing between the two main electrode terminals by means of a drive signal applied to the control electrode terminal; and a drive circuit that generates the drive signal in synchronization with an input signal and turns on/off the semiconductor switching element by means of the drive signal, wherein the drive circuit detects the current flowing between the two main electrodes at a timing when the semiconductor switching element is turned off, and reduces the drive capacity when the detected current reaches a certain value or less. Accordingly, dv/dt noise, when the semiconductor switching element that operates in a relatively small current region is switched, is reduced.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT

82.

INTEGRATED CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020021807
Numéro de publication 2020/255702
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-02
Date de publication 2020-12-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sugawara, Takato

Abrégé

Provided is an integrated circuit that switches a transistor, which controls an inductor current, on the basis of an output voltage, generated from an AC voltage, and the inductor current, which flows to an inductor to which is applied a rectified voltage from a rectifying circuit that rectifies the AC voltage. The integrated circuit comprises: a sample-and-hold circuit that samples and holds a voltage corresponding to the rectified voltage at a prescribed timing; an output circuit that outputs, on the basis of the voltage held by the sample-and-hold circuit, a limit voltage indicating a limit value for limiting the inductor current; and a first signal output circuit, which, on the basis of the limit voltage and a voltage corresponding to the inductor current, turns the transistor off when the current value of the inductor current becomes larger than the limit value.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 7/12 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

83.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020022499
Numéro de publication 2020/255773
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-08
Date de publication 2020-12-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hokazono Hiroaki
  • Kato Ryoichi

Abrégé

The present invention provides a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device that can prevent deterioration of a semiconductor chip and improve reliability. The present invention is provided with a first semiconductor chip (1) having a metal layer (1C) on a surface, a first wiring member (7) positioned in a manner opposing the metal layer (1C), sintered metal layers (4a, 4b) positioned between the metal layer (1C) and the first wiring member (7) and provided with a plurality of areas of high tensile strength and a plurality of areas of low tensile strength, and a metallic material (3) positioned inside the sintered metal layers (4a, 4b), the tensile strength in some of the areas of low tensile strength of the sintered metal layers (4a, 4b) being lower than the tensile strength of the metal layer (1C) of the first semiconductor chip (1).

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
  • H01L 21/603 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression

84.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020017826
Numéro de publication 2020/250582
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-04-24
Date de publication 2020-12-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Terashima, Kenshi

Abrégé

According to the present invention, it is possible to suppress a decrease in power cycle capacity. The present invention is provided with a semiconductor chip (30) including electrode regions (32a, 32b, 32c, 32d, 32e), and has a front surface (34) having active regions to which the output currents are output respectively from the electrode regions (32a, 32b, 32c, 32d, 32e). Further, the present invention is provided with at least one wire connected to each of the electrode regions (32a, 32b, 32c, 32d, 32e). Further, in the semiconductor device (10), a number of wires are connected such that the amount of current per unit number according to the position of the connected electrode regions (32a, 32b, 32c, 32d, 32e) is equal to or less than a predetermined value. Consequently, heat generation of the wire caused by the current flowing can be suppressed.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

85.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020014974
Numéro de publication 2020/235224
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-04-01
Date de publication 2020-11-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakagawa, Sho

Abrégé

A semiconductor device is provided which, even when the power supply voltage falls to a lower voltage, can maintain the power supply voltage at which a drive circuit operates. A drive circuit (30) for driving a main MOSFET (20) operates using as the power supply the potential difference between the voltage VCC of a power supply terminal (11) and the voltage of an internal ground generated by an internal ground generation circuit (40). The internal ground will not fall below a threshold voltage Vth of a MOSFET (42) that performs source-follower operation even if the voltage VCC decreases until a Zener diode (44) no longer breaks down, but, by a low-voltage detection circuit (50) detecting the decrease in the voltage VCC and switching on a pull-out reinforced MOSFET (60), the internal ground can be set to ground potential by being connected to a ground terminal (13) via an already-on MOSFET (43).

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H03K 19/00 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion

86.

