This semiconductor device comprises: a semiconductor circuit part; a first conduction member electrically connected to the semiconductor circuit part; a second conduction member electrically connected to the semiconductor circuit part; an insulating member which is in contact with the first conduction member and the second conduction member; and a sealing resin which covers the semiconductor circuit part, the first conduction member, the second conduction member, and a portion of the insulating member. The first conduction member and the second conduction member are fixed by the insulating member.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
2.
SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE, AND VEHICLE
A semiconductor device 1 comprises: a switch element 11(n) connected in parallel to a light emitting element 2(n); a detection circuit 13(n) that compares the voltage V(n+1)-V(n) between both ends of the switch element 11(n) to a prescribed threshold voltage Vth and generates a detection signal S1(n); and a failure diagnosis circuit 22(n) that performs diagnosis of whether the switch element 11(n) is stuck in an OFF state by monitoring the detection signal S1(n) at a timing when the drive signal VG(n) of the switch element 11(n) is at a logic level when ON.
H05B 45/54 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LED; Circuits de protection dans un ensemble sériel de LED
B60Q 11/00 - Agencement des dispositifs témoin pour les dispositifs prévus dans les groupes
H05B 45/14 - Commande de l'intensité de la lumière à l'aide d'une rétroaction électrique provenant de LED ou de modules de LED
H05B 45/325 - Modulation de la largeur des impulsions [PWM]
H05B 45/44 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] - Détails des circuits de charge à LED avec un contrôle actif à l'intérieur d'une matrice de LED
H05B 47/105 - Commande de la source lumineuse en réponse à des paramètres détectés
H05B 47/16 - Commande de la source lumineuse par des moyens de minutage
H05B 47/23 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses en général, c. à d. où le type de source lumineuse n'est pas important pour la protection de plusieurs sources lumineuses connectées en série
H05B 47/25 - Circuits de protection contre un excès de courant
This pressure sensor comprises: a package exterior body having an upper wall; and a MEMS chip. The MEMS chip has a membrane and is disposed in an internal space of the package exterior body. A plurality of holes passing through the upper wall in the thickness direction of the upper wall are formed in the upper wall.
This semiconductor device comprises: a first metal layer and second metal layer; a second semiconductor element mounted on the second metal layer; a first conductive member; a second connection member that conductively connects the second semiconductor element and the first conductive member; and a sealing resin that covers at least a portion of each of the second metal layer, the second semiconductor element, the first conductive member, and the second connection member. The first conductive member is spaced apart from the first metal layer in a z direction. The semiconductor device further comprises a first insulating spacer that is interposed between the first metal layer and the first conductive member.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This nitride semiconductor device (10) comprises: a hexagonal SiC substrate (22) having a main surface (22A) inclined at an off angle of 2-6° in a specific crystal direction with respect to the c-plane; a nitride semiconductor layer (24) disposed on the main surface (22A) of the SiC substrate (22); and a gate electrode (20), a source electrode (38), and a drain electrode (40) disposed on the nitride semiconductor layer (24). The nitride semiconductor layer (24) includes an electron transport layer (30) and an electron injection layer (32) which is disposed on the electron transport layer (30) and has a band gap larger than that of the electron transport layer (30). The gate electrode (20) extends in a second direction and is disposed between the source electrode (38) and the drain electrode (40) which are isolated in a first direction. The first direction intersects a third direction, which matches the specific crystal direction in plan view, at an angle within the range of 90°±15°.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
A switch device 1 includes, for example, a power supply terminal T1 to which a power supply voltage VBB is supplied, an output terminal T2 to which a load is externally connected, a switch element 10 connected between the power supply terminal T1 and the output terminal T2, a signal output terminal T5 that outputs an output current detection signal Vs corresponding to an output current Io flowing during the ON period of the switch element 10 (IN = H), an overcurrent protection circuit 71 that limits the output current detection signal Vs to or below a predetermined overcurrent limit value Vocp during the ON period of the switch element 10 (IN = H), and an output abnormality detection circuit 72 that monitors the output voltage Vo of the output terminal T2 in a first state (SEN=L) in which no current is supplied to the output terminal T2 during the OFF period (IN = L) of the switching element 10 and a second state (SEN = H) in which the current is supplied to the output terminal T2, while switching the states, to switch the logic level of the output current detection signal Vs.
H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
H02H 5/04 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions non électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une température anormale
H02H 7/20 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour équipement électronique
H02H 9/02 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de courant
H03K 17/00 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
This joining structure comprises a first joining target that has a first joining layer, a second joining target that has a second joining layer, and an intermediate joining material that is between the first joining target and the second joining target. The intermediate joining material has a base material layer and a first surface layer and second surface layer that are disposed on either side of the base material layer. The first joining layer and the first surface layer are joined by solid phase bonding. The second joining layer and the second surface layer are joined by solid phase bonding. The main component of the base material layer is Cu.
A light-emitting element drive device (201) is equipped with an overcurrent detection unit (6) which is configured so as to detect an overcurrent of the current flowing to light-emitting element units (41-44) of one or more channels, and so as to be capable of connecting to one or more current detection resistors (R1) provided between the positive electrodes of the light-emitting element units and an end for application of a power supply voltage (Vout) for driving said light-emitting element units.
A semiconductor device comprising: a chip having a main surface and made of a semiconductor of a first conduction type; a first region of a second conduction type selectivity formed in a main-surface-side surface-layer portion of the chip; an insulating film selectively formed on the main surface; an interlayer dielectric film disposed over the main surface so as to cover the insulating film; a gate electrode and a source electrode which have been disposed over the interlayer dielectric film; a gate-connection electroconductive film formed on the insulating film and electrically connected to the gate electrode; and a contact region of the second conduction type which has been selectively formed in a surface-layer portion of the first region and to which the source electrode is electrically connected. When an area of the contact region to which the source electrode has been bonded is referred to as a source/contact junction region, then the distance between the position of each of portions of the lower surface of the gate-connection electroconductive film and the source/contact junction region located nearest thereto has a maximum value of 90 μm or less.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
According to one aspect of the present embodiment, a semiconductor device 10 comprises: a base 1 having a first main surface 1a and a second main surface 1b opposite from the first main surface 1a; and a ground pad 21 arranged on the first main surface 1a. The base 1 includes: a first via 14 that is arranged inside of the base 1; a capacitor 16 that is arranged inside of the base 1 and electrically connected to the first via 14; and a second via 15 that is arranged inside of the base 1 and electrically connected to the capacitor 16. The arrangement in which the first via 14, the capacitor 16, the second via 15, the capacitor 16, and the first via 14 appear in this order is set as the minimum unit, and the semiconductor device 10 has a periodic structure (100, 200, 300) in which multiple of these minimum units are periodically connected.
