Richtek Technology Corp.

Taïwan, Province de Chine

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Type PI
        Brevet 528
        Marque 21
Juridiction
        États-Unis 542
        Europe 7
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 9
2024 avril (MACJ) 7
2024 mars 5
2024 février 3
2024 janvier 4
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Classe IPC
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation 111
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs 87
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique 60
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques 46
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs 45
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Classe NICE
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 15
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception 13
Statut
En Instance 98
Enregistré / En vigueur 451
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1.

POWER CONVERTER AND CONTROL METHOD FOR POWER CONVERTER

      
Numéro d'application 18145267
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-22
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Jung-Sheng
  • Chuang, Chih-Chun
  • Lee, Yong-Chin

Abrégé

A power converter that properly copes with the wiring defects on a feedback path is shown. According to a control signal, a power driver couples an input voltage to an energy storage element to provide an output voltage that is down-converted from the input voltage. The output voltage is further converted into a feedback voltage by a feedback circuit, and is entered to an error amplifier with a reference voltage for generation of an amplified error. A control signal generator generates the control signal of the power driver according to the amplified error. The power converter specifically has a comparator, which is enabled in a soft-start stage till the output voltage reaches a stable status. The comparator compares the amplified error with a critical value. When the amplified error exceeds the critical value, the input voltage is disconnected from the energy storage element.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H03K 3/037 - Circuits bistables

2.

RESONANT FLYBACK POWER CONVERTER AND SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18335195
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-15
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Yu-Chang
  • Yang, Ta-Yung
  • Lin, Kun-Yu
  • Syu, Fu-Ciao
  • Yang, Chia-Hsien
  • Wu, Hsin-Yi

Abrégé

A switching control circuit for use in controlling a resonant flyback power converter generates a first driving signal and a second driving signal. The first driving signal is configured to turn on the first transistor to generate a first current to magnetize a transformer and charge a resonant capacitor. The transformer and charge a resonant capacitor are connected in series. The second driving signal is configured to turn on the second transistor to generate a second current to discharge the resonant capacitor. During a power-on period of the resonant flyback power converter, the second driving signal includes a plurality of short-pulses configured to turn on the second transistor for discharging the resonant capacitor. A pulse-width of the short-pulses of the second driving signal is short to an extent that the second current does not exceed a current limit threshold.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

3.

CLASS-D AMPLIFIER CIRCUIT

      
Numéro d'application 18468727
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-17
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Chen, Yi-Kuang

Abrégé

A class-D amplifier circuit includes an amplifier circuit, a PWM circuit, a power stage circuit, a pair of feedback circuits, and a common-mode control circuit. The amplifier circuit receives a differential input signal at differential input ends to generate a differential intermediate signal. The PWM circuit generates a PWM signal according to the differential intermediate signal. The power stage circuit generates a differential output signal at differential output ends according to the PWM signal. The common-mode control circuit controls first and second high bandwidth transconductance circuits according to the output common-mode voltage of the differential output signal, so as to generate first and second common-mode control currents, thereby providing a common-mode control signal at the differential input ends to regulate the input common-mode voltage of the differential input signal at a predetermined input common-mode level.

Classes IPC  ?

  • H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
  • H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe D; Amplificateurs à commutation

4.

SWITCHING REGULATOR AND OPERATION CLOCK SIGNAL GENERATOR CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18471331
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-21
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chang, Chia-Jung
  • Chang, Shao-Ming
  • Wang, Tsan-He
  • Wang, Jiing-Horng
  • Tseng, Yu-Pin

Abrégé

A switching regulator includes: a power stage circuit; a control circuit; and an operation clock signal generator circuit configured to generate plural test clock signals during a clock determination period and generate an operation clock signal during a normal operation period. When the switching regulator operates during the clock determination period in a discontinuous conduction mode, the control circuit alternatingly generates plural PWM signals corresponding to the test clock signals generated by the operation clock signal generator circuit and an output voltage, wherein each PWM signal corresponds to one test clock signal, so that the power stage circuit generates corresponding phase node voltages at a phase node, wherein among the plural test clock signals, the operation clock signal generator circuit selects one test clock signal corresponding to a minimum phase node voltage as the operation clock signal during the normal operation period.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

5.

RESONANT FLYBACK POWER CONVERTER AND SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18298340
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-10
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lin, Kun-Yu
  • Yang, Ta-Yung
  • Chen, Yu-Chang
  • Wu, Hsin-Yi
  • Syu, Fu-Ciao
  • Yang, Chia-Hsien

Abrégé

A resonant flyback power converter includes: a first and a second transistors which form a half-bridge circuit for switching a transformer and a resonant capacitor to generate an output voltage; a current-sense device for sensing a switching current of the half-bridge circuit to generate a current-sense signal; and a switching control circuit generating a first and a second driving signals for controlling the first and the second transistors. The turn-on of the first driving signal controls the half-bridge circuit to generate a positive current to magnetize the transformer and charge the resonant capacitor. The turn-on of the second driving signal controls the half-bridge circuit to generate a negative current to discharge the resonant capacitor. The switching control circuit turns off the first transistor when the positive current exceeds a positive-over-current threshold, and/or, turns off the second transistor when the negative current exceeds a negative-over-current threshold.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

6.

RESONANT FLYBACK POWER CONVERTER AND SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18300458
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-14
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Yu-Chang
  • Yang, Ta-Yung
  • Lin, Kun-Yu
  • Wu, Hsin-Yi

Abrégé

A resonant flyback power converter includes: a first transistor and a second transistor which are configured to switch a transformer and a resonant capacitor for generating an output voltage; and a switching control circuit generating first and second driving signals for controlling the first and the second transistors. The turn-on of the first driving signal magnetizes the transformer. The second driving signal includes a resonant pulse having a resonant pulse width and a ZVS pulse during the DCM operation. The resonant pulse is configured to demagnetize the transformer. The resonant pulse has a first minimum resonant period for a first level of the output load and a second minimum resonant period for a second level of the output load. The first level is higher than the second level and the second minimum resonant period is shorter than the first minimum resonant period.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

7.

RESONANT FLYBACK POWER CONVERTER AND SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18300530
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-14
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Yu-Chang
  • Yang, Ta-Yung
  • Lin, Kun-Yu
  • Wu, Hsin-Yi

Abrégé

A resonant flyback power converter includes: a first transistor and a second transistor which are configured to switch a transformer and a resonant capacitor for generating an output voltage; and a switching control circuit generating first and second driving signals for controlling the first and the second transistors. The turn-on of the first driving signal magnetizes the transformer. During a DCM (discontinuous conduction mode) operation, the second driving signal includes a resonant pulse for demagnetizing the transformer and a ZVS (zero voltage switching) pulse for achieving ZVS of the first transistor. The resonant pulse is skipped when the output voltage is lower than a low-voltage threshold.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

8.

NATIVE NMOS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18462803
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-07
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lin, Ying-Shiou
  • Weng, Wu-Te
  • Hu, Yong-Zhong

Abrégé

A native NMOS device includes: a P-type epitaxial layer, a first and a second insulation region, a first P-type well, a second P-type well, a gate, an N-type source, and an N-type drain. The P-type epitaxial layer has a first concentration of P-type doped impurities. The first P-type well completely encompasses and is in contact with a lower surface of the N-type source. The second P-type well completely encompasses and is in contact with a lower surface of the N-type drain. Each of the first P-type well and the second P-type well has a second concentration of P-type doped impurities, and the second concentration of P-type doped impurities is higher than the first concentration of P-type doped impurities. The second concentration of P-type doped impurities is sufficient for preventing a leakage current from flowing between the N-type drain and the P-type substrate while the native NMOS device is in operation.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

9.

SWITCHING POWER CONVERTER CIRCUIT AND CONVERSION CONTROL CIRCUIT AND METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18453586
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-22
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Cheng, Hung-Yu
  • Yang, Wan-Hsuan
  • Wu, Chi-Hsun

Abrégé

A conversion control circuit is configured to generate a PWM (pulse width modulation) signal to control a power switch for switching an inductor to convert an input voltage to an output voltage. The steps of generating the PWM signal includes: enabling the PWM signal at a rising edge of a clock signal to turn on the power switch; disabling the PWM signal to turn off the power switch when an on-time exceeds a predetermined minimum on-time and the output voltage has reached an output level; triggering a next rising edge of the clock signal when the off-time exceeds a predetermined minimum off-time, the output voltage has not reached the output level, and a present cycle period of the clock signal has reached a predetermined cycle period.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H03K 7/08 - Modulation de durée ou de largeur

10.

PACKAGE STRUCTURE USING SEMICONDUCTOR CHIP TO SEPARATE DIFFERENT POTENTIALS

      
Numéro d'application 18060086
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-30
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lin, Lung-Sheng
  • Huang, Chih-Feng
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

A package structure includes a first carrier, a second carrier, and a first electronic device. The first carrier is electrically connected to a first voltage. The second carrier includes a first substrate and a first interconnect structure. The first substrate is in contact with the first carrier, the first interconnect structure is electrically connected to a second voltage, and the first interconnect structure and the first carrier are deposited on two opposite sides of the first substrate. The first electronic device is deposited on the first interconnect structure and away from the first carrier. The first electronic device is in contact with the first interconnect structure.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs

11.

BATTERY BALANCING SYSTEM AND BATTERY BALANCING CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 18357141
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-23
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chou, Chung-Jen
  • Huang, Chien-Chin
  • Tseng, Shih-Hsin

Abrégé

A battery balancing system includes a voltage sensing unit, a characteristic voltage selector and a control unit. The voltage sensing unit senses a battery voltage of each of the batteries connected in series in a battery group and generates corresponding battery voltage sensing signals. The characteristic voltage selector generates a characteristic voltage according to the battery voltage sensing signals. The control unit compares the characteristic voltage with a threshold voltage in a balance operation mode, to adaptively adjust the threshold voltage, and compares the battery voltage sensing signal with the adjusted threshold voltage to generate a battery balancing command, thereby executing a charge removal balancing command or a charge supplying balancing command on the corresponding battery, or thereby cease executing the charge removal balancing command or cease executing the charge supplying balancing command on the corresponding battery.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

12.

Battery Pack and Current Monitoring Method Thereof

      
Numéro d'application 18132427
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-10
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Hou, Hsu-Kai
  • Lee, Po-Ching
  • Wu, Tseng-Chuan

Abrégé

A battery pack includes a group of cells, a current path switch coupled to the group of cells, and a current monitoring system. The current monitoring system includes a signal detection unit, a logic unit and a current path control unit. The signal detection unit is coupled to the group of cells and/or a positive terminal of the battery pack, and used to detect at least one voltage signal of the group of cells and/or of the positive terminal of the battery pack. The logic unit is coupled to the signal detection unit, and used to generate a calculated value of a voltage signal of the at least one voltage signal and generate a logic signal according to the calculated value. The current path control unit is coupled to the logic unit and the current path switch, and used to control the current path switch according to the logic signal.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/3842 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge combinant des mesures de tension et de courant
  • H01M 50/204 - Bâtis, modules ou blocs de multiples batteries ou de multiples cellules

13.