TRIMMING CIRCUIT AND TRIMMING METHOD

      
Numéro d'application JP2020015432
Numéro de publication 2020/235233
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-04-03
Date de publication 2020-11-26
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Iwamizu Morio

Abrégé

Provided is a trimming circuit for outputting a voltage in response to the presence/absence of a blown fusible resistor, the trimming circuit comprising: a fusible resistor formed by a polysilicon layer disposed on a semiconductor substrate with an insulating layer intervening; a pad for trimming use, connected to one end of the fusible resistor; an output terminal which is electrically connected to a connection node between the fusible resistor and the pad and which outputs a voltage according to whether the fusible resistor has been blown; and a diode which is formed on the semiconductor substrate and one end of which is connected to the other end of the fusible resistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 21/82 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN

87.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020014219
Numéro de publication 2020/230465
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-27
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO.,LTD. (Japon)
Inventeur(s) Toyoda Yoshiaki

Abrégé

A semiconductor integrated circuit according to the present invention comprises: first-conductive-type semiconductor substrates (1, 2); a lower surface electrode 29 which is provided on a lower surface of the semiconductor substrates (1, 2) and to which a first potential is applied; a second-conductive-type first well (8) which is provided on an upper surface side of the semiconductor substrates (1, 2) and to which is applied a second potential that is lower than the first potential; a first-conductive-type n-well 9 provided inside the p-well 8; and an edge structure 201 which is provided to the p-well 8, and which supplies a third potential, that is higher than the second potential, to the n-well 9.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/866 - Diodes Zener

88.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020019546
Numéro de publication 2020/230900
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-15
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Takishita Hiroshi
  • Yoshimura Takashi
  • Meguro Misaki
  • Nemoto Michio

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate having an N-type region, wherein the N-type region is a region including a depthwise central position of the semiconductor substrate, the N-type region including an acceptor with a concentration of not less than 0.001 times a carrier concentration in the central position. A semiconductor device may be manufactured by a manufacturing method comprising a preparation step for preparing a P-type semiconductor substrate, and a first inverting step for forming an N-type region including a depthwise central position of the semiconductor substrate by injecting an N-type impurity into the P-type semiconductor substrate and then performing thermal treatment.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

89.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD

      
Numéro d'application JP2020006920
Numéro de publication 2020/217683
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-02-20
Date de publication 2020-10-29
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Obata Tomoyuki

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate including oxygen, wherein the oxygen concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate has, toward an upper-surface side relative to the center in the depth direction of the semiconductor substrate, a high-oxygen-concentration section in which the oxygen concentration is higher than the oxygen concentration toward the lower surface of the semiconductor substrate. The high-oxygen-concentration section may have a concentration peak in the oxygen concentration distribution. The density distribution of crystal defects in the depth direction of the semiconductor substrate has an upper-surface-side density peak on the upper-surface side of the semiconductor substrate, and the upper-surface-side density peak may be disposed in a depth range in which the oxygen concentration is 50% or more of the peak value in the concentration peak.

Classes IPC  ?

  • C30B 13/00 - Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone
  • C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
  • H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • C30B 29/06 - Silicium

90.

UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application JP2019030906
Numéro de publication 2020/213183
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-06
Date de publication 2020-10-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Oki, Shota
  • Kimizu, Takuya

Abrégé

An uninterruptible power supply device that comprises an input line into which alternating-current power is inputted from an alternating-current power supply that has a grounded neutral point, a converter that converts the alternating-current power of the input line to direct-current power and outputs the direct-current power to an intermediate line, a power storage unit that is connected to the intermediate line, an inverter that converts the direct-current power of the intermediate line to alternating-current power and outputs the alternating-current power to an output line, a grounding capacitor that is connected between the input line and ground, a phase voltage detection unit that detects the phase voltage between the input line and ground, and a control unit that, by monitoring changes in the phase voltage detected by the phase voltage detection unit, detects failures that cause abnormal current to flow through the input line.

Classes IPC  ?

  • H02J 9/06 - Circuits pour alimentation de puissance de secours ou de réserve, p.ex. pour éclairage de secours dans lesquels le système de distribution est déconnecté de la source normale et connecté à une source de réserve avec commutation automatique
  • H02H 3/16 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un courant de défaut à la terre ou à la masse

91.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD

      
Numéro d'application JP2020006938
Numéro de publication 2020/213254
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-02-20
Date de publication 2020-10-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yoshida Soichi

Abrégé

Provided is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate and an emitter electrode provided over an upper surface of the semiconductor substrate. The semiconductor substrate includes: a drift region of a first conductivity type; a base region of a second conductivity type provided between the drift region and the upper surface of the semiconductor substrate; a contact region of the second conductivity type provided between the base region and the upper surface of the semiconductor substrate and having a doping concentration higher than that of the base region; a trench contact of a conductive material connected to the emitter electrode and provided through the contact region; and a high-concentration plug region of the second conductivity type provided in contact with a bottom portion of the trench contact and having a doping concentration higher than that of the contact region.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée

92.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND SWITCHING CONTROL METHOD

      
Numéro d'application JP2020015011
Numéro de publication 2020/213399
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-04-01
Date de publication 2020-10-22
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Endo, Yuta
  • Shiroyama, Hironobu
  • Hiasa, Nobuyuki
  • Yamane, Hiroki