H01G 4/33 - Condensateurs à film mince ou à film épais
H01G 4/38 - Condensateurs multiples, c. à d. combinaisons structurales de condensateurs fixes
H01G 4/40 - Combinaisons structurales de condensateurs fixes avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, la structure étant principalement constituée par un condensateur, p.ex. combinaisons RC
This element evaluation device comprises: a target element connected between first and second nodes; a drive switching element connected between the second node and a third node; an inductor connected between a fourth node to which a power supply voltage is applied and the second node; a switching circuit that switches the drive switching element; a voltage generation circuit connected between the first and fourth nodes; and a capacitor connected between the first and third nodes. The voltage generation circuit generates a voltage between the first and fourth nodes, with the first node as a high potential side, when a return current flows that returns to the fourth node via the second node, the first node, and the voltage generation circuit from the fourth node after the drive switching element is turned off.
This electric power supply control device 200 comprises: a control circuit 180 that turns an upper-side switch 111 and a lower-side switch 112 of a switching output circuit 110 on and off, thereby driving an inductor current IL and generating an output voltage VOUT from an input voltage PVDD; an error amplifier 140 that compares a prescribed reference voltage REF and a feedback voltage FB that corresponds to the output voltage VOUT, and outputs an error signal ERR including voltage feedback information Vinfo; an information-retaining unit 230 that samples current feedback information Iinfo corresponding to the inductor current ILL flowing to the lower-side switch 112 in a period in which the lower-side switch 112 is on, and outputs a hold as a retention signal HLD in a period in which the upper-side switch 111 is on; and an off-timing control unit 190 that individually receives input of each of the error signal ERR and the retention signal HLD, and determines an off timing of the upper-side switch 111.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
This power unit comprises a power module and a capacitor module. The power module has a power conversion circuit, a first power terminal, and a second power terminal. The capacitor module has a capacitor element, a first output terminal connected to the first power terminal, and a second output terminal connected to the second power terminal. The first power terminal and the second power terminal are aligned in a first direction, and have different positions in a specific direction intersecting the first direction. The first output terminal and the second output terminal are aligned in the first direction, and have different positions in the specific direction.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This electronic element comprises a body portion, a first electrode disposed on one side in a first direction of the body portion, and a first bonding layer stacked on the first electrode. The first bonding layer has a first protruding portion and a second protruding portion formed therein, each protruding from the first electrode in the first direction. In a cross section of the first bonding layer including the first direction in an in-plane direction thereof, the first protruding portion and the second protruding portion are spaced apart from each other.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/50 - Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
This electric power conversion unit is provided with a plurality of semiconductor devices, a mounting object, and one mounting member. The plurality of semiconductor devices each comprise a semiconductor element and a sealing part which covers the semiconductor element. The mounting object comprises a main body part which is in contact with each one of the plurality of semiconductor devices. The one mounting member holds the plurality of semiconductor devices on the mounting object. The one mounting member comprises a fixed part which is fixed to the mounting object, and a pressing part which presses the plurality of semiconductor devices against the main body part.
H01L 23/40 - Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This signal transmission device comprises a first chip that includes a first transistor, a second chip, a plurality of first lead terminals, a plurality of second lead terminals, an inter-chip wire that electrically connects the first chip and the second chip, and a plurality of first lead wires that separately connect the first chip and the plurality of first lead terminals. The inter-chip wire is formed using a material that contains gold. The first lead wires are formed using a material that contains copper or aluminum.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
This signal transmission device comprises: a first chip including a first transformer, a second chip, a plurality of first terminals, a plurality of second terminals, a plurality of third terminals, inter-chip wires, and a plurality of first terminal wires. The inter-chip wire individually connects the first chip and the second chip. The inter-chip wire individually connects the first chip and the third chip. The first terminal wires individually electrically connect the first chip and a plurality of first ends. The inter-chip wire is made of a material containing gold. The first terminal wire is made of a material containing copper or aluminum.
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
A first chip comprising a substrate, an element-insulating layer disposed on the substrate, and wiring layers provided to the element-insulating layer. The wiring layers comprise a first wiring layer and an end wiring layer serving as a second wiring layer disposed in a position differing from that of the first wiring layer in the Z direction and electrically connected to the first wiring layer. The first wiring layer includes a first lap portion, which lies within the end wiring layer in a plan view, and a first protrudent portion, which protrudes from the end wiring layer in the plan view.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
20.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention provides a semiconductor device that comprises: an insulating first film which is formed along the side wall of an element isolation trench, and which has a first portion that is formed along the bottom wall and the side wall of the element isolation trench and a second portion that is led out from the first portion along the bottom wall and has an opening through which the bottom wall is exposed; a second film which contains a material that has an etching selectivity with respect to the first film, and which is formed along the upper surface region of the second portion and the first portion of the first film; and a conductive buried body that is buried in the element isolation trench.
H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
This semiconductor device comprises: a semiconductor element having a first electrode; a first lead electrically connected to the first electrode; a first conductive member which is electrically connected and joined to the first electrode and the first lead; and a sealing resin which covers the semiconductor element and the first conductive member. The sealing resin has a bottom surface and a side surface. The first lead has: a first terminal part exposed from the bottom surface; a first extension part extending from the first terminal part to a side where the semiconductor element is located in a second direction; and a first suspension part which is connected to the first extension part and is exposed from the side surface. The first conductive member is electrically connected and joined to the first extension part. The dimension of the first extension part in the second direction is greater than the dimension of the first terminal part in the second direction.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
This signal transmission device comprises: a first chip including an isolation transformer; a second chip; a plurality of first lead terminals; a plurality of second lead terminals; an inter-chip wire that electrically connects the first chip and the second chip; and a first lead wire that individually connects the first chip and a plurality of first lead terminals. The inter-chip wire is made of a material containing gold. The first lead wire is made of a material containing copper or aluminum.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
A signal transmission device according to the present invention is provided with: a first chip including a first transformer; a second chip; a plurality of first lead terminals; a plurality of second lead terminals; an inter-chip wire electrically connecting the first chip and the second chip; and first lead wires individually connecting the first chip to the plurality of first lead terminals. The inter-chip wire is formed from a material that includes gold. The first lead wires are formed from a material that includes copper or aluminum.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
A signal transmission device comprising a first chip, which includes a first transformer, a second chip, a plurality of first lead terminals, a plurality of second lead terminals, chip-to-chip wires which electrically connect the first chip to the second chip, and first lead wires which connect the first chip to the plurality of first lead terminals separately. The chip-to-chip wires are made of a material including gold. The first lead wires are made of a material including copper or aluminum.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
25.
PROCESSING DEVICE FOR PIEZOELECRIC ELEMENT AND ULTRASONIC SENSOR
According to the present invention, a reflection wave signal obtained by the reflection, by an object, of a transmission wave signal from a piezoelectric element is received and a reception intensity signal is generated. A signal for comparison is generated of which the signal value changes over time from a transmission start time point of the transmission wave signal. A signal output circuit operates in any among a plurality of output modes. The plurality of output modes include: a first output mode in which a signal based on a comparison result of the reception intensity signal and the signal for comparison is output from a communication terminal; and a second output mode in which a plurality of output target signals are output from the communication terminal while being switched. The plurality of output target signals include, as two output target signals, a signal indicating the waveform of the reception intensity signal, and a signal indicating the waveform of the signal for comparison.