ELECTRONIC DEVICE FOR SELF-TESTING PERIOD OF CLOCK SIGNAL AND MONITORING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18165490
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-07
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Lai, Fu-Shiang

Abrégé

An electronic device is provided, which includes an oscillator, a controller, and a test circuit. The oscillator generates a clock signal according to an enable signal. The oscillator determines a period of the clock signal according to an adjustment signal. The controller generates the enable signal and generates a first test signal according to the clock signal. The controller determines the period according to a first comparison signal and a second comparison signal. The test circuit, through the first test signal, tests the period to generate the first comparison signal and the second comparison signal.

Classes IPC  ?

14.

SWITCHING REGULATOR AND CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18358037
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-25
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yu, Pao-Hsun
  • Yang, Shei-Chie
  • Mai, Yuan-Yen
  • Hsu, Cheng-Hung

Abrégé

A switching regulator includes a boost power stage circuit and a control circuit. The boost power stage circuit includes: at least one power switch configured to switch a terminal of an inductor according to an operation signal during a normal operation period, such that the terminal of the inductor is switched between an output voltage and ground level; and a power line switch connected in series to the inductor between the input voltage and the output voltage. The power line switch is turned OFF when the output voltage is short to ground level, to prevent a short current from flowing from input voltage to ground level. The control circuit generates the operation signal according to the output voltage and determines whether the power line switch is P-type or N-type MOS device, so as to turn OFF the power line switch when the output voltage is short to ground level.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

15.

RESONANT SWITCHED CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18449182
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-14
Date de la première publication 2024-02-29
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung
  • Chang, Wei-Hsu
  • Chen, Chao-Chi

Abrégé

The present invention provides a resonant switched capacitor voltage converter (RSCC), which is coupled to and operates synchronously with another RSCC. The RSCC includes: plural switches, a resonant inductor, a resonant capacitor, and a control circuit. The control circuit controls the switches, so that the resonant capacitor and the resonant inductor are connected in series to each other, to perform resonant operation in a switching period, thus converting an input voltage to an output voltage. The control circuit generates a zero current signal and a first synchronization signal when a resonant inductor current flowing through the resonant inductor is zero. The control circuit turns off at least one corresponding switch according to the zero current signal. The control circuit turns on at least one corresponding switch according to the zero-current signal and a second synchronization signal, so that the RSCC operates in synchronization with at least another RSCC.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

16.

CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR USE IN STACKABLE MULTIPHASE POWER CONVERTER

      
Numéro d'application 18186973
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-21
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yang, Ta-Yung
  • Chang, Wei-Hsu
  • Liu, Kuo-Chi
  • Chen, Chao-Chi

Abrégé

A conversion control circuit controls plural stackable sub-converters which are coupled in parallel to generate an output power to a load, the conversion control circuit includes: a current sharing terminal, wherein a current sharing signal is configured to be connected to the current sharing terminals, in parallel, of the plurality of the conversion control circuits; and a current sharing circuit, configured to generate or receive the current sharing signal which is generated according to an output current of the output power; wherein the conversion control circuit adjusts the power stage circuit according to the current sharing signal for current sharing among the plural stackable sub-converters.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle

17.

CURRENT SENSE AMPLIFIER CIRCUIT AND TRIMMING METHOD OF OFFSET REFERRED TO INPUT VOLTAGE

      
Numéro d'application 18365200
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-03
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chiang, Chia-Tseng
  • Li, Hao-Yu

Abrégé

A current sensing amplifier circuit includes: an amplifier configured to generate an output voltage correlated with a current to-be-sensed according to a first input voltage at a first input end and a second input voltage at a second input end in a normal operation mode; and a current source circuit configured to generate a trimming current according to the first input voltage and a reference voltage in a trimming mode and to provide the trimming current to trim an offset referred to input (RTI) voltage generated by the current sensing amplifier circuit in the normal operation mode. The current source circuit is coupled between: a first resistor and a non-inverting input end, a second resistor and the output voltage, a third resistor and the non-inverting input end, or a fourth resistor and an inverting input end.

Classes IPC  ?

18.

HIGH EFFICIENCY BOOST POWER FACTOR CORRECTION CIRCUIT HAVING SHARED PIN AND CONVERSION CONTROL CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 18349160
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-09
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Hsu, Shih-Ho
  • Lin, Kun-Yu
  • Chang, Wei-Hsu

Abrégé

A boost power factor correction circuit includes: a switch and an inductor coupled to each other; a current sensing device generating a current sensing signal according to a current flowing through the switch; a temperature sensing device coupled to the inductor to generate a temperature sensing signal; and a conversion control circuit operating the switch. The conversion control circuit is an integrated circuit and includes: a shared pin coupled to the temperature sensing device and the current sensing device; and a current sensing circuit and a temperature sensing circuit which sense a multipurpose sensing signal through the shared pin. The multipurpose sensing signal is related to the current sensing signal when the switch is ON and related to the temperature sensing signal when the switch is OFF. The temperature sensing signal is related to an input voltage, an output voltage and an electrical parameter of the temperature sensing device.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation

19.

INTEGRATED STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SHARED CONTACT PLUG AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18314684
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-09
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Tsai, Chin-Chin
  • Tai, Han-Chung
  • Hu, Yong-Zhong

Abrégé

An integrated structure of semiconductor devices having a shared contact plug includes: a first device, a second device and a shared contact plug. The first device includes a first gate having a conduction region, two spacer regions and a protection region. The two spacer regions overlay and are connected with two ends of the conductive region, respectively. The protection region overlays and is connected with the spacer region located outside a shared side of the conductive region. The second device includes a shared region, wherein the shared region is located in a semiconductor layer which is located below and outside the protection region. The shared contact plug is formed on and in contact with the conductive region and the shared region. The first gate is electrically connected with the shared region through the shared contact plug, wherein the shared contact plug overlays and is connected with the protection region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/40 - Electrodes

20.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PAD STRUCTURE RESISTANT TO PLASMA DAMAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18186974
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-21
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Weng, Wu-Te
  • Hu, Yong-Zhong

Abrégé

A semiconductor device with a pad structure resistant to plasma damage includes: a main pad portion including main conductor units and main via units; a sub-pad portion including sub-conductor units and sub-via units; a pad bonding unit in direct contact with and in connection with a top main conductor unit, wherein the top main conductor unit is the main conductor unit formed in a top metal layer; and a bridge pad unit in direct contact with a top sub-conductor unit, wherein the top sub-conductor unit is the sub-conductor unit formed in the top metal layer. The bridge pad unit is in direct contact with the pad bonding unit. The main pad portion and sub-pad portion are located below the pad bonding unit and bridge pad unit respectively, and the main pad portion and the sub-pad portion are not in direct connection with each other.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

21.

HIGH VOLTAGE DEVICE HAVING MULTI-FIELD PLATES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18299074
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-12
Date de la première publication 2024-01-04
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Tai, Han-Chung

Abrégé

A high voltage device having multi-field plates, includes: a semiconductor layer; a well; a body region; a source and a drain; a gate; a resist protection oxide region, formed on a top surface of the semiconductor layer, in connection with the top surface, and located above a drift region and in connection with the drift region; and plural field plates formed above the resist protection oxide region, wherein the plural field plates are arranged in parallel with the gate along a width direction and the plural field plates are not directly connected with one another and are arranged in parallel with one another, wherein the field plates are located above the resist protection oxide region in a vertical direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

22.

HIGH EFFICIENCY POWER SUPPLY SYSTEM HAVING MULTIPLE PORTS

      
Numéro d'application 18321755
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-22
Date de la première publication 2024-01-04
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Jheng, Sin-Sian
  • Lin, Jiun-Jang

Abrégé

A power supply system providing a power conversion function for a system circuit includes first, second and third convertor circuits respectively including plural switches and first, second and third inductors. The first and second convertor circuits are coupled to first and second power supplies respectively through first and second ports of the system circuit. A third power supply is coupled to a battery module and an internal load circuit. The plural switches are configured to correspondingly switch the first to third inductors to perform power conversion between the first to third power supplies and an internal power bus of the system circuit. The voltage of the internal power bus is configured to be higher than any voltage of the first to third power supplies, such that a current of the internal power bus is lower than a third current of the third power supply.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

23.

Enhancement High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

      
Numéro d'application 18164571
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-04
Date de la première publication 2023-12-28
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Tai, Han-Chung

Abrégé

A high electron mobility transistor includes: a substrate; a first gallium nitride (GaN) layer, which is formed on the substrate; a first aluminum gallium nitride (AlGaN) layer, which is formed on and in contact with the first GaN layer, wherein the first AlGaN layer has a trench; two insulation sidewalls, which are in contact with and completely overlay two inner sidewalls of the trench, respectively; a P-type GaN layer, which is formed on and in contact with the first AlGaN layer, wherein a part of the P-type GaN layer fills into the trench; a gate, which is formed on and in contact with the P-type GaN layer, and is configured to receive a gate voltage, for turning ON or OFF the enhancement HEMT; and a source and a drain, which are located outside two sides of the gate, respectively.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

24.

MANUFACTURING METHOD OF INTEGRATED STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SPLIT GATE

      
Numéro d'application 17899609
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-30
Date de la première publication 2023-12-14
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Tsai, Chin-Chin

Abrégé

A manufacturing method of an integrated structure of semiconductor devices having split gates includes: forming a first silicon nitride layer covering a low voltage device and a high voltage device; etching back the first silicon nitride layer by an etching process step to form a residue silicon nitride region between two adjacent low voltage gates; forming a silicon oxide layer, a second silicon nitride layer, and a metal layer; forming two split gates by an etching process step; forming a contact etch stop layer (CESL); etching the CESL by an etching process step to form plural contacts in the CESL, wherein the contact between the two adjacent low voltage gates exposes at least part of a top surface of a common low voltage source on a substrate; and forming plural conductive plugs in the plural contacts respectively, wherein each of the conductive plug fills up the corresponding contact.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

25.

SWITCHED CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT AND CONTROL METHOD OF SWITCHED CAPACITOR CONVERTER

      
Numéro d'application 18312512
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-04
Date de la première publication 2023-12-07
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung
  • Chang, Wei-Hsu

Abrégé

A switched capacitor voltage converter circuit for converting a first voltage to a second voltage includes: an output capacitor; a switched capacitor converter; and a control circuit. The switched capacitor converter includes: a switch circuit including fourth switches; an inductor coupled between the switch circuit and the output capacitor; and a flying capacitor coupled to the switch circuit, wherein the flying capacitor and the output capacitor constitute a voltage divider. The control circuit generates a PWM signal according to the second voltage and generates switch signals according to the PWM signal to control the switch circuit, so as to convert the first voltage to the second voltage. The control circuit decides whether the switched capacitor converter operates in a boundary conduction mode, a discontinuous conduction mode or a continuous conduction mode according to an output current or an output current related signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

26.