Abrégé

Provided is a switching control circuit which switches transistors that control an inductance current on the basis of an inductor current which flows to an inductor to which an input voltage is applied, and an output voltage which is generated from the input voltage. The switching control circuit comprises: a first error voltage output circuit which, when a first signal indicating that the switching control circuit is used in a non-insulated first power supply circuit is input, outputs a first error voltage according to the error between a first level and the level of the output voltage, on the basis of a reference voltage and a feedback voltage according to the output voltage; a second error voltage output circuit which, when a second signal indicating that the switching control circuit is used in an insulated second power supply circuit is input, outputs a second error voltage on the basis of an error signal according to the error between a second level and the level of the output voltage; and a drive circuit which, when the switching control circuit is used in a first power supply circuit, switches transistors on the basis of the inductor current and the first error voltage, and when the switching control circuit is used in the second power supply circuit, switches the transistors on the basis of the inductor current and the second error voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire

93.

DRIVE CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020007309
Numéro de publication 2020/202898
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-02-25
Date de publication 2020-10-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

This drive circuit is provided with: a set-side level shift circuit which outputs a level-shifted set signal from a set-side output node; a reset-side level shift circuit which outputs a level-shifted reset signal from a reset-side output node; a mask signal generation circuit which, when the voltage of one of the set-side output node and the reset-side output node changes, outputs a mask signal for a period shorter than an output period for the level-shifted set signal and an output period for the level-shifted reset signal; and a control circuit which outputs, to a power device while the mask signal is inputted, a drive signal corresponding to a state where the mask signal has not yet been inputted, outputs a drive signal to turn off the power device when the level-shifted reset signal is inputted after the mask signal has been inputted, and outputs a drive signal to turn on the power device when the level-shifted set signal is inputted after the mask signal has been inputted.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ

94.

CASH HANDLING APPARATUS

      
Numéro d'application JP2020007836
Numéro de publication 2020/202927
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-02-26
Date de publication 2020-10-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Chikuni, Kazuya
  • Nakanishi, Shinya
  • Fukushima, Yoshiyuki
  • Taniguchi, Yoshihiro

Abrégé

This cash handling apparatus 1 has cash handling units (20, 50) provided to be insertable and removable from an apparatus body 10, and the cash handling units comprise: lock levers (42, 62) that are provided to be able to swing between a non-engaged state and a non-engagement orientation with the apparatus body 10, and that are biased by a biasing means (47, etc.) to be in an engagement orientation; manual operation sections (43, 63) that allow the lock lever to normally be in the engagement orientation, and that swing the lock lever from the engagement orientation to the non-engagement orientation when unlock operation input is performed; and automatic operation sections (44, 64) that allow the lock lever to normally be in the engagement orientation, and that swing the lock lever from the engagement orientation to the non-engagement orientation with solenoids (441, 642) in an electrically conductive state when given an unlock command.

Classes IPC  ?

  • G07D 11/40 - Architecture des dispositifs, p.ex. construction modulaire
  • G07D 11/26 - Entretien, réparation ou traitement des anomalies, p.ex. des coupures de courant ou du vandalisme
  • G07G 1/00 - Caisses enregistreuses

95.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application JP2020009109
Numéro de publication 2020/203001
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-04
Date de publication 2020-10-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Tadahiko
  • Satou, Kenichirou

Abrégé

A semiconductor module formed by connecting a SiC-MOSFET and an IGBT formed from a Si semiconductor material in parallel, wherein defect growth caused by electrification of the SiC-MOSFET body diode is suppressed without increasing the number of chips or the volume of the module. The IGBT connected in parallel with the SiC-MOSFET (11) is constituted by an RC-IGBT (12) in which an IGBT (13) and a flyback diode (14) are integrated into a single chip. The forward voltage of the flyback diode (14) is less than or equal to a forward voltage corresponding to the current at which lattice defects grow in a body diode (11a) of the SiC-MOSFET (11). As a result, when current flows through the semiconductor module (10) in the reverse direction, the current flows through the flyback diode (14), thereby suppressing defect growth in the SiC-MOSFET (11).

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

96.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT, POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application JP2020003658
Numéro de publication 2020/202760
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-01-31
Date de publication 2020-10-08
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsumoto, Shinji

Abrégé

This switching power supply circuit includes: a transformer (24) that includes a primary coil, a secondary coil, and an auxiliary coil (L4); and transistors (22-23) connected to the primary coil. This switching control circuit (40) operates on the basis of voltage from the auxiliary coil (L4), and controls switching of the transistors (22-23) to generate output voltage (Vout) of a target level. The switching circuit (40) includes: a determination circuit (74) that determines movement to a burst mode on the basis of whether a load to which the output voltage (Vout) is applied is a light load; a timing circuit (103) that times the stopping time over which switching of the transistors (22-23) is stopped during operation in the burst mode; and a control circuit (104) that performs control so that the stopping time decreases when the stopping time is longer than a first time (T1).