This overcurrent protection circuit comprises: first and second transistors that are configured to form an amplifier input stage for receiving the input of a detection signal responsive to a monitored current; a third transistor that is configured to generate a current output signal responsive to the difference between the detection signal and a reference signal, while forming an amplifier output stage for negative-feedback inputting the current output signal to the amplifier input stage; and a fourth transistor that is configured to output the comparison result between the detection signal and the reference signal. The values of the reference signal are configured to be switched on the basis of the comparison result. The overcurrent protection circuit is configured to limit the monitored current on the basis of the current output signal outputted from the third transistor.
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
G05F 1/10 - Régulation de la tension ou de l'intensité
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
27.
SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND VEHICLE
A semiconductor device 1 comprises: an output switch 9; an overcurrent protection circuit 34 that detects an output current IOUT flowing to the output switch 9 and applies overcurrent protection; an overheat protection circuit 36 that detects a temperature to be monitored and applies overheat protection; and a mode control circuit 53 that switches between setting each of the overcurrent protection circuit 34 and the overheat protection circuit 36 to a normal mode or to a capacitive load drive mode. In the capacitive load drive mode, the overcurrent protection circuit 34 limits the output current IOUT to an overcurrent protection threshold value or less. The overheat protection circuit 36 repeats forcibly turning off and restarting the output switch 9 each time the temperature to be monitored rises to a second overheat protection threshold value, which is lower than a first overheat protection threshold value set in the normal mode.
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
H02J 1/00 - Circuits pour réseaux principaux ou de distribution, à courant continu
28.
I/O CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, CELL LIBRARY, AND METHOD FOR DESIGNING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR DEVICE
This I/O circuit 10 is formed by discretionarily combining a plurality of types of standard cells included in a cell library 100. A standard cell 150 included in the plurality of types of standard cells includes: a first element formation region 151 configured such that a first protection element P11 connected between a signal line and a power supply line and a second protection element N11 connected between the signal line and a ground line are formed; and a second element formation region 152 configured such that a third protection element N12 connected between the power supply line and the ground line is formed. Both the second protection element N11 and the third protection element N12 are formed in a common well.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
29.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a support body; a first semiconductor element and a second semiconductor element disposed on a first side, of the support body, in the thickness direction; and a sealing body which covers part of the support body and the first semiconductor element and the second semiconductor element. The support body has a first surface that faces a second side in the thickness direction and is exposed from the sealing body, and the first surface has an uneven region constituted of a plurality of dot-like recesses overlapping each other.
This semiconductor device is provided with: a main substrate which has a first main metal layer; a first semiconductor element supported by the main substrate; a first sub-substrate supported by the main substrate; and a sealing resin which covers the first semiconductor element. The first sub-substrate has: a sub insulating layer; and a first sub metal layer and a second sub metal layer with the sub insulating layer interposed therebetween in the thickness direction. The second sub metal layer is conductively bonded to the first main metal layer. The first sub metal layer includes a region. The first sub-substrate further has a connection conductive part which electrically connects the region and the second sub metal layer to each other.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device is provided with a plurality of leads, a semiconductor element, and a sealing resin. A first lead includes: a first main part; and a plurality of first branch parts which are arranged along a first direction and which extend in a second direction from the first main part. The first branch parts each have: a first root section which connects to the first main part; and a first connection section conductively bonded to a first electrode. A first width, which is the width in the first direction of an end of the first connection section, is narrower than a second width, which is the width in the first direction of a boundary between the first root section and the first main part.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
TXinin. An active termination circuit 310 is connected with a secondary winding Ws for a transformer T1 and includes a first transistor and a second transistor that are cross-coupled. A common voltage change suppression circuit 330 is configured from a combinational circuit. When a first input node in1 and a second input node in2 have changed with the same polarity, the common voltage change suppression circuit 330 does not change the state of a first output node out1 and a second output node out2. A latch circuit 340 latches output from the common voltage change suppression circuit 330.
This semiconductor light-emitting device comprises: a substrate having a substrate surface; a lateral surface light-emitting element that is provided on the substrate surface and has a first light-emitting lateral surface which emits light; and an upper surface light-emitting element that is provided on the substrate surface and has a light-emitting upper surface which emits light. The lateral surface light-emitting element is positioned so that the first light-emitting lateral surface is oriented in a direction intersecting the thickness direction of the substrate. The upper surface light-emitting element is positioned so that the light-emitting upper surface is oriented in the thickness direction of the substrate.
This semiconductor device comprises: a semiconductor element; a first lead that includes a die pad part having a first lead main surface which faces a first side in the thickness direction and on which the semiconductor element is mounted, a first lead back surface which faces the second side in the thickness direction, and a first lead lateral surface which faces a first side in a first direction perpendicular to the thickness direction; a second lead that is provided apart on the first side in the first direction of the die pad; and a wire conductively joined to the semiconductor element and the second lead. The die pad part is further provided with a contact avoidance surface connected to the first lead main surface and the first lead lateral surface. The contact avoidance surface overlaps the wire as viewed in the thickness direction, and is positioned closer to the second side in the thickness direction than the first lead main surface.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
A semiconductor device equipped with a first switching element and a first main connection member. The first switching element has a first electrode, which has been disposed on one thickness-direction side and in which a main electric current flows. The first main connection member is connected to the first electrode. The semiconductor device is further equipped with a first minor connection member connected to the first main connection member and with a second minor connection member. The first main connection member comprises a first main metal as a main component. The first minor connection member comprises a first minor metal as a main component. The second minor connection member comprises a second minor metal as a main component. The first minor metal and the second minor metal differ in thermoelectric power from each other.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor laser device comprises a substrate that has a substrate surface, a semiconductor laser element that is provided on the substrate surface, and a translucent sealing resin that seals the semiconductor laser element. The sealing resin has a sealing surface that faces the same side as the substrate surface, and a first sealing end surface that intersects the sealing surface. The sealing resin includes a diffusion material that diffuses light. The semiconductor laser element includes a first light emitting surface that emits laser light toward the first sealing end surface.
In the present invention, an output terminal is connected to a power supply voltage application end through a pull-up resistor. An output transistor is provided between the output terminal and ground. A capacitor is connected between the gate of the output transistor and the output terminal. A charge-discharge circuit charges or discharges the gate of the output transistor in accordance with an input signal, turns on or off the output transistor accordingly, to thereby generate an output signal, corresponding to the input signal, at the output terminal. When switching on and off the output transistor, the charge-discharge circuit variably sets the values of charging current and discharging current for the gate of the output transistor.
In the present invention, an output terminal is connected to a power supply voltage application end through a pull-up resistor and a backflow prevention diode. An output transistor is provided between the output terminal and ground. A capacitor is connected between the gate of the output transistor and the output terminal. A charge-discharge circuit charges or discharges the gate of the output transistor in accordance with an input signal, turns on or off the output transistor accordingly, to thereby generate an output signal, corresponding to the input signal, at the output terminal. The charge-discharge circuit sets charging current and discharging current, which are to be applied to the gate of the output transistor, to adjustment target current, and changes the adjustment target current non-linearly in accordance with the power supply voltage.