REDUCING OUTPUT RIPPLE VOLTAGE OF MULTIPLE SWITCHED CAPACITOR CIRCUITS BY REDUCING OVERLAPPING OF DEAD TIME

      
Numéro d'application 18315643
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-11
Date de la première publication 2023-11-23
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Ko, Chien-Tzu
  • Lin, Jiun-Jang
  • Huang, Yong-Hong
  • Li, Jhen-Yu
  • Huang, Tsung-Wei
  • Fan, Sheng-Kai

Abrégé

An electronic circuit includes a first switched capacitor circuit and a second switched capacitor circuit. The first switched capacitor circuit charges and discharges a first flying capacitor to power a load. The second switched capacitor charges and discharges a second flying capacitor to power the load. When the first switched capacitor operates in a dead time, the second switched capacitor powers the load with the second flying capacitor.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu
  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

27.

MULTI-LOOP POWER CONVERTER AND MULTI-LOOP ERROR AMPLIFIER CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18299985
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-13
Date de la première publication 2023-11-09
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Cheng, Hung-Yu
  • Chu, Keng-Hong
  • Cheng, Li-Chen
  • Yu, Tsung-Han

Abrégé

A multi-loop error amplifier circuit for generating an error amplification signal includes: a first operational transconductance amplifier (OTA) including a first current output stage which generates a first transconductance amplification current in a predetermined current direction according to a first voltage difference between a positive terminal and a negative input terminal of the first OTA; a second OTA including a second current output stage which generates a second transconductance amplification current in the predetermined current direction according to a second voltage difference between a positive terminal and a negative input terminal of the second OTA. The first and the second current output stages are coupled in series to generate a first error output current. The error amplification signal is generated according to the first error output current which is equal to the smaller one of the first and the second transconductance amplification currents.

Classes IPC  ?

  • G05F 1/565 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance
  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
  • G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final

28.

SWITCHED CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT AND SWITCHED CAPACITOR CONVERTER CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 18300266
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-13
Date de la première publication 2023-11-09
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

A switched capacitor voltage converter circuit includes: a switched capacitor converter and a control circuit. The switched capacitor converter includes at least one resonant capacitor, switches and at least one inductor. The control circuit generates a pulse width modulation (PWM) signal according to a first voltage or a second voltage and generates a control signal according to the PWM signal and a zero current detection signal. The control signal controls the switched capacitor converter by operating the corresponding switches to switch electrical connection of the inductor, so as to convert the first voltage to the second voltage or convert the second voltage to the first voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

29.

LED driver and DAC reference circuit thereof

      
Numéro d'application 18049703
Numéro de brevet 11812531
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-10-26
Date de la première publication 2023-11-07
Date d'octroi 2023-11-07
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Cho, Je-Kwang

Abrégé

A digital-to-analog converter (DAC) for generating an output voltage according to an input code includes a first-type and a second-type sub-DAC's connected in series. The first-type sub-DAC includes a first resistor string and plural first switches, and receives a reference current to determine a first voltage drop. The first switches are controlled by a first portion of the input code to determine a voltage division of the first voltage drop. The second-type sub-DAC includes a second resistor string and plural second switches. The second switches are controlled by a second portion of the input code to determine a portion of the second resistor string to receive the reference current, wherein the portion of the second resistor string and the reference current determines a second voltage drop. The output voltage includes a sum of the second voltage drop and the voltage division of the first voltage drop.

Classes IPC  ?

  • H05B 45/37 - Circuits de conversion
  • H05B 45/34 - Stabilisation de la tension; Maintien d'une tension constante
  • H05B 45/54 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LED; Circuits de protection dans un ensemble sériel de LED

30.

POWER CONVERTER PREVENTING OVERVOLTAGE DAMAGE AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18123961
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-20
Date de la première publication 2023-10-19
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung
  • Chang, Wei-Hsu

Abrégé

A power converter includes first to fourth switches, a flying capacitor, an inductor, an output capacitor and a control circuit. The first to fourth switches are sequentially coupled in cascode. The first switch is used to receive an input voltage. The flying capacitor is coupled across the second switch and the third switch, the inductor is coupled to the second switch, the third switch and the output capacitor. The output capacitor is used to output an output voltage. When the input voltage is less than an input voltage threshold, the control circuit is used to switch the first to fourth switches according to a resonant frequency. When the input voltage exceeds the input voltage threshold, the control circuit switch is used to the first to fourth switches according to a regulated frequency exceeding the resonant frequency.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

31.

POWER CONVERTER FOR REDUCING SWITCHING LOSS AND ENHANCING SYSTEM EFFICIENCY AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18131361
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-05
Date de la première publication 2023-10-19
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung
  • Chang, Wei-Hsu

Abrégé

A power converter includes first to fourth switches, a flying capacitor, an inductor, an output capacitor and a control circuit. The first to fourth switches are sequentially coupled in cascode. The first switch receives an input voltage, and the fourth switch is further coupled to a ground terminal. The flying capacitor is coupled across the second switch and the third switch, the inductor is coupled to the second switch, the third switch and the output capacitor. The output capacitor is used to output an output voltage. In a non-regulated mode, the control circuit switches the first to fourth switches according to a resonant frequency. In a regulated mode, the control circuit switches the first to fourth switches according to a regulated frequency exceeding the resonant frequency. When the flying capacitor is coupled to the inductor, the flying capacitor and the inductor can form a resonant circuit having the resonant frequency.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

32.

High efficiency light emitting diode driver circuit and control method thereof

      
Numéro d'application 18177712
Numéro de brevet 11783765
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-02
Date de la première publication 2023-10-10
Date d'octroi 2023-10-10
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chang, Chia-Jung
  • Chang, Shao-Ming
  • Yu, Hsiang-Feng
  • Wu, Tso-Yu
  • Tseng, Yu-Pin

Abrégé

A light emitting diode (LED) driver circuit is configured to drive plural LEDs which are respectively coupled to m scan-lines and n data-lines, wherein m and n are both integers greater than or equal to one. During a driving stage, each of the LEDs is controlled to emit light according to the electrical characteristics on the corresponding scan-line and on the corresponding data-line where the LED is coupled to. The LED driver circuit includes: a power saving control circuit which includes a storage capacitor; a pre-discharging circuit configured to pre-discharge the charges on the m scan-lines to the storage capacitor during a pre-discharging stage; and a pre-charging circuit configured to pre-charge the n data-lines by the charges stored in the storage capacitor during a pre-charging stage.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]

33.

Reference signal generator having high order temperature compensation

      
Numéro d'application 18045478
Numéro de brevet 11782469
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-10-11
Date de la première publication 2023-10-10
Date d'octroi 2023-10-10
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chiang, Chia-Tseng
  • Juan, Yi-Hsiang

Abrégé

A reference signal generator having high order temperature compensation includes: first and second transistors generating a proportional to absolute temperature (PTAT) signal and at least one complementary to absolute temperature (CTAT) signal according to at least one bandgap related to the first and second transistors; a feedback network coupled to the first and second transistors; an amplifier circuit configured to linearly superimpose the PTAT signal and the CTAT signals via the feedback network, to generate a reference signal; a second order adjustment circuit including a third transistor controlled by a bias voltage, to generate an adjustment current for adjusting the reference signal; and a third order adjustment circuit configured to adjust the bias voltage according to a temperature under test, for adjusting the adjustment current, to adjust the reference signal, such that a variation of the reference signal is smaller than a predetermined variation range within a temperature range.

Classes IPC  ?

  • G05F 3/30 - Régulateurs utilisant la différence entre les tensions base-émetteur de deux transistors bipolaires fonctionnant à des densités de courant différentes
  • G05F 1/567 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance pour compensation de température

34.

Charging system and control method thereof where a sink terminal transmits a request message to a source terminal while the source terminal transmits a source message

      
Numéro d'application 17867665
Numéro de brevet 11829314
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-18
Date de la première publication 2023-08-24
Date d'octroi 2023-11-28
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Tseng, Tzu-Hsuan
  • Chuang, Tzu-Hsien
  • Lin, Sheng-Chun
  • Yang, Hao-Chun
  • Huang, Chien-Chih
  • Chang, Heng-Min
  • Wu, Tsung-Jung
  • Hung, Yen-Tung

Abrégé

A charging system includes a source terminal and a sink terminal. The control method of the charging system includes transmitting a bus voltage by the source terminal, determining whether the sink terminal has entered a sink attached state when the sink terminal receives the bus voltage, enabling a message transceiver of the sink terminal if the sink terminal has entered the sink attached state, transmitting a source message to the transceiver of the sink terminal by the source terminal, transmitting a request message to the source terminal by the message transceiver of the sink terminal while the source terminal transmits the source message, and continuing to enable a communication function for communicating with the sink terminal and continuing to transmit the bus voltage to the sink terminal by the source terminal when the source terminal receives the request message.

Classes IPC  ?

35.

POWER SUPPLY SYSTEM

      
Numéro d'application 18156453
Statut En instance
Date de dépôt 2023-01-19
Date de la première publication 2023-08-24
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chang, Wei-Hsu
  • Yang, Ta-Yung
  • Hsu, Shih-Ho
  • Kuo, Mao-Hui

Abrégé

A power supply system includes a power factor correction converter circuit and an isolated power converter circuit, wherein the power factor correction converter circuit corrects the power factor of a rectified power to generate a first output power, and the isolated power converter circuit converts the first output power to generate a second output power. The isolated power converter circuit includes a transformer, and the transformer includes a primary winding, a secondary winding, and an auxiliary winding. The auxiliary winding generates an auxiliary voltage which is related to the second output power. When the auxiliary voltage is lower than a disabled threshold, indicating that the voltage of the second output power is lower than a threshold, the power factor correction converter circuit provides a bypassing connection from the rectified power to the first output power and stops correcting the power factor of the rectified power.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

36.

POWER CONVERTER AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17734396
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-02
Date de la première publication 2023-08-24
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Fu, Jian-Ming
  • Yang, Huan-Chien

Abrégé

A power converter includes an upper-gate circuit, a lower-gate circuit, an inductor, a first current sensor, a second current sensor, a weight adjustment circuit, and a PWM (Pulse Width Modulation) controller. The upper-gate circuit receives an input voltage. The lower-gate circuit is coupled to a ground node. The upper-gate circuit and the lower-gate circuit are operated according to the PWM voltage. The inductor is coupled to the upper-gate circuit and the lower-gate circuit. The first current sensor monitors the upper-gate circuit, so as to generate a first detection current. The second current sensor monitors the lower-gate circuit, so as to generate a second detection current. The weight adjustment circuit generates a control current according to the first detection current and the second detection current. The PWM controller generates the PWM voltage according to the control current.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

37.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17847053
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-22
Date de la première publication 2023-08-10
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lo, Kuo-Hsuan
  • Huang, Chien-Hao
  • Yeh, Yu-Ting
  • Chen, Chu-Feng
  • Weng, Wu-Te

Abrégé

A high voltage device includes: a semiconductor layer, a well, a drift oxide region, a body region, a gate, a source, a drain, and a field plate. The well has a first conductivity type, and is formed in a semiconductor layer. The drift oxide region is formed on the semiconductor layer. The body region has a second conductivity type, and is formed in the semiconductor layer, wherein the body region and a drift region are connected in a channel direction. The gate is formed on the semiconductor layer. The source and the drain have the first conductivity type, and are formed in the semiconductor layer, wherein the source and the drain are in the body region and the well, respectively. The field plate is formed on and connected with the drift oxide region, wherein the field plate is electrically conductive and has a temperature coefficient (TC) not higher than 4 ohm/° C.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

38.