Classes IPC  ?

  • H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire

97.

COIN PROCESSING DEVICE

      
Numéro d'application JP2020002792
Numéro de publication 2020/189023
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-01-27
Date de publication 2020-09-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ooiwa, Takeshi
  • Shibata, Yoshito
  • Onzuka, Shojiro
  • Tomita, Kazuhiro

Abrégé

A coin processing device 10 comprising a coin inspection part 21a that determines the authenticity and the denomination of deposited coins, a temporary holding part 22 that temporarily holds the coins determined to be authentic by the coin inspection part 21a, a sorting part 23 that sorts the coins by denomination when the coins temporarily held in the temporary holding part 22 have been conveyed to the sorting part 23, a plurality of storage boxes 24 that store, by denomination, the coins sorted by the sorting part 23, and a dispensing conveyance part 25 that conveys coins delivered from the storage boxes 24, the coin processing device 10 storing the coins deposited and determined to be authentic in the storage boxes 24 and dispensing the coins stored in any given storage box 24 in accordance with a dispensing instruction, wherein the plurality of storage boxes 24 are provided vertically in a plurality of levels.

Classes IPC  ?

  • G07D 11/00 - Dispositifs acceptant des pièces de monnaie; Dispositifs acceptant, distribuant, triant ou comptant des papiers de valeur
  • G07D 11/10 - Dispositifs acceptant des pièces de monnaie; Dispositifs acceptant, distribuant, triant ou comptant des papiers de valeur - Détails mécaniques

98.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2020003773
Numéro de publication 2020/189053
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-01-31
Date de publication 2020-09-24
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida Soichi
  • Sato Kenichiro

Abrégé

The present invention makes it possible to ensure an area wherein elements such as transistors can be positioned in a semiconductor device. Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; an emitter electrode comprising at least two partial electrodes which are positioned with a gap therebetween in plan view on the semiconductor substrate; and an active-side gate wiring and an active-side dummy wiring which are positioned sandwiched between the two partial electrodes. The semiconductor substrate comprises: a gate trench part which is connected to the active-side gate wiring and has a long side in a first direction in plan view; and a dummy trench part which is connected to the active-side dummy wiring and has a long side in the first direction. The entirety of either the active-side gate wiring or the active-side dummy wiring in the first direction is covered by the other of a gate wiring part or a dummy wiring part.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

99.

VENDING MACHINE SYSTEM

      
Numéro d'application JP2020001928
Numéro de publication 2020/183913
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-01-21
Date de publication 2020-09-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kotte, Yoshinobu
  • Nakajima, Yusuke
  • Muto, Kenji
  • Sugino, Kazuhiko

Abrégé

This vending machine system 100 is configured such that, if a product dispensing by a product dispensing unit 12b of a vending machine 10 is not properly carried out, a refund process of the sale amount of the product is carried out to a user of the vending machine 10 on a payment server 30 connected to the vending machine 10 via a network 40.

Classes IPC  ?

  • G07F 9/00 - APPAREILS DÉCLENCHÉS PAR DES PIÈCES DE MONNAIE OU APPAREILS SIMILAIRES - Parties constitutives autres que celles particulières à des genres ou types particuliers d'appareils

100.

POWER MODULE AND LEVEL CONVERSION CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application JP2020003479
Numéro de publication 2020/183966
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-01-30
Date de publication 2020-09-17
Propriétaire FUJI ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Akahane, Masashi

Abrégé

According to the present invention, a timing at which the drive capability of a drive element is switched is synchronized between a plurality of drive devices, and an effect of reducing switching noise and switching loss is enhanced overall. An IPM (2) connects a U-phase drive device (3), a V-phase drive device (4), and a W-phase drive device (5) with a synchronous bridge circuit (6). Here, the drive capability is switched by a high-side control circuit (12) of the U-phase drive device (3), and a notification of switching timing is provided to the synchronous bridge circuit (6) via a bus (MHBus_U). The synchronous bridge circuit (6) provides the notification of the timing to a low-side control circuit (14) of the U-phase drive device (3) and high-side control circuits and low-side control circuits of the V-phase drive device (4) and the W-phase drive device (5), and switches the drive capabilities all at once. Accordingly, there is no imbalance in the drive capabilities between the phases, so that the effect of reducing the switching noise and the switching loss can be improved.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
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