In the present invention, an output terminal is connected, through a pull-up resistor and a backward flow prevention diode, to an end to which power supply voltage is applied. An output transistor is provided between the output terminal and a ground. A capacitor is connected between a gate of the output transistor and the output terminal. A charging and discharging circuit causes the output transistor to be turned on and off by charging and discharging the gate of the output transistor in a first level period and a second level period for a control input signal, to thus generate, in the output terminal, an output signal corresponding to the input signal. A signal generation circuit causes a level change to occur for the control input signal upon a level change in the original input signal. When doing so, the width in which the control input signal has a second level is adjusted in accordance with the power supply voltage.
This abnormality detection circuit is configured so as to detect abnormality of a first half bridge including a first switching element and a second switching element. The abnormality detection circuit includes: a series circuit of a first switch and a first resistor provided between a first node which is a connection node for the first switching element and the second switching element and a second node configured so as to have a first constant voltage applied thereto; and a first comparator configured so as to compare a first reference voltage and a voltage corresponding to the voltage of the first node.
This DC/DC converter comprises: a pair of first terminals; a pair of second terminals; a primary side circuit; a secondary side circuit; a first capacitor; and a second capacitor. The primary side circuit comprises a first semiconductor switching element and a first reactor. The secondary side circuit comprises: at least one of a diode and a second semiconductor switching element; and a second reactor. The primary side circuit is provided between: the pair of first terminals; and the first capacitor and the second capacitor. The secondary side circuit is provided between: the first capacitor and the second capacitor; and the pair of second terminals.
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device (10) is provided with: a semiconductor layer (12); a cell trench (14) which is formed in the shape of a mesh in the semiconductor layer (12), while comprising a plurality of first trenches (24) that extend in a first direction when viewed in plan and a plurality of second trenches (26) that extend in a second direction that intersects with the first direction when viewed in plan so that the plurality of first trenches (24) and the plurality of second trenches (26) intersect with and in communication with each other; an insulating layer (16) which is formed on the semiconductor layer (12); a plurality of gate electrodes (28) which are respectively buried in the plurality of first trenches (24) by the intermediary of the insulating layer (16), while extending in the first direction; and a plurality of field plate electrodes (30) which are respectively buried in the plurality of second trenches (26) by the intermediary of the insulating layer (16), while extending in the second direction.
Provided is a semiconductor device including: a gate electrode embedded in a gate trench; a surface insulating layer that is formed on a first principal surface and that has a contact hole; a covering insulating layer that covers the gate electrode in the gate trench and that insulates the gate electrode from a contact electrode; and an embedded body that is embedded in a region on the covering insulating layer in the gate trench and that has etching selectivity with respect to the surface insulating layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
This semiconductor device comprises: a chip having a first main surface on one side and a second main surface on the other side; a first terminal that is disposed on the first main surface; a second terminal that is disposed on the second main surface; and a protection circuit that includes a protection transistor formed on the first main surface so as to be electrically interposed between the first terminal and the second terminal, and that forms a discharge path for overvoltage generated between the first terminal and the second terminal. The protection transistor includes a plurality of trench gate structures each having an upper electrode and a lower electrode buried in the vertical direction sandwiching an insulator inside a trench formed in the first main surface.
This device comprises a first semiconductor element, a second semiconductor element, a first conductive member, and a second conductive member. The first semiconductor element has a first drain electrode and a first source electrode that are positioned on one side in a first direction. The second semiconductor element has a second drain electrode and a second source electrode that are positioned on the one side in the first direction, the second semiconductor element being positioned adjacent to the first semiconductor element in a second direction that is orthogonal to the first direction. The first conductive member is joined to the first drain electrode and the second drain electrode in an electrically conductive manner. The second conductive member is joined to the first source electrode and the second source electrode in an electrically conductive manner. As seen in the first direction, each of the first conductive member and the second conductive member intersects a gap between the first semiconductor element and the second semiconductor element.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
Provided is a semiconductor device comprising: a gate electrode layer embedded in a gate trench; a contact trench including a first intersecting region intersecting the gate trench; and an emitter contact electrode layer embedded in the contact trench. A gate electrode recess is formed in the first intersecting region and a peripheral portion to the first intersecting region of the gate trench. A gate-coating insulation layer is embedded in the gate electrode recess. The emitter region is formed deeper than the upper surface of the gate electrode layer in the peripheral portion to the first intersecting region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This semiconductor device includes: a chip having a main surface; an output region provided on the main surface; a protective region provided on the main surface; an output transistor having a plurality of first trench gate structures formed on the main surface with a first interval in the output region; and a protective circuit that has a protective transistor including a plurality of second trench gate structures formed on the main surface with a second interval bigger than the first interval in the protective region, and forms an overvoltage discharge path.
A switch drive device 100 comprises: an upper driver 110H that switches an upper switch of a power circuit 200 on/off by receiving input of an upper control signal HS and outputting a upper drive signal HG; a lower driver 110L that switches a lower switch of the power circuit 200 on/off by receiving input of a lower control signal LS and outputting a lower drive signal LG; a first detection circuit 120L that detects falling of a switch voltage which appears at a connection node between the upper switch and the lower switch after the upper control signal HS has been switched to an off logic level (for example, a low level) and that generates a first detection signal S16; and a first control circuit 130L that switches the lower control signal LS to an on logic level (for example, a high level) after at least a first delay time has elapsed, using the first detection signal S16 as a trigger.
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
49.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
This semiconductor device comprises a semiconductor element, a conductive member, a conductive joining layer, and a first positioning member. The semiconductor element has a first primary surface electrode. The conductive joining layer conductively joins the first primary surface electrode and the conductive member. The first positioning member is disposed between the first primary surface electrode and the conductive member and is in contact with the first primary surface electrode and the conductive member. In one example, the first positioning member is in contact with the conductive joining layer. In one example, the first positioning member contains a metal as a main component.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device comprises: a first switching element having a first main surface facing one side in a thickness direction; a wiring layer disposed on the one side in the thickness direction with respect to the first switching element; and a second switching element disposed on the one side in the thickness direction with respect to the wiring layer. The first switching element includes a first electrode, a second electrode, and a third electrode that are each formed on the first main surface. The second switching element overlaps the first switching element when viewed in the thickness direction. The second switching element is in electrical communication with the first switching element via the wiring layer.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
In the present invention, a transformer chip includes: an insulating body that is provided on a substrate; an isolation transformer; a first connection electrode and a second connection electrode; a first capacitor; a second capacitor; and a connection portion. The isolation transformer has a first transformer that includes a first coil and a second coil that are arranged with a first insulating layer of the insulating body interposed therebetween, and a second transformer that includes a third coil and a fourth coil that are arranged with the first insulating layer interposed therebetween. The first connection electrode and the second connection electrode are electrically connected to the isolation transformer. The first capacitor is electrically connected to the first connection electrode. The second capacitor is electrically connected to the second connection electrode. The connection portion electrically connects the first capacitor and the second capacitor to the substrate.