SWITCHED CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT AND SWITCHED CAPACITOR VOLTAGE CONVERSION METHOD

      
Numéro d'application 18149112
Statut En instance
Date de dépôt 2023-01-01
Date de la première publication 2023-08-03
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung
  • Chang, Wei-Hsu

Abrégé

A switched capacitor voltage converter circuit for converting a first voltage to a second voltage, includes: a switched capacitor converter and a control circuit. The switched capacitor converter includes at least two capacitors, plural switches and at least one inductor. In a mode switching period wherein the switched capacitor converter switches from a present conversion mode to a next conversion mode, at least two forward switches of the plural switches operate in a unidirectional conduction mode. Each of the forward switches provides a current channel that unidirectionally flows toward the second voltage in the unidirectional conduction mode. The switched capacitor voltage converter circuit is also operable to convert the second voltage to the first voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

39.

OPERATION CIRCUIT HAVING LOWER CALIBRATION TIME AND CALIBRATION METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18147004
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-28
Date de la première publication 2023-07-27
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lih, Yu-Hsin
  • Hsiao, Ming-Jun

Abrégé

A calibration method is configured for calibrating an operation circuit which has a variant offset. The operation circuit includes at least one comparator circuit having a first variant offset. The calibration method provides an adjustable offset to calibrate the variant offset. The method includes: resetting an adjustment parameter to an initial value and configuring the operation circuit to a calibration mode; conducting an initial calibration procedure according to a comparison result of the comparator circuit, to decide an operation calibration code having plural bits; configuring the operation circuit to an operation mode; conducting a predetermined operation procedure according to the operation calibration code, wherein the operation calibration code corresponds to the adjustable offset; conducting a less bit number calibration procedure according to the adjustment parameter and a test calibration code to update the adjustment parameter or the operation calibration code; and repeating the above.

Classes IPC  ?

  • G01R 35/00 - Test ou étalonnage des appareils couverts par les autres groupes de la présente sous-classe

40.

CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR USE IN STACKABLE MULTIPHASE POWER CONVERTER

      
Numéro d'application 17892085
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-21
Date de la première publication 2023-07-27
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yang, Ta-Yung
  • Wu, Wei-Chuan
  • Yang, Chih-Hao
  • Huang, Ping-Ching
  • Fang, Li-Wen

Abrégé

A control circuit for controlling a stackable multiphase power converter includes: a synchronization terminal; a synchronization signal connected to the synchronization terminals of a plurality of the control circuits in parallel, wherein the synchronization signal includes a plurality of pulses to be successively counted as a count number; and a reset signal, configured to reset and initiate the count number; wherein the control circuit further comprises a phase-sequence number, wherein the control circuit enables a corresponding power stage circuit to generate a phase of the output power when the count number reaches the phase-sequence number.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/084 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques utilisant un circuit de commande commun à plusieurs phases d'un système polyphasé
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

41.

QUICK RESPONSE SWITCHING POWER CONVERTER AND CONVERSION CONTROL CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 18149677
Statut En instance
Date de dépôt 2023-01-04
Date de la première publication 2023-07-27
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Hsieh, Hsien-Cheng
  • Kuo, Chieh-Han
  • Huang, Hsing-Shen

Abrégé

A conversion control circuit controls a power stage circuit of a switching power converter according to a first feedback signal and a second feedback signal, wherein the conversion control circuit includes an error amplifier circuit, a ramp signal generation circuit, a pulse width modulation circuit, and a quick response control circuit. The quick response control circuit performs a quick response control function, wherein the quick response control function includes: comparing the second feedback signal with at least one reference threshold to generate a quick response control signal; and when the second feedback signal crosses the reference threshold, adjusting a slope of a ramp signal according to the quick response control signal to accelerate an increase or decrease of the duty of a PWM signal, thereby accelerating the transient response of the switching power converter.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

42.

PIP STRUCTURE AND MANUFACTURING METHODS OF HIGH VOLTAGE DEVICE AND CAPACITOR DEVICE HAVING PIP STRUCTURE

      
Numéro d'application 17933126
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-19
Date de la première publication 2023-07-27
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Tsai, Chin-Chin
  • Hu, Yong-Zhong

Abrégé

A polysilicon-insulator-polysilicon (PIP) structure includes: a first polysilicon region formed on a substrate; a first insulation region formed outside one side of the first polysilicon region and adjoined to the first polysilicon region in a horizontal direction; and a second polysilicon region formed outside one side of the first insulation region. The first polysilicon region, the first insulation region and the second polysilicon region are adjoined in sequence in the horizontal direction. The second polysilicon region is formed outside the first insulation region by a first self-aligned process step, and the first insulation region is formed outside the first polysilicon region by a second self-aligned process step.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais

43.

CHARGER CIRCUIT

      
Numéro d'application 18058312
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-23
Date de la première publication 2023-07-20
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Kuan-Yu
  • Huang, Tsung-Wei
  • Wu, Tsan-Huei
  • Luo, Ye-Sing

Abrégé

A charger circuit includes a power stage circuit operating at least one power switch according to an operating signal to convert an input power into an output power to charge a battery and/or to provide the output power to a load, wherein the output power includes a charging power and/or a load power; a control generating the operating signal according to a voltage amplifying signal; and a voltage error amplifier circuit comparing a voltage sensing signal relevant to a charging voltage of the charging power or a load voltage of the load power with a voltage reference level in a voltage hysteresis mode of a discontinuous conduction mode, so as to generate the voltage amplifying signal; wherein the control circuit adjusts the charging voltage or the load voltage according to the voltage amplifying signal, so as to maintain the charging voltage or the load voltage within a predetermined range.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

44.

SWITCHING POWER CONVERTER AND CONVERSION CONTROL CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 18145863
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-23
Date de la première publication 2023-07-20
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Po-Yen
  • Huang, Hsing-Shen

Abrégé

A conversion control circuit, configured to control a switching power converter, includes a trigger signal generation circuit, an on-time control circuit, and a logic driver circuit. The trigger signal generation circuit is configured to generate a turn-on trigger signal. The on-time control circuit is configured to generate a turn-off trigger signal to determine the on-time and/or the off-time of a pulse width modulation (PWM) signal, and adjusts the on-time and/or the off-time according to the input voltage and the output voltage, such that the switching frequency of the switching power converter is adaptively adjusted according to a ratio between the output voltage and the input voltage. The logic driver circuit is configured to generate the PWM signal according to the turn-on trigger signal and the turn-off trigger signal, wherein the turn-on trigger signal enables the PWM signal, and the turn-off trigger signal disables the PWM signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

45.

SPREAD SPECTRUM SWITCHING CONVERTER AND SPREAD SPECTRUM CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18050784
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-28
Date de la première publication 2023-07-13
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Jung-Sheng
  • Lin, Chin-Yen
  • Chen, Ching-Yu
  • Lo, Ting-Jung
  • Huang, Hsing-Shen

Abrégé

A spread spectrum switching converter converts an input power to an output power. The spread spectrum switching converter includes a pulse width modulation (PWM) circuit and a pulse omission control circuit. The PWM circuit generate an initial PWM signal according to a feedback signal related to the output power. The initial PWM signal controls at least one switch to switch an inductor to generate the output power. The pulse omission control circuit generates a pulse omission control signal to mask a portion of pulses of the initial PWM signal, to thereby generate an adjusted PWM signal. The pulse omission control circuit randomly adjusts the pulse width of the pulse omission control signal according to a random control signal, such that the adjusted PWM signal has a spread spectrum characteristic.

Classes IPC  ?

  • H04B 1/717 - Aspects liés aux impulsions
  • H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

46.

SWITCHED CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT

      
Numéro d'application 18065205
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-13
Date de la première publication 2023-07-13
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

A switched capacitor voltage converter circuit includes: a switched capacitor converter, a control circuit and a zero current estimation circuit. The switched capacitor converter includes at least one resonant capacitor, switches and at least one inductor. The zero current estimation circuit is coupled to the at least one inductor and/or the at least one resonant capacitor, for estimating a time point at which a first resonant current is zero during a first process and/or a time point at which a second resonant current is zero during a second process according to a voltage difference between two ends of the inductor, and/or a voltage difference between two ends of the resonant capacitor, to a generate a zero current estimation signal accordingly for generating the operation signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

47.

SYNCHRONOUS FULL-BRIDGE RECTIFIER CIRCUIT AND RECTIFIER SWITCH CONTROLLER THEREOF

      
Numéro d'application 17840540
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-14
Date de la première publication 2023-07-06
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yang, Ta-Yung
  • Chen, Yu-Chang

Abrégé

A synchronous full-bridge rectifier circuit includes: a first high-side transistor, a first low-side transistor, a second high-side transistor and a second low-side transistor which are configured to generate a DC power source from an AC power source, wherein the first high-side transistor and the first low-side transistor are coupled to a live wire of the AC power source, and the second high-side transistor and the second low-side transistor are coupled to a neutral wire of the AC power source; a first detection transistor, coupled to the live wire and configured to generate a first detection signal; and a second detection transistor, coupled to the neutral wire configured to generate a second detection signal; wherein the first low-side transistor is turned on after the body-diode of the first low-side transistor is turned on; the second low-side transistor is turned on after the body-diode of the second low-side transistor is turned on.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

48.

REGULATOR CIRCUIT AND MULTI-STAGE AMPLIFIER CIRCUIT

      
Numéro d'application 17933877
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-21
Date de la première publication 2023-07-06
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Hu, Min-Hung

Abrégé

A multi-stage amplifier circuit includes: a front stage amplification circuit, for generating a front stage amplification signal according to a difference between a primary reference signal and a primary feedback signal; an output adjustment circuit, for generating a driving signal according to the front stage amplification signal; and an output transistor, controlled by the driving signal to generate an output signal. The output adjustment circuit includes: an adjustment transistor biased by a differential current of the front stage amplification signal; and an impedance adjustment device biased by the differential current. A resistance of the impedance adjustment device is determined by a difference between an adjustment feedback signal and an adjustment reference signal. The driving signal is determined by a product of a resistance of the impedance adjustment device multiplied by the differential current of the front stage amplification signal, and a drain-source voltage of the adjustment transistor.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H03F 3/16 - Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec dispositifs à effet de champ

49.