H01F 19/04 - Transformateurs ou inductances mutuelles appropriés au maniement des fréquences situées bien au-delà de la bande acoustique
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01F 27/00 - AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES - Détails de transformateurs ou d'inductances, en général
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
This semiconductor device comprises a first lead having a die pad portion, a first semiconductor element mounted on the die pad portion, and a plurality of second leads. The plurality of second leads are arrayed, on one side in a first direction orthogonal to the thickness direction of the die pad portion, along a second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction. The die pad portion comprises a die pad main surface facing one side in the thickness direction. The center of the first semiconductor element when viewed in the thickness direction is displaced from the center in the second direction of the die pad main surface. Each of the plurality of second leads comprises a second pad portion extending toward the first semiconductor element when viewed in the thickness direction.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device comprises: a lead having a die pad portion; a semiconductor element mounted on the die pad portion; a semiconductor element mounted on the die pad portion; and wires joined in electrical communication with the second semiconductor element and the die pad portion. The die pad portion has a main surface facing a first thickness-direction side in the thickness direction. The main surface includes: a first region that is positioned on a first side in a first direction of the semiconductor element, and to which the wires are joined; and a first terminal edge that is positioned on the first side in the first direction of the first region, and that extends in a second direction. The die pad portion includes an opening portion that has an opening end on the main surface, and that is positioned between the first region and the first terminal edge.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
This transformer comprises an outer coil conductor wiring and an inner coil conductor wiring that are disposed in an insulator. The outer coil conductor wiring includes a first outer coil and a second outer coil. A second end of the first outer coil and a second end of the second outer coil are connected to each other. The first outer coil and the second outer coil are wound so as to generate opposing magnetic fluxes when current flows from a first end of one of the first outer coil and the second outer coil to a first end of the other of the first outer coil and the second outer coil. The inner coil conductor wiring includes a first inner coil and a second inner coil. In a plan view, the first inner coil is disposed inside the first outer coil, and the second inner coil is disposed inside the second outer coil.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01F 19/04 - Transformateurs ou inductances mutuelles appropriés au maniement des fréquences situées bien au-delà de la bande acoustique
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
This transformer includes: a substrate having a substrate upper surface and a substrate lower surface; a first insulator which is in contact with the substrate upper surface; a second insulator which is in contact with the substrate lower surface; and an outer coil and an inner coil which are disposed inside the first insulator. The inner coil is disposed inside the outer coil when viewed in a direction perpendicular to the substrate upper surface, and is disposed so as not to overlap the outer coil.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01F 19/04 - Transformateurs ou inductances mutuelles appropriés au maniement des fréquences situées bien au-delà de la bande acoustique
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
56.
MACRO MODEL FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, CIRCUIT DESIGN SIMULATION PROGRAM, AND CIRCUIT DESIGN SIMULATOR
This macro model 10 for a semiconductor integrated circuit device is used for a circuit design simulator, the model comprising: a virtual input terminal 11a which receives, as a virtual input signal Sa, parameters for the semiconductor integrated circuit device; and a functional block 12 which approximately or equivalently represents, on the circuit design simulator, the characteristics and behaviors of the semiconductor integrated circuit device on the basis of the virtual input signal Sa received by the virtual input terminal 11a.
G06F 30/367 - Vérification de la conception, p.ex. par simulation, programme de simulation avec emphase de circuit intégré [SPICE], méthodes directes ou de relaxation
The present invention provides a semiconductor device which is provided with a semiconductor element that has a first electrode and a gate electrode. This semiconductor device is additionally provided with: a first terminal that is electrically connected to the first electrode; a second terminal that is electrically connected to the gate electrode; and a third terminal that is electrically connected to the first electrode. The direction of the electric current flowing through the first terminal and the third terminal is opposite to the direction of the electric current flowing through the second terminal. The second terminal is positioned adjacent to the first terminal. The third terminal is positioned opposite to the first terminal with respect to the second terminal.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
58.
ACTUATOR DRIVER AND CAMERA MODULE USING SAME, ELECTRONIC APPARATUS, AND MOVABLE UNIT POSITION DETECTION METHOD
G02B 7/04 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles avec mécanisme de mise au point ou pour faire varier le grossissement
G02B 7/08 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles avec mécanisme de mise au point ou pour faire varier le grossissement adaptés pour fonctionner en combinaison avec un mécanisme de télécommande
G03B 5/00 - Réglage du système optique relatif à l'image ou à la surface du sujet, autre que pour la mise au point présentant un intérêt général pour les appareils photographiques, les appareils de projection ou les tireuses
H04N 23/54 - Montage de tubes analyseurs, de capteurs d'images électroniques, de bobines de déviation ou de focalisation
H04N 23/68 - Commande des caméras ou des modules de caméras pour une prise de vue stable de la scène, p. ex. en compensant les vibrations du boîtier de l'appareil photo
The present invention provides a semiconductor device which is provided with: a semiconductor element; a first lead which comprises a first terminal part and a die pad part that has a first lead main surface which faces one side in the thickness direction and on which the semiconductor element is mounted, and a first lead back surface which faces the other side in the thickness direction; and a sealing resin which has a first resin surface that faces the one side in the thickness direction and a second resin surface that faces the other side in the thickness direction, while covering the semiconductor element and a part of the die pad part. With respect to this semiconductor device, the first lead back surface is exposed from the second resin surface; the first terminal part comprises a portion which is used for mounting, while being positioned on the one side in the thickness direction with respect to the first lead main surface; and at least one of the first lead back surface and the second resin surface has a higher surface roughness than the first resin surface.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
This semiconductor device comprises: a semiconductor element; a sealing resin that covers the semiconductor element, and has a third side surface 55; a first terminal lead that has a first outer portion protruding from the third side surface; a second terminal lead that has a second outer portion protruding from the third side surface; and a first connection bar that is provided at a distance from the sealing resin. The first connection bar is sandwiched between the first outer portion and the second outer portion in a second direction. The first outer portion has a first proximal end that extends from the third side surface, and a first tip that extends from the first proximal end. The second outer portion has a second proximal end that extends from the third side surface, and a second tip that extends from the second proximal end. The first connection bar is connected to both the first proximal end and the second proximal end.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device comprises a first conductive portion in which a plurality of first semiconductor elements are mounted, the first conductive portion including a first wiring portion and a second wiring portion that are spaced apart from each other in a first direction. A second conductive portion in which a plurality of second semiconductor elements are mounted includes a third wiring portion and a fourth wiring portion that are disposed between the first wiring portion and the second wiring portion in the first direction, and that are spaced apart from each other in the first direction. The plurality of first semiconductor elements disposed in the first wiring portion and the plurality of second semiconductor elements disposed in the third wiring portion are staggered from each other in a second direction. The plurality of first semiconductor elements disposed in the third wiring portion and the plurality of second semiconductor elements disposed in the fourth wiring portion are staggered from each other in the second direction.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor testing apparatus comprises: a first node to which one end of a semiconductor switching device is electrically connected; a second node to which the other end of the semiconductor switching device is electrically connected; a first power source which is for high-voltage and low-current applications and which generates a first voltage and a first current; a second power source which is for low-voltage and high-current applications and which generates a second voltage lower than the first voltage and a second current greater than the first current; a first relay that has a withstand voltage equal to or higher than the first voltage and that is electrically interposed between the first node and the first power source; a second relay that has a withstand voltage equal to or higher than the second voltage and that is electrically interposed between the first node and the second power source; a third relay that has a withstand voltage equal to or higher than the first voltage and that is connected in parallel to the second relay; and a fourth relay that has a withstand voltage equal to or higher than the second voltage and that is connected in parallel to the second power source.
This semiconductor device is provided with: a first conductive layer; a first semiconductor element; a second conductive layer; a second semiconductor element; a first terminal; and a sealing resin that covers the first semiconductor element and the second semiconductor element. The first semiconductor element has a first electrode and a second electrode that are located on sides opposite to each other in a first direction. The second semiconductor element 22 has a third electrode and a fourth electrode that are located on sides opposite to each other in the first direction. The first electrode is conductively bonded to the first conductive layer. The fourth electrode is conductively bonded to the second conductive layer. The first terminal is conductively bonded to the second electrode and the third electrode. The polarity of the second electrode and the polarity of the third electrode are different from each other. The first terminal is exposed from the sealing resin.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor element which comprises a semiconductor layer and a first electrode that is arranged on one side of the semiconductor layer in the thickness direction; a first conduction member which is bonded to the first electrode; another first conduction member which is bonded to the semiconductor element from the other side in the thickness direction; and a sealing resin which has a first resin surface that faces toward the one side in the thickness direction and a second resin surface that faces toward the other side in the thickness direction, and which covers at least a part of each one of the first conduction members. The first electrode comprises a first metal layer that contains a metal which has a higher thermal conductivity than the solder.
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
65.
INSULATING SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING SUBSTRATE, AND THERMAL PRINT HEAD
This insulating substrate comprises: a ceramic layer having a main surface; a raised portion arranged on the main surface and extending linearly in a plan view; and a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion. The raised portion is formed of a material having a melting point higher than a firing temperature of the glaze layer and a thermal conductivity higher than that of the glaze layer.
The present invention obtains an output voltage by rectifying and smoothing a voltage generated by an operation that switches between a high-side transistor and a low-side transistor. The switching operation is performed on the basis of voltage information corresponding to the output voltage and coil current information generated through a current sensing operation. The switching frequency can be set to a first frequency or a second frequency (< the first frequency). For the second frequency, for a portion of the period from when the most recent current sensing operation was performed until the next current sensing operation is performed, coil current information is generated by adding pseudo current information to information about the current detected by the most recent current sensing operation.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
67.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device according to the present invention comprises: a well region which is formed in a surface part of a first main surface of a semiconductor layer; a source region which is formed in a surface part of the well region; a drain region which is formed in the surface part of the well region at a distance from the source region so as to define a channel region between itself and the source region; a planar gate structure which is formed on the first main surface of the semiconductor layer so as to face the channel region; and a memory structure which is arranged so as to be laterally adjacent to the planar gate structure. The memory structure comprises an insulating film which is formed on the channel region and a charge storage film which faces the channel region with the insulating film being interposed therebetween. This semiconductor device additionally comprises a p-type impurity region that has a higher impurity concentration than the well region.
H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
68.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
In the present invention, a semiconductor device comprises: a semiconductor element that has an element main surface and an element rear surface that are oriented toward opposite sides in the thickness direction, and a first electrode that is located on the element main surface; a buffer portion that is bonded to the first electrode in a conductive manner; and a wire that is bonded to the buffer portion in a conductive manner, and includes a first metal.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
A semiconductor device (10) comprises: a semiconductor layer (14) including a peripheral region (40) and an inner region (42); a gate wire (44); and a source wire (34). A plurality of peripheral gate fingers (46) of the gate wire (44) are spaced apart from each other by a plurality of gaps (48) disposed along the outer edge of the inner region (42). The inner region (42) includes a plurality of sub-regions (52) divided by at least two mutually intersecting inner gate fingers (50) of the gate wire (44). A peripheral segment (58) of the source wire (34) is continuous with at least two of a plurality of inner segments (56) that are respectively disposed in the plurality of sub-regions (52). Each of the at least two inner segments (56) is connected to the peripheral segment (58) via a gap (48), among the plurality of gaps (48), that is adjacent to the sub-region (52) in which the inner segment (56) is disposed.
This semiconductor device comprises a first semiconductor element, a second semiconductor element, a support substrate, and an encapsulating resin, the semiconductor device further comprising a heat radiation member that is located on a rear surface. The heat radiation member includes a plurality of first protruding elements, each having a first base portion, a second base portion, a first raised portion, a second raised portion, and a first tip portion. The plurality of first protruding elements are arranged in a matrix along a plane that includes a first direction and a second direction.
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
F28D 7/16 - Appareils échangeurs de chaleur comportant des ensembles de canalisations tubulaires fixes pour les deux sources de potentiel calorifique, ces sources étant en contact chacune avec un côté de la paroi d'une canalisation les canalisations étant espacées parallèlement
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
A nitride semiconductor device (10) comprises: an electron transit layer (16) that is constituted by a nitride semiconductor; an electron supply layer (18) that is provided on the electron transit layer (16) and that is constituted by a nitride semiconductor which has a band gap greater than that of the electron transit layer (16); a gate layer (22) that is provided on the electron supply layer (18) and that is constituted by a nitride semiconductor containing an acceptor-type impurity; a gate electrode (24) that is provided on the gate layer (22); and a source electrode (28) and drain electrode (30) that are provided on the electron supply layer (18). The gate layer (22) includes a gate layer body part (32), a first extending part (33, 34) that extends outward from a side surface of the gate layer body part (32), and a second extending part (35, 36) that extends outward from a side surface of the first extending part (33, 34). The first extending part (33, 34) includes a first groove part (43, 44) that is formed at a first depth from the upper surface of the first extending part (33, 34) and along the side surface of the gate layer body part (32).
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
This semiconductor device comprises a support layer, a conductive layer, a semiconductor element bonded to the conductive layer, a first coating layer, a second coating layer, and a bonding layer. The bonding layer has a base layer, a third coating layer, and a fourth coating layer. A solid phase bonding layer is formed between the first coating layer and the third coating layer, and between the second coating layer and the fourth coating layer. The Vickers hardness of the base layer is lower than the Vickers hardness of each of the support layer and the conductive layer. The third coating layer and the fourth coating layer each have a first layer, a second layer, and a third layer. The degree of diffusion of the second layer into each of the third layer, the first coating layer, and the second coating layer is greater than the degree of diffusion of the first layer into each of the third layer, the first coating layer, and the second coating layer.
This semiconductor device comprises a support substrate and at least one terminal. The support substrate has a main surface directed toward one thickness-direction side. The at least one terminal is disposed on the main surface, and includes an electrically conductive holder, and a metal pin that is press-fitted into the inner circumferential surface of the holder, the metal pin projecting further to one thickness-direction side than the holder. At least one projection that projects radially inward is provided on the inner circumferential surface of the holder. The at least one projection abuts the outer circumferential surface of the metal pin.
H01L 23/04 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device comprises: a field plate which is disposed on a semiconductor layer between a drain region and a source/gate region, and which is spirally wound a plurality of times in a plan view, the field plate being resistive and including an inner-most peripheral portion electrically connected to the drain region, and an outer-most peripheral portion electrically connected to ground; and a voltage-dividing wire of which one end portion is electrically connected to a resistive voltage-dividing portion that is set in an intermediate position between the inner-most peripheral portion and the outer-most peripheral portion of the field plate.