BUCK-BOOST SWITCHING REGULATOR CAPABLE OF DAMPING OUT THE RINGING AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18146493
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-27
Date de la première publication 2023-07-06
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yang, Shei-Chie
  • Mai, Yuan-Yen
  • Yu, Pao-Hsun
  • Hsu, Cheng-Hung

Abrégé

A buck-boost switching regulator includes: a power switch circuit including an input switch unit and an output switch unit; a bypass control circuit configured to operably generate a bypass control signal according to a conversion voltage difference between an input voltage of an input power and an output voltage of an output power and according to whether an inductor current flowing through an inductor reaches an output current of the output power; and a bypass switch circuit, wherein when the conversion voltage difference is below a reference voltage and when the inductor current flowing through the inductor reaches the output current, the bypass control signal controls the bypass switch circuit to electrically connect the input power with the output power, so that the buck-boost switching regulator operates in a bypass mode.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

50.

IMPEDANCE-TRACKING CIRCUIT

      
Numéro d'application 18145280
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-22
Date de la première publication 2023-06-29
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Hu, Min-Hung

Abrégé

An impedance-tracking circuit includes a voltage divider, a first dynamic resistor, and a first amplifier. The voltage divider divides a voltage difference between a first voltage and a second voltage to generate a divided voltage. The first dynamic resistor has a first resistance value and is coupled between the first voltage and a third voltage. The first dynamic resistor adjusts the first resistance value according to a first control signal. The first amplifier compares the divided voltage with the third voltage to generate the first control signal.

Classes IPC  ?

  • G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
  • G05F 1/565 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance
  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels

51.

INTEGRATED STRUCTURE OF COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18052950
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-07
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Weng, Wu-Te
  • Hsiung, Chih-Wen
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

An integrated structure of CMOS devices includes: a semiconductor layer, insulation regions, a first high voltage P-type well and a second high voltage P-type well, a first high voltage N-type well and a second high voltage N-type well, a first low voltage P-type well and a second low voltage P-type well, a first low voltage N-type well and a second low voltage N-type well, and eight gates. A CMOS device having an ultra high threshold voltage is formed in ultra high threshold device region; a CMOS device having a high threshold voltage is formed in high threshold device region; a CMOS device having a middle threshold voltage is formed in the middle threshold device region; and a CMOS device having a low threshold voltage is formed in the low threshold device region.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
  • H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS

52.

AMPLIFIER CIRCUIT HAVING LOW PARASITIC POLE EFFECT AND BUFFER CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 18056329
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-17
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yu, Chun-Jen
  • Huang, Ssu-Wei
  • Wang, Hsuan-Kai
  • Yang, Chi-Jen
  • She, Hsien-Chih

Abrégé

An amplifier circuit having low parasitic pole effect includes a preamplifier, an output transistor and a buffer circuit. The buffer circuit generates a driving signal to control the output transistor according to a preamplification signal generated by the preamplifier. The buffer circuit includes: a buffer input transistor generating the driving signal, wherein an input impedance at its control end is less than that of the output transistor; a low output impedance circuit having an output impedance which is less than an inverting output impedance of the buffer input transistor; an amplification transistor generating an amplification signal at its inverting output; and an amplification stage circuit amplifying the amplification signal by an amplification ratio, so that an equivalent output impedance at a non-inverting output of the buffer input transistor is less than or equal to a product of the reciprocal of an intrinsic output impedance thereof and an amplification ratio.

Classes IPC  ?

  • H03F 1/14 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de moyens de neutrodynage
  • H03F 1/42 - Modifications des amplificateurs pour augmenter la bande passante

53.

HIGH VOLTAGE CMOS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18052062
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-02
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Weng, Wu-Te
  • Hsiung, Chih-Wen
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

A high voltage complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device includes: a semiconductor layer, plural insulation regions, a first N-type high voltage well and a second N-type high voltage well, which are formed by one same ion implantation process, a first P-type high voltage well and a second P-type high voltage well, which are formed by one same ion implantation process, a first drift oxide region and a second oxide region, which are formed by one same etching process by etching a drift oxide layer; a first gate and a second gate, which are formed by one same etching process by etching a polysilicon layer, an N-type source and an N-type drain, and a P-type source and a P-type drain.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

54.

Power conversion circuit having short-circuit detection function and short-circuit detection method thereof

      
Numéro d'application 17553535
Numéro de brevet 11811320
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-12-16
Date de la première publication 2023-06-22
Date d'octroi 2023-11-07
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Cho, Je-Kwang

Abrégé

A power conversion circuit includes a first and a second power converters for generating a first and a second driving voltages respectively. The second power converter is a switching converter. In a short-circuit detection mode, the first driving voltage is regulated to the first driving level, and the second power converter is configured to operate in a pulse frequency modulation mode to regulate the second driving voltage to a short-circuit detection level, and when a switching frequency of the second power converter exceeds a threshold frequency, a short-circuit condition between the second driving voltage and the first driving voltage is determined.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02H 7/12 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques
  • G01R 31/52 - Test pour déceler la présence de courts-circuits, de fuites de courant ou de défauts à la terre

55.

CONSTANT TIME BUCK-BOOST SWITCHING CONVERTER AND MODULATION CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17858149
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-06
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Cheng, Hung-Yu
  • Yu, Tsung-Han
  • Chu, Keng-Hong

Abrégé

A constant time buck-boost switching converter includes: a power switch circuit for switching a first terminal of an inductor between an input voltage and a ground, and for switching a second terminal of the inductor between an output voltage and the ground; and a modulation control circuit for generating a buck ramp signal and a boost ramp signal and for controlling the inductor according to comparisons of these two ramp signals with an error amplification signal, so as to convert the input voltage to the output voltage. The average levels of the buck ramp signal and the boost ramp signal are both equal to a product of the output voltage multiplied by a predetermined ratio. The upper limit of the buck ramp signal and the lower limit of the boost ramp signal are both equal to a product of the input voltage multiplied by the predetermined ratio.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

56.

Self-calibrating timing generator

      
Numéro d'application 17849747
Numéro de brevet 11683025
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-06-27
Date de la première publication 2023-06-20
Date d'octroi 2023-06-20
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Yu-Hsuan
  • Chuang, Yung-Chun

Abrégé

A timing generator includes a first current source, a first switch, a second current source, a second switch, a third switch, a capacitor, a signal synthesizer, and a timing difference extractor. The first current source is for generating a first current according to the input voltage. The second current source is for generating a second current according to the input voltage. The first switch includes a control terminal for receiving a charging signal. The second switch includes a control terminal for receiving a timing difference signal. The third switch includes a control terminal for receiving a reset signal. The capacitor is coupled between a charging terminal and a ground terminal. The signal synthesizer is for generating a timing signal according to a charging voltage and a reference voltage. The timing difference extractor is for generating a timing difference signal according to the timing signal and a deformed timing signal.

Classes IPC  ?

  • H03K 3/00 - Circuits pour produire des impulsions électriques; Circuits monostables, bistables ou multistables
  • H03K 3/017 - Réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions
  • H03K 5/24 - Circuits présentant plusieurs entrées et une sortie pour comparer des impulsions ou des trains d'impulsions entre eux en ce qui concerne certaines caractéristiques du signal d'entrée, p.ex. la pente, l'intégrale la caractéristique étant l'amplitude
  • H03K 3/037 - Circuits bistables
  • H03K 19/20 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p.ex. circuits ET, OU, NI, NON

57.

PULSE WIDTH MODULATION METHOD

      
Numéro d'application 18049611
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-25
Date de la première publication 2023-06-15
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Chen, Yi-Kuang

Abrégé

A pulse width modulation (PWM) method for converting an input signal into an output PWM signal includes the following steps: generating a first linear periodic wave and a second linear periodic wave which are triangle waves or sawtooth waves, wherein the amplitude of the first linear periodic wave is greater than the amplitude of the second linear periodic wave; determining whether the level of the input signal is lower than a light load threshold; when the level of the input signal is lower than the light load threshold, generating the output PWM signal according to a comparison between the input signal and the second linear periodic wave; and when the level of the input signal is higher than the light load threshold, generating the output PWM signal according to a comparison between the input signal and the first linear periodic wave.

Classes IPC  ?

  • H03K 3/017 - Réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions
  • H03K 3/023 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation d'amplificateurs différentiels ou des comparateurs, avec réaction positive interne ou externe

58.

NMOS HALF-BRIDGE POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17983434
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-09
Date de la première publication 2023-06-08
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Hsiung, Chih-Wen
  • Weng, Wu-Te
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

An NMOS half-bridge power device includes: a semiconductor layer, a plurality of insulation regions, a first N-type high voltage well and a second N-type high voltage well, which are formed by one same ion implantation process, a first P-type high voltage well and a second P-type high voltage well, which are formed by one same ion implantation process, a first drift oxide region and a second drift oxide region, which are formed by one same etch process including etching a drift oxide layer; a first gate and a second gate, which are formed by one same etch process including etching a poly silicon layer, a first P-type body region and a second P-type body region, which are formed by one same ion implantation process, a first N-type source and a first N-type drain, and a second N-type source and a second N-type drain.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

59.

INTEGRATION MANUFACTURING METHOD OF DEPLETION HIGH VOLTAGE NMOS DEVICE AND DEPLETION LOW VOLTAGE NMOS DEVICE

      
Numéro d'application 17981387
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-05
Date de la première publication 2023-06-08
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Weng, Wu-Te
  • Hsiung, Chih-Wen
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

An integration manufacturing method of a depletion high voltage NMOS device and a depletion low voltage NMOS device includes: providing a substrate; forming a semiconductor layer on the substrate; forming insulation regions on the semiconductor layer; forming an N-type well in the depletion high voltage NMOS device region; forming a high voltage P-type well in the semiconductor layer, wherein the N-type well and the high voltage P-type well are in contact with each other in a channel direction; forming an oxide layer on the semiconductor layer after the N-type well and the high voltage P-type well formed; forming a low voltage P-type well; and forming an N-type high voltage channel region and an N-type low voltage channel region, such that each of the depletion high voltage NMOS device and the depletion low voltage NMOS device is turned ON when a gate-source voltage thereof is zero voltage.

Classes IPC  ?

60.

SWITCHED CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT AND SWITCHED CAPACITOR VOLTAGE CONVERSION METHOD

      
Numéro d'application 18049622
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-25
Date de la première publication 2023-06-08
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

A switched capacitor voltage converter circuit includes: a switched capacitor converter and a control circuit. In a charging process of a resonant operation mode, the switches in the switched capacitor converter operate to form a series connection of at least one capacitor and an inductor between a first voltage and a second voltage, as a charging path. In a discharging process of the resonant operation mode, the switches operate to form a series connection of each capacitor and the inductor between the second voltage and a ground level, thus forming plural discharging paths simultaneously or sequentially. In an inductor switching mode, the switches operate to couple one end of the inductor to the first voltage or the ground level alternatingly. The control circuit decides to operate in the resonant operation mode or the inductor switching mode according to the first voltage, thereby maintaining the second voltage within a predetermined range.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

61.