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
This temperature sensor comprises a single diode, a first adjustment circuit, and a second adjustment circuit. A current flowing into the single diode is adjusted to N/M times a reference current by the first adjustment circuit and the second adjustment circuit. The first adjustment circuit is configured to handle, among the N/M times the reference current, 1/M times the reference current. The second adjustment circuit is configured to handle, among the N/M times the reference current, N times the reference current. M and N are each greater than 1.
G01K 7/01 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments semi-conducteurs à jonctions PN
76.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLY
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a supporting body which has a main surface that faces one side in the thickness direction and a back surface that faces a direction that is opposite to the direction to which the main surface faces; at least one semiconductor element which is arranged on the main surface; a conductive part which is formed on the main surface, while being formed of a conductive material; a thermistor which is arranged on the conductive part; and a sealing resin which covers at least a part of the supporting body, the semiconductor element, the thermistor and the conductive part. The supporting body comprises an insulating substrate that has the main surface; the thermistor is bonded to the conductive part by the intermediary of a conductive bonding material; and the back surface is exposed from the sealing resin.
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
A semiconductor device according to the present invention comprises a first insulation layer, a first conductive layer, a second conductive layer, a first heat-dissipating layer, a first semiconductor element, a second semiconductor element, a conduction member, and a sealing resin. In relation to the first insulation layer, the first heat-dissipating layer is positioned on a side opposite the first conductive layer and the second conductive layer. The first semiconductor element has a first electrode conductively bonded to the first conductive layer, and a second electrode to which the conduction member is conductively bonded. The second semiconductor element has a third electrode to which the conduction member is conductively bonded, and a fourth electrode conductively bonded to the second conductive layer. The polarities of the second electrode and the third electrode are mutually different. The first heat-dissipating layer and the conduction member are exposed from the sealing resin.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
78.
DC BALANCE ENCODING METHOD, DECODING METHOD, AND TRANSMISSION CIRCUIT
In a first step S100, a one-bit conversion bit is added to source data D0. In a second step S102, when input data D1 includes a sequence of identical multi-valued states (symbols) extending from a position before the center to a tail end, a first half D1f of the input data D1 is utilized to generate converted data D2. In a third step S104, when the input data D1 includes a sequence of identical multi-valued states extending from the start thereof to a position after the center, a second half D1s of the input data D1 is utilized to generate the converted data D2.
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a first die pad; a first semiconductor element which is bonded to the first die pad; a first lead which is separated from the first die pad; a first conduction member which is conductively bonded to the first semiconductor element and the first lead; a sealing resin which covers the first semiconductor element and the first conduction member; and a pillow member which is positioned between the first die pad and the first conduction member. The pillow member is in contact with the first die pad and the first conduction member. The pillow member has an insulating layer. The thermal conductivity of the insulating layer is higher than the thermal conductivity of the sealing resin.
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device comprises: a conductive layer that has a main surface oriented to a first side in a first direction; a semiconductor element joined to the main surface; a first input lead that has a connection part joined to the main surface; a joining material that joins the main surface and the connection part; and a sealing resin that covers the semiconductor element. The connection part has first recesses that each store a part of the joining material. The first recesses are open on a second side in the first direction and on a first side in a second direction.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
This semiconductor device comprises a wiring layer, a semiconductor element, an insulating layer, a sealing resin, and a metal film. The semiconductor element has a plurality of electrodes facing the wiring layer and conductively joined to the wiring layer. The insulating layer covers the wiring layer. The sealing resin is positioned on the side opposite to the wiring layer in a first direction with the insulating layer used as a reference and surrounds at least the periphery of the semiconductor element when viewed in the first direction. The metal film covers the semiconductor element and includes a portion positioned between the insulating layer and the sealing resin. A portion of the insulating layer is positioned between the wiring layer and the semiconductor element. The sealing resin has a first side surface facing the direction orthogonal to the first direction. The insulating layer is exposed to the outside from the first side surface.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
This semiconductor device comprises: a plurality of semiconductor elements, each having a first electrode, a second electrode, and a third electrode; a first wiring unit; a second wiring unit; and a third wiring unit. The plurality of semiconductor elements include: a first element mounted on the first wiring unit; and a second element mounted on the second wiring unit. In the first element, the first electrode is in electrical contact with the first wiring unit. In the second element, the first electrode is in electrical contact with the second wiring unit. The third wiring unit is in electrical contact with the second electrode of each of the semiconductor elements and is positioned between the first wiring unit and the second wiring unit in the second direction.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This linear power supply circuit includes: an output transistor that is provided between an input end configured such that input voltage is applied thereto, and an output end configured such that output voltage is applied thereto; a field effect transistor that forms a pair with the output transistor to constitute a current mirror circuit; a first switch provided between a source of the field effect transistor and the input end; and a second switch provided between a gate of the field effect transistor and a ground end configured such that ground voltage is applied thereto.
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
84.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
The present invention includes a substrate, and a semiconductor stacked structure disposed on the substrate. The semiconductor stacked structure includes: a multi-channel structure including a plurality of first nitride semiconductor layers; and a plurality of second nitride semiconductor layers in which a band gap is larger than that of the first nitride semiconductor layers. The first nitride semiconductor layers and the second nitride semiconductor layers are alternately disposed, and a bottommost layer is a first nitride semiconductor layer. Among the plurality of first nitride semiconductor layers included in the multi-channel structure, each of the first nitride semiconductor layers other than the first nitride semiconductor layer of the bottommost layer includes: a first region on a lower surface side that is doped with donor-type impurities; and a second region on an upper surface side that is not doped with donor-type impurities.
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
A linear power supply device (1A) comprises: a current/voltage conversion unit (RsA) that converts a mirror current into first voltage information (Vmon, Vs); a voltage information output terminal (TvA) configured to be able to output the first voltage information (Vmon) to the outside; a voltage information input terminal (TvA) configured to allow for the input of second voltage information (Vmon) from the outside; a comparison unit (CPA) configured to compare the second voltage information (Vmon) with the first voltage information (Vs); and a control transistor (NMA) that is driven on the basis of the result of comparison by the comparison unit, and effects control to decrease the difference between the second voltage information and the first voltage information.
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
A thermal printhead (1) comprises a substrate (10), a resistor layer (30), a drive circuit (35), a sealing member (43), and a first resin flow stopper (50). The resistor layer (30) includes a plurality of heat generation units (31). The sealing member (43) is formed by curing a sealing resin material and seals the drive circuit (35). The first resin flow stopper (50) stops the flow of the sealing resin material. The first resin flow stopper (50) is disposed between the drive circuit (35) and the resistor layer (30) and is in contact with the sealing member (43).
B41J 2/345 - Machines à écrire ou mécanismes d'impression sélective caractérisés par le procédé d'impression ou de marquage pour lequel ils sont conçus caractérisés par l'application sélective de chaleur à un matériau d'impression ou de transfert d'impression sensibles à la chaleur utilisant des têtes thermiques caractérisées par l'agencement des résistances ou des conducteurs
In the present invention, between a signal input terminal and a reference potential terminal, first and second protection diodes having opposite forward directions are connected in series, an identification resistor is provided, and an input resistor, a first transistor, and a second transistor are connected in series. A third transistor, a limiting resistor, and a clamp diode are connected in series between a power source terminal and a signal input terminal. In a state of power supply, the second and third transistors are both controlled to ON, and operation in accordance with an input signal to the signal input terminal in an internal circuit is performed. The forward directions of parasitic diodes of the first and second transistors are mutually opposite.
G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
This dryer comprises a drying chamber, a supply pipe, a discharge pipe, a drying basket, a baffle plate, a suction part, and a heater part. The drying chamber has a partition wall and a flow path. The internal space of the drying chamber has a first space that is connected to the supply pipe and a second space that is connected to the discharge pipe. The boundary between the first space and the second space is defined by the partition wall. The flow path is provided to the partition wall and achieves communication between the first space and the second space. The drying basket has a bottom surface and is disposed in the flow path such that the bottom surface faces the second space side. The baffle plate is disposed in the flow path oppositely from the bottom surface with an interval therebetween. The suction part is configured to introduce a gas from outside the dryer into the first space from the supply pipe and discharge the gas introduced to the first space to the outside from the discharge pipe and the via the flow path and the second space.
F26B 21/00 - Dispositions pour l'alimentation ou le réglage de l'air ou des gaz pour le séchage d'un matériau solide ou d'objets
F26B 3/04 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur par convection, c. à d. la chaleur étant transférée d'une source de chaleur au matériau ou aux objets à sécher par un gaz ou par une vapeur, p.ex. l'air le gaz ou la vapeur circulant sur ou autour du matériau ou des objets à sécher
An electronic component (1) includes: a lower electrode (51); intermediate electrodes (52) disposed on the lower electrode so as to form projections and recesses together with the lower electrode; and an upper electrode (53) having raised sections (57) formed at portions covering the intermediate electrodes and recessed sections (58) recessed toward the lower electrode with respect to the raised sections and formed at portions covering the lower electrode.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
90.
SWITCHING POWER SUPPLY AND CONTROL METHOD FOR SAME
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
91.
THERMAL PRINT HEAD, THERMAL PRINTER, AND THERMAL PRINT HEAD MANUFACTURING METHOD
This thermal print head comprises a substrate, a resistor layer, and a wiring layer. The substrate has a main surface and a rear surface. The resistor layer includes a plurality of heat generating parts that are supported on the substrate and arranged in a main scanning direction. The wiring layer is conductive with the plurality of heat generating parts. The wiring layer includes a plurality of individual wires and a common wire. The substrate has a recess positioned on one side in a sub-scanning direction relative to the plurality of heat generating parts. The recess is positioned between the main surface and the rear surface in a thickness direction. The thermal print head further comprises a conductive layer that includes a portion accommodated in the recess as viewed in the main scanning direction, and that is conductive with the common wire.
B41J 2/345 - Machines à écrire ou mécanismes d'impression sélective caractérisés par le procédé d'impression ou de marquage pour lequel ils sont conçus caractérisés par l'application sélective de chaleur à un matériau d'impression ou de transfert d'impression sensibles à la chaleur utilisant des têtes thermiques caractérisées par l'agencement des résistances ou des conducteurs
This semiconductor device includes: a chip having a main surface; a trench resistor structure formed in the main surface; a resistor film that is formed on the main surface and is electrically connected to the trench resistor structure; a gate terminal electrode that is formed on the main surface and is electrically connected to the trench resistor structure via the resistor film, the gate terminal electrode having a lower resistance value than the resistor film; and a gate wiring electrode that is formed on the main surface and is electrically connected to the gate terminal electrode via the resistor film and the trench resistor structure, the gate wiring electrode having a lower resistance value than the resistor film.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device according to the present invention is provided with an element insulating layer and a plurality of semiconductor resistive layers that are provided in the element insulating layer. The semiconductor resistive layers each comprise a resistive back surface, a resistive front surface that is on the reverse side from the resistive back surface, and a resistive lateral surface that connects the resistive back surface and the resistive front surface to each other. The element insulating layer comprises: a first insulating layer; a second insulating layer that is superposed on the first insulating layer and has a higher relative dielectric constant than the first insulating layer; and a third insulating layer that is superposed on the second insulating layer and has a lower relative dielectric constant than the second insulating layer. The semiconductor resistive layers are superposed on the second insulating layer and are provided within the third insulating layer in such a manner that the resistive back surfaces are in contact with the second insulating layer.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
94.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device according to the present invention comprises: a chip which has a first main surface and a second main surface that is on the reverse side of the first main surface; an active region which is provided in the chip; an inactive region which is provided in the chip on the outer side of the active region; an element structure which is formed in the active region of the first main surface; and a mark region which is formed of an impurity region that is selectively formed in the inactive region of the second main surface, the impurity region being optically detectable.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/301 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This semiconductor device includes: a chip having a first main surface and a second main surface on the opposite side; an active region provided on the chip; an element structure formed in the active region on the first main surface; and an impurity region that is linear, that extends along the outer circumferential edge of the chip on the second main surface, and that includes a bottom section at a point along the thickness direction of the chip.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
One end of an external load 2 is connected to a first output terminal OUT1, and the other end of the external load 2 is connected to a second output terminal OUT2. A PMOS transistor MP1 is connected between a power terminal VDD and the first output terminal OUT1, and an NMOS transistor MN1 is connected between a ground terminal GND and the second output terminal OUT2. A controller 110 performs ON/OFF control of the PMOS transistor MP1 and the NMOS transistor MN1 according to a control signal EN.
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H03K 17/00 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
97.
POWER SUPPLY SYSTEM, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER SUPPLY DEVICE
This power supply system comprises a plurality of semiconductor integrated circuit devices. During calibration, a master among the plurality of semiconductor integrated circuit devices is configured to supply, to a slave among the plurality of semiconductor integrated circuit devices, a first reference based on a detection result of electric current flowing through a switching element of the master as a calibration voltage. During calibration, the slave is configured to calibrate, on the basis of the calibration voltage, a second reference based on a detection result of electric current flowing through a switching element of the slave.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
98.
SWITCHING POWER SUPPLY DEVICE AND CONTROL METHOD FOR SAME
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
This semiconductor device comprises: a first lead that has a first surface facing the thickness direction; a semiconductor element supported on the first surface; and a plurality of wires each having first and second ends. The semiconductor element has an element main surface facing the thickness direction, and a main surface electrode formed in the element main surface. Each of the wires is joined at the first end to the main surface electrode. The wires include a first wire and a second wire. The second wire crosses over the first wire when viewed in the thickness direction.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
A semiconductor device (1) comprises a first reception unit (11) configured to receive reception data (RX) as serial data from a transmission device (40) via a first bus (BS1), and a first transmission unit (12) configured to connect to a device (10) via a second bus (BS2). The first reception unit and the first transmission unit are configured to perform thru-output of data (DDT) corresponding to the protocol of the device included in the reception data to the second bus when bridge selection data (BR) included in the reception data indicates that thru-ouput, in which bit data is output as-is between the first bus and the second bus, is in an on state.
brevets