INTEGRATION MANUFACTURING METHOD OF HIGH VOLTAGE DEVICE AND LOW VOLTAGE DEVICE

      
Numéro d'application 17858167
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-06
Date de la première publication 2023-06-01
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Hsiung, Chih-Wen
  • Weng, Wu-Te
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

An integration manufacturing method of a high voltage device and a low voltage device includes: providing a substrate; forming a semiconductor layer on the substrate; forming insulation regions on the semiconductor layer, for defining a high voltage device region and a low voltage device region; forming a first high voltage well in the high voltage device region; forming a second high voltage well in the semiconductor layer, wherein the first high voltage well and the second high voltage well are in contact with each other in a channel direction; forming an oxide layer on the semiconductor layer, wherein the oxide layer overlays the high voltage device region and the low voltage device region; and forming a first low voltage well in the low voltage device region in the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

62.

HYBRID SWITCHING POWER CONVERTER

      
Numéro d'application 18056274
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-17
Date de la première publication 2023-06-01
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lin, Jiun-Jang
  • Li, Jhen-Yu

Abrégé

A hybrid switching power converter is configured to perform power conversion between a first power, a second power, and a third power. The hybrid switching power converter includes a switched inductor conversion circuit and a switched capacitor conversion circuit, wherein the switched inductor conversion circuit is configured to perform the power conversion between the first power and the second power, and the switched capacitor conversion circuit is configured to perform the power conversion between the second power and the third power. The switched inductor conversion circuit includes a plurality of inductor switches, wherein the plural inductor switches include a first switch and a second switch. The switched capacitor conversion circuit includes a plurality of capacitor switches, wherein the plural capacitor switches include the first switch and the second switch.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

63.

STATE DETECTION CIRCUIT FOR DETECTING TRI-STATE AND STATE DETECTION METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18050928
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-28
Date de la première publication 2023-05-25
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yu, Chun-Jen
  • Wang, Hsuan-Kai
  • Yang, Chi-Jen
  • She, Hsien-Chih

Abrégé

A state detection circuit for detecting whether a state of an input node is floating, grounded, or electrically connected to an external voltage includes: a unidirectional device circuit and a determination circuit. The unidirectional device circuit electrically conducts a test node to a detection node unidirectionally. The detection node is coupled to the input node. The test node, the unidirectional device circuit, the detection node and the input node form a current path. The determination circuit determines a state of the input node according to a voltage level of the detection node. Within a detection stage, the state detection circuit provides a test voltage at the test node. A voltage of the detection node is determined by the input node, the test voltage, and a characteristic of the unidirectional device circuit.

Classes IPC  ?

  • G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
  • G01R 31/317 - Tests de circuits numériques

64.

PACKAGE STRUCTURE AND PACKAGING METHOD

      
Numéro d'application 17858124
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-06
Date de la première publication 2023-05-25
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Huang, Heng-Chi
  • Wu, Sheng-Yao
  • Lo, Min-Shun
  • Lin, Shih-Chieh
  • Hu, Yong-Zhong

Abrégé

A package structure includes: a heat dissipation substrate; at least one die, including a signal transmitting side and a heat conduction side, wherein the signal transmitting side and the heat conduction side are two opposite sides on the die, and the heat conduction side is disposed on and in contact with the heat dissipation substrate; plural metal bumps, disposed on the signal transmitting side; and a package material, encapsulating the die, a side of the heat dissipation substrate in contact with the die, and the metal bumps, wherein a portion of each metal bump is exposed to an outside of the package material.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

65.

Pulse width modulation controller and control method thereof

      
Numéro d'application 17722796
Numéro de brevet 11658650
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-18
Date de la première publication 2023-05-23
Date d'octroi 2023-05-23
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Fu, Jian-Ming
  • Yang, Huan-Chien

Abrégé

A PWM (Pulse Width Modulation) controller includes a current detector, a current emulator, a voltage-to-current converter, and a current adder. The current detector detects a first current, and generates a second current according to the first current. The current detector receives an input voltage and outputs an output voltage. The current emulator obtains the relative information of a lower-gate current. The voltage-to-current converter draws a third current from the current emulator according to the input voltage and the output voltage. The current emulator generates a fourth current according to the relative information and the third current. The current adder adds the fourth current to the second current, so as to generate a sum current.

Classes IPC  ?

  • H03K 7/08 - Modulation de durée ou de largeur
  • G01R 19/10 - Mesure d'une somme, d'une différence, ou d'un rapport

66.

POWER FACTOR CORRECTION CONVERTER, CONTROLLER AND DIGITAL PEAK-HOLD CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 17937337
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-30
Date de la première publication 2023-05-11
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Chang, Wei-Hsu

Abrégé

A power factor correction converter includes a rectifier, a power factor correction controller, a power stage circuit, and a feedback circuit, wherein the power factor correction converter converts an AC voltage into an output voltage. The power factor correction controller includes an analog-to-digital converter, a digital peak-hold circuit, a reference voltage generator, an error amplifier, and a pulse-width modulation circuit, wherein the power factor correction controller generates a driving signal according to a rectification signal and a feedback signal. The digital peak-hold circuit includes a delay circuit, a digital rising detector, a tracking register, a digital falling detector, and a holding register, wherein the digital peak-hold circuit generates a peak signal according to a digital input signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H03M 1/12 - Convertisseurs analogiques/numériques
  • H02M 7/04 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques
  • H03K 5/1532 - Détecteurs de pic

67.

High resolution dimmer circuit

      
Numéro d'application 17973526
Numéro de brevet 11792900
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-10-25
Date de la première publication 2023-05-11
Date d'octroi 2023-10-17
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Ching-Yi
  • Huang, Hsing-Shen

Abrégé

A dimmer circuit includes a light emitting module, a first current source, a digital-to-analog converter, a switch, a second current source and a pulse width modulation generator. The light emitting module is for emitting light according to a driving current. The first current source includes a first terminal coupled to a second terminal of the light emitting module. The digital-to-analog converter is for generating a DC voltage according to a DC dimming code signal to control the first current source. The switch includes a first terminal coupled to a second terminal of the light emitting module. The second current source includes a first terminal coupled to a second terminal of the switch. The PWM generator is for generating a PWM voltage according to the PWM dimming code signal to control the second current source.

Classes IPC  ?

  • H05B 45/325 - Modulation de la largeur des impulsions [PWM]
  • H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière

68.

POWER FACTOR CORRECTION CONVERTER, CONTROLLER AND ZERO CURRENT PREDICTION CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 18048066
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-20
Date de la première publication 2023-05-11
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Chang, Wei-Hsu

Abrégé

A power factor correction converter includes a power stage circuit, a current sensing circuit and a zero current prediction circuit. The power stage circuit converts a rectified power to an output power. The power stage circuit operates in a boundary conduction mode to correct a power factor of the rectified power. The current sensing circuit senses an inductor current to generate a sensing signal. The zero current prediction circuit controls at least one switch by: generating a second period according to a first period, wherein the first period is between when the sensing signal passes a first threshold and when the sensing signal passes a second threshold; and switching a state of the at least one switch at an end time point of the second period, wherein the end time point corresponds to a zero current time point at which the inductor current reaches zero.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

69.

Buck converter with quick response mechanism and method thereof

      
Numéro d'application 17684393
Numéro de brevet 11764682
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-03-01
Date de la première publication 2023-04-27
Date d'octroi 2023-09-19
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Chen, Yung-Jen

Abrégé

A buck converter includes a quick response circuit, a compensator coupled to an output node, an interleaving logic circuit coupled to the compensator, a plurality of on-time generators, a plurality of OR gates coupled to the corresponding on-time generator, a plurality of power stages coupled to the corresponding OR gates, a plurality of inductors and an output capacitor. Each on-time generator is coupled to the interleaving logic circuit, an input node and the output node. The quick response circuit includes a voltage droop sensor coupled to the output node, a load frequency sensor coupled to the output node, a quick response signal generator coupled to the voltage droop sensor, a maximum quick response signal generator coupled to the voltage droop sensor and the load frequency sensor, an AND gate coupled to the quick response signal generator, the maximum quick response signal generator and the plurality of OR gates.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique

70.

HEAT DISSIPATION STRUCTURE AND HIGH THERMAL CONDUCTION ELEMENT

      
Numéro d'application 17858117
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-06
Date de la première publication 2023-04-27
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Huang, Heng-Chi
  • Wu, Sheng-Yao
  • Wu, Chi-Yung
  • Hu, Yong-Zhong

Abrégé

A heat dissipation structure, includes: a lead frame, including a high temperature pad and a low temperature pad, the high temperature pad and the low temperature pad being two portions in the lead frame which are separated from each other, wherein a high heat generation component is disposed on the high temperature pad; and a high thermal conduction element, including two sides which are respectively directly connected with the high temperature pad and the low temperature pad, to dissipate the heat energy from the high heat generation component to the low temperature pad.

Classes IPC  ?

71.

LEAD FRAME AND PACKAGING METHOD

      
Numéro d'application 17847231
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-23
Date de la première publication 2023-03-30
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yen, Hao-Lin
  • Huang, Heng-Chi
  • Hu, Yong-Zhong

Abrégé

A lead frame includes: at least one ductile structure, including a bond area, a die paddle, or a lead finger; and at least one sacrificial structure, connected between a corresponding ductile structure and a corresponding near portion in the lead frame, wherein the near portion is a portion of the lead frame close to the ductile structure.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

72.

MULTI-MODE POWER SYSTEM AND POWER CONVERSION CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 17929733
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-05
Date de la première publication 2023-03-30
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Huang, Tsung-Wei
  • Lin, Shui-Mu

Abrégé

A multi-mode power system includes a battery module, a first conversion circuit, and a second conversion circuit. The battery module includes a battery path switch and a battery group. The first conversion circuit includes switches and a first capacitor, wherein the switches include the battery path switch. The multi-mode power system operates in one of plural operation mode combinations, wherein when the first conversion circuit operates in a first outgoing mode or a first bypass mode, the second conversion circuit operates in a second incoming mode, a second outgoing mode, or a second bypass mode; when the first conversion circuit operates in a first incoming mode, the second conversion circuit operates in the second incoming mode or the second bypass mode.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

73.

Switched capacitor converter and switch circuit and switch thereof

      
Numéro d'application 17892068
Numéro de brevet 11811313
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-08-20
Date de la première publication 2023-03-23
Date d'octroi 2023-11-07
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Huang, Tsung-Wei
  • Lin, Shui-Mu
  • Ho, Fan

Abrégé

A switched capacitor converter includes plural switch units. The switch units are configured to switch a coupling relationship of a capacitor between a first power and a second power, wherein at least one of the switch units includes a switch circuit. The switch circuit includes a first switch, a second switch, and a switch driving circuit, wherein the conduction resistance of the first switch is greater than the conduction resistance of the second switch, and the parasitic capacitance of the first switch is less than the parasitic capacitance of the second switch. The switch driving circuit turns on the first switch before the second switch is turned on and/or turns off the first switch after the second switch is turned off, such that the switching loss of the switch circuit is less than a predetermined target value.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

74.

ELECTRONIC DEVICE AND CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 17512896
Statut En instance
Date de dépôt 2021-10-28
Date de la première publication 2023-03-23
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yang, Tsung-Han
  • Wang, Yen-Chih
  • Hsiao, Ming-Jun
  • Wu, Tsung-Nan

Abrégé

An electronic device for controlling an LRA (Linear Resonant Actuator) includes a signal generator, a driver, a delay unit, a sensor, and a DSP (Digital Signal Processor). The signal generator generates a digital signal. The driver drives the LRA according to the digital signal. The delay unit delays the digital signal for a predetermined time, so as to generate an estimated voltage signal. The sensor detects the current flowing through the LRA, so as to generate a sensing current signal. The DSP controls the resonant frequency or the gain value of the signal generator according to the estimated voltage signal and the sensing current signal.

Classes IPC  ?

  • H02K 33/04 - Moteurs avec un aimant, un induit ou un système de bobines à mouvement alternatif, oscillant ou vibrant avec des induits entraînés dans un sens par application d'énergie à un système à une seule bobine et ramenés par une force d'origine mécanique, p.ex. par des ressorts dans lesquels la fréquence de fonctionnement est déterminée par la fréquence d'un courant alternatif appliqué en permanence
  • H02P 25/06 - Moteurs linéaires
  • H02P 6/00 - Dispositions pour commander les moteurs synchrones ou les autres moteurs dynamo-électriques utilisant des commutateurs électroniques en fonction de la position du rotor; Commutateurs électroniques à cet effet

75.

CHARGER CIRCUIT AND CHARGING CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 17840556
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-14
Date de la première publication 2023-03-09
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Wang, Hsuan-Kai
  • She, Hsien-Chih
  • Liu, Po-Cheng

Abrégé

A charger circuit includes: a power stage circuit configured to operate at least one power switch according to an operation signal, so as to convert an input power to a charging power to charge a battery; a control circuit coupled to the power stage circuit and configured to generate the operation signal according to a current feedback signal and a voltage feedback signal; a voltage feedback circuit configured to compare a voltage sensing signal related to a charging voltage of the charging power with a voltage reference level, so as to generate the voltage feedback signal; a battery core voltage drop sensing circuit coupled to a battery core of the battery and configured to sense a battery core voltage drop of the battery core, so as to generate a battery core voltage drop sensing signal; and an adjustment circuit coupled to the battery core voltage drop sensing circuit and configured to generate an adjustment signal according to the battery core voltage drop sensing signal, so as to adaptively adjust the voltage reference level.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02J 7/04 - Régulation du courant ou de la tension de charge
  • G01R 31/3835 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge ne faisant intervenir que des mesures de tension

76.

ELECTRONIC CIRCUIT FOR GENERATING REFERENCE CURRENT WITH LOW TEMPERATURE COEFFICIENT

      
Numéro d'application 17683462
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-01
Date de la première publication 2023-03-09
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chiang, Chia-Tseng
  • Li, Hao-Yu

Abrégé

An electronic circuit includes a first transistor coupled between a first node and a supply voltage and controlled by a first node, a second transistor coupled between a second node and the supply voltage and controlled by the first node, a third transistor coupled between a third node and the supply voltage and controlled by a fourth node, a fourth transistor coupled between the fourth node and the supply voltage and controlled by the fourth node, a fifth transistor coupled between the first node and the fifth node and controlled by a reference voltage, a sixth transistor coupled between the second node and a ground and controlled by the third node, a seventh transistor coupled between the fourth node and the ground and controlled by the second node, a first resistor coupled the fourth node to the ground, and a second resistor coupled to the fifth node.

Classes IPC  ?

77.

POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17749071
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-19
Date de la première publication 2023-02-16
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yeh, Yu-Ting
  • Lo, Kuo-Hsuan
  • Huang, Chien-Hao
  • Chen, Chu-Feng
  • Weng, Wu-Te

Abrégé

A power device includes: a semiconductor layer, a well region, a body region, a gate, a source, a drain, a field oxide region, and a self-aligned drift region. The field oxide region is formed on an upper surface of the semiconductor layer, wherein the field oxide region is located between the gate and the drain. The field oxide region is formed by steps including a chemical mechanical polish (CMP) process step. The self-aligned drift region is formed in the semiconductor layer, wherein the self-aligned drift region is entirely located vertically below and in contact with the field oxide region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 21/3105 - Post-traitement
  • H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

78.

POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17737231
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-05
Date de la première publication 2023-02-16
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lo, Kuo-Hsuan
  • Huang, Chien-Hao
  • Chen, Chu-Feng
  • Weng, Wu-Te

Abrégé

A power device includes: a semiconductor layer, a well region, a body region, a gate, a source, a drain, a first salicide block (SAB) layer and a second SAB layer. The first SAB layer is formed on a top surface of the semiconductor layer, and is located between the gate and the drain, wherein a part of the well is located vertically below and in contact with the first SAB layer. The second SAB layer is formed vertically above and in contact with the first SAB layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

79.

VGCS

      
Numéro d'application 018830909
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2023-02-01
Date d'enregistrement 2023-05-16
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Classes de Nice  ? 42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception

Produits et services

computer programming; computer software design; computer software consultancy; computer system design; installation of computer software; research and development of new products for others; technological research; design of integrated circuits.

80.

VGCS

      
Numéro d'application 018830923
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2023-02-01
Date d'enregistrement 2023-05-16
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Classes de Nice  ? 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

computer memory devices; computers; circuit boards; digital to analogue converters; analogue to digital converters; voltage regulators; electronic power supplies; chips[integrated circuits]; semi-conductors; interfaces for computers; microchips; integrated circuits.

81.

Switched Capacitor Voltage Converter Circuit and Switched Capacitor Voltage Conversion Method

      
Numéro d'application 17838195
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-11
Date de la première publication 2023-01-26
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung
  • Pai, Chung-Lung

Abrégé

A switched capacitor voltage converter circuit includes: a switched capacitor converter and a control circuit; wherein the control circuit adjusts operation frequencies and/or duty ratios of operation signals which control switches of the switched capacitor converter, so as to adjust a ratio of a first voltage to a second voltage to a predetermined ratio. When the control circuit decreases the duty ratios of the operation signals, if a part of the switches of the switched capacitor converter are turned ON, an inductor current flowing toward the second voltage is in a first state; if the inductor current continues to flow via a current freewheeling path, the inductor current flowing toward the second voltage becomes in a second state. A corresponding inductor is thereby switched between the first state and the second state to perform inductive power conversion.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

82.

SWITCHING POWER CONVERTER AND ACTIVE EMI FILTER CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 17851015
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-27
Date de la première publication 2022-12-29
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Huang, Chen-Pin
  • Li, Chia-Chun
  • Hsu, Chen-Lin
  • Cheng, Hung-Yu
  • Yang, Wan-Hsuan

Abrégé

A switching power converter includes: a power stage circuit, including at least one transistor which is configured to operably switch an inductor to convert an input power to an output power; and an active EMI filter circuit, including at least one amplifier, wherein the at least one amplifier is configured to operably sense a noise input signal which is related to a switching noise caused by the switching of the power stage circuit, and amplify the noise input signal to generate a noise canceling signal, wherein the noise canceling signal is injected into an input node of the switching power converter, so as to suppress the switching noise and thus reducing EMI, wherein the input power is provided through the input node to the power stage circuit.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
  • H02M 1/34 - Circuits d'amortissement
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

83.

Wireless charging system and operating method thereof

      
Numéro d'application 17667553
Numéro de brevet 11539246
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-02-09
Date de la première publication 2022-12-27
Date d'octroi 2022-12-27
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s) Wu, Wei-Shuo

Abrégé

A wireless charging system includes a wireless power transmitter and N wireless power receivers. The wireless power transmitter includes a power input terminal for receiving an input power, and M transmission modules. Each transmission module includes a power controller, a power management unit, a bridge driver, and a transmission unit. The N wireless power receivers are for receiving N wireless power signals from N transmission units of N transmission modules respectively, and wirelessly transmitting the N communication signals to the N transmission units of the N transmission modules respectively. The M power management units of the M transmission modules are coupled to each other and transmit control signals for handshaking communication.

Classes IPC  ?

  • H02J 50/40 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant plusieurs dispositifs de transmission ou de réception
  • H02J 50/80 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique mettant en œuvre l’échange de données, concernant l’alimentation ou la distribution d’énergie électrique, entre les dispositifs de transmission et les dispositifs de réception
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02J 50/10 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif
  • G08C 17/02 - Dispositions pour transmettre des signaux caractérisées par l'utilisation d'une voie électrique sans fil utilisant une voie radio

84.

INTELLIGENT POWER MODULE

      
Numéro d'application 17736445
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-04
Date de la première publication 2022-12-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lin, Lung-Sheng
  • Huang, Chih-Feng

Abrégé

An intelligent power module includes: an encapsulating material structure; a lead frame which is at least partially encapsulated inside the encapsulating material structure, wherein all portions of the lead frame encapsulated inside the encapsulating material structure are at a same planar level; and a heat dissipation structure, which is connected to the lead frame.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

85.

INTELLIGENT POWER MODULE

      
Numéro d'application 17561968
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-26
Date de la première publication 2022-12-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lin, Lung-Sheng
  • Huang, Chih-Feng

Abrégé

An intelligent power module, which includes: a lead frame; a plurality of signal processing chips, disposed on the lead frame; at least one bridge die, configured to operably transmit signals among the signal processing chips; and a package structure, encapsulating the lead frame, the signal processing chips and the bridge die.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

86.

CHARGING CONTROL METHOD AND CHARGING SYSTEM CAPABLE OF TRACKING MAXIMUM EFFICIENCY

      
Numéro d'application 17829394
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-01
Date de la première publication 2022-12-22
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chang, Wei-Hsu
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

A charging control method includes: converting an input power to a DC power; receiving the DC power by a detachable cable to generate a bus power; converting the bus power to a charging power for charging a battery in a charging period; and adjusting the DC power and/or the charging power to track a maximum of a power conversion efficiency; wherein the power conversion efficiency includes one of the following: an input power conversion efficiency, which is a conversion efficiency of converting the input power to the charging power; a DC power conversion efficiency, which is a conversion efficiency of converting the DC power to the charging power; or a bus power conversion efficiency, which is a conversion efficiency of converting the bus power to the charging power.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

87.

Power Device and Manufacturing Method Thereof

      
Numéro d'application 17726515
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-21
Date de la première publication 2022-11-24
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Lo, Kuo-Hsuan
  • Huang, Chien-Hao
  • Chen, Chu-Feng
  • Weng, Wu-Te
  • Chiu, Chien-Wei

Abrégé

A power device includes: a semiconductor layer, a well region, a body region, a gate, a sub-gate, a source, a drain, and an electric field adjustment region. The sub-gate is formed above a top surface of the semiconductor layer, wherein a portion of the well region is located vertically beneath the sub-gate. The sub-gate is not directly connected to the gate. The electric field adjustment region has a conductivity type which is opposite to that of the well region. The electric field adjustment region is formed beneath and not in contact with the top surface of the semiconductor layer. The electric field adjustment region is located in the well region of the semiconductor layer, and at least a portion of the electric field adjustment region is located vertically beneath the sub-gate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 21/761 - Jonctions PN
  • H01L 21/762 - Régions diélectriques
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

88.

CHIP PACKAGE UNIT AND CHIP PACKAGING METHOD

      
Numéro d'application 17718125
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-11
Date de la première publication 2022-11-17
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yen, Hao-Lin
  • Huang, Heng-Chi
  • Hu, Yong-Zhong

Abrégé

A chip package unit includes: a base material; at least one chip, disposed on the base material; a package material, enclosing the base material and the chip; and at least one heat dissipation paste curing layer, formed by curing the heat dissipation paste, on a top side of the package material or a back side of the chip in a printed pattern.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

89.

Resonant switching power converter circuit

      
Numéro d'application 17719568
Numéro de brevet 11955884
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-13
Date de la première publication 2022-11-17
Date d'octroi 2024-04-09
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung
  • Pai, Chung-Lung

Abrégé

A resonant switching power converter circuit including: a switching converter, a control circuit and a pre-charging circuit; wherein the control circuit controls a first switch of the switching converter in a pre-charging mode, so as to control electrical connections between a first power and at least one of plural capacitors of the switching converter, and to control other switches of the switching converter, so as to control the pre-charging circuit to charge at least one capacitor to a predetermined voltage; wherein in a start-up mode, the plural switches control electrical connections of the capacitors according to first and second operation signals, such that after the pre-charging mode ends, the switching converter subsequently operates in the start-up mode; wherein in the start-up mode, the first and second operation signals have respective ON periods, and the time lengths of the ON periods increase gradually.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
  • H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

90.

TRANSDERMAL MICRONEEDLE ARRAY PATCH

      
Numéro d'application 17665269
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-04
Date de la première publication 2022-11-17
Propriétaire
  • RichHealth Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
  • Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Huang, Jung-Tang
  • Lee, Kuan-Ting
  • Qian, Dahong

Abrégé

Provided is a transdermal microneedle array patch, including: a bottom cover; a top cover; a substrate disposed within the top cover; and a first probe and a second probe disposed between the bottom cover and the top cover and electrically connected the substrate. The first and second probes form an open circuit. While the bottom cover is combined with the top cover to form the transdermal microneedle array patch, the first and second probes form a closed circuit.

Classes IPC  ?

  • A61B 5/145 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p.ex. de la concentration des gaz dans le sang, de la valeur du pH du sang
  • A61B 5/15 - Dispositifs de prélèvement d'échantillons de sang
  • A61B 5/1486 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p.ex. de la concentration des gaz dans le sang, de la valeur du pH du sang en utilisant des électrodes enzymatiques, p.ex. avec oxydase immobilisée
  • A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic ; Identification des individus

91.

Switching power converter circuit, clock generator circuit and clock generation method having spread spectrum

      
Numéro d'application 17736374
Numéro de brevet 11811321
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-05-04
Date de la première publication 2022-11-10
Date d'octroi 2023-11-07
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Hsu, Chen-Lin
  • Lee, Chia-Chun

Abrégé

A spread spectrum switching power converter circuit includes: a power stage circuit which includes an inductor and a power switch and is configured to switch the power switch according to a switching signal having spread spectrum for power conversion; a variable frequency oscillator, which generates a spread spectrum clock signal according to a spread spectrum control signal; a spread spectrum control circuit, which generates the spread spectrum control signal according to a first clock signal and a second clock signal; and a pulse width modulation circuit, configured to generate the switching signal according to a feedback signal based on the spread spectrum clock signal. The spread spectrum control circuit generates the spread spectrum control signal by sampling and combining a periodic waveform and a random waveform. The random waveform is generated according to the first clock signal and the periodic waveform is generated according to the second clock signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H03K 3/017 - Réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

92.

SCC-based DC-DC power conversion system capable of receiving switching control adjustable by output voltage thereof, and power conversion method thereof

      
Numéro d'application 17511607
Numéro de brevet 11716020
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-10-27
Date de la première publication 2022-11-03
Date d'octroi 2023-08-01
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORP. (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Liu, Kuo-Chi
  • Yang, Ta-Yung
  • Pai, Chung-Lung

Abrégé

A DC-DC power conversion system includes a resonant switched-capacitor converter and a controller. The resonant switched-capacitor converter is switched between a first state and a second state to generate an output voltage, and includes an input terminal, a resonant tank, an output capacitor, a first set of switches and a second set of switches. The input terminal is used to receive an input voltage. The output capacitor is used to generate the output voltage. The first set of switches is turned on in the first state and turned off in the second state according to a first control signal. The second set of switches is turned on in the second state and turned off in the first state according to a second control signal. The controller adjusts the first control signal and the second control signal according to the output voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

93.

High voltage device and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 17702702
Numéro de brevet 11961833
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-03-23
Date de la première publication 2022-10-20
Date d'octroi 2024-04-16
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chiu, Kuo-Chin
  • Chiu, Chien-Wei

Abrégé

A high voltage device is used as a lower switch in a power stage of a switching regulator. The high voltage device includes at least one lateral diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device, a first isolation region, a second isolation region, a third isolation region, and a current limiting device. The first isolation region is located in a semiconductor layer, and encloses the LDMOS device. The second isolation region has a first conductivity type, and encloses the first isolation region in the semiconductor layer. The third isolation region has a second conductivity type, and encloses the second isolation region in the semiconductor layer. The current limiting device is electrically connected to the second isolation region, and is configured to operably suppress a parasitic silicon controlled rectifier (SCR) from being turned on.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 21/761 - Jonctions PN

94.

Spike suppression circuit and power converter and control method thereof

      
Numéro d'application 17468932
Numéro de brevet 11489439
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-09-08
Date de la première publication 2022-10-20
Date d'octroi 2022-11-01
Propriétaire RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Tang, Chien-Fu
  • Lin, Tzu-Chen
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

A spike suppression circuit includes a wide bandgap transistor, a first transistor, a clamping circuit, and a capacitor. The wide bandgap transistor is depletion-type. The first transistor is coupled in series with the wide bandgap transistor. The clamping circuit provides a voltage difference, and is coupled to a common node between the wide bandgap transistor and the first transistor. The capacitor provides a supply voltage for the clamping circuit. When the first transistor is turned off, the capacitor can recycle spike energy at the common node.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/34 - Circuits d'amortissement
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H03K 3/0233 - Circuits bistables
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
  • G05F 3/18 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des diodes Zener
  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
  • G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée

95.

High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

      
Numéro d'application 17718101
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-11
Date de la première publication 2022-10-20
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Hsiung, Chih-Wen
  • Chang, Chun-Lung
  • Yu, Kun-Huang
  • Chiu, Kuo-Chin
  • Weng, Wu-Te

Abrégé

A high voltage device includes: a semiconductor layer, a well, a body region, a body contact, a gate, a source, and a drain. The body cofntact is configured as an electrical contact of the body region. The body contact and the source overlap with each other to define an overlap region. The body contact has a depth from an upper surface of the semiconductor layer, wherein the depth is deeper than a depth of the source, whereby a part of the body contact is located vertically below the overlap region. A length of the overlap region in a channel direction is not shorter than a predetermined length, so as to suppress a parasitic bipolar junction transistor from being turning on when the high voltage device operates, wherein the parasitic bipolar junction transistor is formed by a part of the well, a part of the body region and a part of the source.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/74 - Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

96.

FLYBACK POWER CONVERTER AND SWITCHED CAPACITOR CONVERTER CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 17716933
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-08
Date de la première publication 2022-10-13
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Yang, Ta-Yung
  • Chen, Yu-Chang

Abrégé

A switched capacitor converter circuit includes: a conversion capacitor; an output capacitor; and switches configured to switch the coupling configurations of the conversion capacitor and the output capacitor according to a level of the first power supply voltage of the switched capacitor converter circuit, to generate the second power supply voltage at the output capacitor according to the first power supply voltage. The second power supply voltage provides power to control the power converter circuit. When the first power supply voltage is higher than a high threshold, the switched capacitor converter circuit controls the second power supply voltage to be lower than the first power supply voltage. When the first power supply voltage is lower than a low threshold, the switched capacitor converter circuit controls the second power supply voltage to be higher than the first power supply voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs

97.

SWITCHING REGULATOR ACHIEVEING SOFT SWITCHING BY DOUBLE SWITCHING AND CONTROL CIRCUIT THEREOF

      
Numéro d'application 17711343
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-01
Date de la première publication 2022-10-06
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Yong-Cyuan
  • Lin, Tzu-Chen
  • Lee, Yi-Wei
  • Yang, Ta-Yung

Abrégé

A switching regulator includes a first switch, a second switch, an inductor coupled to the first and second switches, and a control circuit. The control circuit controls the first switch to be ON for an ON time period. Next, the control circuit controls the first and second switches to be OFF for a first dead time period. Next, the control circuit controls the second switch to be ON for a synchronous rectification time period. Next, the control circuit controls the first and second switches to be OFF for a second dead time period. Next, the control circuit controls the second switch to be ON for a zero-voltage-switching pulse time period. Next, the control circuit controls the first and second switches to be OFF for a third dead time period. By the above operations, the first switch achieves soft switching.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

98.

VGCS

      
Numéro de série 97612487
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-29
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Classes de Nice  ? 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

Computer memory devices; Computers; Circuit boards; Digital to analog converters (DACs); Analog to digital converter (ADCs); Voltage regulators; Semiconductor chips; Semi-conductors; Interfaces for computers; Microcircuits; Integrated circuits

99.

VOLTAICGAUGE

      
Numéro de série 97612500
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-29
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Classes de Nice  ? 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

Computer memory devices; Computers; Circuit boards; Digital to analog converters (DACs); Analog to digital converter (ADCs); Voltage regulators; Semiconductor chips; Semi-conductors; Interfaces for computers; Microcircuits; Integrated circuits

100.

POWER SUPPLY SYSTEM

      
Numéro d'application 17686575
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-04
Date de la première publication 2022-09-29
Propriétaire Richtek Technology Corporation (Taïwan, Province de Chine)
Inventeur(s)
  • Huang, Jian-Zhong
  • Chen, Kuan-Hua

Abrégé

A power supply system includes: first and second external path selection circuits respectively controlling first and second powers at first and second nodes to be electrically connected to first or second system ports; and an internal path selection circuit controlling a third power at a third node or a fourth power at a fourth node to be electrically connected to one or more power conversion modules. The first and the second external path selection circuits, the internal path selection circuit and the power conversion modules perform one of the following operations: (1) receiving at least one external power from one or more of the first and second system port, to generate third power at the third node and/or generate fourth power at the fourth node; or (2) converting power from a battery, to generate at least one output power at the first and/or second system port.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/34 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p.ex. batterie tampon
  • H02J 1/10 - Fonctionnement de sources à courant continu en parallèle
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